JPS6126619B2 - - Google Patents
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- JPS6126619B2 JPS6126619B2 JP54093641A JP9364179A JPS6126619B2 JP S6126619 B2 JPS6126619 B2 JP S6126619B2 JP 54093641 A JP54093641 A JP 54093641A JP 9364179 A JP9364179 A JP 9364179A JP S6126619 B2 JPS6126619 B2 JP S6126619B2
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- electric heater
- cavity
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- sio
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- Expired
Links
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Landscapes
- Measuring Volume Flow (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
従来より、接触燃焼式ガス検出器、半導体式ガ
ス検出器、熱線式流量計、ピラニー真空計等検出
素子を加熱する電熱器を必要とするセンサーは種
種存在する。しかし、斯様なセンサーに使用され
る電熱器は消費電力が少なくかつ熱時定数の小さ
いものが望ましく、そのためには、電熱器を小型
化して熱容量を小さくする必要があり、更には、
大量生産に適した構造としてコストを低廉化する
ことが望まれている。
ス検出器、熱線式流量計、ピラニー真空計等検出
素子を加熱する電熱器を必要とするセンサーは種
種存在する。しかし、斯様なセンサーに使用され
る電熱器は消費電力が少なくかつ熱時定数の小さ
いものが望ましく、そのためには、電熱器を小型
化して熱容量を小さくする必要があり、更には、
大量生産に適した構造としてコストを低廉化する
ことが望まれている。
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされた
もので、以下、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
もので、以下、図面を参照しながら詳細に説明す
る。
第１図は、本発明による電熱器の製造方法の一
実施例を説明するための平面図、第２図は、第１
図の−線よりみた断面図で、図中、１はシリ
コン（Si）ウエハー、１０はSiウエハー１上に形
成されたシリコン熱酸化（SiO2）層で、このSiO2
層１０は耐熱性かつ電気絶縁性に富み、機械的強
度も比較的強く、また、エツチング液もSiウエハ
ー１とは異なつている。２はSiウエハー１に設け
られた空洞、１１はSiO2層１０に設けられたス
リツトで、これら空洞及びスリツトは、製作しよ
うとする電熱器の外周に連続した溝を形成して
SiO2層１０を１０ａと１０ｂに分類しており、
例えば、次のようにして作られる。まず、Siウエ
ハー１の表面を水蒸気雰囲気中において、1100℃
で、数時間熱酸化して厚み1.0μｍ程度のSiO2層
１０を成長させる。次に、スリツト１１に相当す
るパターンを有するフオトレジスト．パターンを
用いて公知のフオトエツチング法によりSiO2層
１０を、例えば、フツ化アンモニウム系エツチン
グ液でエツチングし、次いで、Siウエハー１をシ
ルバーグリコールエツチング液等の結晶方向によ
つてエツチング速度があまり変らないエツチング
液を用いて適当な深さの溝をつくる。その後、Si
の異方性エツチング液であり、かつ、SiO2はほ
とんど侵さないエチレンジアミン水溶液等を用い
たエツチング液で前記Siウエハー１の溝の両側面
をエツチングするとともに、後述する発熱部
13c′の下部をアンダーカツトによつて貫通させて
空洞部２ａを作り、その上にSiO2層の橋を作
る。斯様にして形成した基板の上に、例えば、ガ
ス検出器の電熱器を構成する場合には、被検出ガ
スに対して触媒作用を有する物質、又は、抵抗温
度係数の大きい抵抗体にPtやPd等を混合した物
質を真空中で蒸気又はスパツタリングすると、蒸
着又はスパツタリング粒子がSiO2層１０の上に
付着して導電体層１３を形成するが、溝１１部に
飛翔してきた粒子は該溝１１を通過して空洞２の
底に付着するので（第２図１３ｂ参照）、該溝１
１を境にして該溝１１の外内の導電体層１３ａ，
１３ｃを電気的に分離することができる。この内
側の導体層１３ｃに橋架部１３c′をはさんでリー
ド線１５ａ，１５ｂを設け、これらの間に電流を
流すと橋架部１３c′が発熱し、ここに発熱部を形
成することができる。
実施例を説明するための平面図、第２図は、第１
図の−線よりみた断面図で、図中、１はシリ
コン（Si）ウエハー、１０はSiウエハー１上に形
成されたシリコン熱酸化（SiO2）層で、このSiO2
層１０は耐熱性かつ電気絶縁性に富み、機械的強
度も比較的強く、また、エツチング液もSiウエハ
ー１とは異なつている。２はSiウエハー１に設け
られた空洞、１１はSiO2層１０に設けられたス
リツトで、これら空洞及びスリツトは、製作しよ
うとする電熱器の外周に連続した溝を形成して
SiO2層１０を１０ａと１０ｂに分類しており、
例えば、次のようにして作られる。まず、Siウエ
ハー１の表面を水蒸気雰囲気中において、1100℃
で、数時間熱酸化して厚み1.0μｍ程度のSiO2層
１０を成長させる。次に、スリツト１１に相当す
るパターンを有するフオトレジスト．パターンを
用いて公知のフオトエツチング法によりSiO2層
１０を、例えば、フツ化アンモニウム系エツチン
グ液でエツチングし、次いで、Siウエハー１をシ
ルバーグリコールエツチング液等の結晶方向によ
つてエツチング速度があまり変らないエツチング
液を用いて適当な深さの溝をつくる。その後、Si
の異方性エツチング液であり、かつ、SiO2はほ
とんど侵さないエチレンジアミン水溶液等を用い
たエツチング液で前記Siウエハー１の溝の両側面
をエツチングするとともに、後述する発熱部
13c′の下部をアンダーカツトによつて貫通させて
空洞部２ａを作り、その上にSiO2層の橋を作
る。斯様にして形成した基板の上に、例えば、ガ
ス検出器の電熱器を構成する場合には、被検出ガ
スに対して触媒作用を有する物質、又は、抵抗温
度係数の大きい抵抗体にPtやPd等を混合した物
質を真空中で蒸気又はスパツタリングすると、蒸
着又はスパツタリング粒子がSiO2層１０の上に
付着して導電体層１３を形成するが、溝１１部に
飛翔してきた粒子は該溝１１を通過して空洞２の
底に付着するので（第２図１３ｂ参照）、該溝１
１を境にして該溝１１の外内の導電体層１３ａ，
１３ｃを電気的に分離することができる。この内
側の導体層１３ｃに橋架部１３c′をはさんでリー
ド線１５ａ，１５ｂを設け、これらの間に電流を
流すと橋架部１３c′が発熱し、ここに発熱部を形
成することができる。
以上の説明から明らかなように、本発明による
と、従来より周知のフオトパターンを用いて多数
の電熱器を同時に微細加工できるので、消費電力
が少なくかつ熱時定数の小さい電熱器を底廉に生
産することができる。
と、従来より周知のフオトパターンを用いて多数
の電熱器を同時に微細加工できるので、消費電力
が少なくかつ熱時定数の小さい電熱器を底廉に生
産することができる。
第１図は、本発明による電熱器の製造方法の一
実施例を説明するための平面図、第２図は、第１
図の−線よりみた断面図である。 １……Si層、２，２ａ，２ｂ，２ｃ……空洞、
１０，１０ａ，１０ｂ……SiO2層、１１……ス
リツト、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ……導電
体層、１３c′……発熱部、１５ａ，１５ｂ……リ
ード線。
実施例を説明するための平面図、第２図は、第１
図の−線よりみた断面図である。 １……Si層、２，２ａ，２ｂ，２ｃ……空洞、
１０，１０ａ，１０ｂ……SiO2層、１１……ス
リツト、１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ……導電
体層、１３c′……発熱部、１５ａ，１５ｂ……リ
ード線。
Claims (1)
- １ 耐熱性かつ電気的絶縁性の物質から成る上部
層と該上部層とは異なる物質から成る電気的絶縁
物質の下部層とを含む基板を用い、前記下部層の
一部を除去して前記上部層の下部に空洞を形成
し、前記上部層の上に導電性物質の層を配して発
熱部を形成する電熱器の製造方法において、前記
空洞を形成する工程において、前記基板に前記電
熱器を一周する溝を形成し、その後、上部より導
電性物質を蒸着、スパツタリング等により付着さ
せて前記導電性物質の層を形成して前記一周溝の
内外を電気的に分離するようにしたことを特徴と
する電熱器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9364179A JPS5618382A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Method of manufacturing electric heater |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9364179A JPS5618382A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Method of manufacturing electric heater |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5618382A JPS5618382A (en) | 1981-02-21 |
| JPS6126619B2 true JPS6126619B2 (ja) | 1986-06-21 |
Family
ID=14087978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9364179A Granted JPS5618382A (en) | 1979-07-25 | 1979-07-25 | Method of manufacturing electric heater |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5618382A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4542650A (en) * | 1983-08-26 | 1985-09-24 | Innovus | Thermal mass flow meter |
| JPH079411B2 (ja) * | 1986-03-24 | 1995-02-01 | リコ−精器株式会社 | 雰囲気検出装置 |
-
1979
- 1979-07-25 JP JP9364179A patent/JPS5618382A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5618382A (en) | 1981-02-21 |
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