JPS6134250B2 - - Google Patents

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JPS6134250B2
JPS6134250B2 JP8992976A JP8992976A JPS6134250B2 JP S6134250 B2 JPS6134250 B2 JP S6134250B2 JP 8992976 A JP8992976 A JP 8992976A JP 8992976 A JP8992976 A JP 8992976A JP S6134250 B2 JPS6134250 B2 JP S6134250B2
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JP
Japan
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tantalum
mesh
layer
powder
particle size
Prior art date
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Application number
JP8992976A
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Japanese (ja)
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JPS5315561A (en
Inventor
Akihiko Yoshida
Atsushi Nishino
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP8992976A priority Critical patent/JPS5315561A/en
Publication of JPS5315561A publication Critical patent/JPS5315561A/en
Publication of JPS6134250B2 publication Critical patent/JPS6134250B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は固体電解コンデンサの製造方法に関す
るものである。 従来、固体電解コンデンサの分野では、弁金属
粉末、特にタンタル粉末を円筒形、角形等に加圧
成形し、2000℃前後の温度で真空焼結したものを
陽極体として用いていた。この型の固体電解コン
デンサは、陽極体が多孔質で比表面積が大きく、
また酸化タンタルの誘電率が大きいため、単位体
積当り大容量のものが得られることが大きな特徴
であり、その容量範囲は0.1μF〜1000μFにも
及んでいる。また、固体電解質を利用しているこ
と、酸化タンタル皮膜が化学的、熱的、電気的に
非常に安定であることなどから、容量、温度特
性、周波数特性、tanδ、漏れ電流等の諸特性
も、他のアルミ電解コンデンサ、磁器コンデンサ
より非常に優れている。 一方、近年の電子回路の小型化に伴ない、受動
部品の小型化が要求されている。特に、容量素子
においては、小型で容量の大きな部品の出現が望
まれている。このような要求に応えるものとして
現在は積層セラミツクコンデンサ、平板印刷型厚
膜コンデンサ、蒸着またはスパツタリング薄膜コ
ンデンサ等がある。 しかし、これらのコンデンサ、特に積層セラミ
ツクコンデンサは、誘電体ペーストと電極ペース
トとを何回も印刷して焼結しなければならず、非
常に製造工程が繁雑である。また、このような電
極の構造上、最大容量値に限度があり、さらには
電極にPt,Pd等の貴金属ペーストを用いるため
価格が高くなる。しかも、性能上でも温度特性等
に問題があり、小型回路素子に特に要求される半
田時の熱に対し強くなければならないという点を
満足していない。 また、厚膜コンデンサについても同様な問題が
存在し、まだまだ改善すべき点がある。 また、スパツタリング、電子線蒸着等によつて
も種々のタンタル薄膜コンデンサが開発され、商
品化もされているが、薄膜タンタルを用いている
ため、単位面積当りの容量が小さく、通常100μ
F程度のものしか得られない。この容量では、薄
膜電子回路には適当であつても、ICの外付け的
な電子回路に用いる場合には若干低い。しかも、
この薄膜コンデンサは、現在でもなお特殊な電子
回路の分野に属しており、まだまだ特性的にも
種々の問題がある。 また、小型回路に用いる固体電解コンデンサで
は、電極を回路基板に直接ボンデイング可能な、
いわゆるリードレスフエースボンデイング型にす
ることがその容積効率上重要になつてくる。しか
も、これにより接触抵抗が少なくなるため、容量
の周波数特性、インピーダンス特性の観点からも
要求されることである。 このような要求を満足するものとして、タンタ
ル焼結体を陽極体として用いた超小型の固体電解
コンデンサがいくつか開発され、商品として市販
されている。 例えば、第1図に示すように、従来の焼結型の
コンデンサ1の陽極リード線2に陽極端子3を接
続することにより、フエースボンデイング型にし
たものや、第2図a,bに示すように陽、陰極端
子に金属キヤツプ4,5を用い、フエースボンデ
イング型にしたもの等がある。 しかしながら、第1図に示す固体電解コンデン
サは、容積効率的、周波数特性的に不利であるこ
とは言うまでもなく、電極構成の点からも、単な
る従来の焼結型のコンデンサの変形であり、超小
型コンデンサへの移行の過渡的な意味きか持たな
い。また、第2図に示す固体電解コンデンサは、
両電極の金属キヤツプ4,5で構成していること
等から非常に容量の体積効率が良好であり、電極
形状も前述のフエースボンデイング型の理想状態
に近く、容量、tanδの周波数特性、インピーダ
ンス特性も良好であるが、このように小型の焼結
型コンデンサ1の両端部に金属キヤツプ4,5を
被さることや金属キヤツプ4と陽極リード線2と
を溶接することは非常に作業が困難なため、価格
が高くなるのである。 次に、タンタルの焼結体を陽極に用いた固体電
解コンデンサを製造する場合の作業にかかる費用
について述べる。 前述のようにタンタルの焼結体を陽極に用いた
固体電解コンデンサは、容量範囲が非常に広く
0.1μF〜1000μFに及んでいる。この容量範囲
のうちで1μF〜1000μFのコンデンサについて
は、その陽極化のサイズも大きく、成形プレス加
工、焼結、化成、二酸化マンガン(MnO2)付
着、リード線の切断、スポツト溶接、ハウジング
等の作業も比較的行ない易い。ところが、容量が
1μF以下のものになると陽極体のサイズも1mm
角以下になり、このような小型の陽極体を種々の
形状に成形したり、リード線を通したり、ハウジ
ング時にスポツト溶接したり、陽極形成のため金
属キヤツプ4,5を被せたりすることは非常に複
雑な作業が伴ない、価格が高くなる。 ここで、コンデンサの容量と材料費、作業費等
の製造費用との関係を図示すると、第3図に示す
ようになる。この第3図から明らかなように容量
が1μF以上のものは、材料費の上昇分だけ製造
費用が上昇するが、1μF以下のものは材料費が
微少になるにもかかわらず、前述のような理由で
逆に作業費が上昇し、その結果製造費用が上昇し
ている。すなわち、容量が1μFの付近で製造費
用が極少となるものである。 本発明は容量が1μF以下の固体電解コンデン
サにおいては製造費を低下させることができ、ま
た容量容積効率の大きい、そして端子の取出の容
易な小型大容量のフエースボンデイング型の固体
電解コンデンサの製造方法を提供するものであ
る。 以下、本発明の関連する従来例を述べ、続いて
本発明の内容について具体的に説明する。 今まで述べてきたタンタルの焼結体を陽極とし
て用いた固体電解コンデンサに代る全く新しい固
体電解コンデンサとして、適当な弁金属基板上に
タンタル粉末を溶射して生成したタンタル層上に
酸化物誘電膜を形成することにより構成した陽極
体を用いるものが、各方面で関発されている。し
かしながら、これらのものはいずれも具体性に欠
け、まだまだ技術として未熟な状態であつた。 本発明はその溶射によりアルミニウム基体にタ
ンタル粉末を溶着させタンタル層を形成し、陽極
体を構成する技術を具体化したもので、溶射粉末
として粒径が325メツシユから30メツシユの範囲
内のタンタル粉末を用いるものである。 まずは、本発明による固体電解コンデンサの製
造工程について順を追つて説明する。 (1) アルミニウム基体表面を、炭化珪素、酸化ア
ルミニウム等の適当な研削材を用いて粗面化す
る。粗面化用の研削材としては酸化アルミニウ
ム、炭化珪素等が適当であるが、後で述べるア
ルミニウム基板の場合は不純物混入防止の立場
から酸化アルミニウムが好ましい。 (2) 弁金属基板の表面を粗面化した後、洗浄し、
その後プラズマ溶射、炎溶射等により前記アル
ミニウム基体表面にタンタル粉末を溶射し、タ
ンタル層を溶射生成する。この時、溶射に用い
るタンタル粉末には粒径が325メツシユから30
メツシユの範囲内のものを使用する。また、粒
径が100メツシユから30メツシユの範囲内のタ
ンタル粉末を使用すれば、アルミニウム基体上
に良好なタンタル層を形成することができる。
さらに好ましくは、溶射タンタル粉末の粒径が
±30メツシユ以内の範囲のほぼ一様なものを使
用すればよい。 (3) アルミニウム基体上に生成したタンタル層を
適当な化成液を用いて陽極酸化し、当該陽極酸
化膜を熱処理する。この陽極酸化、熱処理の操
作を数回繰返す。 (4) その後、硝酸マンガン等の熱分解性金属塩の
熱分解によつて前記酸化タンタル皮膜上に二酸
化マンガン等の半導体性酸化物層を形成する。 (5) その後、その半導体酸化物層上にコロイダル
カーボン、シルバーペイント等よりなる陰極層
と半田層とを順次積層形成する。 このような製造工程により本発明の固体電解コ
ンデンサは構成される。 次に、タンタル粉末の粒径について詳述する。 第4図は溶射タンタル粉末の粒径と湿中容量と
の関係を示す特性図である。なお、溶射回数はい
かなる粒径の場合も同じである。第5図はアルミ
ニウム基体上に溶射生成したタンタル層の膜厚と
湿中容量との関係を示す特性図で、イは種々の粒
径のタンタル粉末が混合した、例えば米国
Norton社製のSGVR−4(商品名)を用いて溶射
した場合、ロは粒径が100メツシユから40メツシ
ユの範囲内のタンタル粉末を用いて溶射した場合
を示している。なお、米国Norton社製のSGVR−
4(商品名)は粒径が500メツシユから40メツシ
ユの混合品である。 第4図から明らかなように、粒径が200メツシ
ユから300メツシユの間で容量値が極小となり、
そして特に粒径の大きい100メツシユの方で容量
値が大きく立上る。また外観については、粒径が
100メツシユ以上のタンタル粉末を溶射したもの
の表面は一番凹凸が多く、325メツシユから400メ
ツシユのものの表面は非常に平坦で末溶射と同様
な表面であつた。また、粒径が大きいものの下地
基板への付着強度は非常に強固であり、微粒径の
もの(325メツシユ〜400メツシユ)は化成中にそ
のタンタル層が剥離し、あまり強固に接着してい
なかつた。しかも、粒径が400メツシユ以下の小
さいものは細かすぎてふわふわしているため、溶
射はほとんど下可能であつた。 また、第5図から明らかなように種々の粒径の
ものが混在したタンタル粉末を用いた場合に比べ
て粒径が100メツシユから40メツシユの範囲内の
一様なタンタル粉末を用いた場合は、湿中容量が
3〜4割程大きくなつている。溶射操作のし易さ
についても、500メツシユから40メツシユの範囲
で粒径の異なるタンタル粉末が混つている場合、
溶射銃口からそのタンタル粉末が不均一な大きさ
の固まりとなつて飛び出すことが多く、これによ
つて得られた溶射膜も不均一な凹凸になり、操作
も非常に困難である。ここで、従来の焼結型の陽
極を用いた場合の固体電解コンデンサでは、タン
タル粉末の粒径が細かいほど、単位体積当りの容
量が大きくなるが、タンタル粉末をアルミニウム
基体に溶射して陽極を構成する場合には、前述の
ように若干異つた傾向を示す。このことについて
説明する。まず、粒径の差による容量の差につい
てであるが、焼結型の陽極の場合、焼結操作を
2000℃前後の温度、10-6Torrの高真空中で行な
つている。タンタルの融点は2996℃でこの温度で
はタンタルはまだ固体であり、粒子間のタンタル
原子の相互移動という固−固反応のみが起こつて
いる。すなわち、粉末状態から予想される面積比
率が、そのまま焼結体にも適用でき、その結果単
位体積当りよりたくさん粒子のつまる粒径の細か
いタンタル粉末を用いた時の方が、単位体積当り
の容量が大きくなるのである。一方、溶射膜の場
合、タンタル粉末は一度高温で溶融し、その状態
で基板上に到達して冷却し、どんどん堆積してい
く。その結果、従来の焼結型の場合と異なり、粒
径の細かい微粒粉末は、一度溶融すると、次に基
板上で冷却堆積する際に、微粉末の表面が必ずし
も全面的に有効に生かされるように成膜するとは
限らない。この点、粒径の大きな325メツシユ以
上のタンタル粉末は、溶融冷却後も、粉末の表面
積が生かされ、その結果単位面積当り大容量のも
のが得られる。400メツシユ以下の粉末が溶射で
きない事実もこれを支持する。この傾向は、使用
粉末が米国Norton社製のSGVR−4(商品名)の
ような一次微粒子凝集型粉末について特に大きい
と思われる。なお、米国Norton社製のSGVR−4
(商品名)の一次微粒子凝集型粉末は、4μの一
次粒子が種々の粒径に凝集しているものであり、
本文中で言つている粒径とは二次粒子の粒径のこ
とである。 第6図は種々の粒径のものが混在した混在粉末
6を基板7上に溶射した時の溶射膜の断面を示
し、第7図は分級粉末8(粒径を±30メツシユ以
内にそろえたもの)を基板7上に溶射した時の溶
射膜の断面を示している。 第6図に示す混在粉末6を用いたものは、生成
した溶射膜、すなわちタンタル層も、大小の粒子
が混り合い、小粒子が大粒子間のつなぎの役目を
果している。これに対して第7図に示す分級粉末
8を用いたものは、同一粒径の粒子が基板7上に
整然と配列し、非常に単位体積当りの充填密度が
大きくなつている。外観についても第6図に示す
ものは溶射面が非常に不均一であるのに対し、第
7図に示すものは凹凸ながら均一な溶射面であ
る。 このような溶射タンタル粉末の粒径の差による
単位体積当りの容量、外観の差は固体化して完成
品とした時にさらに拡大される。 このことについて以下に述べる。なお、固体化
の方法については、陽極酸化によりタンタル層表
面に酸化タンタル皮膜を形成し、この上に硝酸マ
ンガンの熱分解によつて二酸化マンガンを形成
し、さらにこの上にコロイダルカーボン、シルバ
ーペイント、半田を順次積層して固体化した。 第8図および第9図はそれぞれ個体化した時の
タンタル粉末の粒径に対する容量とtanδとの関
係を示すものである。 この第8図および第9図からも明らかなように
湿中特性と同じく粒径が200メツシユから300メツ
シユの間で容量、tanδとも極小となる。 また、表1は種々のタンタル粉末に対する固体
化時のtanδを示している。定格は10V,12μF
である。なお、使用粉末は前述の米国Norton社
製のSGVR−4(商品名)と米国Metco社製の
Metco62(商品名)とSGVR−4(商品名)を分
級した粒径100メツシユ以上の粉末とである。
The present invention relates to a method of manufacturing a solid electrolytic capacitor. Conventionally, in the field of solid electrolytic capacitors, valve metal powder, particularly tantalum powder, has been pressure-formed into a cylindrical or square shape, and vacuum sintered at a temperature of around 2000°C, and used as an anode body. This type of solid electrolytic capacitor has a porous anode body and a large specific surface area.
Furthermore, since tantalum oxide has a high dielectric constant, a large capacity per unit volume can be obtained, and the capacitance range extends from 0.1 μF to 1000 μF. In addition, because a solid electrolyte is used and the tantalum oxide film is extremely stable chemically, thermally, and electrically, various characteristics such as capacity, temperature characteristics, frequency characteristics, tanδ, leakage current, etc. , much better than other aluminum electrolytic capacitors and porcelain capacitors. On the other hand, as electronic circuits have become smaller in recent years, there has been a demand for smaller passive components. Particularly in the case of capacitive elements, there is a desire for small-sized components with large capacitance. Currently, there are multilayer ceramic capacitors, planar printed thick film capacitors, vapor deposited or sputtered thin film capacitors, etc. that meet these demands. However, these capacitors, especially multilayer ceramic capacitors, require printing and sintering dielectric paste and electrode paste many times, resulting in a very complicated manufacturing process. Further, due to the structure of such electrodes, there is a limit to the maximum capacitance value, and furthermore, since noble metal paste such as Pt or Pd is used for the electrodes, the price becomes high. In addition, there are problems in terms of performance, such as temperature characteristics, and they do not satisfy the requirement that small circuit elements must be resistant to heat during soldering. Further, similar problems exist with thick film capacitors, and there are still points to be improved. Various tantalum thin film capacitors have also been developed and commercialized by sputtering, electron beam evaporation, etc., but because thin film tantalum is used, the capacitance per unit area is small, usually 100 μm.
Only F grade can be obtained. Although this capacitance is suitable for thin film electronic circuits, it is somewhat low when used for external electronic circuits of ICs. Moreover,
This thin film capacitor still belongs to the field of special electronic circuits, and there are still various problems with its characteristics. In addition, in solid electrolytic capacitors used in small circuits, electrodes can be bonded directly to the circuit board.
It is important to use a so-called leadless face bonding type in terms of volumetric efficiency. Moreover, this reduces the contact resistance, which is also required from the viewpoint of the frequency characteristics and impedance characteristics of the capacitor. In order to meet these requirements, several ultra-small solid electrolytic capacitors using tantalum sintered bodies as anode bodies have been developed and are commercially available. For example, as shown in Fig. 1, the anode terminal 3 is connected to the anode lead wire 2 of a conventional sintered capacitor 1 to form a face bonding type capacitor, or as shown in Fig. 2 a and b. There is also a face bonding type using metal caps 4 and 5 for the positive and negative terminals. However, the solid electrolytic capacitor shown in Figure 1 is simply a modification of the conventional sintered capacitor, not only is it disadvantageous in terms of volumetric efficiency and frequency characteristics, but also in terms of electrode configuration, and is ultra-small. It has only a temporary meaning of transition to capacitors. In addition, the solid electrolytic capacitor shown in Figure 2 is
Since it is composed of the metal caps 4 and 5 of both electrodes, it has very good volumetric efficiency of capacitance, and the electrode shape is close to the ideal state of the face bonding type mentioned above, and has excellent capacitance, tanδ frequency characteristics, and impedance characteristics. However, it is extremely difficult to cover both ends of the small sintered capacitor 1 with the metal caps 4 and 5 and to weld the metal cap 4 and the anode lead wire 2 together. , the price will be higher. Next, we will discuss the costs involved in manufacturing a solid electrolytic capacitor using a tantalum sintered body as an anode. As mentioned above, solid electrolytic capacitors that use tantalum sintered bodies as anodes have a very wide capacity range.
It ranges from 0.1μF to 1000μF. For capacitors from 1 μF to 1000 μF within this capacitance range, the size of anodization is large, and molding press processing, sintering, chemical conversion, manganese dioxide (MnO 2 ) adhesion, cutting of lead wires, spot welding, housing, etc. It is also relatively easy to work with. However, when the capacitance becomes less than 1 μF, the size of the anode body also decreases to 1 mm.
It is very difficult to mold such a small anode body into various shapes, pass lead wires through it, spot weld it at the time of housing, and cover it with metal caps 4 and 5 to form the anode. involves complicated work and increases the price. Here, the relationship between the capacitance of a capacitor and manufacturing costs such as material costs and labor costs is illustrated in FIG. 3. As is clear from Figure 3, for capacitors with a capacitance of 1 μF or more, the manufacturing cost increases by the increase in material costs, but for capacitances of 1 μF or less, although the material costs are minimal, the manufacturing cost increases as mentioned above. For this reason, work costs have increased, and as a result, manufacturing costs have increased. That is, the manufacturing cost is minimal when the capacitance is around 1 μF. The present invention is a method for manufacturing a small, large-capacity face-bonded solid electrolytic capacitor that can reduce manufacturing costs for solid electrolytic capacitors with a capacitance of 1 μF or less, has high capacitance/volume efficiency, and has easy terminal removal. It provides: Hereinafter, conventional examples related to the present invention will be described, and then the content of the present invention will be specifically explained. This is a completely new solid electrolytic capacitor that replaces the solid electrolytic capacitor that uses a tantalum sintered body as an anode as described above. There has been interest in various fields regarding the use of an anode body constructed by forming a film. However, all of these methods lacked specificity and were still in an immature state as technology. The present invention embodies a technology for forming an anode body by welding tantalum powder to an aluminum substrate by thermal spraying to form a tantalum layer. is used. First, the manufacturing process of the solid electrolytic capacitor according to the present invention will be explained step by step. (1) The surface of the aluminum substrate is roughened using a suitable abrasive such as silicon carbide or aluminum oxide. Aluminum oxide, silicon carbide, etc. are suitable as the abrasive material for surface roughening, but in the case of an aluminum substrate, which will be described later, aluminum oxide is preferable from the standpoint of preventing contamination with impurities. (2) After roughening the surface of the valve metal substrate, wash it.
Thereafter, tantalum powder is sprayed onto the surface of the aluminum substrate by plasma spraying, flame spraying, etc. to form a tantalum layer. At this time, the tantalum powder used for thermal spraying has a particle size of 325 mesh to 30 mesh.
Use items within the mesh range. Furthermore, if tantalum powder having a particle size within the range of 100 mesh to 30 mesh is used, a good tantalum layer can be formed on the aluminum substrate.
More preferably, thermally sprayed tantalum powder having a substantially uniform particle size within ±30 mesh may be used. (3) The tantalum layer formed on the aluminum substrate is anodized using a suitable chemical solution, and the anodic oxide film is heat treated. This anodic oxidation and heat treatment operation is repeated several times. (4) Thereafter, a semiconductor oxide layer such as manganese dioxide is formed on the tantalum oxide film by thermal decomposition of a thermally decomposable metal salt such as manganese nitrate. (5) After that, a cathode layer made of colloidal carbon, silver paint, etc. and a solder layer are sequentially laminated on the semiconductor oxide layer. The solid electrolytic capacitor of the present invention is constructed through such a manufacturing process. Next, the particle size of tantalum powder will be explained in detail. FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the particle size and wet capacity of thermally sprayed tantalum powder. Note that the number of times of thermal spraying is the same regardless of the particle size. Figure 5 is a characteristic diagram showing the relationship between the film thickness and wet capacity of a tantalum layer sprayed onto an aluminum substrate.
In the case of thermal spraying using SGVR-4 (trade name) manufactured by Norton, B shows the case of thermal spraying using tantalum powder with a particle size within the range of 100 mesh to 40 mesh. In addition, SGVR- manufactured by Norton in the United States
4 (trade name) is a mixed product with a particle size of 500 mesh to 40 mesh. As is clear from Figure 4, the capacity value becomes minimum when the particle size is between 200 mesh and 300 mesh.
In particular, the capacity value rises significantly in the case of 100 mesh, which has a large particle size. Regarding appearance, particle size
The surfaces of those sprayed with tantalum powder of 100 mesh or more were the most uneven, while those of 325 mesh to 400 mesh were very flat, similar to those obtained by thermal spraying. In addition, the adhesion strength of large particles to the underlying substrate is very strong, while those of fine particles (325 mesh to 400 mesh) have a tantalum layer that peels off during chemical formation and do not adhere very strongly. Ta. Furthermore, small particles with a particle size of 400 mesh or less were too fine and fluffy, so thermal spraying was almost impossible. Furthermore, as is clear from Figure 5, when using tantalum powder with a uniform particle size within the range of 100 mesh to 40 mesh, compared to using tantalum powder with a mixture of various particle sizes, , the humidity capacity has increased by about 30-40%. Regarding the ease of thermal spraying, when tantalum powder with different particle sizes in the range of 500 mesh to 40 mesh is mixed,
The tantalum powder often flies out from the spray gun muzzle in the form of lumps of non-uniform size, and as a result, the sprayed film obtained also has non-uniform irregularities, making it very difficult to operate. In solid electrolytic capacitors using conventional sintered anodes, the finer the tantalum powder particle size, the larger the capacity per unit volume. In the case of structuring, the tendency is slightly different as mentioned above. This will be explained. First, regarding the difference in capacity due to the difference in particle size, in the case of a sintered anode, the sintering operation is
The process is carried out at a temperature of around 2000℃ and in a high vacuum of 10 -6 Torr. The melting point of tantalum is 2996°C, and at this temperature tantalum is still a solid, and only a solid-solid reaction occurs in which tantalum atoms move between particles. In other words, the area ratio predicted from the powder state can be directly applied to the sintered body, and as a result, the capacity per unit volume is higher when tantalum powder with fine particle size is used, which has more particles per unit volume. becomes larger. On the other hand, in the case of thermal spray coatings, tantalum powder is melted at a high temperature, reaches the substrate in that state, cools, and gradually accumulates. As a result, unlike in the case of conventional sintering molds, once the fine-grained powder is melted, the surface of the fine powder is not necessarily fully utilized when it is cooled and deposited on the substrate. There is no guarantee that the film will be formed. In this respect, tantalum powder with a large particle size of 325 mesh or more allows the surface area of the powder to be utilized even after melting and cooling, resulting in a large capacity per unit area. This is supported by the fact that powders smaller than 400 mesh cannot be thermally sprayed. This tendency is considered to be particularly strong when the powder used is a primary fine particle agglomeration type powder such as SGVR-4 (trade name) manufactured by Norton, Inc. in the United States. In addition, SGVR-4 manufactured by Norton in the United States
(Product name) Primary fine particle agglomerated powder is one in which 4μ primary particles are aggregated to various particle sizes.
The particle size referred to in this text refers to the particle size of secondary particles. Figure 6 shows a cross section of the sprayed film when mixed powder 6 containing particles of various particle sizes is sprayed onto a substrate 7, and Figure 7 shows a cross-section of a sprayed film obtained by spraying mixed powder 6 containing particles of various particle sizes onto a substrate 7. 3 shows a cross section of a thermally sprayed film when a material) is thermally sprayed onto a substrate 7. In the case where the mixed powder 6 shown in FIG. 6 is used, the resulting thermal spray film, that is, the tantalum layer, is also a mixture of large and small particles, with the small particles acting as a link between the large particles. On the other hand, in the case of using the classified powder 8 shown in FIG. 7, particles of the same particle size are arranged in an orderly manner on the substrate 7, and the packing density per unit volume is extremely high. Regarding the appearance, the sprayed surface of the one shown in FIG. 6 is very non-uniform, whereas the one shown in FIG. 7 has a uniform sprayed surface although it has irregularities. The difference in capacity per unit volume and appearance due to the difference in particle size of thermally sprayed tantalum powder is further magnified when it is solidified into a finished product. This will be discussed below. Regarding the solidification method, a tantalum oxide film is formed on the surface of the tantalum layer by anodic oxidation, manganese dioxide is formed on this by thermal decomposition of manganese nitrate, and then colloidal carbon, silver paint, etc. The solder was layered one after another and solidified. FIGS. 8 and 9 respectively show the relationship between the capacity and tan δ with respect to the particle size of tantalum powder when it is solidified. As is clear from FIGS. 8 and 9, both the capacity and tan δ become minimum when the particle size is between 200 mesh and 300 mesh, similar to the wet characteristics. Table 1 also shows the tan δ of various tantalum powders upon solidification. Rating is 10V, 12μF
It is. The powders used are the aforementioned SGVR-4 (trade name) manufactured by Norton in the United States and Metco in the United States.
These are powders with a particle size of 100 mesh or more, which are obtained by classifying Metco62 (trade name) and SGVR-4 (trade name).

〔実施例 1〕[Example 1]

コンデンサ級の厚さ0.3mmのアルミニウム板
(純度99.99%)10mm×25mmの表面を炭化珪素また
は酸化アルミニウムで粗面化し、トリクレン、ア
セトン、蒸留水で超音波洗浄する。次に、10%
NaOH液中で、アルミニウム板の脱脂洗浄処理を
行ない。その後純水でアルカリを洗い流す。次
に、米国Norton社製のSGVR−4(商品名)のタ
ンタル粉末を分級した得た100メツシユから40メ
ツシユの粉末を用いて、プラズマ溶射装置(例え
ば、米国プラズマダイン社製のプラズマトロン
(商品名))によつてアルミニウム板上にプラズマ
溶射する。溶射回数は50回としたしかる後に、再
びトリクレン、アセトン、蒸留水によつてタンタ
ル溶射膜面を超音波洗浄し、未溶融、未付着のタ
ンタル粉末及び他の不純物をすべて除去する。こ
のようにして表面に溶射タンタル層を持つアルミ
ニウム板を形成し、この上に温度90℃の0.1M/1l
ホウ酸ソーダの化成液中で直流電流10mAを通電
して50V酸化タンタルの陽極酸化皮膜を生成す
る。次に、300℃中で30分間このアルミニウム板
を保つて水洗し、その後再び、前記の条件で陽極
化成を行なう。この操作(化成→熱処理)を3回
〜5回繰り返す。次に、比重=1.3の硝酸マンガ
ンの熱分解により酸化タンタル膜上に二酸化マン
ガンを生成させる。最後に、コロイダルカーボ
ン、シルバーペイント、半田を順次積層して完成
品とし、固体化性能を測定する。表2にこのよう
にして構成したコンデンサ(定格10V12μF)の
特性を示す。また、不活性ガス雰囲気中での溶
射、化学エツチングによる溶射タンタル層の純化
等の操作を加えた時の結果も併記する。
A 10 mm x 25 mm surface of a capacitor-grade 0.3 mm thick aluminum plate (99.99% purity) is roughened with silicon carbide or aluminum oxide, and then ultrasonically cleaned with trichlene, acetone, and distilled water. Then 10%
The aluminum plate was degreased and cleaned in NaOH solution. Then wash away the alkali with pure water. Next, 100 to 40 meshes of tantalum powder obtained by classifying tantalum powder SGVR-4 (trade name) manufactured by Norton Co., Ltd. in the United States are used in a plasma spraying device (e.g., Plasmatron (trade name) manufactured by Plasmadyne Corporation in the United States). Plasma spraying onto aluminum plate using After 50 times of thermal spraying, the surface of the tantalum sprayed film is again ultrasonically cleaned using trichloride, acetone, and distilled water to remove all unmelted and unattached tantalum powder and other impurities. In this way, an aluminum plate with a thermally sprayed tantalum layer on the surface is formed, and a 0.1M/1L film at a temperature of 90°C is placed on top of this.
A 50V tantalum oxide anodic oxide film is generated by applying a DC current of 10mA in a sodium borate chemical solution. Next, this aluminum plate was kept at 300° C. for 30 minutes, washed with water, and then anodized again under the above conditions. This operation (chemical formation→heat treatment) is repeated 3 to 5 times. Next, manganese dioxide is produced on the tantalum oxide film by thermal decomposition of manganese nitrate having a specific gravity of 1.3. Finally, colloidal carbon, silver paint, and solder are sequentially laminated to form a finished product, and the solidification performance is measured. Table 2 shows the characteristics of the capacitor constructed in this manner (rated at 10V, 12μF). Additionally, the results obtained when operations such as thermal spraying in an inert gas atmosphere and purification of the thermally sprayed tantalum layer by chemical etching are also included.

〔実施例 2〕[Example 2]

コンデンサ級の厚さ0.3mmのアルミニウム板
(純度99.99%)10mm×25mmの表面を炭化珪素また
は酸化アルミニウムで粗面化し、トリクレン、ア
セトン、蒸留水で超音波洗浄する。次に、10%
NaOH液中で、アルミニウム板の脱脂洗浄処理を
行ない。その後純水でアルカリを洗い流す。次
に、米国Norton社製のSGVR−4(商品名)タン
タル粉末を分級して得た100メツシユから40メツ
シユの粉末を用いて、プラズマ溶射装置(例え
ば、米国プラズマダイン社製のプラズマトロン
(商品名))によつてアルミニウム板上にプラズマ
溶射する。溶射回数は50回とした。しかる後に、
再びトリクレン、アセトン、蒸留水によつてタン
タル溶射膜面を超音波洗浄し、未溶融、未付着の
タンタル粉末及び他の不純物をすべて除去する。
このようにして表面に溶射タンタル層を持つアル
ミニウム板を形成し、この上に温度90℃の
0.1M/lホウ酸リーダの化成液中で直流電流
10mAを通電してまず最初、2時間で化成皮膜を
生成する。次に、300℃中で30分間このアルミニ
ウム板を保つて水洗し、この後再び、前記の条件
で陽極化成を行なう。この操作(化成→熱処理)
を3回〜5回繰り返し、次に比重=1.3の硝酸マ
ンガンの熱分解により酸化タンタル膜上に二酸化
マンガンを生成させる。最後に、コロイダルカー
ボン、シルバーペイント、半田を順次積層して完
成品とし、固体化性能を測定する。表3にこのよ
うにして構成したコンデンサ(定格10V12μF)
の特性を示す。
A 10 mm x 25 mm surface of a capacitor-grade 0.3 mm thick aluminum plate (99.99% purity) is roughened with silicon carbide or aluminum oxide, and then ultrasonically cleaned with trichlene, acetone, and distilled water. Then 10%
The aluminum plate was degreased and cleaned in NaOH solution. Then wash away the alkali with pure water. Next, 100 meshes to 40 meshes of tantalum powder obtained by classifying SGVR-4 (trade name) tantalum powder manufactured by Norton Co., Ltd. in the United States are used to use a plasma spraying device (e.g., Plasmatron (trade name) manufactured by Plasmadyne Corporation in the United States). Plasma spraying onto aluminum plate using The number of thermal spraying was 50 times. After that,
The surface of the tantalum sprayed film is again ultrasonically cleaned using trichlene, acetone, and distilled water to remove all unmelted and unattached tantalum powder and other impurities.
In this way, an aluminum plate with a sprayed tantalum layer on the surface is formed, and on top of this an aluminum plate is heated at a temperature of 90°C.
Direct current in chemical solution of 0.1M/l boric acid leader
First, a chemical conversion film is formed in 2 hours by applying a current of 10mA. Next, the aluminum plate was kept at 300° C. for 30 minutes, washed with water, and then anodized again under the above conditions. This operation (chemical formation → heat treatment)
This is repeated 3 to 5 times, and then manganese dioxide is produced on the tantalum oxide film by thermal decomposition of manganese nitrate having a specific gravity of 1.3. Finally, colloidal carbon, silver paint, and solder are sequentially laminated to form a finished product, and the solidification performance is measured. Table 3 shows the capacitor configured in this way (rated 10V 12μF)
shows the characteristics of

【表】 この表3より明らかなように、化成中に熱処理
を施すと、tanδ,LC、容量の周波数特性とも、
熱処理を施さない場合に比べ大きく改善される。 最後に、上述の説明中で述べた重要な条件とそ
の効果についてまとめる。 (1) 溶射用のタンタル粉末の粒径は、溶射の作業
性、タンタル層成膜の点から325メツシユから
30メツシユの範囲内が適当で、コンデンサの容
量の点からは100メツシユから30メツシユの範
囲内が適当である。 (2) タンタル粉末の粒径は、一様なものがよく、
±30メツシユ以内で均一なものがよい。 (3) 基板にタンタルを溶射後、1600℃以上の温
度、10-5Torrの真空中で20分間焼結処理を施
すことによつて基板とタンタル層との密着性を
向上させることができるとともに、溶射タンタ
ル層の純化も達成することができる。 (4) HF,NH4F等のエツチング液中で、溶射タ
ンタル層表面をエツチングすることによつて、
溶射タンタル層表面及びタンタル層中の不純物
や酸化物を除去することができ、清浄なタンタ
ル層を露出させることができる。 (5) タンタル粉末の溶射を不活性ガス中で行なう
と、生成したタンタル溶射層表面が雰囲気酸素
によつて酸化されることがなく、熱酸化により
生成される酸化タンタルの生成が妨げられるた
め、諸特性が向上する。 (6) 溶射用の基板として種々の観点からアルミニ
ウムまたはその合金が適当である。 (7) アルミニウム基板を用いた場合の化成液とし
ては、ホウ酸ソーダ、ホウ酸アンモン、ホウ
酸、リン酸アンモン等、障壁型の酸化アルミニ
ウムを生成可能な化成液が望ましい。 (8) (7)の場合、化成中に適宜の酸化皮膜の熱処理
工程を入れることによつて漏れ電流LCが激減
する。また、熱処理温度は200〜300℃が最適で
ある。 (9) アルミニウムまたはその合金を基板に用いた
場合、基板の粗面化材料としては酸化アルミニ
ウム研削材が最適で、不純物が混入しにくい。 以上のように、本発明によれば、従来の焼結型
陽極体を用いずに、超小型のリードレスコンデン
サを作ることが可能であり、従来の繁雑な高温真
空焼結操作、成型プレス工程等が不必要になる。
また、基板が平板状であり、コンデンサ自体も平
板状となるため、リードレスで陽、陰電極をとり
つけることも容易で、フエースボンデイングに適
しており、また体積効率的にも非常に無駄のない
構造である。このようなことは、当然製造費用の
低廉なことをも示唆している。 また、本発明の説明中で述べた種々の特徴、例
えば、粉末粒径、アルミニウム基板に関しては、
従来の溶射膜型コンデンサとの比較という点から
見て以下のよう長所がある。 (1) 粒径が一様なため、溶射操作が容易であり、
溶射層が均一である。 (2) 不活性ガス中での溶射により清浄な膜面が得
られる。 (3) アルミニウム基板を用いた場合、材料費が非
常に安くすみ、価格の低減を計ることができ
る。 (4) アルミニウム基板を用いた場合、タンタル層
との接着力が強固である。 (5) (4)の効果により、化成皮膜を円滑に生成する
ことができる。 (6) アルミニウムは加工が容易であるため、作業
性の向上を計ることができる。 (7) 材質が軽量であるため、コンデンサ自体も軽
量とする。 このように、非常に優れた固体電解コンデンサ
の製造方法を提供することができるのである。
[Table] As is clear from Table 3, when heat treatment is applied during chemical formation, the frequency characteristics of tanδ, LC, and capacity decrease.
This is greatly improved compared to the case without heat treatment. Finally, we will summarize the important conditions and their effects mentioned in the above explanation. (1) The particle size of tantalum powder for thermal spraying should be from 325 mesh in terms of thermal spraying workability and tantalum layer formation.
A range of 30 meshes is appropriate, and from the viewpoint of capacitor capacity, a range of 100 meshes to 30 meshes is appropriate. (2) The particle size of tantalum powder should be uniform;
It is best to have a uniformity within ±30 meters. (3) After spraying tantalum on the substrate, it is possible to improve the adhesion between the substrate and the tantalum layer by sintering it for 20 minutes in a vacuum of 10 -5 Torr at a temperature of 1600°C or higher. , purification of the sprayed tantalum layer can also be achieved. (4) By etching the surface of the sprayed tantalum layer in an etching solution such as HF or NH 4 F,
Impurities and oxides on the surface of the sprayed tantalum layer and in the tantalum layer can be removed, and a clean tantalum layer can be exposed. (5) When thermal spraying of tantalum powder is carried out in an inert gas, the surface of the generated tantalum sprayed layer is not oxidized by atmospheric oxygen, which prevents the generation of tantalum oxide generated by thermal oxidation. Various characteristics improve. (6) Aluminum or its alloys are suitable as a substrate for thermal spraying from various viewpoints. (7) When using an aluminum substrate, a chemical solution capable of producing barrier-type aluminum oxide, such as sodium borate, ammonium borate, boric acid, or ammonium phosphate, is desirable. (8) In the case of (7), the leakage current LC is drastically reduced by including an appropriate heat treatment step for the oxide film during chemical formation. Further, the optimum heat treatment temperature is 200 to 300°C. (9) When aluminum or its alloys are used for the substrate, aluminum oxide abrasives are the most suitable material for roughening the substrate, and are less likely to be contaminated with impurities. As described above, according to the present invention, it is possible to make an ultra-small leadless capacitor without using a conventional sintered anode body, and the conventional complicated high-temperature vacuum sintering operation and molding press process can be made. etc. become unnecessary.
In addition, since the substrate is flat and the capacitor itself is also flat, it is easy to attach positive and negative electrodes without leads, making it suitable for face bonding, and is extremely efficient in terms of volumetric efficiency. It is a structure. This naturally suggests that manufacturing costs are low. Furthermore, regarding the various features mentioned in the description of the present invention, such as powder particle size and aluminum substrate,
It has the following advantages when compared with conventional sprayed film capacitors. (1) Because the particle size is uniform, thermal spraying operations are easy;
The sprayed layer is uniform. (2) A clean coating surface can be obtained by thermal spraying in an inert gas. (3) When an aluminum substrate is used, the material cost is extremely low and the price can be reduced. (4) When an aluminum substrate is used, the adhesive strength with the tantalum layer is strong. (5) Due to the effect of (4), a chemical conversion film can be formed smoothly. (6) Since aluminum is easy to process, workability can be improved. (7) Since the material is lightweight, the capacitor itself should also be lightweight. In this way, it is possible to provide an extremely excellent method for manufacturing solid electrolytic capacitors.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の焼結型陽極体を用いた固体電解
コンデンサの外観斜視図、第2図aは従来の焼結
型陽極体を用いた固体電解コンデンサの外観斜視
図、第2図bは同断面図、第3図は固体電解コン
デンサの定格容量と製造費用との関係を示す図、
第4図は溶射タンタル粉末の粒径と湿中容量との
関係を示す特性図、第5図は溶射タンタル膜厚と
湿中容量との関係を示す特性図、第6図は粒径の
異なるタンタル粉末を混合したものを溶射した時
のタンタル層の概略断面図、第7図は粒径が一様
なタンタル粉末が混合したものを溶射した時のタ
ンタル層の概略断面図、第8図は溶射タンタル粉
末の粒径と固体電解コンデンサの固体化容量との
関係を示す特性図、第9図は溶射タンタル粉末の
粒径と固体電解コンデンサの固体化tanδとの関
係を示す特性図、第10図は100メツシユから40
メツシユのタンタル粉末使用時と500メツシユか
ら40メツシユの種々の粒径のタンタル粉末を混合
したものを使用した時との周波数に対する容量減
少率を示す特性図、第11図は溶射後、未処理の
ものと、溶射後化学エツチング処理を施したもの
と、不活性ガス中で溶射を行なつたものとの化成
時間に対する電圧と漏れ電流との変化を示す特性
図、第12図はアルミニウム基板上にタンタル粉
末を溶射した時のアルミニウム基板とタンタル粉
末との断面を示す電子顕微鏡写真、第13図はタ
ンタル基板とアルミニウム基板との化成時間に対
する電圧と漏れ電流との変化を示す特性図、第1
4図はアルミニウム基板上に溶射生成したタンタ
ル層の化成時の化成液による化成時間に対する電
圧と漏れ電流との変化を示す特性図、第15図は
アルミニウム基板とタンタル基板との溶射タンタ
ル膜厚に対する湿中容量の変化を示す特性図、第
16図はアルミニウム基板上に形成したタンタル
層の化成時に熱処理を施した時の化成時間に対す
る電圧と漏れ電流との変化を示す特性図、第17
図はアルミニウム基板上に形成したタンタル層の
化成時に施す熱処理の熱処理温度に対する湿中容
量と湿中tanδとの変化を示す特性図、第18図
はアルミニウム基板上に形成したタンタル層の化
成時に施す熱処理の熱処理温度に対する漏れ電流
の変化を示す特性図、第19図は本発明の一実施
例による固体電解コンデンサの外観斜視図、第2
0図は同コンデンサの内部構造を示す断面図、第
21図は不活性ガス雰囲気溶射装置の概既構成図
である。 21……弁金属基板、22……タンタル層、2
3……半導体性酸化物層、24……陰極層、25
……半田層。
Figure 1 is an external perspective view of a solid electrolytic capacitor using a conventional sintered anode body, Figure 2 a is an external perspective view of a solid electrolytic capacitor using a conventional sintered anode body, and Figure 2 b is an external perspective view of a solid electrolytic capacitor using a conventional sintered anode body. The cross-sectional view and Figure 3 are diagrams showing the relationship between the rated capacity and manufacturing cost of solid electrolytic capacitors,
Figure 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the particle size and wet capacity of thermally sprayed tantalum powder, Figure 5 is a characteristic diagram showing the relationship between sprayed tantalum film thickness and wet capacity, and Figure 6 is a characteristic diagram showing the relationship between thermally sprayed tantalum film thickness and wet capacity. Figure 7 is a schematic cross-sectional view of a tantalum layer when a mixture of tantalum powder is sprayed, and Figure 8 is a schematic cross-sectional view of a tantalum layer when a mixture of tantalum powder with a uniform particle size is sprayed. Figure 9 is a characteristic diagram showing the relationship between the particle size of sprayed tantalum powder and the solidification capacity of the solid electrolytic capacitor. Figures range from 100 meshes to 40
Figure 11 shows the capacity reduction rate versus frequency when mesh tantalum powder is used and when a mixture of tantalum powder of various particle sizes from 500 mesh to 40 mesh is used. Figure 12 is a characteristic diagram showing the changes in voltage and leakage current with respect to the formation time for a material that has undergone chemical etching treatment after thermal spraying, and a material that has been thermally sprayed in an inert gas. An electron micrograph showing the cross section of the aluminum substrate and the tantalum powder when the tantalum powder was thermally sprayed, Fig. 13 is a characteristic diagram showing the change in voltage and leakage current with respect to the formation time of the tantalum substrate and the aluminum substrate, Fig. 1
Figure 4 is a characteristic diagram showing changes in voltage and leakage current with respect to formation time using a chemical conversion liquid during formation of a tantalum layer formed by thermal spraying on an aluminum substrate, and Figure 15 is a characteristic diagram showing changes in voltage and leakage current as a function of formation time using a chemical conversion liquid during formation of a tantalum layer formed by thermal spraying on an aluminum substrate. Figure 16 is a characteristic diagram showing changes in wet capacity; Figure 16 is a characteristic diagram showing changes in voltage and leakage current with respect to formation time when a tantalum layer formed on an aluminum substrate is subjected to heat treatment during formation;
The figure is a characteristic diagram showing the change in humid capacity and humid tan δ with respect to the heat treatment temperature of the heat treatment performed during the formation of the tantalum layer formed on the aluminum substrate. FIG. 19 is a characteristic diagram showing changes in leakage current with respect to heat treatment temperature in heat treatment; FIG. 19 is an external perspective view of a solid electrolytic capacitor according to an embodiment of the present invention;
FIG. 0 is a sectional view showing the internal structure of the capacitor, and FIG. 21 is a schematic diagram of the existing configuration of the inert gas atmosphere thermal spraying apparatus. 21...Valve metal substrate, 22...Tantalum layer, 2
3... Semiconductor oxide layer, 24... Cathode layer, 25
...Solder layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 アルミニウム基板上に粒径が100メツシユか
ら30メツシユの範囲内で、タンタル粉末を溶射し
てタンタル層を形成し、このタンタル層の表面に
化成操作とこの化成によつて形成された酸化タン
タル皮膜の熱処理操作とを繰り返し行なうことに
よつて酸化タンタル膜を形成した後、熱分解性金
属塩を熱分解することによつて、前記酸化タンタ
ル膜上に半導体性酸化物層を形成し、前記半導体
性酸化物層を形成し、前記半導体性酸化物層上に
陰極と半田層とを順次積層することを特徴とする
固体電解コンデンサの製造方法。
1. A tantalum layer is formed by spraying tantalum powder with a particle size within the range of 100 mesh to 30 mesh on an aluminum substrate, and a tantalum oxide film is formed on the surface of this tantalum layer by a chemical conversion operation and this chemical conversion. A tantalum oxide film is formed by repeatedly performing the heat treatment operations, and then a semiconducting oxide layer is formed on the tantalum oxide film by thermally decomposing the thermally decomposable metal salt, and the semiconductor 1. A method for manufacturing a solid electrolytic capacitor, comprising: forming a semiconductor oxide layer; and sequentially laminating a cathode and a solder layer on the semiconductor oxide layer.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0539516U (en) * 1991-10-30 1993-05-28 正成 中山 Eye drop assistant for small animals
JP2007273710A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Nichicon Corp Manufacturing method of element for solid electrolytic capacitors

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JPH0539516U (en) * 1991-10-30 1993-05-28 正成 中山 Eye drop assistant for small animals
JP2007273710A (en) * 2006-03-31 2007-10-18 Nichicon Corp Manufacturing method of element for solid electrolytic capacitors

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