JPS6127781B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6127781B2
JPS6127781B2 JP53016982A JP1698278A JPS6127781B2 JP S6127781 B2 JPS6127781 B2 JP S6127781B2 JP 53016982 A JP53016982 A JP 53016982A JP 1698278 A JP1698278 A JP 1698278A JP S6127781 B2 JPS6127781 B2 JP S6127781B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
write
storage means
error correction
partial
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP53016982A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS54109333A (en
Inventor
Masaru Katagiri
Kazuhiro Akamatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP1698278A priority Critical patent/JPS54109333A/en
Publication of JPS54109333A publication Critical patent/JPS54109333A/en
Publication of JPS6127781B2 publication Critical patent/JPS6127781B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/24Memory cell safety or protection circuits, e.g. arrangements for preventing inadvertent reading or writing; Status cells; Test cells

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は主記憶装置に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a main memory device.

従来の主記憶装置のデータ系制御部は、第1図
に示すように中央処理装置等の上位装置とデータ
の授受をするインターフエース制御部1、部分書
込み要求時に書込みデータを格納しておくレジス
タ2、部分書込み要求時に書込みデータと読出し
データからの再書込みデータ生成および全書込み
要求と部分書込み要求との違いにより全書込みデ
ータと再書込みデータとを切替える選択回路3、
前記選択回路3の出力である書込みデータからエ
ラー訂正コードを生成するエラー訂正コード発生
回路4、読出しデータのエラーを検出し訂正する
エラー検出訂正回路5およびデータを格納する記
憶部6から構成されている。さらにnウエイ―イ
ンタリーブを行なわせる時には、上記構成がn組
必要となる。
As shown in Figure 1, the data system control unit of a conventional main memory device includes an interface control unit 1 that exchanges data with a host device such as a central processing unit, and a register that stores write data when a partial write request is made. 2. A selection circuit 3 that generates rewrite data from write data and read data at the time of a partial write request and switches between full write data and rewrite data depending on the difference between a full write request and a partial write request;
It is composed of an error correction code generation circuit 4 that generates an error correction code from write data that is the output of the selection circuit 3, an error detection and correction circuit 5 that detects and corrects errors in read data, and a storage section 6 that stores data. There is. Furthermore, when performing n-way interleaving, n sets of the above configuration are required.

上記構成の主記憶装置の動作を説明するため
に、読出し動作と書込み動作が1サイクル内で行
なわれる部分書込み要求が上位装置から与えられ
た場合について述べる。あるメモリモジユールに
対して部分書込み要求がくると、上位装置からの
書込みデータは対応するバンクのレジスタ2に格
納される。その後部分書込み要求のあつた記憶部
のアドレスから読み出されたデータがエラー検出
訂正回路5を介し、セレクタ回路3に与えられる
とともに前記レジスタ2の書込みデータとつき合
わされて、再書込みデータが生成される。再書込
みデータはエラー訂正コード発生回路4でエラー
訂正コードが生成され、再書込みデータとともに
記憶部6に再書込みされる。
In order to explain the operation of the main memory device having the above configuration, a case will be described in which a partial write request in which a read operation and a write operation are performed within one cycle is given from a host device. When a partial write request is received for a certain memory module, the write data from the host device is stored in the register 2 of the corresponding bank. Thereafter, the data read from the address of the storage section where the partial write request was made is provided to the selector circuit 3 via the error detection and correction circuit 5, and is matched with the write data of the register 2 to generate rewrite data. Ru. An error correction code is generated for the rewrite data by the error correction code generation circuit 4, and the error correction code is rewritten into the storage unit 6 together with the rewrite data.

以上述べたように、1サイクル内で読出し動作
と書込み動作が行なわれる部分書込み要求の場合
には、書込みパスすなわち選択回路3→エラーコ
ード発生回路4→記憶部6および読出しパスすな
わち記憶部6→エラー検出訂正回路5の両者とも
サイクル終了まで占有されてしまう。従つて、n
ウエイインタリーブを行なわせる場合には各バン
ク毎に前記書込みパスおよび読出しパスを設けな
ければならず、ハードウエア量が非常に多くなる
という欠点がある。
As described above, in the case of a partial write request in which a read operation and a write operation are performed within one cycle, the write path, that is, the selection circuit 3 → the error code generation circuit 4 → the storage unit 6, and the read path, that is, the storage unit 6 → Both error detection and correction circuits 5 are occupied until the end of the cycle. Therefore, n
When way interleaving is performed, the write path and the read path must be provided for each bank, which has the disadvantage that the amount of hardware becomes extremely large.

本発明の目的はnウエイインタリーブを行う主
記憶装置においてあるメモリモジユールに対し部
分書込み動作が開始してから一定時間経過後一定
期間他のメモリモジユールに達する書込み動作を
行なわないようにすることによりバンク毎の書込
み制御部を共用できるようにした主記憶装置を提
供するものである。
An object of the present invention is to prevent write operations that reach other memory modules for a certain period of time after a certain period of time has elapsed from the start of a partial write operation to a certain memory module in a main memory device that performs n-way interleaving. The present invention provides a main memory device in which a write control section for each bank can be shared.

本発明の装置は、nウエイインタリーブを行な
う主記憶装置において、 データをそれぞれ記憶するn個の記憶手段と、
この記憶手段に対する部分書込み要求に応じて部
分書込みデータを格納する部分書込み用データ格
納手段と、 外部から与えられる全書込みデータと前記部分
書込み用データ格納手段からのデータとを書込み
要求に応じて選択する選択手段と、 この選択手段からの書込みデータに基づいてエ
ラー訂正コードを発生し前記n個の記憶手段のそ
れぞれに共通接続され前記書込みデータとともに
エラー訂正コードを書き込む書込み手段と、 前記n個の記憶手段のそれぞれに共通接続され
データおよびエラー訂正コードを読み出しデータ
を訂正する読出し手段とを具備し、 前記部分書込み要求に応じて少なくとも前記n
個の記憶手段のうちの一つにデータとエラー訂正
コードを書込む間他の記憶手段に対して書込み以
外の動作を行うようにしたことを特徴とする。
The device of the present invention includes n storage means each storing data in a main storage device that performs n-way interleaving;
a partial write data storage means for storing partial write data in response to a partial write request to the storage means; and selection of all write data given from the outside and data from the partial write data storage means in response to a write request. a selection means for generating an error correction code based on the write data from the selection means, a writing means commonly connected to each of the n storage means and writing the error correction code together with the write data; reading means commonly connected to each of the storage means for reading out data and an error correction code and correcting the data;
The present invention is characterized in that while data and error correction codes are being written into one of the storage means, operations other than writing are performed on the other storage means.

次に本発明の一実施例について図面を参照して
詳細に説明する。
Next, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図の本発明一実施例のブロツク図に示すよ
うに、中央処理装置等とのデータのやりとりをす
るインターフエース制御部1、部分書込み要求の
時に書込みデータを格納するバンク毎に設けられ
たレジスタ2、部分書込み要求時に書込みデータ
と読出しデータとからの再書込みデータ生成およ
び全書込み要求または部分書込み要求により全書
込みデータと再書込みデータとを切替える選択回
路3、前記選択回路3の出力である書込みデータ
からエラー訂正コードを生成するエラー訂正コー
ド発生回路4、読出しデータのエラーを検出訂正
するエラー検出訂正回路5およびデータを格納す
る記憶部6から構成されている。記憶部6はnウ
エイインタリーブを可能にするために各バンクに
対応した#1〜#nのモジユールから構成され、
書込みデータ、読出しデータは各々共通の信号線
で接続される。
As shown in the block diagram of one embodiment of the present invention in FIG. 2, an interface control section 1 is provided for exchanging data with a central processing unit, etc., and an interface control section 1 is provided for each bank that stores write data at the time of a partial write request. A register 2, a selection circuit 3 that generates rewrite data from write data and read data at the time of a partial write request, and switches between full write data and rewrite data in response to a full write request or a partial write request, and an output of the selection circuit 3. It is comprised of an error correction code generation circuit 4 that generates an error correction code from write data, an error detection and correction circuit 5 that detects and corrects errors in read data, and a storage section 6 that stores data. The storage unit 6 is composed of modules #1 to #n corresponding to each bank to enable n-way interleaving.
Write data and read data are each connected by a common signal line.

第2図におけるnウエイインタリーブ動作につ
いて説明する。
The n-way interleaving operation in FIG. 2 will be explained.

全書込み要求の場合には書込みデータはインタ
フエース制御部1→選択回路3→エラー訂正コー
ド発生回路4→記憶部6の書込みパスで指定され
たバンクの記憶部6に書込まれる。異なるバンク
に対する全書込み要求が順次行われると指定され
たバンクの記憶部(#1〜#n)へ順次書込みが
なされnウエイインタリーブが可能となる。
In the case of a full write request, the write data is written to the storage section 6 of the bank specified by the write path of interface control section 1 -> selection circuit 3 -> error correction code generation circuit 4 -> storage section 6. When all write requests to different banks are made sequentially, the storage units (#1 to #n) of the designated bank are sequentially written, and n-way interleaving becomes possible.

読出し要求の場合には読出しデータは記憶部6
→エラー検出訂正回路5→インタフエース制御部
1の読出しパスで指定されたバンクの記憶部6か
ら読出される。異なるバンクからの読出し要求が
順次行われると、指定されたバンクの記憶部
(#1〜#n)から順次読出しが行われnウエイ
インタリーブが可能となる。
In the case of a read request, the read data is stored in the storage unit 6.
->Error detection and correction circuit 5 -> Read from the storage unit 6 of the bank specified by the read path of the interface control unit 1. When read requests from different banks are made sequentially, reading is performed sequentially from the storage units (#1 to #n) of the designated bank, making n-way interleaving possible.

全書込み要求と読出し要求とが混在して順次来
た場合でも、前述のとおり書込みパスと読出しパ
スとは独立しているため、要求に従つて順次対応
するバンクの記憶部6に対する動作が行われて、
nウエイインタリーブが可能である。
Even if all write requests and read requests are mixed and come sequentially, since the write pass and read pass are independent as described above, operations are performed on the storage unit 6 of the corresponding bank in sequence according to the requests. hand,
N-way interleaving is possible.

部分書込み要求と全書込み要求とが混在する場
合について第3図を用いて説明する。
A case where partial write requests and full write requests coexist will be explained using FIG. 3.

第3図は第2図の構成をもつ主記憶装置におけ
る部分書込み要求と全書込み要求とが混在する場
合のnウエイインタリーブ動作を説明する図であ
る。主記憶装置に対して部分書込み要求等の1サ
イクル内で記憶部6に対する書込み動作、読出し
動作を行なわせる要求が与えられると、部分書込
みデータは対応するバンクのレジスタ2に格納さ
れる。その後全書込みデータパスすなわちインタ
フエース制御部1→選択回路3→エラー訂正コー
ド発生回路4→記憶部6のパスは開放されるので
前記要求に引き続いて異なるバンクに対する全書
込み、部分書込み要求による動作が可能となる。
時間t1経過後前記部分書込み要求による再書込み
データが選択回路3に入力され、その時間から再
書込みデータを記憶部6に書き込むのに必要な時
間t2だけ、異なるバンクに対する全書込み要求の
インタフエース制御部1から記憶部6に至るパス
は使用不可能となる。従つて、上位装置において
主記憶装置に部分書込み要求を出してから時間t1
後に全書込みデータがセレクタ回路3に入力され
るような要求を出さない制御を採用すれば、選択
回路3での全書込みデータと再書込みデータとの
競合は無くなり、nウエイインタリーブが可能と
なると共に各バンクのデータ系制御回路を共用す
ることができる。この時、要求の禁止される時間
t3は部分書込みサイクルtcと比較して小さいので
性能に対する影響は少い。
FIG. 3 is a diagram illustrating an n-way interleaving operation when partial write requests and full write requests coexist in the main storage device having the configuration shown in FIG. 2. When a request such as a partial write request to perform a write operation or a read operation on the storage unit 6 within one cycle is given to the main memory device, the partial write data is stored in the register 2 of the corresponding bank. After that, the entire write data path, that is, the path from interface control unit 1 → selection circuit 3 → error correction code generation circuit 4 → storage unit 6, is opened, so that following the above request, operations due to full write and partial write requests to different banks are performed. It becomes possible.
After time t 1 has elapsed, the rewrite data due to the partial write request is input to the selection circuit 3, and from that time onwards, for the time t 2 necessary to write the rewrite data to the storage unit 6, the interface for all write requests to different banks is input. The path from the ace control unit 1 to the storage unit 6 becomes unusable. Therefore, the time t 1 after issuing a partial write request to the main memory in the host device
If control is adopted that does not issue a request for all written data to be input to the selector circuit 3 later, there will be no competition between all written data and rewritten data in the selection circuit 3, and n-way interleaving becomes possible. The data system control circuit of each bank can be shared. At this time, the time when the request is prohibited
Since t3 is small compared to the partial write cycle tc, it has little effect on performance.

本発明には以上説明したようにnウエイインタ
リーブを行う主記憶装置において、あるメモリモ
ジユールに対する部分書込み要求開始から一定時
間経過後、一定期間だけ他のメモリーモジユール
に対する書込み動作を行なわないようにすること
により主記憶装置のバンク毎書込み制御部を共用
できるという効果がある。
As explained above, in a main memory device that performs n-way interleaving, the present invention has a method in which, after a certain period of time has elapsed from the start of a partial write request to a certain memory module, write operations to other memory modules are not performed for a certain period of time. This has the effect that the write control section for each bank of the main memory device can be shared.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の主記憶装置のデータ系ブロツク
図、第2図は本発明の実施例を示すブロツク図お
よび第3図は第2図の動作を説明する図である。 第1図および第2図において、1……インター
フエイス制御部、2……部分書込み用レジスタ、
3……選択回路、4……エラー訂正コード発生回
路、5……エラー検出訂正回路、6……記憶部。
FIG. 1 is a data system block diagram of a conventional main memory device, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram explaining the operation of FIG. 2. 1 and 2, 1...interface control unit, 2...partial write register,
3...Selection circuit, 4...Error correction code generation circuit, 5...Error detection and correction circuit, 6...Storage section.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 nウエイインタリーブを行なう主記憶装置に
おいて、 データをそれぞれ記憶するn個の記憶手段と、 この記憶手段に対する部分書込み要求に応じて
部分書込みデータを格納する部分書込み用データ
格納手段と、 外部から与えられる全書込みデータと前記部分
書込み用データ格納手段からのデータとを書込み
要求に応じて選択する選択手段と、 この選択手段からの書込みデータに基づいてエ
ラー訂正コードを発生し前記n個の記憶手段のそ
れぞれに共通接続され前記書込みデータとともに
エラー訂正コードを書き込む書込み手段と、 前記n個の記憶手段のそれぞれに共通接続され
データおよびエラー訂正コードを読み出しデータ
を訂正する読出し手段とを具備し、 前記部分書込み要求に応じて少なくとも前記n
個の記憶手段のうちの一つにデータとエラー訂正
コードを書き込む間他の記憶手段に対して書込み
以外の動作を行なうようにしたことを特徴とする
主記憶装置。
[Scope of Claims] 1. In a main memory device that performs n-way interleaving, n storage means each store data, and a partial write data storage that stores partial write data in response to a partial write request to the storage means. means for selecting, in response to a write request, all write data given from the outside and data from the partial write data storage means; and generating an error correction code based on the write data from the selection means. writing means commonly connected to each of the n storage means for writing an error correction code together with the write data; and reading means commonly connected to each of the n storage means for reading the data and the error correction code and correcting the data. and at least said n in response to said partial write request.
1. A main memory device characterized in that, while data and error correction codes are being written into one of the storage means, operations other than writing are performed on the other storage means.
JP1698278A 1978-02-15 1978-02-15 Main memory unit Granted JPS54109333A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1698278A JPS54109333A (en) 1978-02-15 1978-02-15 Main memory unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1698278A JPS54109333A (en) 1978-02-15 1978-02-15 Main memory unit

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS54109333A JPS54109333A (en) 1979-08-27
JPS6127781B2 true JPS6127781B2 (en) 1986-06-27

Family

ID=11931248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1698278A Granted JPS54109333A (en) 1978-02-15 1978-02-15 Main memory unit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS54109333A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01223541A (en) * 1988-03-03 1989-09-06 Fujitsu Ltd Interleave memory
JP2001325147A (en) * 2000-05-17 2001-11-22 Hitachi Ltd Partial storage processing method, memory system and large scale integrated circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS54109333A (en) 1979-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05233901A (en) Confirming method for ic card and memory capacity of memory ic mounted on ic card and ic card
JPH02234242A (en) Partial write control system
JPS6127781B2 (en)
JP4936271B2 (en) Semiconductor memory device
RU98119737A (en) SCHEME DEVICE WITH SOME NUMBERS OF ELECTRONIC SCHEME COMPONENTS
JPH0562380B2 (en)
JPH033200A (en) Semiconductor memory
JPH0547189A (en) Memory card device
JPH0756640B2 (en) Storage device
JPS6321224B2 (en)
JPS58143500A (en) Storage device available for interleaving
JPH04106793A (en) Memory interface circuit
KR830002883B1 (en) Micro programmable controller
SU1070608A1 (en) Redundant storage
RU1837364C (en) Self-correcting random access memory
JPH04351764A (en) Magnetic disk device
JPH01223541A (en) Interleave memory
JPH04293136A (en) Cache control system
SU1075312A1 (en) Storage with error correction
JPH0628204A (en) Register protecting circuit
JPS6223338B2 (en)
JPS63175956A (en) Parity circuit
JPH029392Y2 (en)
JPH05158810A (en) Error detection circuit
JPS6321225B2 (en)