JPS6127976Y2 - - Google Patents
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- JPS6127976Y2 JPS6127976Y2 JP6582482U JP6582482U JPS6127976Y2 JP S6127976 Y2 JPS6127976 Y2 JP S6127976Y2 JP 6582482 U JP6582482 U JP 6582482U JP 6582482 U JP6582482 U JP 6582482U JP S6127976 Y2 JPS6127976 Y2 JP S6127976Y2
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- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
(1) 考案の技術分野
本考案は液相エピタキシヤル成長に使用される
ボートの構造に関するものである。
ボートの構造に関するものである。
(2) 技術の背景
液相成長用のスライド式ボートは通常グラフア
イト、石英、窒化ボロン等の台とスライダー部か
ら成る第１図参照：台１には成長用基板２を置く
ための浅い孔が形成され、またスライダー部３に
は成長用メント４を収納するための適当な容積を
持つた孔５と孔の上部にフタ５′が複数個取り付
られている。スライダー３は石英棒６等を介して
外部からの操作により、台１の上をなめらかに動
くようになつている。このようなボート全体は適
当な径をもつ石英管７の中に入れられ、管内は一
方向に、H2やN2等の純化されたキヤリアガスが
流れるようになつている。
イト、石英、窒化ボロン等の台とスライダー部か
ら成る第１図参照：台１には成長用基板２を置く
ための浅い孔が形成され、またスライダー部３に
は成長用メント４を収納するための適当な容積を
持つた孔５と孔の上部にフタ５′が複数個取り付
られている。スライダー３は石英棒６等を介して
外部からの操作により、台１の上をなめらかに動
くようになつている。このようなボート全体は適
当な径をもつ石英管７の中に入れられ、管内は一
方向に、H2やN2等の純化されたキヤリアガスが
流れるようになつている。
さらにこの石英管を囲んで温度制御用のヒータ
ー（発熱器）が設置されている。
ー（発熱器）が設置されている。
(3) 従来技術と問題点
以上のようなボート液相成長系において、従来
から次のような難点があつた。すなわち、ヒータ
ーの熱的構成やキヤリアガスの種類・流量、また
ボートの熱伝導率が小さいことにより、ボート全
体の温度が均一にならず、長さ方向に分布を生じ
やすいことであつた。８は石英管９内に設けた熱
電対である。一般に行なわれているように、たと
えばボートの一部で温度が均一になるようにした
場合（この範囲を均熱帯と称する）、ボートの両
端にいくにしたがつて、温度が変化する。この様
子を第２図１に示す。このようにボート内に温度
分布を生じると、各メルトの微細な熱的条件に好
ましからぬ影響を及ぼし、それらのメルトから成
長する固相の結晶性が良好でなくなるという結果
を生ずる。
から次のような難点があつた。すなわち、ヒータ
ーの熱的構成やキヤリアガスの種類・流量、また
ボートの熱伝導率が小さいことにより、ボート全
体の温度が均一にならず、長さ方向に分布を生じ
やすいことであつた。８は石英管９内に設けた熱
電対である。一般に行なわれているように、たと
えばボートの一部で温度が均一になるようにした
場合（この範囲を均熱帯と称する）、ボートの両
端にいくにしたがつて、温度が変化する。この様
子を第２図１に示す。このようにボート内に温度
分布を生じると、各メルトの微細な熱的条件に好
ましからぬ影響を及ぼし、それらのメルトから成
長する固相の結晶性が良好でなくなるという結果
を生ずる。
(4) 考案の目的
本考案はそのようなボート内の空間的温度変動
を改善して、より大きな均熱帯を形成し、メルト
の熱的条件の再現・安定化を目的としたボートの
構成法に関するものである。
を改善して、より大きな均熱帯を形成し、メルト
の熱的条件の再現・安定化を目的としたボートの
構成法に関するものである。
(5) 考案の構成
基板ホルダーとスライダーから成り、基板ホル
ダーの長さ方向に、適当な断面積をもつ孔が少な
くても１つ形成され、かつその孔内部にボートを
構成する材料より熱伝導率が大きい材料を封入で
きる構造を特徴とした液相成長装置を提供するも
のである。
ダーの長さ方向に、適当な断面積をもつ孔が少な
くても１つ形成され、かつその孔内部にボートを
構成する材料より熱伝導率が大きい材料を封入で
きる構造を特徴とした液相成長装置を提供するも
のである。
(6) 考案の実施例
本考案を、ボートツ材料にグラフアイトを用い
た場合を例にひいて、以下にくわしく説明する。
た場合を例にひいて、以下にくわしく説明する。
すなわち第３図に示す如くグラフアイトボート
の台１、あるいはスライダー部３、またはその両
方に長さ方向に沿つて細長い孔２０をあけ（１個
あるいは複数個）、その孔２０の中に熱伝導率の
大きな金属体２１をそう入し、そのそう入口は同
じグラフアイト材のふた２２で密閉する。
の台１、あるいはスライダー部３、またはその両
方に長さ方向に沿つて細長い孔２０をあけ（１個
あるいは複数個）、その孔２０の中に熱伝導率の
大きな金属体２１をそう入し、そのそう入口は同
じグラフアイト材のふた２２で密閉する。
そのような構造の一例を第３図に示す。また第
３図ａに示す如く通気孔２３としてこの孔２０に
通ずる小さい孔を形成してもよい。金属体のもつ
大きな熱伝導率のため、グラフアイトボート内の
温度分布は緩和され、ボート全体の温度を均一に
することができる。
３図ａに示す如く通気孔２３としてこの孔２０に
通ずる小さい孔を形成してもよい。金属体のもつ
大きな熱伝導率のため、グラフアイトボート内の
温度分布は緩和され、ボート全体の温度を均一に
することができる。
第３図ａは反応管軸に垂直な断面図、第３図ｂ
は管軸方向の断面図である。
は管軸方向の断面図である。
孔２０は挿入する金属体としては高温で熔融し
てもよいが、成長用メルトの熔媒金属と同一材料
のものが汚染を低減する観点から好ましい。たと
えば、InP系の液相成長ではIn，GaAs，GaSb成
長ではGaをそう入金属体として用いればよい。
てもよいが、成長用メルトの熔媒金属と同一材料
のものが汚染を低減する観点から好ましい。たと
えば、InP系の液相成長ではIn，GaAs，GaSb成
長ではGaをそう入金属体として用いればよい。
又成長用メルトと同一組成のものを用いること
もできる。
もできる。
(7) 考案の効果
第４図は長さ30cmのINP／INGaAsP成長用グラ
フアイトボートに対して本発明を適用した効果を
示すものである。なお金属体としてはメルトの主
材料であるInを用いた。温度600℃で従来の液相
成長装置では均熱長（600±0.5℃）が15cmであつ
たのに対し、本考案による改良後は均熱長が25cm
になつた。
フアイトボートに対して本発明を適用した効果を
示すものである。なお金属体としてはメルトの主
材料であるInを用いた。温度600℃で従来の液相
成長装置では均熱長（600±0.5℃）が15cmであつ
たのに対し、本考案による改良後は均熱長が25cm
になつた。
液相成長では温度を降下させながら行なう場合
があるが、この時もグラフアイトボートの各部に
温度差を生じこの現象は降下が速い程顕著であ
る。
があるが、この時もグラフアイトボートの各部に
温度差を生じこの現象は降下が速い程顕著であ
る。
これは、グラフアイトボートの熱慣性が大きい
ために、炉の温度降下にボートのそれが追従でき
ないことによる。したがつて、最初に十分な均熱
帯が得られていたとしても、降下によつて温度分
布が生じてしまうことになる。このような場合に
も本考案による構造のグラフアイトボートを用い
れば、熱的な追従が速くなり、ボート全体の温度
を均一にしたまま降下させることができる。
ために、炉の温度降下にボートのそれが追従でき
ないことによる。したがつて、最初に十分な均熱
帯が得られていたとしても、降下によつて温度分
布が生じてしまうことになる。このような場合に
も本考案による構造のグラフアイトボートを用い
れば、熱的な追従が速くなり、ボート全体の温度
を均一にしたまま降下させることができる。
なお本願は液相成長装置を対象としたものであ
るが均熱帯を広くする目的からすれば、気相成長
装置に適用しても良い。
るが均熱帯を広くする目的からすれば、気相成長
装置に適用しても良い。
第１図は従来の液相成長装置の断面図、第２図
はグラフアイトボートの温度分布を示す図、第３
図は本考案の液相成長装置の断面図、第４図は本
考案と従来により得られる温度分布を示す図であ
る。 １：台、２：基板、３：スライダ、２０：孔、
２１：金属、２２：フタ。
はグラフアイトボートの温度分布を示す図、第３
図は本考案の液相成長装置の断面図、第４図は本
考案と従来により得られる温度分布を示す図であ
る。 １：台、２：基板、３：スライダ、２０：孔、
２１：金属、２２：フタ。
Claims (1)
- 基板ホルダーとスライダーから成る液相成長装
置において基板ホルダーが長手方向に所望断面形
状の孔を有し、該孔内に基板ホルダー構成材料よ
り熱伝導率大の物質を設けたことを特徴とする液
相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6582482U JPS58168572U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6582482U JPS58168572U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 液相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58168572U JPS58168572U (ja) | 1983-11-10 |
| JPS6127976Y2 true JPS6127976Y2 (ja) | 1986-08-20 |
Family
ID=30075757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6582482U Granted JPS58168572U (ja) | 1982-05-06 | 1982-05-06 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58168572U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62197393A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Hitachi Cable Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1982
- 1982-05-06 JP JP6582482U patent/JPS58168572U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58168572U (ja) | 1983-11-10 |
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