JPS6133415B2 - - Google Patents

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JPS6133415B2
JPS6133415B2 JP12107579A JP12107579A JPS6133415B2 JP S6133415 B2 JPS6133415 B2 JP S6133415B2 JP 12107579 A JP12107579 A JP 12107579A JP 12107579 A JP12107579 A JP 12107579A JP S6133415 B2 JPS6133415 B2 JP S6133415B2
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transistor
constant current
emitter
follower circuit
pass filter
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JP12107579A
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Japanese (ja)
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JPS5644214A (en
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Kazumi Kawashima
Minoru Ueda
Sadahiro Takuhara
Hirosuke Yamamoto
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/02Multiple-port networks
    • H03H11/04Frequency selective two-port networks

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  • Analogue/Digital Conversion (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、テレビジヨン受像機の選局回路に使
用されるパルス幅変換形のD/A変換回路におい
てパルス列信号をアナログ信号に変換するために
用いられるようなローパスフイルターの改良に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a low-pass filter used for converting a pulse train signal into an analog signal in a pulse width conversion type D/A conversion circuit used in a channel selection circuit of a television receiver. This is related to the improvement of.

テレビジヨン受像機の選局回路に最近使用され
ているD/A変換方式では、同調電圧に相当する
デイジタル情報を13ビツト程度のメモリに記憶さ
せておき、チヤンネル選局時に、その13ビツトの
情報をメモリから読み出してそのデイジタル情報
に応じたパルス幅にしたパルス列信号すなわち繰
り返し周期は一定でそのデユーテイ比をデイジタ
ル情報に応じて変えたパルス列信号を作り出し、
その出力をローパスフイルターに加えてアナログ
信号に変換することにより同調回路の可変容量ダ
イオードに加えるべき同調電圧(BT)を作成す
るものが用いられている。
In the D/A conversion method recently used in the tuning circuit of television receivers, digital information corresponding to the tuning voltage is stored in about 13 bits of memory, and when selecting a channel, the 13 bits of information are is read out from memory and has a pulse width corresponding to the digital information to generate a pulse train signal, that is, a pulse train signal whose repetition period is constant and whose duty ratio is changed according to the digital information,
What is used is to apply the output to a low-pass filter and convert it into an analog signal to create a tuning voltage (B T ) to be applied to the variable capacitance diode of the tuning circuit.

このような選局回路に使用されるローパスフイ
ルターとして、従来には第1図に示す様な構成の
ものが使用されている。ここで1はパルス幅変換
されたパルス列信号の入力端子、2は反転増幅用
トランジスタで、抵抗3,4,5,6及びコンデ
ンサ7,8,9で多段ローパスフイルタを構成
し、トランジスタ10,11で高入力インピーダ
ンスで取り出し出力信号をコンデンサ12を介し
てフイードバツクしてアクテイブフイルター構成
としている。13はアナログ電圧に変換した出力
電圧の出力端子である。
Conventionally, a low-pass filter used in such a tuning circuit has a configuration as shown in FIG. 1. Here, 1 is an input terminal for a pulse train signal whose pulse width has been converted, 2 is an inverting amplification transistor, and resistors 3, 4, 5, 6 and capacitors 7, 8, 9 constitute a multistage low-pass filter, and transistors 10, 11 The output signal is taken out at a high input impedance and fed back through the capacitor 12 to form an active filter configuration. 13 is an output terminal for output voltage converted into an analog voltage.

ここで、選局回路におけるD/A変換回路用の
ローパスフイルターとして必要な性能は、 1 低い繰り返し周期(約1msec〜2msec)のパ
ルス入力でも出力リツプルを1mVp―p以下に
すること、 2 出力電圧は約1Vから約30Vまでの広範囲をカ
バーすること、 3 温度維持を出力電圧のいかんにかかわらず、
±30mV以下とすること(−20℃〜+60℃の範
囲)、 4 変換スピードを立上り時、立下り時ともに
40msec以下とすること、 等で、これらの項目について満足させる必要があ
る。
Here, the required performance as a low-pass filter for the D/A conversion circuit in the channel selection circuit is as follows: 1. The output ripple should be 1 mVp-p or less even when a pulse input with a low repetition rate (approximately 1 msec to 2 msec) is input. 2. The output voltage Covers a wide range from about 1V to about 30V, 3. Maintains temperature regardless of the output voltage.
Must be ±30mV or less (in the range of -20℃ to +60℃), 4. Conversion speed at both rise and fall.
It is necessary to satisfy these items such as 40msec or less.

第1項を満足しない場合には、受信チヤンネル
を切換えたときに、画面にリツプル性のフリツカ
ーノイズが入つて見苦しくなる。これは、同調電
圧対周波数変化率の大きい受信バンドである
UHFバンドの受信時に著しい。
If the first term is not satisfied, ripple-like flicker noise will appear on the screen when the reception channel is switched, making it unsightly. This is a receive band with a large rate of change of tuning voltage vs. frequency.
Significant when receiving UHF bands.

第2項を満足しない場合には、例えばUHFバ
ンドの上限に近いチヤンネルを受信できなくなつ
たり、下限が受信できなくなる。
If the second term is not satisfied, it becomes impossible to receive channels close to the upper limit of the UHF band, or it becomes impossible to receive the lower limit, for example.

第3項を満足しない場合には、温度が変化する
に従つて受信周波数が正規の周波数からずれるた
めに画像が受像できなくなつたり、ノイズの入つ
た画像になる。
If the third term is not satisfied, the reception frequency deviates from the normal frequency as the temperature changes, making it impossible to receive an image or resulting in an image containing noise.

第4項目を満足しない場合には、チヤンネル切
換時に画面がパラパラと流れて目ざわりになる。
If the fourth item is not satisfied, the screen will flicker and become distracting when changing channels.

以上の様に、4項目を満足しないと、テレビジ
ヨン受像機の性能を大きく劣化させる。このた
め、ローパスフイルタにおいて必要な4項目の性
能を満足させることが必要とされる。
As mentioned above, if the four items are not satisfied, the performance of the television receiver will be greatly degraded. Therefore, it is necessary for a low-pass filter to satisfy four performance requirements.

ところが、第1図に示すような従来のものにお
いては、前記の必要項目のうちの第1,2項を満
足させようとすると第3,4項はある程度犠性に
せざるを得なかつた。例えば、第1図に示す回路
例では、第1,2項目を満足させれば、第3項は
±50mV(−20℃〜+60℃)となり、第4項は
150msec〜200msec程度になつてしまつていた。
However, in the conventional system as shown in FIG. 1, in order to satisfy the first and second items of the above-mentioned necessary items, the third and fourth items had to be sacrificed to some extent. For example, in the circuit example shown in Figure 1, if the first and second items are satisfied, the third term will be ±50mV (-20℃ to +60℃), and the fourth term will be
It had become around 150msec to 200msec.

そこで、本発明はかかる必要な条件を全て満足
することのできるローパスフイルターを提供する
ことを目的とするもので、以下、本発明の一実施
例について図面を参照して詳細に説明する。
Therefore, an object of the present invention is to provide a low-pass filter that can satisfy all of these necessary conditions, and one embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第2図はその一実施例の基本的な回路図を示
し、ここで、端子14は+33Vの電源電圧の供給
端子、端子15はパルス幅変換(デユーテイ比変
換)されたパルス列信号の入力端子、端子16は
アナログ電圧に変換された同調電圧(BT)の出
力端子である。
FIG. 2 shows a basic circuit diagram of one embodiment, in which terminal 14 is a supply terminal for a +33V power supply voltage, terminal 15 is an input terminal for a pulse train signal subjected to pulse width conversion (duty ratio conversion), Terminal 16 is an output terminal for the tuning voltage (B T ) converted into an analog voltage.

本装置では、従来の第1図のものにおけるトラ
ンジスタに相当するトランジスタ17の負荷を定
電流回路18にして充電特性を直線的にすること
により、立上り特性を改善し、かつそのトランジ
スタ飽和電圧を小さくして温度依存性を小さくす
るとともに、トランジスタ19とトランジスタ2
0とで相補償回路を構成し、それらの負荷の定電
流回路21と定電流回路22の電流値をほぼ等し
くして温度特性を向上させるようにしている。こ
こで、定電流回路21と22のかわりに抵抗値の
大きい抵抗を用いた場合にはその抵抗値の温度依
存性が大きくて安定性が悪いうえ、トランジスタ
19,20のhfeの温度特性とバランスさせるこ
ともできないので、全体としての温度特性も良好
にすることができない。定電流回路を用いれば、
その温度依存性を非常に小さくすることができ、
しかも、トランジスタ使用の定電流回路であれ
ば、トランジスタ19,21のhfeとバランスさ
せて安定化することができる。またトランジスタ
19のhfeを制御することにより、温度補償特性
をさらに改良するようにしている。
In this device, the load of the transistor 17, which corresponds to the transistor in the conventional device shown in FIG. transistor 19 and transistor 2 to reduce temperature dependence.
0 constitute a phase compensation circuit, and the current values of the constant current circuits 21 and 22 of these loads are made almost equal to improve the temperature characteristics. Here, if resistors with a large resistance value are used instead of the constant current circuits 21 and 22, the temperature dependence of the resistance value is large and stability is poor, and the temperature characteristics of h fe of the transistors 19 and 20 Since it is impossible to achieve balance, it is also impossible to improve the overall temperature characteristics. If you use a constant current circuit,
Its temperature dependence can be made very small,
Moreover, if it is a constant current circuit using transistors, it can be stabilized by balancing h fe of the transistors 19 and 21. Furthermore, by controlling h fe of the transistor 19, the temperature compensation characteristics are further improved.

一方、平滑特性を良くしてリツプルを軽減する
ために、コンデンサ23によつて、多段ローパス
フイルタにフイード・バツク・ループを設けてア
クテイブフイルタ回路を構成している。さらに、
抵抗25とコンデンサ26とでローパスフイルタ
ーを構成して高調波成分を除去するようにすると
ともに、テレビ受像機における静電ノイズをも吸
収できるようにして、トランジスタ20の破壊を
防止するようにしている。
On the other hand, in order to improve smoothing characteristics and reduce ripple, a feedback loop is provided in the multi-stage low-pass filter using a capacitor 23 to form an active filter circuit. moreover,
The resistor 25 and capacitor 26 constitute a low-pass filter to remove harmonic components, and also absorb electrostatic noise in the television receiver, thereby preventing the transistor 20 from being destroyed. .

なお、一点鎖線で囲んだ部分は集積回路素子2
7により構成する。
Note that the part surrounded by the dashed line is the integrated circuit element 2.
Consisting of 7.

次に、このような回路のさらに詳細について第
3図を参照して説明する。
Next, further details of such a circuit will be explained with reference to FIG.

まず、入力端子15にくり返し周期が一定、
(ここでは2msecとする)で、デユーテイ比が変
化するパルス信号が入力され、トランジスタ17
で、これを反転増幅する。
First, input terminal 15 has a constant repetition period.
(2 msec here), a pulse signal whose duty ratio changes is input, and the transistor 17
Then, invert and amplify this.

この反転増幅回路の負荷はトランジスタ群28
と抵抗29とにより構成される定電流回路18で
あり、その電流I2はここでは1.2mAである。
The load of this inverting amplifier circuit is the transistor group 28
and a resistor 29, and its current I 2 is 1.2 mA here.

ここで、この定電流回路18に関して説明す
る。まず、抵抗30が33KΩ、抵抗群31がそれ
ぞれ400Ωであり、これによつてトランジスタ群
32に流れる電流合計I4が約1mAとなる。これを
トランジスタ群32で構成するダイオードに
0.25mAづつ分流させ、抵抗30とこれらのダイ
オードの交点をトランジスタ22のベースに接続
するとともに、トランジスタ33のベースに接続
する。ここで、抵抗群31の各抵抗は400Ωであ
り、これらの抵抗群31のそれぞれに流れる電流
は各0.25mAであるから、これらの抵抗群31の
両端電圧は0.1Vになる。抵抗34を1KΩに設定
しておくとトランジスタ35の電流I5は0.1mAと
なり、また抵抗36を330Ωに設定しておくとト
ランジスタ33の電流I1は0.3mAとなる。ここ
で、トランジスタ37のベース電流を無視し、抵
抗38を1KΩに設定しておくと、その両端電圧
は0.3Vとなり、抵抗群29は各1KΩに設定して
いるから、かつその各々の抵抗に流れる電流は
0.3mAとなり、合計の電流I2は1.2mAとなる。ま
た抵抗39を3.9KΩに設定しておくとトランジ
スタ40の電流I3は0.08mAとなる。
Here, this constant current circuit 18 will be explained. First, the resistor 30 is 33KΩ, and the resistor group 31 is each 400Ω, so that the total current I 4 flowing through the transistor group 32 is about 1 mA. This is converted into a diode made up of transistor group 32.
The current is divided by 0.25 mA, and the intersection of the resistor 30 and these diodes is connected to the base of the transistor 22 and the base of the transistor 33. Here, each resistance of the resistance group 31 is 400Ω, and the current flowing through each of these resistance groups 31 is 0.25 mA, so the voltage across these resistance groups 31 is 0.1V. If the resistor 34 is set to 1KΩ, the current I 5 of the transistor 35 will be 0.1 mA, and if the resistor 36 is set to 330Ω, the current I 1 of the transistor 33 will be 0.3 mA. Here, if the base current of the transistor 37 is ignored and the resistor 38 is set to 1KΩ, the voltage across it will be 0.3V, and since the resistor group 29 is each set to 1KΩ, and each of the resistors The current flowing is
0.3mA, and the total current I 2 is 1.2mA. Further, if the resistor 39 is set to 3.9KΩ, the current I 3 of the transistor 40 becomes 0.08mA.

さて、トランジスタ17の反転出力は、抵抗4
1から端子42を介して抵抗43〜46およびコ
ンデンサ47〜49で構成した多段CR形の多段
ローパスフイルタ24に入力し、その出力は、端
子50から抵抗51を介してPNPトランジスタ5
2のベースに供給する。これらの、抵抗41と5
1は100Ω程度の静電破壊防止用の保護抵抗であ
る。トランジスタ52のコレクタはNPNトラン
ジスタ53のベースに接続し、その交点から抵抗
54でアースに接続する。抵抗54は3.3KΩの
ものを使用する。トランジスタ52のエミツタと
トランジスタ53のコレクタを接続し、定電流回
路21の駆動用トランジスタ40のコレクタに接
続される。この定電流値I3は前記説明のように
0.08mAである。
Now, the inverted output of the transistor 17 is the resistor 4
1 through a terminal 42 to a multi-stage CR type multi-stage low-pass filter 24 composed of resistors 43-46 and capacitors 47-49, and its output is input to a PNP transistor 5 through a terminal 50 through a resistor 51.
Supply to the base of 2. These resistors 41 and 5
1 is a protective resistor of about 100Ω to prevent electrostatic damage. The collector of the transistor 52 is connected to the base of the NPN transistor 53, and the intersection thereof is connected to ground through a resistor 54. A resistor 54 of 3.3KΩ is used. The emitter of the transistor 52 and the collector of the transistor 53 are connected, and the collector of the driving transistor 40 of the constant current circuit 21 is connected to the emitter of the transistor 52 and the collector of the transistor 53 . This constant current value I3 is as explained above.
It is 0.08mA.

この出力を発振防止用の1KΩの抵抗55を介
してNPNトランジスタ20のベースに入力す
る。トランジスタ20のエミツタは定電流回路2
2の駆動用トランジスタ35に接続していて、
0.1mAの定電流I5の定電流負荷を持つエミツタフ
オロア回路にしてある。ここで、PNPトランジス
タのベース.エミツタ間の温度特性とNPNトラ
ンジスタのベース.エミツタ間の温度特性とを相
補償する様に構成する。このトランジスタ20の
エミツタ出力を100Ωの保護抵抗56を介して端
子57より出力し、この出力を抵抗25とコンデ
ンサ26でもう一段平滑して出力端子16から同
調電圧BTとして出力する。
This output is input to the base of the NPN transistor 20 via a 1KΩ resistor 55 for preventing oscillation. The emitter of the transistor 20 is a constant current circuit 2
It is connected to the driving transistor 35 of No. 2,
The emitter follower circuit has a constant current load of 0.1mA constant current I5 . Here, the base of the PNP transistor. Temperature characteristics between emitter and base of NPN transistor. It is configured to mutually compensate for the temperature characteristics between the emitters. The emitter output of this transistor 20 is outputted from a terminal 57 via a 100Ω protection resistor 56, and this output is smoothed one more step by a resistor 25 and a capacitor 26, and then outputted from an output terminal 16 as a tuning voltage BT .

さらに、リツプル分をさらに抑制するために、
コンデンサ23を介して抵抗45と抵抗46の交
点にフイードバツクする様にして、アクテイブ.
フイルタを構成する。
Furthermore, in order to further suppress ripple,
Active.
Configure filters.

このような構成において、入力端子15から入
力するパルス列信号の波形図を第4図に示す。そ
の繰り返し周期は図に示す様に2msecの一定であ
り、正のパルスのパルス幅をtとして、このパル
ス幅tがデイジタル情報に応じて変化させられ
る。そのパルス幅tと出力電圧BTとの関係を示
したものが第5図で、パルス幅t対出力電圧BT
の関係は図に示す様に直線になる。
In such a configuration, a waveform diagram of the pulse train signal inputted from the input terminal 15 is shown in FIG. The repetition period is constant at 2 msec as shown in the figure, and the pulse width t is changed according to the digital information, with the pulse width of the positive pulse being t. Figure 5 shows the relationship between the pulse width t and the output voltage B T .
The relationship is a straight line as shown in the figure.

さて、上記のような回路で電流値I3とI5の関係
を同一にすれば理想的には温度特性はフラツトに
なるはずであるが、実際にはエミツタ.フオロア
の1段目のトランジスタ19のゲインと2段目の
トランジスタ20のゲインとが一定にならないた
めに温度特性は第6図に示すAのような特性を示
す。なお、第6図中のBで示す△印の特性は端子
4における電源電圧+Bの温度特性を示したもの
であり、この電源には固定電圧を供給しているの
であるが、ツエナーダイオード等で作り出した電
圧であり、そのツエナーダイオードも恒温そうに
入れて測定した最良のデータであるから、この回
路全体の温度特性としては、Bに示す特性と合わ
せたものが最も良いことがわかる。すなわち、こ
のローパスフイルタ装置の出力を使用する回路た
とえばチユーナも同じ電源電圧+Bを用いている
ものであるので、ローパスフイルタ装置の出力電
圧の温度特性を電源電圧+Bの温度特性と一致さ
せておけば、温度が変化したときにその使用回路
において両者の電圧の変化率が同じになり、実質
的に温度変化による影響をなくすることができる
からである。
Now, ideally, if the relationship between the current values I 3 and I 5 were made the same in the circuit described above, the temperature characteristics would be flat, but in reality, the emitter temperature characteristics would be flat. Since the gain of the transistor 19 in the first stage of the follower and the gain of the transistor 20 in the second stage are not constant, the temperature characteristic exhibits a characteristic as shown in A shown in FIG. 6. Note that the characteristics marked △ indicated by B in Figure 6 show the temperature characteristics of the power supply voltage +B at terminal 4, and a fixed voltage is supplied to this power supply, but it is Since this is the best data measured by placing the Zener diode in a constant temperature chamber, it can be seen that the temperature characteristics of the entire circuit are best when combined with the characteristics shown in B. In other words, since a circuit that uses the output of this low-pass filter device, such as a tuner, also uses the same power supply voltage +B, it is necessary to make the temperature characteristics of the output voltage of the low-pass filter device match the temperature characteristics of the power supply voltage +B. This is because when the temperature changes, the rate of change of both voltages becomes the same in the circuit used, and the influence of temperature changes can be substantially eliminated.

そこで、電流I3を電流I5の約80%程度とし、抵
抗54でトランジスタ19のゲインを制御してた
とえば抵抗54を3.3KΩにすると、そのときの
温度特性は第6図中のCに○印で示すような特性
になり、端子14の電源温度特性Bと一致させる
ことができる。ここで、抵抗54を大きくして
5.6KΩにした場合はDで示すような特性とな
り、高温での補正がかかりすぎていることがわか
る。これは高温でトランジスタ52と53のダー
リントン接続したもの19のhfeが極端に大きくな
るためで、抵抗54をある程度小さくして、この
ゲインを落すことが必要である。このようにする
ことにより、理想的な温度特性を得ることができ
る。
Therefore, if the current I 3 is set to about 80% of the current I 5 and the gain of the transistor 19 is controlled by the resistor 54 to make the resistor 54, for example, 3.3KΩ, the temperature characteristics at that time will be as shown in C in Figure 6. The characteristic is as shown by the mark, and can be made to match the power supply temperature characteristic B of the terminal 14. Here, increase the resistance 54
When it is set to 5.6KΩ, the characteristics shown by D are obtained, which indicates that the correction at high temperatures is too much. This is because the h fe of the Darlington connection 19 of transistors 52 and 53 becomes extremely large at high temperatures, so it is necessary to reduce this gain by reducing the resistance 54 to some extent. By doing so, ideal temperature characteristics can be obtained.

次に、第7図にこのローパス.フイルターの応
答スピード特性を示す。破線で示したのは第1図
に示した従来のものの応答特性で、実線で示した
ものが第3図に示した本装置ものの応答特性であ
る。この特性図から明らかなように、立上り、立
下りともに40msec以内に入つていることがわか
る。立上り応を速くするために本装置では、トラ
ンジスタ17の負荷の定電流回路18の定電流I2
を電源I3に比べて充分に大きい約15倍とし、ここ
では1.2mAの定電流能力を持たせている。また、
トランジスタ17には他のトランジスタと比較し
て飽和電圧が小さいものを使用する。
Next, Figure 7 shows this low-pass. This shows the response speed characteristics of the filter. The broken line shows the response characteristic of the conventional device shown in FIG. 1, and the solid line shows the response characteristic of the present device shown in FIG. As is clear from this characteristic diagram, both the rise and fall are within 40 msec. In order to speed up the rise response, in this device, the constant current I 2 of the constant current circuit 18 of the load of the transistor 17 is
It is approximately 15 times larger than the power supply I3 , and has a constant current capability of 1.2mA. Also,
As the transistor 17, a transistor whose saturation voltage is lower than that of other transistors is used.

以上の様にして、本装置によれば、上記のよう
な必須項目の全てを満足するローパスフイルタを
構成することが可能となる。
As described above, according to the present device, it is possible to configure a low-pass filter that satisfies all of the above-mentioned essential items.

しかも第2,3図に示した様に、6ピンのIC
化も可能である。
Moreover, as shown in Figures 2 and 3, the 6-pin IC
It is also possible to

以上詳述した通り、本発明によれば、特にパル
ス幅変換形のD/A変回路に用いて最適であり、
また、その他にも各種の平滑用に使用することの
できる有用なローパスフイルタ装置を得ることが
できるものである。
As detailed above, according to the present invention, it is particularly suitable for use in a pulse width conversion type D/A conversion circuit.
Furthermore, it is possible to obtain a useful low-pass filter device that can be used for various other smoothing purposes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のローパスフイルタ装置の回路
図、第2図および第3図は本発明の一実施例にお
けるローパスフイルタ装置の回路図、第4図,第
5図,第6図および第7図はその動作を説明する
ための波形図および特性図である。 15…入力端子、16…出力端子、17,1
9,20…トランジスタ、18,21,22…定
電流回路、23…コンデンサ、24…フイルタ、
25…抵抗、26…コンデンサ。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional low-pass filter device, FIGS. 2 and 3 are circuit diagrams of a low-pass filter device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4, 5, 6, and 7. 2 is a waveform diagram and a characteristic diagram for explaining its operation. 15...Input terminal, 16...Output terminal, 17,1
9, 20... Transistor, 18, 21, 22... Constant current circuit, 23... Capacitor, 24... Filter,
25...Resistor, 26...Capacitor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 デユーテイ比が変化するパルス信号をエミツ
タを接地しコレクタ負荷として第1の定電流負荷
を接続したNPN型トランジスタのベースに加え
て反転増幅し、その第1のNPN型トランジスタ
のコレクタ出力を、多段ローパスフイルタを介し
て、コレクタを接地しエミツタ負荷として第2の
定電流負荷を接続して第1のエミツタフオロア回
路を構成したPNP型トランジスタのベースに加
え、そのPNP型トランジスタのエミツタ出力を、
コレクタを電源に接続しエミツタ負荷として第3
の定電流負荷を接続して第2のエミツタフオロア
回路を構成したNPN型トランジスタのベースに
加え、その第2のエミツタフオロア回路のNPN
型トランジスタのエミツタ出力をコンデンサを介
して上記多段ローパスフイルタにフイードバツク
させるようにするとともに、上記第2のエミツタ
フオロア回路のNPN型トランジスタのエミツタ
出力を別のローパスフイルタを介してアナログ出
力とするようにし、かつ上記第2の定電流負荷の
電流値を上記第3の定電流負荷の電流値とほぼ等
しいかわずかに小さくしたことを特徴とするロー
パスフイルタ装置。 2 第1のエミツタフオロア回路を構成するPNP
型トランジスタとして、PNP型の第1のトランジ
スタとNPN型の第2のトランジスタとをダーリ
ントン接続したものを用い、上記NPN型の第2
のトランジスタのベースを抵抗を介して接地する
とともに、その第1のエミツタフオロア回路の第
1の定電流負荷の電流値を第2のエミツタフオロ
ア回路の第2の定電流負荷の電流値よりも小さく
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のローパスフイルタ装置。 3 パルス信号を反転増幅するNPN型のトラン
ジスタの第1の定電流負荷の定電流値を第1のエ
ミツタフオロア回路の第2の定電流負荷の定電流
値より充分に大きい値たとえば15倍程度としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
項記載のローパスフイルタ装置。
[Claims] 1. A pulse signal whose duty ratio changes is inverted and amplified by adding it to the base of an NPN transistor whose emitter is grounded and a first constant current load is connected as a collector load, and the first NPN transistor The collector output of is applied via a multi-stage low-pass filter to the base of a PNP transistor whose collector is grounded and a second constant current load is connected as an emitter load to form a first emitter follower circuit. Emitsuta output,
Connect the collector to the power supply and use the third emitter load.
In addition to the base of the NPN transistor, which is connected to a constant current load to form the second emitter follower circuit, the NPN transistor of the second emitter follower circuit is
The emitter output of the NPN type transistor of the second emitter follower circuit is fed back to the multi-stage low-pass filter via a capacitor, and the emitter output of the NPN type transistor of the second emitter follower circuit is output as an analog output via another low-pass filter. A low-pass filter device characterized in that the current value of the second constant current load is approximately equal to or slightly smaller than the current value of the third constant current load. 2 PNP constituting the first emitter follower circuit
As a type transistor, a PNP type first transistor and an NPN type second transistor are used in a Darlington connection.
The base of the transistor is grounded via a resistor, and the current value of the first constant current load of the first emitter follower circuit is made smaller than the current value of the second constant current load of the second emitter follower circuit. A low-pass filter device according to claim 1, characterized in that: 3 The constant current value of the first constant current load of the NPN type transistor that inverts and amplifies the pulse signal is set to a value sufficiently larger, for example, about 15 times, than the constant current value of the second constant current load of the first emitter follower circuit. Claim 1 or 2 characterized in that
The low-pass filter device described in Section 1.
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