JPS61270687A - 光電センサ - Google Patents
光電センサInfo
- Publication number
- JPS61270687A JPS61270687A JP11245685A JP11245685A JPS61270687A JP S61270687 A JPS61270687 A JP S61270687A JP 11245685 A JP11245685 A JP 11245685A JP 11245685 A JP11245685 A JP 11245685A JP S61270687 A JPS61270687 A JP S61270687A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light receiving
- distance
- photodetection
- photoelectric sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の分野〕
本発明は光学的に検出対象までの距離を正確に測定する
ことができる距離測定用の光電センサに関するものであ
る。
ことができる距離測定用の光電センサに関するものであ
る。
本発明による光電センサは、投光部より物体までの距離
を測定すべき空間に平行光を照射すると共に、投光部よ
り離れた位置に物体からの反射光を受光する一次元のイ
メージセンサを持ち、その反射位置によって物体までの
距離を測定すると共に反射光の大きさに基づいて物体が
光軸を全て覆っているかどうかを識別することによって
距離測定の精度を向上させるようにしたものである。
を測定すべき空間に平行光を照射すると共に、投光部よ
り離れた位置に物体からの反射光を受光する一次元のイ
メージセンサを持ち、その反射位置によって物体までの
距離を測定すると共に反射光の大きさに基づいて物体が
光軸を全て覆っているかどうかを識別することによって
距離測定の精度を向上させるようにしたものである。
従来物体までの距離を検出する装置としては、例えば第
２図に示すように三角法による光電センサが用いられて
いる。この装置では発光ダイオード等の発光素子１の光
を集光レンズ２，３を用いて平行な光ビーム４として距
離を検出すべき方向に照射しており、レンズ３から所定
距離隔てて反射光を受光する集光レンズ５と集光レンズ
５の後方に光の照射位置に基づいて両端に異なった電流
出力をり、える位置検出素子（ＰＳＤｉポジションセン
シティブディハイス）６が設けられる。そして検知対象
物７がレンズ３の前面から所定距離隔てた位置でこの光
ビーノ、４を遮断した場合には、反射光の一部が集光レ
ンズ５によって集光され位置検出素子６に照射される。
２図に示すように三角法による光電センサが用いられて
いる。この装置では発光ダイオード等の発光素子１の光
を集光レンズ２，３を用いて平行な光ビーム４として距
離を検出すべき方向に照射しており、レンズ３から所定
距離隔てて反射光を受光する集光レンズ５と集光レンズ
５の後方に光の照射位置に基づいて両端に異なった電流
出力をり、える位置検出素子（ＰＳＤｉポジションセン
シティブディハイス）６が設けられる。そして検知対象
物７がレンズ３の前面から所定距離隔てた位置でこの光
ビーノ、４を遮断した場合には、反射光の一部が集光レ
ンズ５によって集光され位置検出素子６に照射される。
従ってレンズ３から検知対象物７までの距離によって位
置検出素子６」−に照射される反射光の位置が変化する
。位置検出素子６は光が照射される位置に応じて２つの
電極に流れる電流比が変化するため、この電流比に基づ
いて検出対象物７までの距離を測定することができる。
置検出素子６」−に照射される反射光の位置が変化する
。位置検出素子６は光が照射される位置に応じて２つの
電極に流れる電流比が変化するため、この電流比に基づ
いて検出対象物７までの距離を測定することができる。
しかしながらこのような従来の距離測定用の光電センサ
では、検知対象物７が光ヒーム４の全てを覆わすその一
部にかかっている場合には、第７図（ａｌ、 ｆｂ）に
示すようにその一部のみが反射されることとなり、検知
対象物７が光ビーム４中に完全に入る場合に比べ位置検
出素子６Ｊ−の照！＝ｊ位置が変化する。第７図ＦＣ＋
はこの場合の位置検出素子６に照射される反射光量レヘ
ルを示すものであって、実線は検知対象物が光ビーム４
の一部を覆っている場合、破線はその全てを覆っている
場合の光量である。このような光量の反射光が与えられ
ることにより位置検出素子６に照射された反射光の中心
位置に物体が存在するものと判断されるため、第７図ｆ
ａｔに示すように真の距離りとの間にΔＬの誤差が生じ
ることとなる。この誤差は集光レンズ３より照射される
光ビーム４のスポット径が大きくなればなるほど又検出
距離りが長くなればなるほど人きくなり、又検知対象物
７が第７図（ａｌの光軸の右側より入射するときは実際
の距離より短いように、光軸の右側に通り抜けるときに
長いように誤って検出されることとなる。従って従来の
光電センサでは検出物体までの距離を高い精度で測定す
ることができないという問題点があった。
では、検知対象物７が光ヒーム４の全てを覆わすその一
部にかかっている場合には、第７図（ａｌ、 ｆｂ）に
示すようにその一部のみが反射されることとなり、検知
対象物７が光ビーム４中に完全に入る場合に比べ位置検
出素子６Ｊ−の照！＝ｊ位置が変化する。第７図ＦＣ＋
はこの場合の位置検出素子６に照射される反射光量レヘ
ルを示すものであって、実線は検知対象物が光ビーム４
の一部を覆っている場合、破線はその全てを覆っている
場合の光量である。このような光量の反射光が与えられ
ることにより位置検出素子６に照射された反射光の中心
位置に物体が存在するものと判断されるため、第７図ｆ
ａｔに示すように真の距離りとの間にΔＬの誤差が生じ
ることとなる。この誤差は集光レンズ３より照射される
光ビーム４のスポット径が大きくなればなるほど又検出
距離りが長くなればなるほど人きくなり、又検知対象物
７が第７図（ａｌの光軸の右側より入射するときは実際
の距離より短いように、光軸の右側に通り抜けるときに
長いように誤って検出されることとなる。従って従来の
光電センサでは検出物体までの距離を高い精度で測定す
ることができないという問題点があった。
本発明はこのような従来の光電センサの問題点に鑑みて
なされたものであって、検出対象が光ビーム中に完全に
入らず一部分のみが入り、その一部の反射光が受光され
る場合に誤った位置検出を行うことなく、正確に物体ま
での距離を検出することができる光電センサを提供する
ことを目的とする。
なされたものであって、検出対象が光ビーム中に完全に
入らず一部分のみが入り、その一部の反射光が受光され
る場合に誤った位置検出を行うことなく、正確に物体ま
での距離を検出することができる光電センサを提供する
ことを目的とする。
本発明は平行な光ビームを検出領域に向かって照射する
投光部と、前記投光部の光軸より一定角度を持って交叉
するように配置され物体からの反射光を受光する一次元
の受光部を有し、受光位置に基づいて物体までの距離を
検出する光電センサであって、一次元の受光部は物体か
らの反射光幅を受光する受光素子であり、光電センサか
ら検出対象までの距離に基づいて物体が光ビームの全面
を覆うときに受光素子に与えられる反射光の受光幅を記
憶する記憶手段と、受光素子の受光位置に対する記憶手
段の受光範囲とを比較判別する判別手段と、を有し、受
光位置に対応する受光幅か所定範囲にあるときに受光位
置に基づいて物体までの距離を出力することを特徴とす
るものである。
投光部と、前記投光部の光軸より一定角度を持って交叉
するように配置され物体からの反射光を受光する一次元
の受光部を有し、受光位置に基づいて物体までの距離を
検出する光電センサであって、一次元の受光部は物体か
らの反射光幅を受光する受光素子であり、光電センサか
ら検出対象までの距離に基づいて物体が光ビームの全面
を覆うときに受光素子に与えられる反射光の受光幅を記
憶する記憶手段と、受光素子の受光位置に対する記憶手
段の受光範囲とを比較判別する判別手段と、を有し、受
光位置に対応する受光幅か所定範囲にあるときに受光位
置に基づいて物体までの距離を出力することを特徴とす
るものである。
このような特徴を有する本発明によれば、受光した範囲
と受光位置を測定することができるイメージセンサを用
いて物体までの距離を測定すると共に、物体までの位置
に応じて推定される反射光の受光範囲に基ついて受光幅
が所定値に達したときから物体までの距離を検出するよ
うにしたものである。こうずれば検出物体の一部が光ヒ
一１、に入りその端部からの反射光のめが受光されてい
る場合には、物体までの距離出力は外部に出力さねス己
）。そして検出物体が光ビームの全面を覆いその反射光
が受光素子に与えられたときに距離検知出力を出すので
、ＩＩＥ確に物体までの距＾１４を検出することかり能
となる。
と受光位置を測定することができるイメージセンサを用
いて物体までの距離を測定すると共に、物体までの位置
に応じて推定される反射光の受光範囲に基ついて受光幅
が所定値に達したときから物体までの距離を検出するよ
うにしたものである。こうずれば検出物体の一部が光ヒ
一１、に入りその端部からの反射光のめが受光されてい
る場合には、物体までの距離出力は外部に出力さねス己
）。そして検出物体が光ビームの全面を覆いその反射光
が受光素子に与えられたときに距離検知出力を出すので
、ＩＩＥ確に物体までの距＾１４を検出することかり能
となる。
（実施例の構成）
第１図１１本発明による光電センサの−・実施例を示す
ゾロツク図である。本発明では光学系は前述した第２図
と同様のものを用いるが、光学センサとしては受光範囲
を検知することができる一次元イメーシセンサ、例えば
ＣＣｆ）素子を用いる。第１］ネロＪ受光センザとして
１ｏ２４ピツトのＣＣＤを用いた実施例の一例を示ずブ
Ｉコック図である。本図において発振回路１０ば発光素
子である発光ダイオードをパルス駆動するためのクロッ
ク発振器であり、そのクロック出力は電流増幅回路１】
を介して発光ダイオード１２に加えられる。又クロック
信号は同時にＣＣＤ駆動回路１３及びカウンタ１７に与
えられる。ＣＣＤ駆動回路１３は発振回路１０のクロッ
ク信号に基づいてＣＣＤ１４にクロック信号を与えて連
続的に駆動するものである。
ゾロツク図である。本発明では光学系は前述した第２図
と同様のものを用いるが、光学センサとしては受光範囲
を検知することができる一次元イメーシセンサ、例えば
ＣＣｆ）素子を用いる。第１］ネロＪ受光センザとして
１ｏ２４ピツトのＣＣＤを用いた実施例の一例を示ずブ
Ｉコック図である。本図において発振回路１０ば発光素
子である発光ダイオードをパルス駆動するためのクロッ
ク発振器であり、そのクロック出力は電流増幅回路１】
を介して発光ダイオード１２に加えられる。又クロック
信号は同時にＣＣＤ駆動回路１３及びカウンタ１７に与
えられる。ＣＣＤ駆動回路１３は発振回路１０のクロッ
ク信号に基づいてＣＣＤ１４にクロック信号を与えて連
続的に駆動するものである。
ＣＣＩ）１４ば第２図に示されるように集光レンズ５の
ほぼ焦点位置に配置されている。そしてＣＣＤ１４の出
力は増幅回路１５に与えられ、所定レベルに増幅されて
比較回路１６に加えられる。比較回路１６はＣＣＤ１４
の出力を所定レベルで弁別することによって二値信号に
変換するものであり、その出力をカウンタ１７に与える
。カウンタ１７には発振回路１０のクロック信号が与え
られており、ＣＣＤ１４が駆動された後比較回路１６か
ら出力が与えられるまでの時間及び比較回路１６により
検出された反射物体の受光範囲を計数してその計数出力
を判別回路１８に与える。判別回路１８には光電センサ
の測定範囲に対応した反射光の受光幅に基づいて検知対
象物７が光ビーム４を覆っているときに距離信号を出力
するものである。第３図は検知対象物が光ビーム４の全
面を覆うときにその距離に応じてＣＯＤ］４に得られる
反射光幅の変化を示す図である。本図に示すように検知
対象物７の位置し１〜■７３によってＣＣＤ１４に得ら
れる反射光の受光中心位置７！１〜７！３が変化し、そ
れに応じて受光範囲ｄ〜鱈が狭くなっている。従って本
発明では受光中心ｐに対応した受光幅Ｗを記憶手段に記
憶させおく。メモリー９は受光中心に対応した受光幅の
標準ビット数が記憶されている。この標準ビット数は第
４図に示ずようにほぼ反比例の関係となり、受光中心が
基点に近ければ受光幅が太き（基点Ａより遠ければ検出
距離が遠く受光幅も小さくなるような値が連続的に記ｔ
＃されているものとする。
ほぼ焦点位置に配置されている。そしてＣＣＤ１４の出
力は増幅回路１５に与えられ、所定レベルに増幅されて
比較回路１６に加えられる。比較回路１６はＣＣＤ１４
の出力を所定レベルで弁別することによって二値信号に
変換するものであり、その出力をカウンタ１７に与える
。カウンタ１７には発振回路１０のクロック信号が与え
られており、ＣＣＤ１４が駆動された後比較回路１６か
ら出力が与えられるまでの時間及び比較回路１６により
検出された反射物体の受光範囲を計数してその計数出力
を判別回路１８に与える。判別回路１８には光電センサ
の測定範囲に対応した反射光の受光幅に基づいて検知対
象物７が光ビーム４を覆っているときに距離信号を出力
するものである。第３図は検知対象物が光ビーム４の全
面を覆うときにその距離に応じてＣＯＤ］４に得られる
反射光幅の変化を示す図である。本図に示すように検知
対象物７の位置し１〜■７３によってＣＣＤ１４に得ら
れる反射光の受光中心位置７！１〜７！３が変化し、そ
れに応じて受光範囲ｄ〜鱈が狭くなっている。従って本
発明では受光中心ｐに対応した受光幅Ｗを記憶手段に記
憶させおく。メモリー９は受光中心に対応した受光幅の
標準ビット数が記憶されている。この標準ビット数は第
４図に示ずようにほぼ反比例の関係となり、受光中心が
基点に近ければ受光幅が太き（基点Ａより遠ければ検出
距離が遠く受光幅も小さくなるような値が連続的に記ｔ
＃されているものとする。
（実施例の動作）
次に波形図を参照しつつ本発明の光電センサの動作につ
いて説明する。検知対象物７が集光レンズ３から所定距
離を隔てた位置にありその先端が投光ビーム４のスポッ
ト径中に入った場合には、反射光が前述した従来例と同
様に集光レンズ５によって集光され、イメージセンサで
あるＣＣＤ １４に与えられる。ＣＧＤ Ｉ ４はＣＣ
Ｄ駆動回路１３によって駆動されており、１０２４個の
クロックを１周期として連続してその反射光レー・ルが
読出され、増幅回路１５によって増幅され゛Ｃ比較回路
１６に与えられる。このとき第７図ｔａ＋に示すように
検知対象物７が光ビーム４の一部だけを覆っている場合
には、増幅回路１５の出力は例えば第５図（ａｌに示す
ように徐々に増加し、所定の位置で急激に低下するよう
な出力が得られることとなる。そしてこの出力を比較回
路１６によって所定レベルで弁別するごとによって第５
図（ｂｌに示すような波形が得られる。カウンタ１７は
掃引開始のＡ点から比較回路１６より出力が得られるま
での発振回路ＩＯのクロック数０１と比較回路１６を介
して与えられるクロック数０２を計数し、夫々の出力を
判別回路１８に与える。判別回路１８はＣＣＤ１４内の
受光位置に対応するクロック数０１十％Ｏ Ｃ２に基ついてメモリ１９より受光幅Ｗのデータを続出
し、その位置で検出物体が投光スボソ１の全面Ｇこ入っ
て反射した場合の受光幅がカウンタ１７により計数され
たクロック数０２にほぼ等しいかと・うかを判断する。
いて説明する。検知対象物７が集光レンズ３から所定距
離を隔てた位置にありその先端が投光ビーム４のスポッ
ト径中に入った場合には、反射光が前述した従来例と同
様に集光レンズ５によって集光され、イメージセンサで
あるＣＣＤ １４に与えられる。ＣＧＤ Ｉ ４はＣＣ
Ｄ駆動回路１３によって駆動されており、１０２４個の
クロックを１周期として連続してその反射光レー・ルが
読出され、増幅回路１５によって増幅され゛Ｃ比較回路
１６に与えられる。このとき第７図ｔａ＋に示すように
検知対象物７が光ビーム４の一部だけを覆っている場合
には、増幅回路１５の出力は例えば第５図（ａｌに示す
ように徐々に増加し、所定の位置で急激に低下するよう
な出力が得られることとなる。そしてこの出力を比較回
路１６によって所定レベルで弁別するごとによって第５
図（ｂｌに示すような波形が得られる。カウンタ１７は
掃引開始のＡ点から比較回路１６より出力が得られるま
での発振回路ＩＯのクロック数０１と比較回路１６を介
して与えられるクロック数０２を計数し、夫々の出力を
判別回路１８に与える。判別回路１８はＣＣＤ１４内の
受光位置に対応するクロック数０１十％Ｏ Ｃ２に基ついてメモリ１９より受光幅Ｗのデータを続出
し、その位置で検出物体が投光スボソ１の全面Ｇこ入っ
て反射した場合の受光幅がカウンタ１７により計数され
たクロック数０２にほぼ等しいかと・うかを判断する。
第５図ｆａｔ、 （ｂｌの場合には検知対象物７の先端
が光ビーム４のスポットに入った直後であるため、その
位置により想定される距離に比べて受光幅のクロック数
Ｃ２が少なく、狭ずぎると判断されることとなる。従っ
てこの場合には検出物体までの距離は判別せず外部に出
力されない。
が光ビーム４のスポットに入った直後であるため、その
位置により想定される距離に比べて受光幅のクロック数
Ｃ２が少なく、狭ずぎると判断されることとなる。従っ
てこの場合には検出物体までの距離は判別せず外部に出
力されない。
そして検知対象物７が更に右方に移動し光ビーム４のス
ボソＩ□の全面を覆う位置に達した場合には、ＣＣＤ１
４に与えられる反射光幅は広くなり、（：、 ＣＤ １
４から増幅回路１５を介して得られる出力波形は例えば
第６図ｆａｌに示すものとなる。この出力は同様にして
比較回路１６により二値信号に弁別されてカウンタ１７
に加えられる。ここで検鈷け・１象物７の移動方向が光
ビーム４に対して垂直である場合には、その位置を示す
クロック数Ｃ１」％０３は第５図の場合とほぼ同一の数
値となるが、受光幅は第６図（ｂｌに示ず、Ｌうにクロ
・２り数Ｃ２より長＜Ｃ３となる。これらの計数出力Ｃ
１゜Ｃ３が同様にして判別回路１８に与えられ、判別回
路１８は受光中心である検出距＾１ｔに対応して検知対
象物７が光ビーム４の全径を覆っているかどうかを受光
幅０３より判別する。この場合には受光幅のクロック数
０３は標準の受光幅とほぼ同一であるので、計数値ＣＩ
＋Ｖ２Ｃ３より物体までの距離を算出して外部に出力す
る。判別回路１８はＣ１，Ｃ３の出力をそのまま外部に
出力するようにしてもよいが、計数値に対応した距離情
報を出力するように構成することも可能である。
ボソＩ□の全面を覆う位置に達した場合には、ＣＣＤ１
４に与えられる反射光幅は広くなり、（：、 ＣＤ １
４から増幅回路１５を介して得られる出力波形は例えば
第６図ｆａｌに示すものとなる。この出力は同様にして
比較回路１６により二値信号に弁別されてカウンタ１７
に加えられる。ここで検鈷け・１象物７の移動方向が光
ビーム４に対して垂直である場合には、その位置を示す
クロック数Ｃ１」％０３は第５図の場合とほぼ同一の数
値となるが、受光幅は第６図（ｂｌに示ず、Ｌうにクロ
・２り数Ｃ２より長＜Ｃ３となる。これらの計数出力Ｃ
１゜Ｃ３が同様にして判別回路１８に与えられ、判別回
路１８は受光中心である検出距＾１ｔに対応して検知対
象物７が光ビーム４の全径を覆っているかどうかを受光
幅０３より判別する。この場合には受光幅のクロック数
０３は標準の受光幅とほぼ同一であるので、計数値ＣＩ
＋Ｖ２Ｃ３より物体までの距離を算出して外部に出力す
る。判別回路１８はＣ１，Ｃ３の出力をそのまま外部に
出力するようにしてもよいが、計数値に対応した距離情
報を出力するように構成することも可能である。
尚本実施例は一次元の受光センサとしてＣＣＤを用いた
が、受光範囲を検知することができるセンサであればよ
く、例えばＭＯＳ型のイメージセンサやフォトダイオー
ドアレーを用いることも可能である。又発光素子として
は発光ダイオードの代わりに半導体レーザ等の種々の発
光素子を用いることが可能である。
が、受光範囲を検知することができるセンサであればよ
く、例えばＭＯＳ型のイメージセンサやフォトダイオー
ドアレーを用いることも可能である。又発光素子として
は発光ダイオードの代わりに半導体レーザ等の種々の発
光素子を用いることが可能である。
第１図は本発明による光電センサの一実施例を示すブロ
ック図、第２図は光電センサの光学系部分の配置を示す
構成図、第３図は検知対象物までの距離に対する受光位
置と受光幅の大きさを示す概念図、第４図は受光中心と
受光幅との関係を示すグラフ、第５図及び第６図は本実
施例の光電センサの各部の波形を示す波形図、第７図（
ａｌ、 （ｂｌば従来の光電センサ゛において検知対象
物の一部が光ビームに入っている状態を示す図、第７図
ｔｃ＋はそのときの反射光の受光状態を示す図である。 １ 発光素子 ２，３．５ −一−−集光しンス４
光ビーム ７−一−−検知対象物 １０−−発
振回路 １２ 発光ダイオ−１＝’ １３ＣＣ
Ｄ駆動回路 １４−−−−ＣＣＤ １６１Ｌ較回路
］７− カウンタ １８判別回路 １９−−−
−−メモリ 特許出馴人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 岡本官喜（他１名） 第７図 （Ａ７
ック図、第２図は光電センサの光学系部分の配置を示す
構成図、第３図は検知対象物までの距離に対する受光位
置と受光幅の大きさを示す概念図、第４図は受光中心と
受光幅との関係を示すグラフ、第５図及び第６図は本実
施例の光電センサの各部の波形を示す波形図、第７図（
ａｌ、 （ｂｌば従来の光電センサ゛において検知対象
物の一部が光ビームに入っている状態を示す図、第７図
ｔｃ＋はそのときの反射光の受光状態を示す図である。 １ 発光素子 ２，３．５ −一−−集光しンス４
光ビーム ７−一−−検知対象物 １０−−発
振回路 １２ 発光ダイオ−１＝’ １３ＣＣ
Ｄ駆動回路 １４−−−−ＣＣＤ １６１Ｌ較回路
］７− カウンタ １８判別回路 １９−−−
−−メモリ 特許出馴人 立石電機株式会社 代理人 弁理士 岡本官喜（他１名） 第７図 （Ａ７
Claims (6)
- （１）平行な光ビームを検出領域に向かって照射する投
光部と、前記投光部の光軸より一定角度を持って交叉す
るように配置され物体からの反射光を受光する一次元の
受光部を有し、受光位置に基づいて物体までの距離を検
出する光電センサであって、 前記一次元の受光部は物体からの反射光幅を受光する受
光素子であり、 光電センサから検出対象までの距離に基づいて物体が光
ビームの全面を覆うときに前記受光素子に与えられる反
射光の受光幅を記憶する記憶手段と、 前記受光素子の受光位置に対する前記記憶手段の受光範
囲とを比較判別する判別手段と、を有し、受光位置に対
応する受光幅が所定範囲にあるときに受光位置に基づい
て物体までの距離を出力することを特徴とする光電セン
サ。 - （２）前記投光部の発光素子は発光ダイオードであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電センサ
。 - （３）前記投光部の発光素子は半導体レーザであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電センサ。 - （４）前記受光部の受光素子はＣＣＤであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光電センサ。 - （５）前記受光部の受光素子はＭＯＳイメージセンサで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電
センサ。 - （６）前記受光部の受光素子はフォトダイオードアレー
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光
電センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11245685A JPS61270687A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11245685A JPS61270687A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光電センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270687A true JPS61270687A (ja) | 1986-11-29 |
Family
ID=14587088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11245685A Pending JPS61270687A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 光電センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61270687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008145158A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Keyence Corp | 光学式変位センサ及び光学式変位計 |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP11245685A patent/JPS61270687A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008145158A (ja) * | 2006-12-07 | 2008-06-26 | Keyence Corp | 光学式変位センサ及び光学式変位計 |
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