JPS61281503A - 円筒形電磁石装置 - Google Patents
円筒形電磁石装置Info
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- JPS61281503A JPS61281503A JP60122477A JP12247785A JPS61281503A JP S61281503 A JPS61281503 A JP S61281503A JP 60122477 A JP60122477 A JP 60122477A JP 12247785 A JP12247785 A JP 12247785A JP S61281503 A JPS61281503 A JP S61281503A
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- cylindrical
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- magnetic flux
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は強磁性円筒状磁路を持ち通電されるコイルによ
る磁場発生装置に係り特に導磁管内の均一な磁場し°−
する・ 〔発明の背景〕 ＮＭＲイメージング（以下ＭＨＩと略称）装置′１に用
いる磁場発生装置（以下磁石と略称）は、その磁場発生
空間にＸＹＺ方向の傾斜磁場を発生させる傾斜磁場コイ
ル（以下ＧＣと略称）及び人体又は人間の頭部を収容す
るＮＭＲ検出コイル及び照射コイル、そして人体を保持
する患者テーブル、それに磁場均一度の補正を行う補正
コイル等を収容する。従って第１図、空芯４コイル常電
導形電磁石装置（ＲＭ）では磁場発生空間７はＪ′最小
内径９０−φは必要であり、人体を収容讐るため磁石開
口部の内径は最小６０ａｎφが必要である。加えて磁場
発生空間は磁場を発生するだけでなく、少なくとも４０
ｅｘａ ｄｓｖ”で１５ Ｘ １０−’、３０ｃＩｌ
ｌｄｓｖで５ Ｘ １０−’の磁場均一度が必要である
。従ってＮＭＲイメジーング装置に用いる磁石は巨大に
なる。現在市販されている磁石の代表例を例挙すると ｉ’）ＲＭでは、０．１．５７ （テラス）の磁場を
発、生、磁石開口部８０■φ、磁場発生空間内径約１０
０印φで、磁場均一・度］、 ５ Ｘ １． Ｏ−５／
４０ａｎｄｓｖ、５ Ｘ １．０−’／ ３０ａｎｃｌ
ｓ ｖ重量約３トン、消費電力ＡＣ約５０ＫＶＡ、冷
却水約５０ 。
る磁場発生装置に係り特に導磁管内の均一な磁場し°−
する・ 〔発明の背景〕 ＮＭＲイメージング（以下ＭＨＩと略称）装置′１に用
いる磁場発生装置（以下磁石と略称）は、その磁場発生
空間にＸＹＺ方向の傾斜磁場を発生させる傾斜磁場コイ
ル（以下ＧＣと略称）及び人体又は人間の頭部を収容す
るＮＭＲ検出コイル及び照射コイル、そして人体を保持
する患者テーブル、それに磁場均一度の補正を行う補正
コイル等を収容する。従って第１図、空芯４コイル常電
導形電磁石装置（ＲＭ）では磁場発生空間７はＪ′最小
内径９０−φは必要であり、人体を収容讐るため磁石開
口部の内径は最小６０ａｎφが必要である。加えて磁場
発生空間は磁場を発生するだけでなく、少なくとも４０
ｅｘａ ｄｓｖ”で１５ Ｘ １０−’、３０ｃＩｌ
ｌｄｓｖで５ Ｘ １０−’の磁場均一度が必要である
。従ってＮＭＲイメジーング装置に用いる磁石は巨大に
なる。現在市販されている磁石の代表例を例挙すると ｉ’）ＲＭでは、０．１．５７ （テラス）の磁場を
発、生、磁石開口部８０■φ、磁場発生空間内径約１０
０印φで、磁場均一・度］、 ５ Ｘ １． Ｏ−５／
４０ａｎｄｓｖ、５ Ｘ １．０−’／ ３０ａｎｃｌ
ｓ ｖ重量約３トン、消費電力ＡＣ約５０ＫＶＡ、冷
却水約５０ 。
Ｑ１分要（第１図参照）。
１超電導磁石（ＳＣＭ）では、’０．５〜２．０Ｔ（テ
ラス）の任意の磁場発生、内径的１． ＯＯｃｘｎφ、
重置駒４．５ トン、液体Ｈｅ置駒８００Ｑ、液体Ｎ２
量約５００Ｑ、冷媒消費量、液体ＨｅＯ，５Ｑ／時、液
体Ｎ２２ ｎ ／時と大量の冷媒を消費する（第２図参
照）。
ラス）の任意の磁場発生、内径的１． ＯＯｃｘｎφ、
重置駒４．５ トン、液体Ｈｅ置駒８００Ｑ、液体Ｎ２
量約５００Ｑ、冷媒消費量、液体ＨｅＯ，５Ｑ／時、液
体Ｎ２２ ｎ ／時と大量の冷媒を消費する（第２図参
照）。
ＲＭは普遍的な技術及び材料により製作可能であり製作
コストもＳＣＭの１／３以下等の理由で普及形ＭＨＩ装
置に多く用いられているが、以下の大きな欠点がある。
コストもＳＣＭの１／３以下等の理由で普及形ＭＨＩ装
置に多く用いられているが、以下の大きな欠点がある。
ｉ）０．１５ Ｔ以上のＭＲＩ用ＲＭは得られない。
ｉｔ）漏洩磁場が広範囲に及ぶ。
ｉ）に関しては、０．２ Ｔも発生可能であるが、消費
電力増大、冷却水量増大、磁石温度上昇による磁場強度
及び磁場均一度の不安定化等でＭＲＴ用として、不適で
ある。現状ではＭＲＩ用として０’、１５Ｔが限度であ
。
電力増大、冷却水量増大、磁石温度上昇による磁場強度
及び磁場均一度の不安定化等でＭＲＴ用として、不適で
ある。現状ではＭＲＩ用として０’、１５Ｔが限度であ
。
上記ＲＭクラスを０．２Ｔで動作させるにはＤＣ電力は
４２ＫＷ→７５ＫＷ以上、ＡＣ′ｌｌ力は５０ＫＶＡ→
８５ＫＶＡ以上（コイルの温度上昇による抵抗変化がな
いと己て）又冷却水は５０Ｅｌ／分→９０Ｑ／分以上と
増大し電力設備冷却水設備は膨大となり電力料金も約ｉ
倍となる。
４２ＫＷ→７５ＫＷ以上、ＡＣ′ｌｌ力は５０ＫＶＡ→
８５ＫＶＡ以上（コイルの温度上昇による抵抗変化がな
いと己て）又冷却水は５０Ｅｌ／分→９０Ｑ／分以上と
増大し電力設備冷却水設備は膨大となり電力料金も約ｉ
倍となる。
ｉｔ）に関しては、第３図（ａ）に示す如く広範囲に漏
洩磁場が広がっているが（第３図でａニガウス）これは
従来のＲＭは空芯であり強磁性材１よる磁路を保持しな
いからである。現在病院に設置されいているＭＲＩ用Ｒ
Ｍは隣室や階上のモニタＴＶ用画象を歪ませ、あカーあ
色ずれＸ線イメージインテンシファイヤへの妨害等のト
ラブルを起こし問題化している。
洩磁場が広がっているが（第３図でａニガウス）これは
従来のＲＭは空芯であり強磁性材１よる磁路を保持しな
いからである。現在病院に設置されいているＭＲＩ用Ｒ
Ｍは隣室や階上のモニタＴＶ用画象を歪ませ、あカーあ
色ずれＸ線イメージインテンシファイヤへの妨害等のト
ラブルを起こし問題化している。
少数派ではあるが磁路付電磁石もＭＲＩ用として市販さ
れている。以下これらに言及する。
れている。以下これらに言及する。
ｉ）従来からＮＭＲ用に最もよく使用されているのがＷ
Ｅ形の鉄磁路を持つ電磁石である。これは磁場発生空間
が狭い一合は良い磁場均一度が得やすい等の理由で採用
されるが、ＭｋＩ用として採用する場谷１ｊ空隙寸法が
′ＩＯσ程度必要となるので均一度がｉ ５ ｘ １０
−５／４０国ｄｓｖ程度を得るには、ポールピース直径
は、少なくとも２■φ以上必要となり、磁石は巨人化す
る。従ってＷＥ形電電磁石ＭＲＴ用としては採石し難い
（第７図参照）。
Ｅ形の鉄磁路を持つ電磁石である。これは磁場発生空間
が狭い一合は良い磁場均一度が得やすい等の理由で採用
されるが、ＭｋＩ用として採用する場谷１ｊ空隙寸法が
′ＩＯσ程度必要となるので均一度がｉ ５ ｘ １０
−５／４０国ｄｓｖ程度を得るには、ポールピース直径
は、少なくとも２■φ以上必要となり、磁石は巨人化す
る。従ってＷＥ形電電磁石ＭＲＴ用としては採石し難い
（第７図参照）。
■）他にＲＭに鉄材による電気シールドを保持する電磁
石カーある。（特開昭５８−１４３７）詳細説明はここ
では省略するが、コイル設計は従来のＲＭと同一で形状
に制めが多く、捲線精度もＲＭと面一にきびしい。従っ
て全体として製作費、調整費がかさむ欠点があり且つ重
量も増大の割には、磁場強度／消費電力が悪い。
石カーある。（特開昭５８−１４３７）詳細説明はここ
では省略するが、コイル設計は従来のＲＭと同一で形状
に制めが多く、捲線精度もＲＭと面一にきびしい。従っ
て全体として製作費、調整費がかさむ欠点があり且つ重
量も増大の割には、磁場強度／消費電力が悪い。
現在この形の磁石は、殆ど採用されていない。
上述の従莱ｉ術による常電溝形磁石の欠点を除きＭＲＩ
で使用できる比較的軽量で磁場均一性が良く、且つ磁気
シールド効果を保持する常電導電磁石装置（以下Ｃ−Ｒ
Ｍ−ＹＧと略称する）を提供する。
で使用できる比較的軽量で磁場均一性が良く、且つ磁気
シールド効果を保持する常電導電磁石装置（以下Ｃ−Ｒ
Ｍ−ＹＧと略称する）を提供する。
本発明では、円筒状強磁性体磁路を用い、その両端に磁
場発生源用の通電するコイルを配置し円筒中心軸（２軸
）を貫通して磁場発生空間を設ける。そして両端の通電
するコイル間に発生する磁束を有効に２軸附近に封じ込
め、且つ均一にするために両端の通電するコイル間に、
比較的厚さの薄い強磁材から構成される磁束誘導用円筒
（以下導磁管）を設け、これらを磁気飽和させその内部
を高磁束密度に保つことにより、磁場発生空間中央部分
の高磁場と高均一性を保持する。
場発生源用の通電するコイルを配置し円筒中心軸（２軸
）を貫通して磁場発生空間を設ける。そして両端の通電
するコイル間に発生する磁束を有効に２軸附近に封じ込
め、且つ均一にするために両端の通電するコイル間に、
比較的厚さの薄い強磁材から構成される磁束誘導用円筒
（以下導磁管）を設け、これらを磁気飽和させその内部
を高磁束密度に保つことにより、磁場発生空間中央部分
の高磁場と高均一性を保持する。
第４図は本発明の一実施例を示す。図に従い説明する。
Ｃ−ＲＭ−ＹＧの両端に磁束の発生源であるコイル１０
．１０’ が設けられる。１０．１０’はアルマイト電
気絶縁処理を施したアルミ材の帯が捲かれており直流電
流を流す事により、ポールピース１１．１１’ を介し
て磁場発生空間に磁束が流れ磁場を発生する。１０，１
０’は捲き方向は同じである。直流電流を同一方向に流
す事によってアンペア左ねじの法則（Ａｍｐｅｒｅ ｓ
’ ｒ、ａｗ ）に従い磁場方向が決定される磁束が１
０から１０’に向う場合先ず円筒状ポールピース１１を
介し磁場、空間１３を径で円筒状ポールピース１１′に
流入し円環状磁路１７′、円筒状磁路９、円環状磁路１
７を得て、１１に戻る磁束流路が形成されている。９，
１１．１１’ 、１７．１７’はいずれも強磁性材（一
般に鉄）で構成される。これらは磁気飽和しない様充分
な磁束流路断面を保ち、一般には鉄磁路で磁束密度（Ｂ
）は１．０−１．．５Ｔである。この場合比透磁率（μ
）≧１０００となり従って上述の開ループ磁気面路から
外部空間への磁束漏洩は極めて少なくなる事は明らかで
ある。
．１０’ が設けられる。１０．１０’はアルマイト電
気絶縁処理を施したアルミ材の帯が捲かれており直流電
流を流す事により、ポールピース１１．１１’ を介し
て磁場発生空間に磁束が流れ磁場を発生する。１０，１
０’は捲き方向は同じである。直流電流を同一方向に流
す事によってアンペア左ねじの法則（Ａｍｐｅｒｅ ｓ
’ ｒ、ａｗ ）に従い磁場方向が決定される磁束が１
０から１０’に向う場合先ず円筒状ポールピース１１を
介し磁場、空間１３を径で円筒状ポールピース１１′に
流入し円環状磁路１７′、円筒状磁路９、円環状磁路１
７を得て、１１に戻る磁束流路が形成されている。９，
１１．１１’ 、１７．１７’はいずれも強磁性材（一
般に鉄）で構成される。これらは磁気飽和しない様充分
な磁束流路断面を保ち、一般には鉄磁路で磁束密度（Ｂ
）は１．０−１．．５Ｔである。この場合比透磁率（μ
）≧１０００となり従って上述の開ループ磁気面路から
外部空間への磁束漏洩は極めて少なくなる事は明らかで
ある。
このＣＲＭ ＹＧは円筒磁路中心軸に貫通して磁場発
生空間１３及び磁石開口部に、１２′を設け、ＭＲ，、
Ｉに於ける被検体の挿入を可能にしている。１１．１１
’ はその高い透磁率により１０゜１０′により発生す
る磁束の均等化を行う。１１の１５から１３に向って放
出された磁束は、もし導磁管１４がなければ、１３内の
空間だけでなく９との間の広い空間に拡散し９に戻る。
生空間１３及び磁石開口部に、１２′を設け、ＭＲ，、
Ｉに於ける被検体の挿入を可能にしている。１１．１１
’ はその高い透磁率により１０゜１０′により発生す
る磁束の均等化を行う。１１の１５から１３に向って放
出された磁束は、もし導磁管１４がなければ、１３内の
空間だけでなく９との間の広い空間に拡散し９に戻る。
この場合には人３内の磁場強度は抵、下し且つその均一
度も又劣化する事は明らかである。
度も又劣化する事は明らかである。
強磁性材で構、成される導磁管１４を新しく導入する。
その肉厚と比較的薄くして磁束の一部分で磁気飽和させ
、高磁束密度に保持させる。例えば、鉄の場合 ２．
１テスラ 鉄粉形成品 ０．８テスラ ソフトフェライト混入ゴム、０．２５ テスラである。
、高磁束密度に保持させる。例えば、鉄の場合 ２．
１テスラ 鉄粉形成品 ０．８テスラ ソフトフェライト混入ゴム、０．２５ テスラである。
この場合には、磁束の大部分は１４の内部の空間に封じ
込められ、１３は１４の内部空間と考えてよい。ＭＲＩ
用には１４の内径（Ｄ）は９゜〔φ〜１００ａ＋＋φで
充分でありその長さく Ｔ、 ）は９０〜１００ｃＩ１
１でよい。第６図ＷＥ形における空隙寸法に対するポー
ルピース直径を３倍以上にする制約がないので磁石が小
形化できる。１３における磁場均一度は１４により向−
Ｌできるので、■７／Ｄ二１でもＭＲＩを行うに充分な
磁場均一度が得られる。
込められ、１３は１４の内部空間と考えてよい。ＭＲＩ
用には１４の内径（Ｄ）は９゜〔φ〜１００ａ＋＋φで
充分でありその長さく Ｔ、 ）は９０〜１００ｃＩ１
１でよい。第６図ＷＥ形における空隙寸法に対するポー
ルピース直径を３倍以上にする制約がないので磁石が小
形化できる。１３における磁場均一度は１４により向−
Ｌできるので、■７／Ｄ二１でもＭＲＩを行うに充分な
磁場均一度が得られる。
上述の説明により、本発明のＣＲＭ ｊＧは従来のＲ
Ｍの欠点であるｉ）高磁場が得られない。
Ｍの欠点であるｉ）高磁場が得られない。
ｊｉ）漏洩磁場が、広範囲に及ぶ。問題が著しく改善で
きる一事が！解できる。即ちｊ）に対しては、ＲＭでは
０．１ｊＴ程度が限度であったがＣ−ＲＭ−ＶＧではコ
イル１０．１０’は（ＲＭにおける如き、コイル形状、
捲線寸法、精度の制約が一切ない）磁束発年源であれば
よいので、極めて低抵抗に設計できるので電力損失が少
なくＲＭと同一電力消費で前出ＲＭではＯ，，１５Ｔで
Ｄ（’、４０す）でＣＲ，、Ｍ ＹＧではＲＭの約２
倍以上の磁場（Ｈｏ）、が磁場発生空間１３で得ること
が可能となる。、そして磁石重量も１０トン以下が可能
となる。
きる一事が！解できる。即ちｊ）に対しては、ＲＭでは
０．１ｊＴ程度が限度であったがＣ−ＲＭ−ＶＧではコ
イル１０．１０’は（ＲＭにおける如き、コイル形状、
捲線寸法、精度の制約が一切ない）磁束発年源であれば
よいので、極めて低抵抗に設計できるので電力損失が少
なくＲＭと同一電力消費で前出ＲＭではＯ，，１５Ｔで
Ｄ（’、４０す）でＣＲ，、Ｍ ＹＧではＲＭの約２
倍以上の磁場（Ｈｏ）、が磁場発生空間１３で得ること
が可能となる。、そして磁石重量も１０トン以下が可能
となる。
ｊｉ）についてはＲＭでは前出第３図（、）に示す如き
、漏洩磁場であるのに対しＣ，、、、ＲＭ ＹＧでは
磁束は開ループ内を流れるので漏洩で極めて少なく前述
の隣室２階上等への妨害磁場の問題は解消する。ここで
コイル、アセンブリについて筒単に触れる。コイル１．
０’、 １．０ ’は夫々の円筒状捲き芯１９．１９’
上に捲かれており材質はガラス強化エポキン樹脂（ＧＦ
ＲＰ）でも、電気絶縁を施工したアルミ材でもよい。円
環状１円板１８゜１８′は電気絶縁性゛よく熱伝導性の
よいシリコンパウンド等を隔てて１０．１０’ を保持
する側板である。一般には熱伝導性の良いアルミ材が採
用される。側板の内部には、冷却水を流すための銅パイ
プが埋め込まれ、コイル１０，１．０’に通電する事に
より発生する熱を冷却水で外部に排出する。又１８，１
８’ ｔ’ １９’、１９’は９，１１゜１１’ 、１
７．１７’に固定される。本発明の実施例では１０．１
０’はアルミ帯で構成されているが銅の帯、又は銅の中
空パイプ（パイプの内部に冷却水を流す）でもよい。又
ＣＲＭ ＹＧの変形として第６図に示す如き、磁路を
構成しても同様の特徴を持つ磁石が得られる。又ＳＣＭ
への応用も可能である。第３図（ｂ）に示す如く、ＳＣ
Ｍも強磁性磁路を保持しないので漏洩磁場は広範囲に及
ぶ欠点がある。ＣＲＭ ＹＧのコイル１０，１．０’
をＳＣＭにおける超電導コイルシステム（勿論Ｌｉｇ
、 Ｎ２、Ｌｉｇ、）（ｅの冷却構造要）で、置換する
ことにより、ＳＣＭの漏洩磁場の問題も１−述のＲＭ−
＋Ｃ−ＲＭ−ＹＧと同様に解決できる事は明らかである
。
、漏洩磁場であるのに対しＣ，、、、ＲＭ ＹＧでは
磁束は開ループ内を流れるので漏洩で極めて少なく前述
の隣室２階上等への妨害磁場の問題は解消する。ここで
コイル、アセンブリについて筒単に触れる。コイル１．
０’、 １．０ ’は夫々の円筒状捲き芯１９．１９’
上に捲かれており材質はガラス強化エポキン樹脂（ＧＦ
ＲＰ）でも、電気絶縁を施工したアルミ材でもよい。円
環状１円板１８゜１８′は電気絶縁性゛よく熱伝導性の
よいシリコンパウンド等を隔てて１０．１０’ を保持
する側板である。一般には熱伝導性の良いアルミ材が採
用される。側板の内部には、冷却水を流すための銅パイ
プが埋め込まれ、コイル１０，１．０’に通電する事に
より発生する熱を冷却水で外部に排出する。又１８，１
８’ ｔ’ １９’、１９’は９，１１゜１１’ 、１
７．１７’に固定される。本発明の実施例では１０．１
０’はアルミ帯で構成されているが銅の帯、又は銅の中
空パイプ（パイプの内部に冷却水を流す）でもよい。又
ＣＲＭ ＹＧの変形として第６図に示す如き、磁路を
構成しても同様の特徴を持つ磁石が得られる。又ＳＣＭ
への応用も可能である。第３図（ｂ）に示す如く、ＳＣ
Ｍも強磁性磁路を保持しないので漏洩磁場は広範囲に及
ぶ欠点がある。ＣＲＭ ＹＧのコイル１０，１．０’
をＳＣＭにおける超電導コイルシステム（勿論Ｌｉｇ
、 Ｎ２、Ｌｉｇ、）（ｅの冷却構造要）で、置換する
ことにより、ＳＣＭの漏洩磁場の問題も１−述のＲＭ−
＋Ｃ−ＲＭ−ＹＧと同様に解決できる事は明らかである
。
以」−のごとく、本発明によれば、比較的軽量で磁場均
一性が良い磁気シールド効果の高い電磁石装置を提供で
きる。
一性が良い磁気シールド効果の高い電磁石装置を提供で
きる。
第１図は従来の空芯４コイル常電導形電磁石装置（ＲＭ
） 、第２図は超電尊影磁石装置（ＳＣＭ）、第３図（
ａ）は０．１Ｅ）Ｔ（テラス）発生するＲＭの漏洩磁場
分布図、第３図（ｂ）は０．５Ｔ（テスラ）発生するＳ
ＣＭの漏洩磁場、分布図で、（ａ）。 （ｂ）共、磁石中心軸（Ｚ）を含む水平面上（２−Ｘ面
）での値、Ｚ−Ｘ面に垂直な２を含む面（Ｚ−Ｙ面）で
も（ａ）、（ｂ）共夫々ｚ−ｘ面分布図を等しくなる。 担し鉄の影響は無視している。第４図（ａ）、（ｂ）は
本発明に関する円管形電磁石装置（Ｃ−ＲＭ−ＹＧ）の
一実施例、第５図（ａ、ｂ）は本発明に関するＣ−ＲＭ
’−ＹＧの変形応用例、ここでは４分割コイル方式の例
を示すが、更に多数分割でもよい。円筒状ガラス゛□に
関する本発明の他の実施例である。 １〜４・・・欠番、５．６・・・空芯コイル、７・・・
ＲＭにおける磁場発生空間、８・・・ＲＭにおける磁石
開口部、９・・・強磁性材構成の円筒状磁路、１０，１
０’・・・ＡＱ帯帯線線よるコイル、１１’、 １１”
・・・強磁性材構成の円筒状ポールピース、１２，１２
’・・・磁石開口部、１３・・・磁場発生空間、１４・
・・磁束誘導筒（導磁管と略称） 、１’５’、 １５
’・・・ポールピース内面、１６，１６’・・・ポール
ピース外端面、１７．１７’・・・強磁性材構成の円環
状磁路、１８゜１８′・・・円環状アルミ材側板、１”
９．１９’・・・円筒状ガラス、強化エポキシ樹脂材ｊ
Ｇ Ｆ ＲＰ ）ボビン、２０・・・ＳＣＭの磁場発生
空間、２１・・・ＳＣＭの超電導線主コイル、２２・・
・ＳＣＭの超電導線補助コイル、２３・・・液体ヘリウ
ム（Ｌｉｇ、Ｈｅ）２４・・・液体窒素（Ｌｉｇ、 Ｎ
２）、２５・・・真空断熱空間、２６・・・アルミ製真
空容器、２７・・・ヘリウムガス排出管、２８′・・・
窒素ガス排出管、３０・・・強磁性材構成による円柱状
磁路、３１・・・ＷＥ形電磁石の鉄磁材路Ｉ （ヨーク
）、３２・・・ＷＥ形電磁石の鉄磁材路■（コア）、３
３・・・ＷＥ形電磁石のコイル、３４・・・ＷＥ形電磁
石の磁場発生間（空隙部）、３５・・・ＷＥ形電磁石の
鉄材ポールピース、３６・・・ＲＭ、３７・・・ＳＣＭ
、３８・・・ＭＲＩ用患者テーブル。
） 、第２図は超電尊影磁石装置（ＳＣＭ）、第３図（
ａ）は０．１Ｅ）Ｔ（テラス）発生するＲＭの漏洩磁場
分布図、第３図（ｂ）は０．５Ｔ（テスラ）発生するＳ
ＣＭの漏洩磁場、分布図で、（ａ）。 （ｂ）共、磁石中心軸（Ｚ）を含む水平面上（２−Ｘ面
）での値、Ｚ−Ｘ面に垂直な２を含む面（Ｚ−Ｙ面）で
も（ａ）、（ｂ）共夫々ｚ−ｘ面分布図を等しくなる。 担し鉄の影響は無視している。第４図（ａ）、（ｂ）は
本発明に関する円管形電磁石装置（Ｃ−ＲＭ−ＹＧ）の
一実施例、第５図（ａ、ｂ）は本発明に関するＣ−ＲＭ
’−ＹＧの変形応用例、ここでは４分割コイル方式の例
を示すが、更に多数分割でもよい。円筒状ガラス゛□に
関する本発明の他の実施例である。 １〜４・・・欠番、５．６・・・空芯コイル、７・・・
ＲＭにおける磁場発生空間、８・・・ＲＭにおける磁石
開口部、９・・・強磁性材構成の円筒状磁路、１０，１
０’・・・ＡＱ帯帯線線よるコイル、１１’、 １１”
・・・強磁性材構成の円筒状ポールピース、１２，１２
’・・・磁石開口部、１３・・・磁場発生空間、１４・
・・磁束誘導筒（導磁管と略称） 、１’５’、 １５
’・・・ポールピース内面、１６，１６’・・・ポール
ピース外端面、１７．１７’・・・強磁性材構成の円環
状磁路、１８゜１８′・・・円環状アルミ材側板、１”
９．１９’・・・円筒状ガラス、強化エポキシ樹脂材ｊ
Ｇ Ｆ ＲＰ ）ボビン、２０・・・ＳＣＭの磁場発生
空間、２１・・・ＳＣＭの超電導線主コイル、２２・・
・ＳＣＭの超電導線補助コイル、２３・・・液体ヘリウ
ム（Ｌｉｇ、Ｈｅ）２４・・・液体窒素（Ｌｉｇ、 Ｎ
２）、２５・・・真空断熱空間、２６・・・アルミ製真
空容器、２７・・・ヘリウムガス排出管、２８′・・・
窒素ガス排出管、３０・・・強磁性材構成による円柱状
磁路、３１・・・ＷＥ形電磁石の鉄磁材路Ｉ （ヨーク
）、３２・・・ＷＥ形電磁石の鉄磁材路■（コア）、３
３・・・ＷＥ形電磁石のコイル、３４・・・ＷＥ形電磁
石の磁場発生間（空隙部）、３５・・・ＷＥ形電磁石の
鉄材ポールピース、３６・・・ＲＭ、３７・・・ＳＣＭ
、３８・・・ＭＲＩ用患者テーブル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、強磁性材により構成される円筒形状の磁路を具備し
、且つ該磁路の両端部に通電されるコイルより構成され
る磁束発生源を具備し、且つ該円筒形状磁路断面の中心
軸の中心対称に両端を貫ぬいて円筒状の磁場発生空間を
有し、且つ該円筒状空間内に強磁性材で構成される磁束
誘導用円筒を内在せしめ該磁束誘導用円筒の内部に約一
な磁場を発生せしめることを特徴とする円筒形電磁石装
置。 ２、前記磁束誘導用円管の材質はその内部に交番磁場が
存在する場合該管壁に渦電流が発生する事を防止する為
高周波フェライト材及び／又は強磁性粉末形材である事
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の円筒形電磁石
装置。 ３、発生する磁束を均一化する為通電するコイルに内在
せしめる強磁性材円筒状ポールピースを具備する事を特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の円管形電磁石装置
。 ４、ポールピース形状は該外観は円筒状であり且つＺ軸
方向では磁束が磁場発生空間内部に流出し易くする為Ｚ
軸方向の磁石中心に向って円筒の内径が大きくなる構成
とした事を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の円管
形電磁石装置。 ５、円筒状ポールピースはＺ軸方向の外端形状は磁石装
置の外部空間に洩れる磁束を集束せしめてＺ軸方向磁場
均一度の低下を防止する為外部に向って円筒内径が大き
くなる様テーパを付ける構成とした事を特徴とする特許
請求の範囲第４項記載の円管形電磁石装置。 ６、円筒形電磁石装置の開口部は、最少５０ｃｍφ、最
大１００ｃｍφの範囲である事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の円管形電磁石装置。 ７、前記磁石誘導用円管の内径は最小７０ｃｍφ最大１
２０ｃｍφの範囲である事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の円管形電磁石装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60122477A JPS61281503A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 円筒形電磁石装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60122477A JPS61281503A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 円筒形電磁石装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281503A true JPS61281503A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14836813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60122477A Pending JPS61281503A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 円筒形電磁石装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281503A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04500583A (ja) * | 1988-10-14 | 1992-01-30 | オックスフォード メディカル リミテッド | 磁界発生組成体及び方法 |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60122477A patent/JPS61281503A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04500583A (ja) * | 1988-10-14 | 1992-01-30 | オックスフォード メディカル リミテッド | 磁界発生組成体及び方法 |
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