JPS61277118A - 導電性薄膜および導電性パタン形成方法 - Google Patents
導電性薄膜および導電性パタン形成方法Info
- Publication number
- JPS61277118A JPS61277118A JP11875185A JP11875185A JPS61277118A JP S61277118 A JPS61277118 A JP S61277118A JP 11875185 A JP11875185 A JP 11875185A JP 11875185 A JP11875185 A JP 11875185A JP S61277118 A JPS61277118 A JP S61277118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- thin film
- substrate
- ion
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、導電性が特に良好な導電性薄膜および導電性
パタンの形成方法に関するものである。
パタンの形成方法に関するものである。
有機分子、特に有機高分子の電気伝導機構は、キャリア
移動が分子鎖に沿って起こる分子内伝導と分子鎖間で起
こる分子間伝導とに分けられ、分子内伝導の方が大きな
ギヤリア移動度を有することが知られている。したがっ
である程度分子配向がそろっている高分子中では、１次
元的な電気伝導が生じることになる。ポリアセチレン（
ＣＨ）ｘは半導体的性質を有し、無機半導体と同様ドナ
（Ｄ）やアクセプタ（Ａ）をドーピングすることによっ
て、ｎ型やｐ型の制御が可能である。またドーピング量
を変えて、その導電率を１０− Ω 口から１０２Ω−
’Ｃ７１’ｌ’−’の広範囲にわたって自由に選択でき
る。このような半導体的性質をもつ高分子材料は少ない
が、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリチオフェン（ＰＴｈ
）、ポ゛リフエニレンスルフィド（ＰＰＳ）等の高分子
はドーピングにより著しく導電率を高め、金属的な挙動
を示すようになる。
移動が分子鎖に沿って起こる分子内伝導と分子鎖間で起
こる分子間伝導とに分けられ、分子内伝導の方が大きな
ギヤリア移動度を有することが知られている。したがっ
である程度分子配向がそろっている高分子中では、１次
元的な電気伝導が生じることになる。ポリアセチレン（
ＣＨ）ｘは半導体的性質を有し、無機半導体と同様ドナ
（Ｄ）やアクセプタ（Ａ）をドーピングすることによっ
て、ｎ型やｐ型の制御が可能である。またドーピング量
を変えて、その導電率を１０− Ω 口から１０２Ω−
’Ｃ７１’ｌ’−’の広範囲にわたって自由に選択でき
る。このような半導体的性質をもつ高分子材料は少ない
が、ポリピロール（ＰＰｙ）、ポリチオフェン（ＰＴｈ
）、ポ゛リフエニレンスルフィド（ＰＰＳ）等の高分子
はドーピングにより著しく導電率を高め、金属的な挙動
を示すようになる。
従来のドーピング方法は化学的あるいは電気化学的に行
うのが一般的であるが、これらの方法では低分子のドナ
（Ｄ）あるいはアクセプタ（Ａ）を拡散によって高分子
中に導入するために、ドープされた分子は比較的動きや
すい。したがって水分や酸素等の雰囲気の影響を受けや
すく、またｐｎ接合を形成させても接合面での補償効果
が著しいという欠点がある（特開昭５８−１２３１９）
。この欠点を改善するために、最近高分子へのイオン注
入法による導電性制訂が試みられるようになった。
うのが一般的であるが、これらの方法では低分子のドナ
（Ｄ）あるいはアクセプタ（Ａ）を拡散によって高分子
中に導入するために、ドープされた分子は比較的動きや
すい。したがって水分や酸素等の雰囲気の影響を受けや
すく、またｐｎ接合を形成させても接合面での補償効果
が著しいという欠点がある（特開昭５８−１２３１９）
。この欠点を改善するために、最近高分子へのイオン注
入法による導電性制訂が試みられるようになった。
（ＳＮ）ｘおよび（ＣＨ）ｘのような電子機能性高分子
にイオン注入を最初に試みたのはＷｅｂｅｒら（Ｗ、Ｎ
。
にイオン注入を最初に試みたのはＷｅｂｅｒら（Ｗ、Ｎ
。
ＡＩｌ、ｅｎ、 Ｐ、 Ｂｒａｎｅ、 Ｃ，Ａ、 Ｃａ
ｒｏｓｅｌｌａ、 Ｊ、 Ｊ、 Ｄｅ Ｃｏｒｐｏ、
Ｃ。
ｒｏｓｅｌｌａ、 Ｊ、 Ｊ、 Ｄｅ Ｃｏｒｐｏ、
Ｃ。
Ｔ、 Ｗｉｎｇ、 Ｆ、 Ａ、 ５ｅａｌｆｅｌｄ、
Ｄ、 Ｃ，Ｗｅｂｅｒ；ジャーナル、−オブ・シンセテ
ィック・メタルズ： Ｊ、 ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭｅｔ
ａｌｓ、 １１５１ （１９８０））であった。２５〜
９０ Ｋｅ Ｖに加速されたＢｒ＋＋ Ｐｄ＋のイオン
注入により高分子フィルムの若干の導電率向上が観測さ
れたが、いわゆるドーピングとは異り、ｐｎ制御ではな
く高分子表面の化学変化（例えばカーボニゼーション）
に起因するものである。
Ｄ、 Ｃ，Ｗｅｂｅｒ；ジャーナル、−オブ・シンセテ
ィック・メタルズ： Ｊ、 ＳｙｎｔｈｅｔｉｃＭｅｔ
ａｌｓ、 １１５１ （１９８０））であった。２５〜
９０ Ｋｅ Ｖに加速されたＢｒ＋＋ Ｐｄ＋のイオン
注入により高分子フィルムの若干の導電率向上が観測さ
れたが、いわゆるドーピングとは異り、ｐｎ制御ではな
く高分子表面の化学変化（例えばカーボニゼーション）
に起因するものである。
Ｄｒｅｓｓｅｌｈｏｕｓら（Ｈ，Ｍａｚｕｒｅｋ、 Ｄ
、 Ｒ，Ｄａｙ、 Ｅ、 Ｗ、 Ｍａｂｙ。
、 Ｒ，Ｄａｙ、 Ｅ、 Ｗ、 Ｍａｂｙ。
Ｔ、 Ｓ、 Ａｂｅｌ、 Ｓ、 Ｄ、 ５ｅｎｔｕｒｉ
ａ、 Ｍ、 Ｓ、 Ｄｒｅｓｓｅｌｈｏｕｓ、 Ｇ、
Ｄｒｅｓｓ−ｅｌｈｏｕｓ；ジャーナル・オブ・ポリマ
ーサイエンスポリマーフィジックス： Ｊ、 Ｐｏｌｙ
ｍ、 Ｓｃｉ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｐｈｙｓ。
ａ、 Ｍ、 Ｓ、 Ｄｒｅｓｓｅｌｈｏｕｓ、 Ｇ、
Ｄｒｅｓｓ−ｅｌｈｏｕｓ；ジャーナル・オブ・ポリマ
ーサイエンスポリマーフィジックス： Ｊ、 Ｐｏｌｙ
ｍ、 Ｓｃｉ、 Ｐｏｌｙｍ、 Ｐｈｙｓ。
Ｅｄ、、、 ２１５３７ （１９８３） ）は、ＰＰｓ
ニ不活性なＫｒ”を注入し導電率の向上を観測したが、
これも同様にイオン衝撃による高分子表面付近の化学構
造変化に起因し、ドーピング効果ではない。上記のよう
に数］、０ＫｅＶ以上の高エネルギーイオン注入による
上記の方法では、高分子の破壊および劣化が著しく、そ
のために導電性の制御が困難である上、ドーピング自体
の効果もその有無が明確でないなどの欠点がある。
ニ不活性なＫｒ”を注入し導電率の向上を観測したが、
これも同様にイオン衝撃による高分子表面付近の化学構
造変化に起因し、ドーピング効果ではない。上記のよう
に数］、０ＫｅＶ以上の高エネルギーイオン注入による
上記の方法では、高分子の破壊および劣化が著しく、そ
のために導電性の制御が困難である上、ドーピング自体
の効果もその有無が明確でないなどの欠点がある。
本発明は、上記の欠点を改善し、すぐれた導電特性を有
する導電性薄膜および導電性パタンの形成方法を得るこ
とを目的とする。
する導電性薄膜および導電性パタンの形成方法を得るこ
とを目的とする。
有機芳香族分子による真空蒸着膜形成時に基板上に向け
て蒸着と同時に低エネルギーのＨｅ＋イオンビームを照
射したところ、黒色の半導性を有する高分子薄膜が形成
されることを見出した。そこで所定のパタンを有するマ
スクをイオンビーム行路中に設置し、膜形成を行うとと
もにアクセプタ（Ａ）ないしドナ（Ｄ）イオンビームを
照射シたところ、導電性パタンか転写できた。また転写
後、上記蒸着基板を適当な温度に加熱することにより、
導電性を有するイオンドープされた高分子薄膜パタンだ
けを基板に残し、絶縁性部分を加熱除去できた。この方
法によってｎ型やｐ型の制御可能な導電性高分子薄膜お
よび導電性高分子薄膜パタンを形成することができた。
て蒸着と同時に低エネルギーのＨｅ＋イオンビームを照
射したところ、黒色の半導性を有する高分子薄膜が形成
されることを見出した。そこで所定のパタンを有するマ
スクをイオンビーム行路中に設置し、膜形成を行うとと
もにアクセプタ（Ａ）ないしドナ（Ｄ）イオンビームを
照射シたところ、導電性パタンか転写できた。また転写
後、上記蒸着基板を適当な温度に加熱することにより、
導電性を有するイオンドープされた高分子薄膜パタンだ
けを基板に残し、絶縁性部分を加熱除去できた。この方
法によってｎ型やｐ型の制御可能な導電性高分子薄膜お
よび導電性高分子薄膜パタンを形成することができた。
また上記方法により形成した導電性高分子薄膜および導
電性高分子薄膜パタンは、水分や酸素等の雰囲気の影響
を受けにくく、またｐｎ接合を形成させても接合面での
補償効果が従来の方法に較べて著しく低減できることを
見出した。本発明に用いられる有機物質として好ましい
ものの一例をあげると、一般式で示されるものであり、
（１）はピレン、（２）はべりレン、（３）はアントラ
セン、（４）はカルバゾールである。
電性高分子薄膜パタンは、水分や酸素等の雰囲気の影響
を受けにくく、またｐｎ接合を形成させても接合面での
補償効果が従来の方法に較べて著しく低減できることを
見出した。本発明に用いられる有機物質として好ましい
ものの一例をあげると、一般式で示されるものであり、
（１）はピレン、（２）はべりレン、（３）はアントラ
セン、（４）はカルバゾールである。
ただし上記一般式（１）〜（４）中のＲｎ（ｎ＝ １〜
４ ）は、水素、アルカン基、アルケン基、アルキン基
、フェニル基、水酸基、アルデヒド基、ビニル基、カル
ボキシル基、アセチレン基の中から選ばれた元素または
置換基である。上記Ｒｎは必ずしも１種だけでなく、１
つの化合物に２種以上の置換基を含むものも含まれる。
４ ）は、水素、アルカン基、アルケン基、アルキン基
、フェニル基、水酸基、アルデヒド基、ビニル基、カル
ボキシル基、アセチレン基の中から選ばれた元素または
置換基である。上記Ｒｎは必ずしも１種だけでなく、１
つの化合物に２種以上の置換基を含むものも含まれる。
また有機金属錯体などにおいても効果が期待される。具
体的には、ピレン、ペリレン、ビニルアントラセン、銅
フタロシアニン等の誘導体があげられる。上記のように
本発明は、基板上に有機物質を真空蒸着すると同時また
は順次に、上記基板上にＨｅ＋、 Ａｒ＋およびＮｅ＋
から選ばれた少な（とも１種以上の不活性ガスイオンと
ドーパントイオンとを、別々にまたは同時に照射し、非
照射部分を除去することにより、導電性薄膜および導電
性パタンを形成するものである。
体的には、ピレン、ペリレン、ビニルアントラセン、銅
フタロシアニン等の誘導体があげられる。上記のように
本発明は、基板上に有機物質を真空蒸着すると同時また
は順次に、上記基板上にＨｅ＋、 Ａｒ＋およびＮｅ＋
から選ばれた少な（とも１種以上の不活性ガスイオンと
ドーパントイオンとを、別々にまたは同時に照射し、非
照射部分を除去することにより、導電性薄膜および導電
性パタンを形成するものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明の実施例を形成する薄膜形成装置の構成
を示す図、第２図は実施例１で形成された導電性膜のＸ
線回折図、第３図はドーパントの補償効果を示す導電変
化の測定値を示す図、第４図は本発明の一実施例を示す
半導体構造図である。
を示す図、第２図は実施例１で形成された導電性膜のＸ
線回折図、第３図はドーパントの補償効果を示す導電変
化の測定値を示す図、第４図は本発明の一実施例を示す
半導体構造図である。
実施例１
本実施例の薄膜形成に用いた装置の構成を第１図に示す
。排気口１とヒータ２を有する蒸発るつぼ３とを備えた
チャンバ４に、イオン化室５および６に接続されたイオ
ン制御部７および８と、ドーパントガス導入管９とを導
入し、これらのイオン出射口１０および１１、ドーパン
トガス出射口１２と上記蒸発るつぼ３の口を、チャンバ
４の基板ホルダ１３上に設けた基板１４の方向にそれぞ
れ向けて設置してあ・る。第１図における１５はシャッ
タ、１６は基板加熱用ヒータである。有機芳香族分子で
あるピレン分子を蒸発るつぼ３のヒータ２で加熱し、石
英基板１４上に３ＯＡ／秒の蒸着速度で真空蒸着すると
同時に、上記基板１４に向けてイオン出射口１０からＨ
ｅ＋イオンビーム（０，５ＫｅＶ、 ２０ ｎＡ ／に
ｌｒ ｓｅｃ ）を照射したところ、イオンビーム照射
領域に、主構造が（５）に示す互変構造を有する黒色金
属光沢の半この導電性膜は第２図にＸ線回折図を示すが
、基板面に（００１）面が平行な配向性を持つ結晶性高
分子であった。化学構造の同定は、他に赤外域吸収、紫
外可視域吸収、ＣＨＮ元素分析、およびＥＳＲ測定によ
り行った。上記導電膜の導電率は約１０−７〜１０−８
Ω−’Ｃｍ＝であった。
。排気口１とヒータ２を有する蒸発るつぼ３とを備えた
チャンバ４に、イオン化室５および６に接続されたイオ
ン制御部７および８と、ドーパントガス導入管９とを導
入し、これらのイオン出射口１０および１１、ドーパン
トガス出射口１２と上記蒸発るつぼ３の口を、チャンバ
４の基板ホルダ１３上に設けた基板１４の方向にそれぞ
れ向けて設置してあ・る。第１図における１５はシャッ
タ、１６は基板加熱用ヒータである。有機芳香族分子で
あるピレン分子を蒸発るつぼ３のヒータ２で加熱し、石
英基板１４上に３ＯＡ／秒の蒸着速度で真空蒸着すると
同時に、上記基板１４に向けてイオン出射口１０からＨ
ｅ＋イオンビーム（０，５ＫｅＶ、 ２０ ｎＡ ／に
ｌｒ ｓｅｃ ）を照射したところ、イオンビーム照射
領域に、主構造が（５）に示す互変構造を有する黒色金
属光沢の半この導電性膜は第２図にＸ線回折図を示すが
、基板面に（００１）面が平行な配向性を持つ結晶性高
分子であった。化学構造の同定は、他に赤外域吸収、紫
外可視域吸収、ＣＨＮ元素分析、およびＥＳＲ測定によ
り行った。上記導電膜の導電率は約１０−７〜１０−８
Ω−’Ｃｍ＝であった。
所定のパタンを有するマスクをイオンビーム行路上に設
置し、マスクパタンに従って透過したイオンビーム照射
下において膜形成を行ったところ、イオン照射部分だけ
が導電性を有する黒色の導電パタンか転写された。つぎ
に基板温度を加熱用ヒータ１６で１５０℃に加熱したら
、イオン未照射部分は蒸発し基板１４上には導電パタン
か形成された。
置し、マスクパタンに従って透過したイオンビーム照射
下において膜形成を行ったところ、イオン照射部分だけ
が導電性を有する黒色の導電パタンか転写された。つぎ
に基板温度を加熱用ヒータ１６で１５０℃に加熱したら
、イオン未照射部分は蒸発し基板１４上には導電パタン
か形成された。
本発明の方法によると、アントラセン、９−ビニルアン
トラセン−カルバゾール等の有機分子ヲ用いた場合も、
導電性パタンか形成された。また収束イオンビームを用
いて、直接パタン描画を行うことによっても導電性高分
子パタンか形成できた。
トラセン−カルバゾール等の有機分子ヲ用いた場合も、
導電性パタンか形成された。また収束イオンビームを用
いて、直接パタン描画を行うことによっても導電性高分
子パタンか形成できた。
実施例２
第１図に示す装置を用いて、Ｈｅ＋イオン照射下で半導
性高分子薄膜を形成すると同時に、ドナ（Ｄ）やアクセ
プタ（Ａ）イオンビームをイオン出射口１１から照射す
ることによって、導電性高分子薄膜および導電性パタン
を形成することができる。
性高分子薄膜を形成すると同時に、ドナ（Ｄ）やアクセ
プタ（Ａ）イオンビームをイオン出射口１１から照射す
ることによって、導電性高分子薄膜および導電性パタン
を形成することができる。
蒸着分子として蒸発るつぼ３にピレンを入れ蒸着速度２
ＯＡ／秒、蒸着時間５分で真空蒸着を行うとともに、イ
オンビームとしてＨｅ”（０，５ＫｅＶ、 ２０ｎＡ／
ｃＩｌｓｅｃ）およびよう素ガスをイオン化室６でイオ
ン化することにより発生するイオンを基板１４に照射し
て、室温石英基板１４上に導電性高分子薄膜を形成する
ことができた。イオンの照射電流密度が３０ ｎ Ａ／
ａｌ ｓｅｃの場合、導電膜の導電率は３．６Ｘ１０Ω
−’Ｃｍ””’であった。またＨｅ＋イオンビームの行
路上にマスクパタンを設置してドーピング膜を形成した
のち、上記基板１４を１５０℃に加熱したところ、上記
マスクパタンにしたがった導電性高分子薄膜パタンか形
成された。
ＯＡ／秒、蒸着時間５分で真空蒸着を行うとともに、イ
オンビームとしてＨｅ”（０，５ＫｅＶ、 ２０ｎＡ／
ｃＩｌｓｅｃ）およびよう素ガスをイオン化室６でイオ
ン化することにより発生するイオンを基板１４に照射し
て、室温石英基板１４上に導電性高分子薄膜を形成する
ことができた。イオンの照射電流密度が３０ ｎ Ａ／
ａｌ ｓｅｃの場合、導電膜の導電率は３．６Ｘ１０Ω
−’Ｃｍ””’であった。またＨｅ＋イオンビームの行
路上にマスクパタンを設置してドーピング膜を形成した
のち、上記基板１４を１５０℃に加熱したところ、上記
マスクパタンにしたがった導電性高分子薄膜パタンか形
成された。
また、Ｈｅ＋を照射しなからピレンの真空蒸着を行うと
同時に、ドーパントガス出射口１２からよう素ガスを導
入することによっても、導電性の向上を認めることがで
きた。
同時に、ドーパントガス出射口１２からよう素ガスを導
入することによっても、導電性の向上を認めることがで
きた。
実施例３
蒸発るつぼ３を用い、室温基板１４上にアントラセンを
３０ Ａ、７秒の速度で５分間真空蒸着すると同時に、
０．６ ＫｅＶ、 １５ｎＡ／Ｃ７＋！ｓｅｅ （７）
Ｈｅ＋をイオン出射口１０から照射し、かつひ素イオ
ンをイオン出射口１］から０．２ ＫｅＶ、 ２０ ｎ
Ａ／（−Ｉｉｌｓｅｃで照射して、基板１４上のＨｅ＋
照射部分にアントラセンよりなる導電率４．８Ω−’Ｃ
ｍ−’の導電性薄膜を得た。Ｘ線回折測定によって、上
記高分子膜は（００１）面が基板に平行な優先配向性を
有する結晶性高分子膜であることが認められた。
３０ Ａ、７秒の速度で５分間真空蒸着すると同時に、
０．６ ＫｅＶ、 １５ｎＡ／Ｃ７＋！ｓｅｅ （７）
Ｈｅ＋をイオン出射口１０から照射し、かつひ素イオ
ンをイオン出射口１］から０．２ ＫｅＶ、 ２０ ｎ
Ａ／（−Ｉｉｌｓｅｃで照射して、基板１４上のＨｅ＋
照射部分にアントラセンよりなる導電率４．８Ω−’Ｃ
ｍ−’の導電性薄膜を得た。Ｘ線回折測定によって、上
記高分子膜は（００１）面が基板に平行な優先配向性を
有する結晶性高分子膜であることが認められた。
実施例４
室温基板１４の表面にるつぼ３を用いてピレンを３０Ａ
／秒の速度で５分間蒸着しながら、イオン出射口１０か
らＱ、５ ＫｅＶ、 ２０ ｎＡ／ｃＩｔｓｅｃのＨｅ
イオンを照射し、かつイオン出射口１１からＬ】＋イオ
ンを０．２ＫｅＶ、 ２０ｎＡ ／（７ｓｅｃで照射注
入して、４，２Ω−’Ｃｍ’の導電率を有する膜厚９０
００ Ａの膜が形成できた。
／秒の速度で５分間蒸着しながら、イオン出射口１０か
らＱ、５ ＫｅＶ、 ２０ ｎＡ／ｃＩｔｓｅｃのＨｅ
イオンを照射し、かつイオン出射口１１からＬ】＋イオ
ンを０．２ＫｅＶ、 ２０ｎＡ ／（７ｓｅｃで照射注
入して、４，２Ω−’Ｃｍ’の導電率を有する膜厚９０
００ Ａの膜が形成できた。
一方、同一条件で膜の形成を行うと同時に、０．２Ｋｅ
Ｖの加速エネルギーで電流密度をＯから３０ｎＡ／ａｌ
ＳｅＣまで連続的に変化させてよう素イオンを照射し
膜を形成したところ、第３図に示すような導電部の変化
（補償効果）が見られた。このことから導電性の原因が
ドーパント１こよるものであることが明らかである。
Ｖの加速エネルギーで電流密度をＯから３０ｎＡ／ａｌ
ＳｅＣまで連続的に変化させてよう素イオンを照射し
膜を形成したところ、第３図に示すような導電部の変化
（補償効果）が見られた。このことから導電性の原因が
ドーパント１こよるものであることが明らかである。
実施例５
室温のアルミニウム蒸着基板上にピレンを３０Ａ／秒の
速度で蒸着すると同時に、０．５ ＫｅＶ、 ２ＱｎＡ
／（−ＩＩｓｅｃのＨｅ＋を照射しながら１０秒間の時
間間隔で、０．２ ＫｅＶ、 ２ＱｎＡ／Ｌ：ｒ！ｓｅ
ｃのよう素イオンと０．２ ＫｅＶ。
速度で蒸着すると同時に、０．５ ＫｅＶ、 ２ＱｎＡ
／（−ＩＩｓｅｃのＨｅ＋を照射しながら１０秒間の時
間間隔で、０．２ ＫｅＶ、 ２ＱｎＡ／Ｌ：ｒ！ｓｅ
ｃのよう素イオンと０．２ ＫｅＶ。
２０ ｎＡ／Ｃ！ｓｅｃのＬｉ＋イオンとを交互に照射
し、第４図に示すような各層の膜厚が３００ Ａの層状
ｐｎ接合構造を作製することができた。第４図において
１７、１７’、 １７’はそれぞれｎ型半導体層を示し
、１８゜１８’、 １８’はそれぞれｐ型半導体層を示
し、１９および２０はＡＩ！電極である。
し、第４図に示すような各層の膜厚が３００ Ａの層状
ｐｎ接合構造を作製することができた。第４図において
１７、１７’、 １７’はそれぞれｎ型半導体層を示し
、１８゜１８’、 １８’はそれぞれｐ型半導体層を示
し、１９および２０はＡＩ！電極である。
上記のように本発明による導電性薄膜および導電性パタ
ン形成方法は、基板上に有機物質を真空蒸着すると同時
または順次に、上記基板上にＨｅ”。
ン形成方法は、基板上に有機物質を真空蒸着すると同時
または順次に、上記基板上にＨｅ”。
Ａｒ＋およびＮｅ＋から選ばれた少なくとも１種以上の
不活性ガスイオンとドーパントイオンとを、別別にまた
は同時に照射することにより、通常の芳香族有機化合物
を用いて１つの真空チャンバ内で半導性高分子薄膜を形
成し、かつアクセプタまたはドナのイオンビームドーピ
ングを行い、導電性高分子薄膜を極めて簡便に形成する
ことができる。
不活性ガスイオンとドーパントイオンとを、別別にまた
は同時に照射することにより、通常の芳香族有機化合物
を用いて１つの真空チャンバ内で半導性高分子薄膜を形
成し、かつアクセプタまたはドナのイオンビームドーピ
ングを行い、導電性高分子薄膜を極めて簡便に形成する
ことができる。
また照射イオンの行路上にマスクパタンを設置すること
により導電性パタンか形成できる。さらに収束性イオン
ビームを用いる直接描画によっても導電性パタンを容易
に形成することができる。なお本発明により１作成した
導電性高分子薄膜および導電性高分子パタンは、基板に
対する付着強度が輸〈−７に分や酷＊などの宏囲気の影
響を受けにくいため、安定な導電特性を有する導電性薄
膜および導電性パタンを得ることが可能である。
により導電性パタンか形成できる。さらに収束性イオン
ビームを用いる直接描画によっても導電性パタンを容易
に形成することができる。なお本発明により１作成した
導電性高分子薄膜および導電性高分子パタンは、基板に
対する付着強度が輸〈−７に分や酷＊などの宏囲気の影
響を受けにくいため、安定な導電特性を有する導電性薄
膜および導電性パタンを得ることが可能である。
第１図は本発明の実施例を形成する薄膜形成装置の構成
を示す図、第２図は実施例１で形成された導電性膜のＸ
線回折図、第３図はドーパントの補償効果を示す導電変
化の測定値を示す図、第４図は本発明による一実施例を
示す半導体構造図である。 ３・・・蒸発用るつぼ ４・・・チャンバ １０．１１・・・イオン出射口 １２・・・ドーパントガス出射口 １４・・・基板 １６・・・加熱用ヒータ
を示す図、第２図は実施例１で形成された導電性膜のＸ
線回折図、第３図はドーパントの補償効果を示す導電変
化の測定値を示す図、第４図は本発明による一実施例を
示す半導体構造図である。 ３・・・蒸発用るつぼ ４・・・チャンバ １０．１１・・・イオン出射口 １２・・・ドーパントガス出射口 １４・・・基板 １６・・・加熱用ヒータ
Claims (5)
- （１）基板上に有機物質を真空蒸着すると同時または順
次に、上記基板上にＨｅ＾＋、Ａｒ＾＋およびＮｅ＾＋
から選ばれた少なくとも１種以上の不活性ガスイオンと
ドーパントイオンとを、別々にまたは同時に照射し、非
照射部分を除去する導電性薄膜および導電性パタン形成
方法。 - （２）上記不活性ガスイオンは、その加速電圧が１０Ｋ
ｅＶ以下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の導電性薄膜および導電性パタン形成方法。 - （３）上記ドーパントイオンは、水素、酸素、ハロゲン
、ほう素、ひ素、りん、アンチモン、ナトリウム、リチ
ウム、パラジウムおよびそれらを含む物質より発生する
イオンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の導電性薄膜および導電性パタン形成方
法。 - （４）上記ドーパントイオンの照射は、チャンバ内にド
ーパントガスを導入した雰囲気中で、Ｈｅ＾＋、Ａｒ＾
＋およびＮｅ＾＋から選ばれた少なくとも１種以上のイ
オンビームを照射することにより行うことを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載し
た導電性薄膜および導電性パタン形成方法。 - （５）上記イオン非照射部分の除去は、イオンビーム照
射と同時または順次に、基板を加熱して行うことを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに
記載した導電性薄膜および導電性パタン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11875185A JPS61277118A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 導電性薄膜および導電性パタン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11875185A JPS61277118A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 導電性薄膜および導電性パタン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277118A true JPS61277118A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14744151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11875185A Pending JPS61277118A (ja) | 1985-06-03 | 1985-06-03 | 導電性薄膜および導電性パタン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61277118A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206465A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Fujitsu Ltd | 導体パタ−ンの製造方法 |
| WO2012043732A1 (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | 株式会社エス・エフ・シー | 成膜方法 |
-
1985
- 1985-06-03 JP JP11875185A patent/JPS61277118A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63206465A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-25 | Fujitsu Ltd | 導体パタ−ンの製造方法 |
| WO2012043732A1 (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | 株式会社エス・エフ・シー | 成膜方法 |
| JP5008211B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2012-08-22 | 株式会社エス・エフ・シー | 成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kaplan et al. | Optical and electrical properties of ion‐beam‐irradiated films of organic molecular solids and polymers | |
| Tredgold et al. | Gas sensors made from Langmuir-Blodgett films of porphyrins | |
| Steinmüller et al. | Polaron and bipolaronlike states in n-doped bithiophene | |
| Kolotyrkin et al. | Production of organic surface films by the action of electrons, ultraviolet radiation, and the glow discharge | |
| Khrishnakumar et al. | Determination of the thermal activation energy and grain size of iron phthalocyanine thin films | |
| US5380595A (en) | Carbon cluster film having electrical conductivity and method of preparing the same | |
| Oeter et al. | Doping and stability of ultrapure α-oligothiophene thin films | |
| JPS61277118A (ja) | 導電性薄膜および導電性パタン形成方法 | |
| JPH08165111A (ja) | 窒素原子含有炭素材料の製造方法 | |
| JPH0131453B2 (ja) | ||
| Dillingham et al. | Investigation of vapor‐deposited polyaniline thin films | |
| Narayanan et al. | Electrical characterization and type conversion in N+ irradiated CdS thin films prepared by chemical bath deposition | |
| US5538763A (en) | Method of preparing carbon cluster film having electrical conductivity | |
| Dann et al. | Iodine implantation of polymeric phthalocyanines | |
| Roth et al. | Laser-induced generation of highly conducting areas in poly (bis-alkylthioacetylenes) | |
| Nasrallah et al. | A Novel Mitigation Mechanism for Photo‐Induced Trapping in an Anthradithiophene Derivative Using Additives | |
| Lüer et al. | (Photo) conductivity of conjugated oligomer films: mobile charge carrier formation by oxygen | |
| JPH07106615A (ja) | 透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法 | |
| Sviridov et al. | Ion-implanted polymers | |
| Chaâbane et al. | Elaboration and characterization of thin calixarene films | |
| Bufler et al. | Doping effects in thin films of radical phthalocyanines: UPS and conductivity studies | |
| Tanaka | Photoconductivity of CdSe films prepared by a vapor evaporating-reactive sputtering method | |
| JPS6144705A (ja) | 導電性炭素被膜の形成方法 | |
| Svorcik et al. | Degradation of polyimide by implantation with Ar+ ions | |
| Singh et al. | Thermally and optical induced effects on the structural and electrical parameters of nc-CdS thin films |