JPS613141A - 感光性組成物 - Google Patents

感光性組成物

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Publication number
JPS613141A
JPS613141A JP12202284A JP12202284A JPS613141A JP S613141 A JPS613141 A JP S613141A JP 12202284 A JP12202284 A JP 12202284A JP 12202284 A JP12202284 A JP 12202284A JP S613141 A JPS613141 A JP S613141A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
ester
photosensitive
compsn
polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12202284A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasunobu Onishi
康伸 大西
Kunihiro Isori
五十里 邦弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP12202284A priority Critical patent/JPS613141A/ja
Publication of JPS613141A publication Critical patent/JPS613141A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、新規な感光性組成物に関し、更に詳しくは、
ポジティブ画像を形成するレジスト材料として使用する
のに適した感光体組成物に関するものである。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
感光性組成物は、半導体デバイス製造を含む多くの平版
プロセスに利用されている。
ボンデイブ画1象を形成する感光性組成物としては、ア
ルカリ可溶性のノボラック樹脂と置換0−ナフトキノン
ジアジドのようなアルカリ不溶性の溶解抑制剤との混合
物があげられる。直換O−ナフトキノンジアジドは、光
照射前はアルカリ不溶性であるが、光を照射することに
より、アルカリ可溶となり、ノボラック樹脂がアルカリ
可溶なために、光が照射された部分のアルカIJ fこ
対するm解速度が、照射されない部分に比べて増大する
最終画鐵は、アルカリ現象剤によるこれら照射部分の処
理によって得られる。
照射する光の波長は、分解能と密接な関係にあF)、短
波長の光はど、分解能が向上される。上述の感光性組成
物は、用いられているノボラック樹脂が、300nm以
下で高い吸光反を持っているため、300nm以下の光
を用いると厚み方向に光が通らないため、3000m以
下の光に対しては実用に供しえない。
〔発明の目的〕
本発明は、400nm以下の光に対する感度が高く、微
細なパターンを短時間で形成することが可能な、感光性
組成物を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明の感光性組成物は、塩基に可溶なポリマーと感光
材を含む組成物において、エネルギー線を照射すること
により、感光性組成物の被照射部分が、感光性組成物の
非照射部分に比べて速い速度で塩基性組成物中に溶解す
るような塩基不溶性O−ニトロアリールスルフェニルエ
ステルヲ感光材として含むことを特徴とする。
本発明に用いられるポリマーは、塩基に可溶なものtイ
らば、いかなるものでも用いられる。例えば、ノボラッ
ク樹脂類、カルボキシル化又はスルホン化又はヒドロキ
シル1ヒ、ポリスチレン類、及びスチレン、エチル又は
メチルメタクリレート。
及r−iメタクリルr4から形成される3元重合体類の
ようなポリマーが使用可能であり、特にメタクリレート
樹脂類、たとえば、メチルメタクリレートとメタクリル
酸とのランダム共重合体類が有用である。甲いるポリマ
ーとしては、1種若しくは2種以上のものを任意に用い
ることが出来る。
0−ニトロアリールスルフェニルエステルトシては、一
般式 %式% (式中、f(lはカルボンt9 RI  c o oH
中のR,iコ相当しカルボン・責としては、N−アダマ
ルチルフタルアミド酸、コール咳、デオキンコール乍す
トコール晰、5β−コラン噴、0,0.0−トリス(ト
リメチルシリル)コール酸、 0 、0、 O−トIJ
ス(トIJフルオロ了セチル)コールj賞、o、o、n
−トリアセチルコール、9,0,0.0−トリピパイイ
ルコール酸、及び0.0−ジアセチルコール酸9等カル
ボン酸一般を表わし、l(、、R,、R,、TL、  
は水素、炭素数1〜5のアルキル基、炭素211〜5の
アルコキシカルポルへ、ハロゲン、シアン蒸、ニトロ基
等を表わし又、0−ニトロアリ−h基のフェニル環を含
む芳香族環を形成するように連絡されるようなことも可
能である。)とで表わされ、置換基としては、照射を揄
の組成物の溶解性を極端に落すもの以外ならどのような
ものでも可能である。
0−ニトロアリールスルフェニルエステルトシてs r
l!エバ、2−ニトロベンゼンスルフェニルアタマンタ
ンカルボキシレート、2,4−ジニトロベンゼンスルフ
ェニルコーレイト、2.4−ジニトロベンセンスルフェ
ニル9−フルオレノン−4−カルボキシレート、2−ニ
トロベンゼンスルフェニル0 、 t) 、 0− ド
リアセチルコーレイト、2−ニトロベンゼンスルフェニ
ル0 、0 、0− トリス(トリメチルシリル)コー
レイト、2,4−ジニトロベンゼンスルフェニルフェニ
ルアセテート浄があり、これらのものから1橿若しくは
2種以上のものが選ばれる。
0−ニトロ了リールスルフェニルエステルは、例えば対
応するカルボン勺の塩(ナトリウム塩など)とO−ニド
ロアリールスルフェニルクロリド♂の反応で得られる。
〔ジャーナルーオブ・アメリカンケミカル・ソサエティ
、運78巻、1207頁、 1956年 (Journ
al of American ChemicalSo
ciety、78,1207.(1956)))ポリマ
ーに対する配合比は、用いるポリマー。
0−ニドロアリールスルフェニルニス−r ル(7) 
N m及び現1象剤として用いられるアルカリ溶液等に
より、異なり、感Iy、コントラスト等のバランスから
決定される。例えば2−ニトロベンゼンスルフェニルコ
ーレイトにおいては、ポリマーとしてP(MMA−MA
A)を用いると、その配合着は5〜40重り艷1゛パー
セント、好ましくは10〜30重tパーセントである・ 本発明の感光性組成物は、以上のものの他に、溶剤、界
面活性剤等の添加剤等から成る。
次に、本発明の感光性組成物の使用例を具体的に説明す
ると、ポリマーの溶剤、例えばトルエン、キシレン、0
−ジクロロペンビン、クロロホルム、シクロペンタノン
、シクロヘキサノン、酢ヤ十口ソルブ、メチルエチルケ
トン等にポリマーとO−二トロアリールスルフェニルエ
ステルヲ俗かし、支持体例えばシリコンウェハなどの上
に、例えばスピニングなどにより塗布する。塗布された
ウェハの乾燥後(70℃〜180℃、好ましくは100
℃〜140℃、30秒間〜90分間、奸才しくは1分〜
60分曲)、常法に従い、紫外線露光し、匍えばマスク
を連して適正波長領域の光を露光される。
ついで、適正塩基溶液により税源が行なわれる。
パターンが形成された後、支持体、例えばウェハは、エ
ツチング及び金属化などの通常の段階により、さらに処
理される。
〔発明の実施例〕
以下に実施例を挙げ詳しく説明する。
実施例I P (MM人−MAA)(70:30)(Mw”l:’
50.000  MW/Mn−2,2)41.2.4−
ジニトロベンゼンスルフェニルコーレイト、II、シク
ロペンタノン259よりなる感光性溶液をA製しシリコ
ンウェハー上にスピナーにより塗布、乾燥(90℃、3
0分)し、1.0μmの膜厚の感光膜を形成した。つい
で、この基板を、soowのキセノン−水銀灯を用い、
石英基板のクロム基板を介して。
10秒間4元した。その際光源とマスクとの間に300
nmより長波長の光を透過するコールドミラーを介在さ
せ、200〜300nmの光のみを露光させるようにし
た。このようにして露光された基板を、25℃の10チ
のNaHCO,水溶液に2分間浸漬して現1象を行なっ
た。
仄いで、水により洗浄したところ、1μmのラインとス
ペースから成るパターンが形成された。
一方、遠紫外光レジストとして公知のポリメチルメタク
リレートとポリメチルイソプロペニルケトルを用いて、
同じ実験を行なったところ、良好なパターンを得るため
の露光時間として、前者では400秒、後者では80秒
を要した。すなわち本発明による上記感光性組成物は、
ポリメチルメタクリレート、ポリメチルイソプロペニル
ケトルに比べ、高感度であった。
実施例2〜5 実施例1の2,4−ジ二トロベンゼンスルフェニルコー
レイトの代りに下記のO−ニドロアIJ−ルスルフェニ
ルエステルを用いて、同様の実験を行なった。下記の露
光時間でいずれも良好な微細なパターンが得られた。
2−ニトロベンゼンスルフェニルアダマンタンカルボキ
シレート(18秒ン 2.4ジニトロベンゼンスルフエニル9−フルオレノン
−4−カルボキシレート(10秒)2−ニトロベンゼン
スルフェニル0、.0,0. ) IJス(トリメチル
シリル)コーレイト(15秒)2.4−ジニトロベンゼ
ンスルフェニルフェニルアセテート(10秒) 〔発明の効果〕 以上述べた様に本発明の感光性組成物を用いれば、短時
間で微細なパターンをイ0ることが出来る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 塩基に可溶なポリマーと感光材を含む組成物において、
    エネルギー線を照射することにより感光性組成物の被照
    射部分が感光性組成物の非照射部分に比べて速い速度で
    塩基性組成物中に溶解するような塩基不溶性O−ニトロ
    アリールスルフェニルエステルを感光材として含むこと
    を特徴とする感光性組成物。
JP12202284A 1984-06-15 1984-06-15 感光性組成物 Pending JPS613141A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6418143A (en) * 1987-07-14 1989-01-20 Nippon Kayaku Kk Photosensitive resin composition
JPH026958A (ja) * 1988-02-25 1990-01-11 American Teleph & Telegr Co <Att> デバイスの製造方法
EP0690348A3 (en) * 1994-06-27 1996-05-15 Ibm Photoresist composition for deep UV and method for its use
KR100313150B1 (ko) * 1997-12-31 2001-12-28 박종섭 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트

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JPS6418143A (en) * 1987-07-14 1989-01-20 Nippon Kayaku Kk Photosensitive resin composition
JPH026958A (ja) * 1988-02-25 1990-01-11 American Teleph & Telegr Co <Att> デバイスの製造方法
EP0690348A3 (en) * 1994-06-27 1996-05-15 Ibm Photoresist composition for deep UV and method for its use
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