JPS61281500A

JPS61281500A - 核融合装置の電流導入端子の製造方法

Info

Publication number: JPS61281500A
Application number: JP60121546A
Authority: JP
Inventors: 小田桐　均; 増田　建寿; 若林　邦朗
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-06-06
Filing date: 1985-06-06
Publication date: 1986-12-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は核融合装置の高周波漏熱装置に係り。

特に大電力の高周波電流を結合系に導入するための同軸
電流導入端子の製造方法に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

一般に核融合装置のプラズマ加熱に用いラレル高周波加
熱装置は第５図に示す如く、高周波発振装置■、高周波
電流を核融合装置（１０）に伝える伝送系（Ｉｆ）、高
周波電流を核融合装置（１ｏ）に直接入射する結合系（
１２）、伝送系（１１）と結合系（１２）を接続する電
流導入端子（１３）およびそれらを制御する制御装置（
１４）からなる、伝送系（１１）には絶縁耐圧“を高め
るために内部にＳＦ、等の絶縁気体を満たす。

一方、結合系（１２）は核融合装置（１ｏ）に接続され
ているため、内部１０″″’ｔｏｒｒ以下の真空状態と
なる。

したがって、伝送系（１１）と結合系（１２）とを接続
する電流導入端子（１３）は、高周波電流を通りゃす゛
く、かつ数気圧もの圧力に対して気密を保持し得るもの
でなければならない、従って、伝送系（１１）と結合系
（１２）に同軸給電線（図示せず）を用いた時の電流導
入端子（１３）は、例えば第６図に示すような縦断面の
構造とすることが考えられた。

第６図の■は同軸給電線の内導体（図示せず）と接続す
る電流導入端子の内導体、■は同軸給電線の外導体と接
続する電流導入端子の外導体、■はコロナリング、■は
内導体■と外導体■とを電気的に絶縁し、かつ、真空部
と加圧気体部とを遮断するためのもので、高周波の誘電
損失を防ぐために誘電率の低いＡｇ、０．などを焼結し
たセラミックス製の仕切部材である。内導体中および外
導体■はステンレス鋼等の機械強度の高い材料を用い。

内導体■の外表面及び外導体■の内表面には電気的性能
および経済性の観点から、銅メッキを施す。

仕切部材■と内導体■および外導体■は銀ろう付する。

その際、銀ろうの一部がろう付部材（１５）の外にはみ
出し、表面に突起物として残る可能性がある。との突起
物は高周波通電時に電界集中による絶縁破壊の原因とな
り、電流導入端子（１３）の絶縁耐圧を劣化させる危険
がある。そこで、ろう付部（１５）の近くにろう付部（
１５）を挟んで、それぞれ２個ずつ並列にコロナリング
■を設け、ろう付部での電界強度を弱め、前述のような
絶縁耐圧の劣化を未然に防いでいる。ところで、電流導
入端子の内導体■及び外導体■の外、内表面に銅メッキ
を施す場合、内、外導体■、■を単品で銅メッキした後
、仕切部材■と銀ろう付すると、その際の温度が８５０
℃以上になるため、銅メッキの健全性が保たれない、そ
のため銅メッキは銀ろう付部。

内、外導体■、■および仕切部材■を一体で行なうが、
その際、前述のようなコロナリング■を設けなければな
らないような、銀ろうのはみ出し部があると、その部分
には銅メッキがうまくつかない、とのため、銀ろう付部
近傍だけ、電気伝導度が低くなり、高周波通電時の表面
電流による発熱により、銀ろう付部近傍のみは他の部分
より温度上昇が大きくなる１通電する高周波電力が小さ
いうちは、温度上昇の差は小さく、第７図に示すように
、内導体■を中空にして冷却するとか、外導体■に冷却
用ジャケット（１６）を設けたりすれば、開運は生じな
いが、数ＭＷ以上の大電力となると、冷却に限界が生じ
、メッキの無い銀ろう付部近傍と他のメッキのある部分
との温度差が大きくなり、そのため、大きな熱応力が生
じ、仕切部材■が破壊される恐れが生じる。従って、せ
っかくコロナリングで絶縁耐圧を向上させても、銀ろう
付部に生じる熱応力のために大電力の高周波を通電でき
なくなるという問題が生じる。また、銀ろう付部近傍で
の伝導損失が増加することにより、核融合装置に伝送し
得る高周波の電力が減少し、加熱効率の劣化につながる
恐れも生じる。

〔発明の目的〕

本発明は絶縁耐圧を向上させるためにコロナリングを設
けても、仕切部材の銀ろう付部近傍での電気伝導度が劣
化しないような核融合装置の電流導入端子の製造方法を
提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明においては、端子の内導体および端子の外導体と
コロナリングおよびセラミックス製の仕切部材との銀ろ
う付部を、セラミックスはメタライズし、他はあらかじ
め金メッキを施し、これらを銀ろう付することにより、
金メッキが崩壊することなく、銀ろう付部近傍での電気
伝導度が劣化しないようにするものである。

〔発明の実施例〕

実施例１以下、本発明の第１の実施例について、第１図および第
２図（ａ）　＝　（ｂ）　、　（ｃ）を参照して説明す
る。

電流導入端子（１３）の内導体（ト）、外導体■、コロ
ナリング■の各単品の被銀ろう付部に）に金メッキを施
す。セラミックス製の仕切部材０は円筒部（５ａ）の−
右端に内向はフランジ（５ｂ）を設け、他方端には外向
はフランジ（５ｃ）を設けた形状にし、との仕切部材■
の被銀ろう付部に）はメタライズした後、金メッキを施
す、コロナリング■は端子の内導体■と、端子の外導体
■とにそれぞれ２個ずつ並列に配設し、その間を仕切る
ように仕切部材■を配置して銀ろう付する。その後内導
体■と外導体■との金メッキ部以外の電流通過面０とコ
ロナリング０の銀ろう付しない部分に銅メッキを施す。

次に作用について説明する。

金メツキ部は銀ろう付の温度では破壊されない。

そして銀ろう材部の常温においては、電流通過面■ノ銅
メッキも破壊されない。従って銀ろう材部は金メツキ部
を通過するから、電気伝導度が劣化しない電流導入端子
を製造することができる。

実施例２第３図に示す第２の実施例は、仕切部材■の内。

外導体■、■への銀ろう材部の背部の肉厚を大にした厚
肉部■を設けたもので、他は実施例１と同様である。

とのようにすると、金メツキ部（イ）の伝導損失を少な
くして、銅メツキ部（へ）の温度上昇と近似して熱歪を
均等にする他、実施例１と同様な作用効果が得られる。

実施例３第４図に示す第３の実施例は、内、外導体■。

■にベロー状の伸縮部■を設けたもので、他は実施例１
と同様である。

とのようにすると、熱応力、熱歪を緩和する他、実施例
１と同様な作用効果が得られる。

尚、実施例１の銅メツキ部を銀メッキ、金メッキ等にし
てもよい。又、セラミックス製仕切部材■の銀ろう材部
はメタライズしただけでもよい。

さらに又、銀ろうの代りに金ろうを用いてもよい。

〔発明の効果〕

以上説明したように１本発明によれば、ろう材部の電気
伝導度の著しい劣化がないため、大電力の高周波を通電
してもろう材部で伝導損失が著しく増加することがない
、従ってろう材部と他の部分での温度上昇の差は小さく
なり、ろう材部に発生する熱歪が小さくなり。仕切部材
が破壊される危険性が少なく、大容量に適した核融合装
置の電流導入端子を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の方法にて製造した核融
合装置の電流導入端子を示す縦断面図２第２図（ａ）　
、　（ｂ）　、　（ｃ）は第１図のそれぞ′れ異なる単
品を示す縦断面図、第３図および第４１ｉ！ｉｌＩは第
２および第３の実施例の方法にて製造した電流導入端子
の縦断面図、第５図は核融合装置と高周波加熱装置との
関係を示す模式図、第６図および第７＠はそれぞれ異な
る方法で製造した従来の電流導入端子を示す縦断面図で
ある。１・・・端子の内導体　　　　２・・・端子の外導体３
・・・コロナリング　　　　４・・・金メツキ部５・・
・仕切部材　　　　　　６・・・鋼メッキ部９・・・高
周波発振装置ｆ　　　　１０・・・核融合装置１１・・
・伝送系　　　　　　　１２・・・結合系１３・・・電
流導入端子

Claims

【特許請求の範囲】

（１）核融合装置へ高周波発振装置から高周波電流を導
入する経路の結合系と伝送系との間に介在させてセラミ
ックス製の仕切部材にて両側を気密に仕切る構造の電流
導入端子の製造方法において、端子の内導体および端子
の外導体とコロナリングおよび仕切部材との銀ろう付部
を、仕切部材はメタライズし、他はあらかじめ金メッキ
を施し、これらを銀ろう付したことを特徴とする核融合
装置の電流導入端子の製造方法。
（２）コロナリングは端子の内導体と端子の外導体とに
それぞれ２個ずつ並列に配設し、その間を仕切るように
仕切部材を配置し、電流通過面を銅、銀又は金のメッキ
を施したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
核融合装置の電流導入端子の製造方法。