JPS61281578A - Semiconductor laser device - Google Patents
Semiconductor laser deviceInfo
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- JPS61281578A JPS61281578A JP12447085A JP12447085A JPS61281578A JP S61281578 A JPS61281578 A JP S61281578A JP 12447085 A JP12447085 A JP 12447085A JP 12447085 A JP12447085 A JP 12447085A JP S61281578 A JPS61281578 A JP S61281578A
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- laser element
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ素子及びレンズ系を具備し、半導
体レーザ素子への不必要な外力を低減し半導体レーザ装
置の信頼性を向上させるとともに、装置の生産性を高め
ることを目的とした半導体レーザ装置に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention includes a semiconductor laser device and a lens system, reduces unnecessary external force to the semiconductor laser device, improves the reliability of the semiconductor laser device, and improves the reliability of the device. The present invention relates to a semiconductor laser device aimed at increasing productivity.
従来の技術
２図及び第３図のような構成になっている。以下、２′
・−
第２図、第３図を用いて、半導体レーザ装置について説
明する。半導体レーザ装置は、ステム１゜ヒートシンク
２．半導体レーザ素子３．ファイバ・コリメート用球レ
ンズ１０．モニタ光取出用レンズ１１等で構成されてい
る。従来、半導体レーザ素子を動作させるための電極部
は、一方をヒートシンク２を介してステム１から、他方
を半導体レーザ素子３の上部から電極取出用支柱７に一
端を接続されたボンディング用ワイヤ１２によシ取出し
、電気的導通を保つという構造であった。また、ヒート
シンク２土に上面をＡｕ メッキした導通用ガラス板
を設け、この上面に、半導体レーザ素子３を動作させる
導通用バー１４を設けると共に、ボンディング用ワイヤ
１２の他端を接合させた構造もあった０
発明が解決しようとする問題点
しかし、上述のような電極部構造においては、ワイヤ・
ボンディングによる半導体素子への機械的衝撃力により
、半導体レーザ素子の特性劣化が発生し、かつ、半導体
レーザ装置の生産性が低いという問題が生じていた。The conventional technology has a configuration as shown in FIGS. 2 and 3. Below, 2'
- The semiconductor laser device will be explained using FIGS. 2 and 3. The semiconductor laser device has a stem 1°, a heat sink 2. Semiconductor laser device 3. Ball lens for fiber collimation10. It is composed of a monitor light extraction lens 11 and the like. Conventionally, an electrode section for operating a semiconductor laser device has one end connected to the stem 1 via a heat sink 2, and the other end connected to a bonding wire 12 from the top of the semiconductor laser device 3 with one end connected to an electrode lead-out support 7. The structure was to take it out and maintain electrical continuity. Alternatively, a conductive glass plate whose upper surface is plated with Au is provided on the heat sink 2, and a conductive bar 14 for operating the semiconductor laser element 3 is provided on the upper surface, and the other end of the bonding wire 12 is bonded. There were 0 Problems to be solved by the invention However, in the electrode structure as described above, the wire
There have been problems in that the mechanical impact force on the semiconductor element due to bonding causes deterioration of the characteristics of the semiconductor laser element, and that the productivity of the semiconductor laser device is low.
本発明は、上記問題を解決するもので、半導体レーザ素
子とヒートシンク、電極用リボン材の固定を同時に実施
できるとともに、半導体レーザ素子の上面の電極部にリ
ボン材による金属固定を採用することにより、安定な半
導体レーザ素子の動作特性を可能とする半導体レーザ装
置を提供することを目的とするものである。The present invention solves the above problems by simultaneously fixing a semiconductor laser element, a heat sink, and an electrode ribbon material, and by adopting metal fixation using a ribbon material to the electrode section on the top surface of the semiconductor laser element. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device that enables stable operation characteristics of a semiconductor laser element.
問題点を解決するだめの手段
本発明は、半導体レーザ素子の電気的導通をワイヤボン
ディングを用いず、リボン材による金属固定で保つこと
により、上記目的を達成するものである。Means for Solving the Problems The present invention achieves the above object by maintaining electrical continuity of a semiconductor laser element by metal fixation using a ribbon material without using wire bonding.
作 用
本発明は、半導体レーザ素子の電気的導通に、先端をメ
タライズしたリボン材を使用することにより、前記半導
体レーザ素子に機械的衝撃力を与えることなく、前記半
導体レーザ素子を安定に動作させることが可能であり、
同時に前記半導体レーザ装置の生産性を向上させること
も可能である０実施例
以下、本発明の一実施例を添付図面に基づき簡単に説明
する。Function The present invention uses a ribbon material whose tip is metalized for electrical conduction of the semiconductor laser element, thereby stably operating the semiconductor laser element without applying mechanical impact force to the semiconductor laser element. It is possible to
At the same time, it is also possible to improve the productivity of the semiconductor laser device.Embodiment 0 Below, one embodiment of the present invention will be briefly described with reference to the accompanying drawings.
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の構成を
示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the structure of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
第１図において、１はステム、２はヒートシンク、３は
半導体レーザ素子、４は光フアイバコリメート用球レン
ズ、５はモニタ光取出用レンズ、６は電極リボン、７は
電極取出用支柱、８は電極取出板、９は絶縁用セラミッ
ク材である。In FIG. 1, 1 is a stem, 2 is a heat sink, 3 is a semiconductor laser element, 4 is a ball lens for optical fiber collimation, 5 is a monitor light extraction lens, 6 is an electrode ribbon, 7 is a column for electrode extraction, and 8 is a The electrode extraction plate 9 is an insulating ceramic material.
以下要部についてさらに詳しく説明する。The main parts will be explained in more detail below.
半導体レーザ素子３の動作用電極は一端がヒートシンク
２を介してステム１より取出され、他端が、半導体レー
ザ素子３の上面より、電極リボン６を介して電極取出用
支柱７より取出されるという構成になっている。電極リ
ボン６は、湾曲した形状であり、一端は、電極取出用支
柱７に金属固定されており、他端には半田がメタライズ
されている。One end of the operating electrode of the semiconductor laser device 3 is taken out from the stem 1 via the heat sink 2, and the other end is taken out from the top surface of the semiconductor laser device 3 through the electrode ribbon 6 and from the electrode extraction support 7. It is configured. The electrode ribbon 6 has a curved shape, and one end is metal fixed to the electrode extraction support column 7, and the other end is metallized with solder.
半導体レーザ素子３をヒートシンク２に金属固定した後
、弾力性のある電極リボン７を半導体レー５ ヘー。After the semiconductor laser element 3 is metal-fixed to the heat sink 2, an elastic electrode ribbon 7 is attached to the semiconductor laser 5.
ザ素子３に接触するように押し下げて固定する。Push it down so that it contacts the element 3 and fix it.
この状態のままステム１を加熱すると、電極リボン７の
先端にメタライズされた半田が溶融し、半導体レーザ素
子３と電極リボン７との良好な接触を得ることができ、
非常に高信頼性で、かつ、生産性の高い半導体レーザ装
置が得られる。If the stem 1 is heated in this state, the metalized solder at the tip of the electrode ribbon 7 will melt, and good contact between the semiconductor laser element 3 and the electrode ribbon 7 can be obtained.
A semiconductor laser device with extremely high reliability and high productivity can be obtained.
尚、本実施例では、電極リボン７の材質として、コバー
ル材にＡｕ メブキを施したものを使用したが、他の
金属材料でもよく、先端にメタライズした半田は、Ａｕ
−Ｓｎ 、 Ｐｂ−８ｎを用いたが、半導体レーザ素
子３の組成変形が生じない程度の融点を有するものであ
れば、他の金属でもかまわない。In this embodiment, Kovar material coated with Au was used as the material for the electrode ribbon 7, but other metal materials may also be used.
Although -Sn and Pb-8n are used, other metals may be used as long as they have a melting point that does not cause compositional deformation of the semiconductor laser element 3.
発明の効果
以上のように、本発明によれば半導体レーザ素子をヒー
トシンクに固定した後、ステムを加熱するだけで半導体
レーザ素子と電極用リボンとを半田固定でき、非常に生
産性が高く、かつ信頼性の高い半導体レーザ装置を提供
することが可能になり、実用面での効果は犬である。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the semiconductor laser element and the electrode ribbon can be soldered and fixed by simply heating the stem after fixing the semiconductor laser element to the heat sink, resulting in extremely high productivity and It has become possible to provide a highly reliable semiconductor laser device, and the practical effects are outstanding.
６ ・・
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
斜視図、第２図、第３図は従来例における電極部の斜視
図である。
１・・・・・・ステム、２・・・・・ヒートシンク、３
・・・・・・半導体レーザ素子、４・・・・・・光ファ
イバ・コリメート用球レンズ、５・・・・・−モニタ光
取出用レンズ、６・・・・・・電極リボン、７・・・・
・・電極取出用支柱、８・・・・・・電極取出板、９・
・・・・・絶縁用セラミック材０代理人の氏名 弁理士
中 尾 敏 男 ほか１名１Ｎ！Ｌ耶η°ラス不１
（１１１ハ゛−6... FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are perspective views of an electrode section in a conventional example. 1...Stem, 2...Heat sink, 3
... Semiconductor laser element, 4 ... Ball lens for optical fiber collimation, 5 ... - Monitor light extraction lens, 6 ... Electrode ribbon, 7. ...
... Electrode extraction support column, 8... Electrode extraction plate, 9.
... Ceramic materials for insulation 0 Name of agent Patent attorney Toshi Nakao and 1 other person 1N! 111
Claims (1)
ファイバ・コリメート用球レンズ、及びモニタ光取出用
ロッドレンズとを具備し、前記半導体レーザ素子への電
気的導通をリボン材にて行うことを特徴とする半導体レ
ーザ装置。It is characterized by comprising a fiber collimating ball lens attached to a stem on which a semiconductor laser element is mounted, and a rod lens for monitoring light extraction, and electrical conduction to the semiconductor laser element is performed using a ribbon material. Semiconductor laser equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12447085A JPS61281578A (en) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | Semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12447085A JPS61281578A (en) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | Semiconductor laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281578A true JPS61281578A (en) | 1986-12-11 |
Family
ID=14886315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12447085A Pending JPS61281578A (en) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281578A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
| JP2008258567A (en) * | 2006-11-08 | 2008-10-23 | C I Kasei Co Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP12447085A patent/JPS61281578A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008047933A1 (en) * | 2006-10-17 | 2008-04-24 | C.I.Kasei Company, Limited | Package assembly for upper/lower electrode light-emitting diodes and light-emitting device manufacturing method using same |
| US8088635B2 (en) | 2006-10-17 | 2012-01-03 | C.I. Kasei Company, Limited | Vertical geometry light emitting diode package aggregate and production method of light emitting device using the same |
| JP2008258567A (en) * | 2006-11-08 | 2008-10-23 | C I Kasei Co Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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