JPS61279128A - マスク欠陥検査方法 - Google Patents
マスク欠陥検査方法Info
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- JPS61279128A JPS61279128A JP60121717A JP12171785A JPS61279128A JP S61279128 A JPS61279128 A JP S61279128A JP 60121717 A JP60121717 A JP 60121717A JP 12171785 A JP12171785 A JP 12171785A JP S61279128 A JPS61279128 A JP S61279128A
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- Japan
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- defect
- inspection
- mask
- pattern
- frame
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるマスク
の欠陥の有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥
検査方法に関する。
の欠陥の有無及びパターンの正否を検査するマスク欠陥
検査方法に関する。
半導体集積回路の製造等において、パターン転写に供さ
れるフォトマスクにパターン断線等の欠陥が存在すると
、所望する半導体素子を得ることができず歩留り低下の
要因となる。そこで従来、フォトマスクのパターン欠陥
等を検査するマスク欠陥検査装置が用いられている。こ
の装置は、フォトマスクに光を照射してマスク上に形成
されているパターンに応じた光信号を検出し、該マスク
にパターンを形成づ−る際に用いられた：Ｕ ｇｔデー
タから得られる基ｒＪＡ信号とＩ閉検出信号どをＩｔ較
照合して、マスクｌ−のパターン欠陥の有無端γＦパタ
ーンの１１否を検査するというちのである。
れるフォトマスクにパターン断線等の欠陥が存在すると
、所望する半導体素子を得ることができず歩留り低下の
要因となる。そこで従来、フォトマスクのパターン欠陥
等を検査するマスク欠陥検査装置が用いられている。こ
の装置は、フォトマスクに光を照射してマスク上に形成
されているパターンに応じた光信号を検出し、該マスク
にパターンを形成づ−る際に用いられた：Ｕ ｇｔデー
タから得られる基ｒＪＡ信号とＩ閉検出信号どをＩｔ較
照合して、マスクｌ−のパターン欠陥の有無端γＦパタ
ーンの１１否を検査するというちのである。
そしｌ、この種の装置を使用しでフ−ｓ ｌ−マスクの
パターンを検査リ−る踪に目、フォトマスクを載置した
デープルをＸ方向或いは）′方向に３！！続的に移動し
て前記フレーム中位の検査を行う。さ−うに、テーブル
の連続移動方向と直交する１）向にフレーム幅だけテー
ブルを移動して前６ピフレーム単イＱの検査を繰返し、
７４１〜マスクのパターン形成＃４域全面を網羅した検
査を行う。このフレ−ム中位では、フッ１トマスク十に
形成されているパターンに応じた光信号を検出部で検出
するとＪｔに、該フォトマスクにパターンを形成する際
に用いられた設計データを計陣機から読込み上記光信号
と対応４−る基準信号を基準例＠発生部にＪ、り牛成し
く一１収方の信号をテーブルの測定位置毎に比較照合を
４１うという処理をテーブルを一定速痘で連続的に移動
しながら行うＩ−稈となっていた。
パターンを検査リ−る踪に目、フォトマスクを載置した
デープルをＸ方向或いは）′方向に３！！続的に移動し
て前記フレーム中位の検査を行う。さ−うに、テーブル
の連続移動方向と直交する１）向にフレーム幅だけテー
ブルを移動して前６ピフレーム単イＱの検査を繰返し、
７４１〜マスクのパターン形成＃４域全面を網羅した検
査を行う。このフレ−ム中位では、フッ１トマスク十に
形成されているパターンに応じた光信号を検出部で検出
するとＪｔに、該フォトマスクにパターンを形成する際
に用いられた設計データを計陣機から読込み上記光信号
と対応４−る基準信号を基準例＠発生部にＪ、り牛成し
く一１収方の信号をテーブルの測定位置毎に比較照合を
４１うという処理をテーブルを一定速痘で連続的に移動
しながら行うＩ−稈となっていた。
しかしながら、このような工程でフォトマスクの検査を
行う場合、次のような問題があった。即ち、パターン密
度が高くなると、テーブルの移動速度に対し基準信号発
生部で設計データを変換して基準信号を生成する速度が
間に合わなくなる。
行う場合、次のような問題があった。即ち、パターン密
度が高くなると、テーブルの移動速度に対し基準信号発
生部で設計データを変換して基準信号を生成する速度が
間に合わなくなる。
このため、データ転送に不都合が生じたり、実際にはフ
ォトマスク上に欠陥が存在しないにも拘らず、データ処
理の過程で欠陥有りと判定されることがある。つまり、
実用上問題とならない欠陥（以下疑似欠陥と呼称する）
が多く検出されることになる。
ォトマスク上に欠陥が存在しないにも拘らず、データ処
理の過程で欠陥有りと判定されることがある。つまり、
実用上問題とならない欠陥（以下疑似欠陥と呼称する）
が多く検出されることになる。
このような問題を防止する策として、パターン密度が実
用上問題とならないレベルを想定してテーブルの移動速
度を低速化するという処置が考えられるが、本処置によ
るとパターン密度が高くないフォｉ・マスクについても
必要以上にテーブルの速度を低下させるために、検査速
度が低下してしまうという問題がある。
用上問題とならないレベルを想定してテーブルの移動速
度を低速化するという処置が考えられるが、本処置によ
るとパターン密度が高くないフォｉ・マスクについても
必要以上にテーブルの速度を低下させるために、検査速
度が低下してしまうという問題がある。
また、フォトマスクにパターンを形成する手段としては
一般に電子ビーム露光装置が用いられて＝５− いるが、この装置でパターンを形成４′る際に生じる実
用上問題どならない局所的な位置ずれに起因した欠陥（
疑似欠陥）が多数検出されるという問題があった。
一般に電子ビーム露光装置が用いられて＝５− いるが、この装置でパターンを形成４′る際に生じる実
用上問題どならない局所的な位置ずれに起因した欠陥（
疑似欠陥）が多数検出されるという問題があった。
このように従来、上記の疑似欠陥が多く検出されるため
、検出された欠陥の種類の判別を人為的に行う必要があ
り、作業が煩雑で且つスルーブツトが低下する。また、
疑似欠陥であっても、一定の数以上の欠陥が検出された
マスクについては不良品として再度製作し直づという工
程であるので、実用上問題のないマスクについても不良
品となってしまう等の問題があった。
、検出された欠陥の種類の判別を人為的に行う必要があ
り、作業が煩雑で且つスルーブツトが低下する。また、
疑似欠陥であっても、一定の数以上の欠陥が検出された
マスクについては不良品として再度製作し直づという工
程であるので、実用上問題のないマスクについても不良
品となってしまう等の問題があった。
本発明の目的は、実際にはフォトマスク上に欠陥が存在
しないにも拘らずデータ処理の過程で欠陥有りと判定さ
れる疑似欠陥や、フォトマスクの局所的な位置ずれに起
因する疑似欠陥の発生を防止することができ、検査スル
ーブツ１〜の向−Ｖをはかり得るマスク欠陥検査方法を
提供することにある。
しないにも拘らずデータ処理の過程で欠陥有りと判定さ
れる疑似欠陥や、フォトマスクの局所的な位置ずれに起
因する疑似欠陥の発生を防止することができ、検査スル
ーブツ１〜の向−Ｖをはかり得るマスク欠陥検査方法を
提供することにある。
本発明の母子は、マスクのパターン形成領域をパターン
測定手段により測定する測定幅で決定される領域である
フレームに分割し、フレーム中位での検査を行うに際し
て、前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定された
フレームについて欠陥を検出する条件を変えて少なくと
も１回の再検査を行うことにより、実用上のスループッ
１−を向−１ニさせることにある。
測定手段により測定する測定幅で決定される領域である
フレームに分割し、フレーム中位での検査を行うに際し
て、前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定された
フレームについて欠陥を検出する条件を変えて少なくと
も１回の再検査を行うことにより、実用上のスループッ
１−を向−１ニさせることにある。
即ち本発明は、半導体つＪハ上に転写されるべき集積回
路パターンが描かれたマスクが載置されるＸ−Ｙデープ
ルと、このテーブルを上記マスクのＸ方向及びＹ方向に
移動するテーブル駆動手段と、上記テーブルの位置を測
定づるための位置測定手段と、」二記テーブルの移動中
に」二記マスクに形成されたバタ・−ンをテーブルの測
定位置毎に測定するパターン測定手段と、」−記マスク
にパターンを形成する際の基準信号を上記位置測定手段
によるデープルの測定位置に応じて提供する基準信号提
供手段と、」−記パターン測定手段からの測定信号と基
準信号提供手段からの基準信号とを測定位置毎に比較し
てマスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを貝尚したマ
スク欠陥検査装置を用い、前記マスクのパターン形成ｖ
４域を前記パターン測定手段により測定づる測定幅で決
定する短冊状の領域（１ｙ、下フレームと呼称する）に
分割し、該フレームの検査を行うマスク欠陥検査方法に
おいて、前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定さ
れたフレー１１について欠陥を検出する条件を変身で少
なくとも１回の再検査を行うようにした方法である。
路パターンが描かれたマスクが載置されるＸ−Ｙデープ
ルと、このテーブルを上記マスクのＸ方向及びＹ方向に
移動するテーブル駆動手段と、上記テーブルの位置を測
定づるための位置測定手段と、」二記テーブルの移動中
に」二記マスクに形成されたバタ・−ンをテーブルの測
定位置毎に測定するパターン測定手段と、」−記マスク
にパターンを形成する際の基準信号を上記位置測定手段
によるデープルの測定位置に応じて提供する基準信号提
供手段と、」−記パターン測定手段からの測定信号と基
準信号提供手段からの基準信号とを測定位置毎に比較し
てマスクの欠陥を検出する欠陥検出手段とを貝尚したマ
スク欠陥検査装置を用い、前記マスクのパターン形成ｖ
４域を前記パターン測定手段により測定づる測定幅で決
定する短冊状の領域（１ｙ、下フレームと呼称する）に
分割し、該フレームの検査を行うマスク欠陥検査方法に
おいて、前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定さ
れたフレー１１について欠陥を検出する条件を変身で少
なくとも１回の再検査を行うようにした方法である。
本発明によれば、欠陥有りと判定された領域をフレーム
単位で欠陥検出条件を変えて検査を行うことができる。
単位で欠陥検出条件を変えて検査を行うことができる。
このため、パターン密度が高くなってＭ準信号発生部で
設計データを変換し基準信号を生成する速度が間に合わ
なくなることに起因して発生する疑似欠陥や、パターン
を形成する際に生じる局所的な位置ずれに起因して発生
する疑似欠陥を防止することができる。従って、人間か
疑似欠陥かどうか判別する必要がなくなるので作業を簡
単化できる。そして、実用−Ｆ問題のないマスクを不良
品とすることが皆無となり、以上の結束として検査のス
ルーブツトを著しく向上させることができる。
設計データを変換し基準信号を生成する速度が間に合わ
なくなることに起因して発生する疑似欠陥や、パターン
を形成する際に生じる局所的な位置ずれに起因して発生
する疑似欠陥を防止することができる。従って、人間か
疑似欠陥かどうか判別する必要がなくなるので作業を簡
単化できる。そして、実用−Ｆ問題のないマスクを不良
品とすることが皆無となり、以上の結束として検査のス
ルーブツトを著しく向上させることができる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第２図（ａ）は設計データに応じたパターンを示す平面
図、同図（ｂ）は欠陥の存在する実際の被検査パターン
を示す平面図であり、図中２１は正規のパターン、２２
は白系欠陥、２３は黒糸欠陥を示している。
図、同図（ｂ）は欠陥の存在する実際の被検査パターン
を示す平面図であり、図中２１は正規のパターン、２２
は白系欠陥、２３は黒糸欠陥を示している。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したマスク欠陥検
査装置の概略構成を示すブロック図である。図中１１は
フォトマスク１２を載置する試料台であり、この試料台
１１は計算機１３から指令を受けたステージ駆動部１４
によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方
向）に移動されるものとなっている。そして、試料台１
１の移動位置は、例えばレーザ干渉計からなるステージ
−〇− 位置測定部１５により測定されるものどなっている。
査装置の概略構成を示すブロック図である。図中１１は
フォトマスク１２を載置する試料台であり、この試料台
１１は計算機１３から指令を受けたステージ駆動部１４
によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方
向）に移動されるものとなっている。そして、試料台１
１の移動位置は、例えばレーザ干渉計からなるステージ
−〇− 位置測定部１５により測定されるものどなっている。
一方、試料台１１のＬ方には、光源（光照射部）１６が
配置さねでいる。光′ａ１６からの光は、試料台１１
を二に載置されているフ４１−マスク１２上に照射され
、その透過光が信号検出部１７の受光面に照Ｉｊされる
。この信号検出部１７は、例えば複数の光センリーーを
一方向に配列してなるものである。ここで、上記光照射
と共に試料台１１を連続移動させることにより、信号検
出部１７ではフォトマスク１２の被検査パターンに対応
【ノた第１の走査信号（測定信号）が検出される。そし
て、この検出走査信号は、基準信号発生部１８により上
記被検査パターンを形成する際の設計データに基づいて
試料台１１の位置に対応して発生された第２の走査信号
（基準信号）と共に、欠陥判定部１９に供給されるもの
となっている。
配置さねでいる。光′ａ１６からの光は、試料台１１
を二に載置されているフ４１−マスク１２上に照射され
、その透過光が信号検出部１７の受光面に照Ｉｊされる
。この信号検出部１７は、例えば複数の光センリーーを
一方向に配列してなるものである。ここで、上記光照射
と共に試料台１１を連続移動させることにより、信号検
出部１７ではフォトマスク１２の被検査パターンに対応
【ノた第１の走査信号（測定信号）が検出される。そし
て、この検出走査信号は、基準信号発生部１８により上
記被検査パターンを形成する際の設計データに基づいて
試料台１１の位置に対応して発生された第２の走査信号
（基準信号）と共に、欠陥判定部１９に供給されるもの
となっている。
欠陥判定部１９は、第３図に示す如くセンυ−の解像特
性Ｆ （Ｘ、Ｖ）を基に計算される基準値を測定位置に
応じて基準信号発生部１８から１ｑで、−１０＝ 第４図に示す如く信号検出部１７から得られる測定値と
前記基準値との差を求めて、この差分信号値が欠陥有り
と判定する際の基準となる欠陥判定スレッショルドより
大きい場合に欠陥有りと判定するものである。
性Ｆ （Ｘ、Ｖ）を基に計算される基準値を測定位置に
応じて基準信号発生部１８から１ｑで、−１０＝ 第４図に示す如く信号検出部１７から得られる測定値と
前記基準値との差を求めて、この差分信号値が欠陥有り
と判定する際の基準となる欠陥判定スレッショルドより
大きい場合に欠陥有りと判定するものである。
なお、第３図中３１は測定位置、３２はパターン：Ｐ（
ｘ、ｙ）、３３は解像特性：Ｆ（ｘ、ｙ）であり、基準
値であるセンサの出力Ｒ１ユＲ＝ｆｆ Ｆ （Ｘ 、ｙ
）・Ｐ （Ｘ 、ｙ） ｄｘ ｄνで表わされる。また
、第４図（ａ）ｔｉｍｌ定位置を示す模式図で図中Ｐ１
〜Ｐ３は欠陥部、同図（１））は測定値を示す信号波形
図、同図（Ｃ）は設践１データからシミュレーションで
計痺される基準値を示す信号波形図、同図（ｄ）はスレ
ッショルドレベルＰに対する測定値と基準値どの差を示
す信号波形図、同図（ｅ）は欠陥信号を示す信号波形図
である。
ｘ、ｙ）、３３は解像特性：Ｆ（ｘ、ｙ）であり、基準
値であるセンサの出力Ｒ１ユＲ＝ｆｆ Ｆ （Ｘ 、ｙ
）・Ｐ （Ｘ 、ｙ） ｄｘ ｄνで表わされる。また
、第４図（ａ）ｔｉｍｌ定位置を示す模式図で図中Ｐ１
〜Ｐ３は欠陥部、同図（１））は測定値を示す信号波形
図、同図（Ｃ）は設践１データからシミュレーションで
計痺される基準値を示す信号波形図、同図（ｄ）はスレ
ッショルドレベルＰに対する測定値と基準値どの差を示
す信号波形図、同図（ｅ）は欠陥信号を示す信号波形図
である。
次に、本発明に係わるマスク欠陥検査方法について説明
する。第５図はこの方法により欠陥検出を行うフレーム
での検査手順を示すフローチャート（゛ある。
する。第５図はこの方法により欠陥検出を行うフレーム
での検査手順を示すフローチャート（゛ある。
この方法では、第６図に示す如く）ｔ ｔ−・マスク１
２に形成されたパターン形成領域６１ｆ検査４るに際し
て、信号検出部１７の信号検出幅で決まる領域ぐあるフ
レー１８６２亀に検査を進めでいくものどなっている。
２に形成されたパターン形成領域６１ｆ検査４るに際し
て、信号検出部１７の信号検出幅で決まる領域ぐあるフ
レー１８６２亀に検査を進めでいくものどなっている。
このフレー１１６２に含まれるパターンの図形データは
、第７図に示す如く仮想的にいくつかに１区切られた領
域６３（以下セルと呼称する）毎に定義され、股ｉ１デ
ータｌＪ前記計綽機１３に保持され゛【いる、、該デー
タから、前記信号検出部１７Ｙ−青られる第１の走査信
号に対応した第２の走査信号を基準信号発生部１８でス
テージ位置測定部１５で得られる位置データに同期しな
がら生成し、これを欠陥判定部１つに供給１ノでフレー
ム５２の検査を行う。この場合、前記セルに含まれる図
形データが多くなる（パターン密度が高くなる）と、基
準信号発生部１８での第２の走査信号の生成がステージ
の連続移動速度に追付かなくなり、欠陥判定部１９に対
し正規の走査信号が供給できなくなる。そのため、該フ
レームにおいていくつかの疑似欠陥セルが発生してしま
う。
、第７図に示す如く仮想的にいくつかに１区切られた領
域６３（以下セルと呼称する）毎に定義され、股ｉ１デ
ータｌＪ前記計綽機１３に保持され゛【いる、、該デー
タから、前記信号検出部１７Ｙ−青られる第１の走査信
号に対応した第２の走査信号を基準信号発生部１８でス
テージ位置測定部１５で得られる位置データに同期しな
がら生成し、これを欠陥判定部１つに供給１ノでフレー
ム５２の検査を行う。この場合、前記セルに含まれる図
形データが多くなる（パターン密度が高くなる）と、基
準信号発生部１８での第２の走査信号の生成がステージ
の連続移動速度に追付かなくなり、欠陥判定部１９に対
し正規の走査信号が供給できなくなる。そのため、該フ
レームにおいていくつかの疑似欠陥セルが発生してしま
う。
通常の検査（データの異状がない状態）ではフレームに
一定１ス上のセルが欠陥となることは殆ど皆無と言って
も過言ではない。
一定１ス上のセルが欠陥となることは殆ど皆無と言って
も過言ではない。
そこで、本実施例方法では、上記の如くいくつかのセル
について欠陥有りと判定されたフレームについて、ステ
ージの連続移動速度を減速して欠陥検出の再検査を行う
。これにより、基準信号発生部１８での第２の走査信号
の生成が追付かなくなることに起因する疑似欠陥の発生
を防いだマスク欠陥検査を行うことが可能となる。
について欠陥有りと判定されたフレームについて、ステ
ージの連続移動速度を減速して欠陥検出の再検査を行う
。これにより、基準信号発生部１８での第２の走査信号
の生成が追付かなくなることに起因する疑似欠陥の発生
を防いだマスク欠陥検査を行うことが可能となる。
また、前記検査フレームはフォトマスク１２のパターン
を形成する電子ビーム露光装置において描画される単位
と一致しており、フレーム中位に微妙な位置ずれを生ず
ることがあり、これに起因して第８図に示す如く疑似欠
陥が発生してしまう。
を形成する電子ビーム露光装置において描画される単位
と一致しており、フレーム中位に微妙な位置ずれを生ず
ることがあり、これに起因して第８図に示す如く疑似欠
陥が発生してしまう。
なお、図中８１は検出パターン、８２は設計パターン、
８３は欠陥パターンを示している。この場合も、前述と
同様にいくつかのセルにわたって欠陥が発生する。本実
施例では、このような疑似穴陥の発生したフレームにつ
い−では、基準信号発生部１８で生成する第４図（ｃ）
に示す如く走査信号の位置や形状を微妙に変化させる変
数である位置補正パラメータを変えて該フレームの検査
を再度行い、疑似欠陥の発生を防いだマスク欠陥検査を
も可能としている。
８３は欠陥パターンを示している。この場合も、前述と
同様にいくつかのセルにわたって欠陥が発生する。本実
施例では、このような疑似穴陥の発生したフレームにつ
い−では、基準信号発生部１８で生成する第４図（ｃ）
に示す如く走査信号の位置や形状を微妙に変化させる変
数である位置補正パラメータを変えて該フレームの検査
を再度行い、疑似欠陥の発生を防いだマスク欠陥検査を
も可能としている。
このにうに本実施例方法によれば、一定の数を越えて欠
陥が検出されたフレームについて、その欠陥の検出され
た状態を計綽機１３により識別して前記の如く再検査を
行うことにより疑似欠陥の発生を防止することができ、
検査スループッ］・の大幅な向トを８１り得る。
陥が検出されたフレームについて、その欠陥の検出され
た状態を計綽機１３により識別して前記の如く再検査を
行うことにより疑似欠陥の発生を防止することができ、
検査スループッ］・の大幅な向トを８１り得る。
なｊ５、本発明は、上述した実施例に限定されるもので
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し７て
実７１１！ｌすることができる。例えばフ第１・マスク
の透過光を検出する代りにフォトマスクからの反射光を
検出して測定信号を得るようにしてもよい。また、フレ
ームを再検査する際に変化させる欠陥の検出条件は、上
述の条件に限定されるものではなく、欠陥有りと判定Ｊ
る欠陥検出レベルを変えるＪ、うにしても良い。さらに
、光源の種類及び信号検出のためのセンリの種類等は、
仕様（Ｊ応じて適宜変更可能である。
はなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し７て
実７１１！ｌすることができる。例えばフ第１・マスク
の透過光を検出する代りにフォトマスクからの反射光を
検出して測定信号を得るようにしてもよい。また、フレ
ームを再検査する際に変化させる欠陥の検出条件は、上
述の条件に限定されるものではなく、欠陥有りと判定Ｊ
る欠陥検出レベルを変えるＪ、うにしても良い。さらに
、光源の種類及び信号検出のためのセンリの種類等は、
仕様（Ｊ応じて適宜変更可能である。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したマスク欠陥装
置の概略構成を承り一ブ［コック図、第２図は設式１デ
ータに対応したパターン及びマスク上の種々の欠陥の存
在づる被検査パターンを示１畢面図、第３図は基準飴を
紳出づる際の概念を示Ｊ−模式図、第４図は欠陥の検出
方法を説明（−るための図、第５図は本発明の一実施例
り法による検査手順を示ず〕［］−］ヂｔ−１〜第６図
は設ｈ１データの概念を示−す模式図、第７図１．ｉ訓
紳機に保持されるデータ構造を示す模式図、第８図はパ
ターン形成の位置ずれを説明づるための模式図である。 １１・・・試料台、１２・・・フｉ ｔ−マスク、１３
・・・８１鋒機、１４・・・ステージ駆動制御部、１５
・・・ステージ位置測定部、１６・・・光源、１７・・
・信号検出部、１８・・・Ｍ準信号発生部、１つ・・・
欠陥判定部、２１・・・正規のパターン、２２・・・白
系欠陥、２３・・・熱系欠陥、３３′１・・・測定位置
、３２・・・パターン、３３・・・解像特性、６１・・
・パターン形成領域、６２・・・フレー１．．６３・・
・１？ル、８１・・・検出パターン、８２・・・ｉｔａ
ｉ＋パターン、８３・・・欠陥パターン。
置の概略構成を承り一ブ［コック図、第２図は設式１デ
ータに対応したパターン及びマスク上の種々の欠陥の存
在づる被検査パターンを示１畢面図、第３図は基準飴を
紳出づる際の概念を示Ｊ−模式図、第４図は欠陥の検出
方法を説明（−るための図、第５図は本発明の一実施例
り法による検査手順を示ず〕［］−］ヂｔ−１〜第６図
は設ｈ１データの概念を示−す模式図、第７図１．ｉ訓
紳機に保持されるデータ構造を示す模式図、第８図はパ
ターン形成の位置ずれを説明づるための模式図である。 １１・・・試料台、１２・・・フｉ ｔ−マスク、１３
・・・８１鋒機、１４・・・ステージ駆動制御部、１５
・・・ステージ位置測定部、１６・・・光源、１７・・
・信号検出部、１８・・・Ｍ準信号発生部、１つ・・・
欠陥判定部、２１・・・正規のパターン、２２・・・白
系欠陥、２３・・・熱系欠陥、３３′１・・・測定位置
、３２・・・パターン、３３・・・解像特性、６１・・
・パターン形成領域、６２・・・フレー１．．６３・・
・１？ル、８１・・・検出パターン、８２・・・ｉｔａ
ｉ＋パターン、８３・・・欠陥パターン。
Claims (5)
- （１）半導体ウェハ上に転写されるべき集積回路パター
ンが描かれたマスクが載置されるＸ−Ｙテーブルと、こ
のテーブルを上記マスクのＸ方向及びＹ方向に移動する
テーブル駆動手段と、上記テーブルの位置を測定するた
めの位置測定手段と、上記テーブルの移動中に上記マス
クに形成されたパターンをテーブルの測定位置毎に測定
するパターン測定手段と、上記マスクにパターンを形成
する際の基準信号を上記位置測定手段によるテーブルの
測定位置に応じて提供する基準信号提供手段と、上記パ
ターン測定手段からの測定信号と基準信号提供手段から
の基準信号とを測定位置毎に比較してマスクの欠陥を検
出する欠陥検出手段とを具備したマスク欠陥検査装置を
用い、前記マスクのパターン形成領域を前記パターン測
定手段により測定する測定幅で決定される短冊状のフレ
ーム領域に分割し、該フレームの検査を行うに際し、前
記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定されたフレー
ムについて欠陥を検出する条件を変えて少なくとも１回
の再検査を行うことを特徴とするマスク欠陥検査方法。 - （２）前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定され
たフレームを再検査するに際し、該フレームから検出さ
れた欠陥の個数が指定個数を越えた時にのみ上記再検査
を該フレームについて行うことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載のマスク欠陥検査方法。 - （３）前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定され
たフレームを再検査するに際して、検査の基準となる欠
陥検出レベルを変えて再検査することを特徴とする特許
請求の範囲第１項又は第２項記載のマスク欠陥検査方法
。 - （４）前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定され
たフレームを再検査するに際して、検査速度を変えて再
検査することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載のマスク欠陥検査方法。 - （５）前記欠陥検出手段により「欠陥有り」と判定され
たフレームを再検査するに際して、テーブル位置に応じ
て提供される基準信号若しくは測定信号の位置或いは形
状を変えて再検査することを特徴とする特許請求の範囲
第１項又は第２項記載のマスク欠陥検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121717A JPS61279128A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | マスク欠陥検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121717A JPS61279128A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | マスク欠陥検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279128A true JPS61279128A (ja) | 1986-12-09 |
| JPH0149005B2 JPH0149005B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14818134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60121717A Granted JPS61279128A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | マスク欠陥検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012026969A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
| CN102374977A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-03-14 | Hoya株式会社 | 透射率测定装置、光掩模的透射率检查装置、透射率检查方法 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP60121717A patent/JPS61279128A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012026969A (ja) * | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Toshiba Corp | パターン検査方法およびパターン検査装置 |
| US8611638B2 (en) | 2010-07-27 | 2013-12-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern inspection method and pattern inspection apparatus |
| CN102374977A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-03-14 | Hoya株式会社 | 透射率测定装置、光掩模的透射率检查装置、透射率检查方法 |
| TWI497055B (zh) * | 2010-07-30 | 2015-08-21 | Hoya Corp | 透過率測定裝置、光罩之透過率檢查裝置、透過率檢查方法、光罩製造方法、圖案轉印方法、光罩製品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0149005B2 (ja) | 1989-10-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |