JPS61279565A - 熱記録ヘツド - Google Patents
熱記録ヘツドInfo
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- JPS61279565A JPS61279565A JP12041785A JP12041785A JPS61279565A JP S61279565 A JPS61279565 A JP S61279565A JP 12041785 A JP12041785 A JP 12041785A JP 12041785 A JP12041785 A JP 12041785A JP S61279565 A JPS61279565 A JP S61279565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heating element
- recording head
- thermal recording
- fet
- heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、画像や文字等を記録媒体に記録するための熱
記録ヘッドに係り、とくに安定した中間調濃度記録を行
なうに好適な熱記録ヘッドに関する。
記録ヘッドに係り、とくに安定した中間調濃度記録を行
なうに好適な熱記録ヘッドに関する。
ビデオ信号等の中間濃度情報をもつ画像信号を記録する
場合には、連続した多段階の濃度を画像信号に忠実に記
録する必要がある。このため、１枚の画像に継ぎ目が入
らないようにする必要があシ、熱記録にお込ては通常、
発熱素子を基板上に１列に並べた熱記録ヘッド（以下、
熱記録ヘッドと略称する）が用いられている。
場合には、連続した多段階の濃度を画像信号に忠実に記
録する必要がある。このため、１枚の画像に継ぎ目が入
らないようにする必要があシ、熱記録にお込ては通常、
発熱素子を基板上に１列に並べた熱記録ヘッド（以下、
熱記録ヘッドと略称する）が用いられている。
画像の記録は、１列に並んだ熱記録ヘッド内の発熱素子
（発熱抵抗体）を適宜選択し通電することによって行な
われる。中間調記録は、熱記録ヘッドの各発熱素子に注
入するエネルギに応じて、記録されるインクの厚さの変
化による（濃度階調法）ものが有望とされ、代表的なも
のとして昇華性染料による方式が知られている。
（発熱抵抗体）を適宜選択し通電することによって行な
われる。中間調記録は、熱記録ヘッドの各発熱素子に注
入するエネルギに応じて、記録されるインクの厚さの変
化による（濃度階調法）ものが有望とされ、代表的なも
のとして昇華性染料による方式が知られている。
各発熱素子へ注入するエネルギ量を変える方法は、各素
子へ印加する電圧を一定として通電時間の長短によυ制
御するものと、印加電圧を抵抗値に応じて変えるものと
がある。ところが、発熱素子の抵抗値は製造上のバラツ
キおよびさらに使用頻度による経年変化があって、一度
ムラが発生することがあった。
子へ印加する電圧を一定として通電時間の長短によυ制
御するものと、印加電圧を抵抗値に応じて変えるものと
がある。ところが、発熱素子の抵抗値は製造上のバラツ
キおよびさらに使用頻度による経年変化があって、一度
ムラが発生することがあった。
印加電圧を発熱素子の抵抗値ムラに応じて変える方式の
ものとしては、例えば、特開昭５７−５６６８２号公報
に開示されているように、発熱素子を複数個を１群とし
て、該群毎の平均抵抗値に合わせた電圧を印加すること
により均一な電力が各発熱素子に加わるようにしたもの
が知られている。
ものとしては、例えば、特開昭５７−５６６８２号公報
に開示されているように、発熱素子を複数個を１群とし
て、該群毎の平均抵抗値に合わせた電圧を印加すること
により均一な電力が各発熱素子に加わるようにしたもの
が知られている。
この方法においては、発熱素子の経年変化による抵抗値
変化は認識していす、また、同一群内の発熱素子の抵抗
値バラツキは対応しきれないという不具合があった。
変化は認識していす、また、同一群内の発熱素子の抵抗
値バラツキは対応しきれないという不具合があった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を除き、ビデオ信
号等の中間濃度をもつ記録情報の高忠実度再現を実現で
きるようにした熱記録ヘッドを提供するＫある。
号等の中間濃度をもつ記録情報の高忠実度再現を実現で
きるようにした熱記録ヘッドを提供するＫある。
この目的を達成するために、本発明は、基板上に複数の
発熱素子を１列に設けて成る熱記録ヘッドにおいて、該
熱記録ヘッド内の各発熱素子と直列に、非線形抵抗特性
を有する素子を設け、均一な電力が各発熱素子に印加さ
れるようにした点に特徴がある。
発熱素子を１列に設けて成る熱記録ヘッドにおいて、該
熱記録ヘッド内の各発熱素子と直列に、非線形抵抗特性
を有する素子を設け、均一な電力が各発熱素子に印加さ
れるようにした点に特徴がある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例を図面でもって説明する。
第１図は本発明による熱記録ヘッドの内部回路の一実施
例を示す回路図であって、Ｑ＋ −Ｑ−はＮチャンネル
ＭＯ５型電界効果製トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す
）、Ｄ、はそのドレイン、Ｓｌはソース、Ｂ１けバック
ゲート、Ｇ、はゲート、Ｖ、は給電端子、Ｒ２−Ｒ１は
発熱抵抗体、ＶＢは端子、ＳＷ、〜Ｓ（はスイッチ、Ｖ
Ｇは端子、ＧにＤはグランド端子である。
例を示す回路図であって、Ｑ＋ −Ｑ−はＮチャンネル
ＭＯ５型電界効果製トランジスタ（以下、ＦＥＴと称す
）、Ｄ、はそのドレイン、Ｓｌはソース、Ｂ１けバック
ゲート、Ｇ、はゲート、Ｖ、は給電端子、Ｒ２−Ｒ１は
発熱抵抗体、ＶＢは端子、ＳＷ、〜Ｓ（はスイッチ、Ｖ
Ｇは端子、ＧにＤはグランド端子である。
同図において、ＦＥＴＱ、のドレインＤ１は給電端子Ｖ
Ｈに接続されている。一方、このＦ Ｅ Ｔ Ｑ。
Ｈに接続されている。一方、このＦ Ｅ Ｔ Ｑ。
のソースＳ１は発熱抵抗体Ｒ１の一端に接続されている
。発熱抵抗体Ｒ４の他端はグランド端子ＧＫＩ）に接続
されており、ここでＦ Ｅ Ｔ Ｑｌが導通状態となれ
ば、発熱抵抗体（以下、発熱素子と称する）Ｒ１に電流
が流れて発熱する。Ｆ Ｅ Ｔ ＱｌのバックゲートＢ
１は端子ＶＢに接続されている。ゲートＧ、はスイッチ
ＳＷ１に接続されてグランド端子ＧＭＤかまたは端子Ｖ
ｏのいずれか一方に切り替えることができる。
。発熱抵抗体Ｒ４の他端はグランド端子ＧＫＩ）に接続
されており、ここでＦ Ｅ Ｔ Ｑｌが導通状態となれ
ば、発熱抵抗体（以下、発熱素子と称する）Ｒ１に電流
が流れて発熱する。Ｆ Ｅ Ｔ ＱｌのバックゲートＢ
１は端子ＶＢに接続されている。ゲートＧ、はスイッチ
ＳＷ１に接続されてグランド端子ＧＭＤかまたは端子Ｖ
ｏのいずれか一方に切り替えることができる。
熱記録ヘッド内部で列状に配置された発熱素子Ｒ１〜Ｒ
１はそれぞれ同様にＦ Ｅ Ｔ Ｑ、〜Ｑ、に接続され
ている。各発熱素子の駆動を行なうには、端子ＶＢに一
定電圧を加え、端子〆Ｇに加えた電圧を各ＦＥＴのゲー
トＧ、〜Ｇ、に接続されたスイッチＳＷ１〜ＳＷ、によ
って適宜選択することによりＦＥＴを導通状態とし、給
電端子ＶＨより発熱素子Ｒ８〜Ｒ％へ電流を流すことに
よって行なう。
１はそれぞれ同様にＦ Ｅ Ｔ Ｑ、〜Ｑ、に接続され
ている。各発熱素子の駆動を行なうには、端子ＶＢに一
定電圧を加え、端子〆Ｇに加えた電圧を各ＦＥＴのゲー
トＧ、〜Ｇ、に接続されたスイッチＳＷ１〜ＳＷ、によ
って適宜選択することによりＦＥＴを導通状態とし、給
電端子ＶＨより発熱素子Ｒ８〜Ｒ％へ電流を流すことに
よって行なう。
第２図は、第１図に示した発熱素子Ｒ１駆動部分の説明
図で発熱状態を示すものである。ＦＥＴＱｔのバックゲ
ートＢＩには一定の電圧（例えば−１０Ｊ’）が印加さ
れており、ゲートＧ１にはＦＥＴＱＩを導通状態とする
電圧（例えば＋７Ｆ）が印加されている。そして、ドレ
インＤ、には、発熱素子駆動用電圧（例えば＋１２ｒ）
が印加されている。ドレインＤ、に流れ込むドレイン電
流ＩＤはソースＳ１を通じて発熱素子Ｒ１に供給される
。
図で発熱状態を示すものである。ＦＥＴＱｔのバックゲ
ートＢＩには一定の電圧（例えば−１０Ｊ’）が印加さ
れており、ゲートＧ１にはＦＥＴＱＩを導通状態とする
電圧（例えば＋７Ｆ）が印加されている。そして、ドレ
インＤ、には、発熱素子駆動用電圧（例えば＋１２ｒ）
が印加されている。ドレインＤ、に流れ込むドレイン電
流ＩＤはソースＳ１を通じて発熱素子Ｒ１に供給される
。
ここでは発熱素子Ｒ１の駆動について説明したが、他の
発熱素子Ｒ，−Ｒ，Ｋついても同様である。
発熱素子Ｒ，−Ｒ，Ｋついても同様である。
第３図は、第２図に示したＮチャンネルＮ。
Ｓ型Ｆ Ｅ Ｔ Ｑｌの動作状態の説明図である。図に
おいて、横軸はゲート・ソース間電圧ＶＯ３を示し、そ
して、縦軸はドレイン電流ＩＤを示す。特性曲線１３は
バックゲートＢ１に印加された電圧−１０Ｆの場合の特
性である。負荷特性曲線１４は発熱素子Ｒ１の抵抗値が
１００ΩでかつゲートＧ１に加える電圧が７Ｖの場合の
ものである。
おいて、横軸はゲート・ソース間電圧ＶＯ３を示し、そ
して、縦軸はドレイン電流ＩＤを示す。特性曲線１３は
バックゲートＢ１に印加された電圧−１０Ｆの場合の特
性である。負荷特性曲線１４は発熱素子Ｒ１の抵抗値が
１００ΩでかつゲートＧ１に加える電圧が７Ｖの場合の
ものである。
このとき、発熱素子Ｒ１に加わる電圧ｖＢおよび電流Ｉ
ＤはＦ Ｅ Ｔ Ｑｌの特性１３と負荷特性１４の交わ
る点１５より求められ、υ＃ ＝＝ ４−５Ｖ 、 Ｉ
Ｄ”＝： ４５ｍＡとなり、注入電力は２００１となる
。Ｆ Ｅ Ｔ Ｑｌ内で吸収される電圧νＦは２．５ｒ
となる。等電力曲線１６は、ゲートＧ１−グランド端子
ＧＮＤ間の電圧が７ｒの場合、発熱素子Ｒ８に加わる電
力が２００１となる条件を示すものである。等電力曲線
１６と特性曲線１３は発熱素子Ｒ８の抵抗値が８０Ωの
場合の負荷特性１７、および１２０Ωの場合の負荷特性
１８の交叉する範囲で一致している。
ＤはＦ Ｅ Ｔ Ｑｌの特性１３と負荷特性１４の交わ
る点１５より求められ、υ＃ ＝＝ ４−５Ｖ 、 Ｉ
Ｄ”＝： ４５ｍＡとなり、注入電力は２００１となる
。Ｆ Ｅ Ｔ Ｑｌ内で吸収される電圧νＦは２．５ｒ
となる。等電力曲線１６は、ゲートＧ１−グランド端子
ＧＮＤ間の電圧が７ｒの場合、発熱素子Ｒ８に加わる電
力が２００１となる条件を示すものである。等電力曲線
１６と特性曲線１３は発熱素子Ｒ８の抵抗値が８０Ωの
場合の負荷特性１７、および１２０Ωの場合の負荷特性
１８の交叉する範囲で一致している。
すなわち、発熱素子Ｒ８の抵抗値が８０Ωから１２０Ω
の範囲にある場合、該発熱素子に印加される電力は必ら
ず２００Ｉとなり、一定の電力が与えられる。
の範囲にある場合、該発熱素子に印加される電力は必ら
ず２００Ｉとなり、一定の電力が与えられる。
上記した実施例による熱記録ヘッドにおいて、中間調記
録を行なうには、予定の記録濃度に達する時間の間、ス
イッチＳ乞〜ＳＦ、を適宜導通側に選択し、発熱素子Ｒ
１〜Ｒ１に電力を印加すればよい。例えば、２ｍｌのエ
ネルギが必要な場合に要する通電時間ｔは、ｔ ＝ ２
（ｎｓＱ ／ ２００（Ｉ） ＝１０（＋＋ｕｎｃ）
となる。発熱素子の抵抗値が８０ｇから１２０Ωの範囲
にあれば、注入エネルギは通電時間に対応して単純に決
定される。
録を行なうには、予定の記録濃度に達する時間の間、ス
イッチＳ乞〜ＳＦ、を適宜導通側に選択し、発熱素子Ｒ
１〜Ｒ１に電力を印加すればよい。例えば、２ｍｌのエ
ネルギが必要な場合に要する通電時間ｔは、ｔ ＝ ２
（ｎｓＱ ／ ２００（Ｉ） ＝１０（＋＋ｕｎｃ）
となる。発熱素子の抵抗値が８０ｇから１２０Ωの範囲
にあれば、注入エネルギは通電時間に対応して単純に決
定される。
第４図は本発明による熱記録へ、ドの内部回路の他の実
施例を示す回路図であって、Ｑ８〜Ｑ％Ｑｒ 、／ は
電力制御非線形抵抗素子として用いられるバイポーラト
ランジスタ（以下、トランジスタと称す）であシ、第１
図に対応する部分に同一符号をつけて重複する説明を省
略する。
施例を示す回路図であって、Ｑ８〜Ｑ％Ｑｒ 、／ は
電力制御非線形抵抗素子として用いられるバイポーラト
ランジスタ（以下、トランジスタと称す）であシ、第１
図に対応する部分に同一符号をつけて重複する説明を省
略する。
図において、トランジスタＱ、のエミッタＥ、とトラン
ジスタＱ、′のコレクタＣ３′ は直列に接続され、
トランジスタＱ１のコレクタＣＩ′は給電端子Ｖ。
ジスタＱ、′のコレクタＣ３′ は直列に接続され、
トランジスタＱ１のコレクタＣＩ′は給電端子Ｖ。
に接続され、そして、トランジスタＱ＋’のエミッタＥ
１′は発熱素子Ｒ１に接続されている。該発熱素子Ｒ１
の他端はスイッチＳＷＳを介してグランド端子ＧＮＤに
接続されている。各トランジスタのベースＢｌ〜Ｂ・・
Ｂｌ′〜Ｂ−には定電流源２１および２２より一定の値
の電流が印加され、スイッチ５Ｆ、〜５ｔｉｒ、を閉じ
ると発熱素子Ｒ１−Ｒ，ＩＩＣｔ力が印加される。この
ように発熱素子Ｒ８〜Ｒ１は熱記録ヘッド内部で列状に
配置されかつそれぞれ同様にトランジスタＱｓ ＃ＱＩ
’〜Ｑ、 ｑ：に接続されている。
１′は発熱素子Ｒ１に接続されている。該発熱素子Ｒ１
の他端はスイッチＳＷＳを介してグランド端子ＧＮＤに
接続されている。各トランジスタのベースＢｌ〜Ｂ・・
Ｂｌ′〜Ｂ−には定電流源２１および２２より一定の値
の電流が印加され、スイッチ５Ｆ、〜５ｔｉｒ、を閉じ
ると発熱素子Ｒ１−Ｒ，ＩＩＣｔ力が印加される。この
ように発熱素子Ｒ８〜Ｒ１は熱記録ヘッド内部で列状に
配置されかつそれぞれ同様にトランジスタＱｓ ＃ＱＩ
’〜Ｑ、 ｑ：に接続されている。
ｗｃｓ図は第４図に示す発熱素子駆動部分を発熱素子Ｒ
８について説明する説明図でおる。トランジスタＱ１お
よびＱ８′のベースＢ１．Ｅ、’には、それぞれ定電流
源２１および２２より一定の電流（例えば、８０μＡ）
が加えられて各トランジスタは導通状態となっている。
８について説明する説明図でおる。トランジスタＱ１お
よびＱ８′のベースＢ１．Ｅ、’には、それぞれ定電流
源２１および２２より一定の電流（例えば、８０μＡ）
が加えられて各トランジスタは導通状態となっている。
このときトランジスタＱｉのコレクタＣ１とグランド端
子ＧＮＤの間には一定の電圧（例えば、ｌｌ’）が印加
されておυ、スイッチｓｒ、を閉じると、発熱素子Ｒ１
に電流が流れて発熱する。この説明は発熱素子Ｒ１−Ｒ
％についても同様に適用される。
子ＧＮＤの間には一定の電圧（例えば、ｌｌ’）が印加
されておυ、スイッチｓｒ、を閉じると、発熱素子Ｒ１
に電流が流れて発熱する。この説明は発熱素子Ｒ１−Ｒ
％についても同様に適用される。
第６図は第５図に示したトランジスタ２個の直列接続で
の動作状態の説明図である。図において横軸はコレクタ
・エミッタ間電圧ＶＱＩ； Ｘ ２を示しそして縦軸は
コレクタ電流ＩＣＩＩを示す。
の動作状態の説明図である。図において横軸はコレクタ
・エミッタ間電圧ＶＱＩ； Ｘ ２を示しそして縦軸は
コレクタ電流ＩＣＩＩを示す。
特性曲線２３はベース電流ＩＢが８０μＡのときの特性
を示す。負荷特性スは発熱素子Ｒ１の抵抗値が１００Ω
でトランジスタＱ１のコレクタＣ１に印加される電圧が
８Ｖのときのものである。
を示す。負荷特性スは発熱素子Ｒ１の抵抗値が１００Ω
でトランジスタＱ１のコレクタＣ１に印加される電圧が
８Ｖのときのものである。
このとき、発熱素子Ｒ１に加わる電圧Ｕｐはトランジス
タの特性曲線２３と負荷特性スとの交叉点部より求めら
れる。等電力線２６は、給電端子ＶＨおよびグランド端
子ＧＮＩ）間に印加される電圧が８Ｖのとき、発熱素子
Ｒ２に加わる電力が２００ｉとなる条件を示すものであ
る。等電力線２６は発熱素子の抵抗値が８０Ω〜１２０
Ωの範囲にある場合の負荷特性２７および四がトランジ
スタの特性曲線ｎと交叉する部分でほぼ一致しており、
この範囲では発熱素子に２００ｍＦの電力が供給される
。
タの特性曲線２３と負荷特性スとの交叉点部より求めら
れる。等電力線２６は、給電端子ＶＨおよびグランド端
子ＧＮＩ）間に印加される電圧が８Ｖのとき、発熱素子
Ｒ２に加わる電力が２００ｉとなる条件を示すものであ
る。等電力線２６は発熱素子の抵抗値が８０Ω〜１２０
Ωの範囲にある場合の負荷特性２７および四がトランジ
スタの特性曲線ｎと交叉する部分でほぼ一致しており、
この範囲では発熱素子に２００ｍＦの電力が供給される
。
本実施例においても、上述し７’（第１図ないし第５図
に示した実施例と同様に中間調記録が可能であることは
明白である。
に示した実施例と同様に中間調記録が可能であることは
明白である。
第７図は本発明による熱記録ヘッドのさらに他の実施例
の内部回路を示す回路図であって、Ｄ、−Ｊ）％は電力
制御用非線形抵抗特性を有する素子として直列に接続さ
れたダイオードアレイ（以下、ダイオード列と称す）で
４うり、第１図に対応する部分には同・−符号をつけて
重複する説明を省略する。
の内部回路を示す回路図であって、Ｄ、−Ｊ）％は電力
制御用非線形抵抗特性を有する素子として直列に接続さ
れたダイオードアレイ（以下、ダイオード列と称す）で
４うり、第１図に対応する部分には同・−符号をつけて
重複する説明を省略する。
図において、・ダイオード列り、のアノードＡ側は給１
１ｔ端子ＶＨに接続されかつカソードＣ側は発熱素子Ｒ
，に接続でれている。該発熱素子Ｒ３の他端はスイッチ
Ｗ、を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。熱
記録ヘッド内に列状に配置された発熱素子Ｒ１〜Ｒ７は
、それぞれ同様に、一端がダイオード列り、〜Ｄ、のカ
ソード側にかつ他癩がスイッチＳ乞〜Ｓｒ％を介してグ
ランド端子ＧＮＤに接続されている。各ダイオード列Ｄ
１〜Ｄ、Ｉのアノード側は給電端子ＶＨに接続されてい
る。
１ｔ端子ＶＨに接続されかつカソードＣ側は発熱素子Ｒ
，に接続でれている。該発熱素子Ｒ３の他端はスイッチ
Ｗ、を介してグランド端子ＧＮＤに接続されている。熱
記録ヘッド内に列状に配置された発熱素子Ｒ１〜Ｒ７は
、それぞれ同様に、一端がダイオード列り、〜Ｄ、のカ
ソード側にかつ他癩がスイッチＳ乞〜Ｓｒ％を介してグ
ランド端子ＧＮＤに接続されている。各ダイオード列Ｄ
１〜Ｄ、Ｉのアノード側は給電端子ＶＨに接続されてい
る。
第８図は第７図に示した発熱素子駆動部分を発熱素子Ｒ
，について示す説明図である。スイッチｓｒ、を閉じる
と給電端子ＶＨとグランド端子Ｇ１１ｌ）との間が導通
状態とな夛、発熱素子Ｒ１が発熱する。
，について示す説明図である。スイッチｓｒ、を閉じる
と給電端子ＶＨとグランド端子Ｇ１１ｌ）との間が導通
状態とな夛、発熱素子Ｒ１が発熱する。
第９図は第８図に示したダイオード列の動作状態の説明
図である。図において、横軸はアノード・カソード間の
電圧として縦軸は通過電流を示す。負荷特性３１は発熱
素子Ｒ１の抵抗値が１００Ω、回路全体に供給される電
圧が１２ｒのときのものである。
図である。図において、横軸はアノード・カソード間の
電圧として縦軸は通過電流を示す。負荷特性３１は発熱
素子Ｒ１の抵抗値が１００Ω、回路全体に供給される電
圧が１２ｒのときのものである。
このとき、発熱素子Ｒ１に加わる電圧および電流は、ダ
イオード列の特性曲線３０と発熱素子の負荷特性３１と
の交叉点３２よシ求められる。等電力線３３は、回路全
体に供給される電圧が１２７の場合に、発熱素子Ｒ４に
加わる電力が２００Ｉとなる条件を示すものである。等
電力線３３は、発熱素子Ｒ１の抵抗値が８０Ω〜１００
Ωの範囲にある場合の負荷特性３４および３５がダイオ
ード列Ｄ１の特性曲線３０と交叉する部分でほぼ一致し
ており、したがりてこの範囲において発熱素子ＲＩＶＣ
は２００Ｉの電力が供給される。前述した２つの実施例
と同様に、本実施例においても中間調記録が可能である
。
イオード列の特性曲線３０と発熱素子の負荷特性３１と
の交叉点３２よシ求められる。等電力線３３は、回路全
体に供給される電圧が１２７の場合に、発熱素子Ｒ４に
加わる電力が２００Ｉとなる条件を示すものである。等
電力線３３は、発熱素子Ｒ１の抵抗値が８０Ω〜１００
Ωの範囲にある場合の負荷特性３４および３５がダイオ
ード列Ｄ１の特性曲線３０と交叉する部分でほぼ一致し
ており、したがりてこの範囲において発熱素子ＲＩＶＣ
は２００Ｉの電力が供給される。前述した２つの実施例
と同様に、本実施例においても中間調記録が可能である
。
上述した５つの実施例においては、発熱素子の通電オン
、オフ用スイッチを機械式のものとして示したが、半導
体によるものでも構成可能なことは明白である。また、
同スイッチは電力制御用トランジスタ（バイポーラ、Ｆ
ＥＴとも〕と兼用することも可能である。
、オフ用スイッチを機械式のものとして示したが、半導
体によるものでも構成可能なことは明白である。また、
同スイッチは電力制御用トランジスタ（バイポーラ、Ｆ
ＥＴとも〕と兼用することも可能である。
電力制御用非線形抵抗特性を有する素子としては、上述
した実施例におけるＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、
ダイオードの他に、セレン整流器、真空管、水銀整流器
などを用いても構成可能である。
した実施例におけるＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、
ダイオードの他に、セレン整流器、真空管、水銀整流器
などを用いても構成可能である。
以上説明したように、本発明によれば、熱記録ヘッド内
で、あるバラツキの範囲内の抵抗値を有する発熱素子に
対して均一な電力を供給することが可能となり、また、
通電時間のみを制御することにより注入エネルギを制御
できるので複雑な抵抗値補正を行なうことなく中間調記
録が可能となり、さらに、発熱素子の経年変化による抵
抗値変動がありても自動的に同一電力が印加されるため
、使用上問題がなくかつ熱記録ヘッドの寿命を延ばすこ
とができ、上記従来波°術の欠点を除いて優れた機能の
熱記録ヘッドを提供することができる。
で、あるバラツキの範囲内の抵抗値を有する発熱素子に
対して均一な電力を供給することが可能となり、また、
通電時間のみを制御することにより注入エネルギを制御
できるので複雑な抵抗値補正を行なうことなく中間調記
録が可能となり、さらに、発熱素子の経年変化による抵
抗値変動がありても自動的に同一電力が印加されるため
、使用上問題がなくかつ熱記録ヘッドの寿命を延ばすこ
とができ、上記従来波°術の欠点を除いて優れた機能の
熱記録ヘッドを提供することができる。
第１図は本発明による熱記録ヘッドの一実施例を示す内
部回路図、９２図は第１図の駆動部分の動作説明図、第
３図は第２図の電力制御素子の特性説明図、第４図は本
発明による熱記録ヘッドの他の実施例を示す内部回路図
、第５図は第４図の駆動部分の動作説明図、第６図は第
５図の電力制御素子の特性説明図、第７図は本発明によ
る熱記録ヘッドのさらに他の実施例を示す内部回路図、
第８図は第７図の駆動部分の動作説明図、第９図は第８
図の電力制御素子の特性説明図である。 Ｑ１〜Ｑ、・・・ＦＥＴまたはバイポーラトランジスタ
Ｑｔ’ 増ｓ ＋＋＋バイポーラトランジスタＲ１−Ｒ
，・・・発熱素子（発熱抵抗体）ＤＩ−Ｄ、・・・ダイ
オード列 第２ 図 ゲパ一ト・シースＭｅ、工＜ｖ） ｖ、、５第６
図 コレクタ・エミッタ７１／ｌ危ｐシＺ （Ｖ） Ｖ
ｃｇ Ｘ ２築 ７ 図 第８図 ＥｐηＤ屯瓜 （Ｖ）
部回路図、９２図は第１図の駆動部分の動作説明図、第
３図は第２図の電力制御素子の特性説明図、第４図は本
発明による熱記録ヘッドの他の実施例を示す内部回路図
、第５図は第４図の駆動部分の動作説明図、第６図は第
５図の電力制御素子の特性説明図、第７図は本発明によ
る熱記録ヘッドのさらに他の実施例を示す内部回路図、
第８図は第７図の駆動部分の動作説明図、第９図は第８
図の電力制御素子の特性説明図である。 Ｑ１〜Ｑ、・・・ＦＥＴまたはバイポーラトランジスタ
Ｑｔ’ 増ｓ ＋＋＋バイポーラトランジスタＲ１−Ｒ
，・・・発熱素子（発熱抵抗体）ＤＩ−Ｄ、・・・ダイ
オード列 第２ 図 ゲパ一ト・シースＭｅ、工＜ｖ） ｖ、、５第６
図 コレクタ・エミッタ７１／ｌ危ｐシＺ （Ｖ） Ｖ
ｃｇ Ｘ ２築 ７ 図 第８図 ＥｐηＤ屯瓜 （Ｖ）
Claims (1)
- 列状に配置された複数の発熱素子と、該発熱素子への通
電を制御する手段とを備えた熱記録ヘッドにおいて、各
発熱素子と直列に接続されかつ該発熱素子に加わる電力
が一定となる非線形抵抗特性を有する電力制御素子を設
けたことを特徴とする熱記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12041785A JPS61279565A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 熱記録ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12041785A JPS61279565A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 熱記録ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279565A true JPS61279565A (ja) | 1986-12-10 |
Family
ID=14785703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12041785A Pending JPS61279565A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 熱記録ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3906484A1 (de) * | 1989-03-01 | 1990-09-20 | Siemens Ag | Thermodruckerkopf |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12041785A patent/JPS61279565A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3906484A1 (de) * | 1989-03-01 | 1990-09-20 | Siemens Ag | Thermodruckerkopf |
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