JPS61261316A - 半導体封止用樹脂 - Google Patents

半導体封止用樹脂

Info

Publication number
JPS61261316A
JPS61261316A JP60103045A JP10304585A JPS61261316A JP S61261316 A JPS61261316 A JP S61261316A JP 60103045 A JP60103045 A JP 60103045A JP 10304585 A JP10304585 A JP 10304585A JP S61261316 A JPS61261316 A JP S61261316A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
semiconductor
content
voids
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60103045A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Kitamura
北村　允宏
Hideo Suzuki
秀夫 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP60103045A priority Critical patent/JPS61261316A/ja
Publication of JPS61261316A publication Critical patent/JPS61261316A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明位半導体に用いられる封止材用樹脂の改良に関す
るものである。
〔従来の技術〕
半導体素子（ＴＲ３，ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等）は、
現在では、大半が樹脂封止されている。
特に、量産性が高く、高信頼の特性が維持できる材料、
すなわちエポキシ系成形材料によってトランスファ成形
方式で樹脂封止されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
最近、エポキシ系成形材料でトランスファモールドした
半導体製品に於いて、ボイドが多発し、当初の信頼性が
保持できないという問題が生じている。そこで、これら
ボイドの発生要因について種々検討したところ、次のよ
うな因子が挙げられた。すなわち、半導体素子をトラン
ス７アモールドする工程におけるの金型の温度、■トラ
ンスファ移送速度、■金型のランナ形状、■封止材料の
粘性、■使用タブレットの密度、■予熱温度、■封止材
料中の揮発成分等が考えられ、それら各項目について１
つ１つ検討ｔＸねたところ、最もＮ要な項目でかつ、今
まであまり気にしないでいた。特性である封止材料中の
揮発成分が非常にボイドの発生に大きく影響しているこ
とがわかった。
〔問題点を解決するための手段〕
そこで、更に詳細に検討１−？［ね、封止材料中の揮発
成分の含有量と製品（ＩＣを実験的にモールドした）の
ボイドとの関係ヲ調べたところ、図１に示すような相関
関係が見出された。すなわち、封止材料をトランスファ
成形するときの温度（１５０〜１９０℃）での揮発成分
の含有率が２％以上になると、モールド品（ＩＣ）中の
ボイド発生率が急激に増大する傾向にあることがわかっ
た。
従来のボイド低減対策は、金型の温度の均一化、バラツ
キ防止、ランナー形状の見直し、タブレット密度の見直
し等で検討を行なっていたが、不十分であった。
本発明は、封止材料本来の性質である有機物（エポキシ
樹脂、硬化剤、触媒、ｊＩｌ型剤、添加剤等）の低分子
成分に着目し、それらの封止（モールド）温度での揮発
量を測定し、また、それら封止材でモールドした製品（
ＩＣ）中のボイド（径１０〜５００μ）をカウントし、
その結果よル一定の相関関係があることを見出し、本発
明に至り九ものである。揮発成分の含有率がα２０　ｗ
ｔ％以下であれば製品の中のボイドが少なく、それ以上
になると急激に多くなることがわかった。しかし、この
変曲点の理由については、詳細は不明であシ現在調査中
である。
〔笑施例〕
表１に実験に用い九封止材料の組成及びそれらの素材基
とそれらの処理条件等を示した。表２にはそれらの封止
材料について封止温度（１７０℃）での揮発成分を測定
した結果を示す。
一方、１７０℃ノ成形温度で５４ＰｉｎＯＩＣ（ＦＰ型
）を成形し、その成形品の中のボイドを軟Ｘ線装置で数
えた。それらの結果を表２に示し九。
表１ 尚上記組成物を所定の割合で熱ロール（６ｉｎｃｈ）に
て混線し各突験用試料（実施例〉とした。
尚、揮発成分含有率の測定は、各試料（各実施例、比較
狗）を１０ｇシャーレ（８０ｐ）に秤量し、１７０℃で
加熱乾燥し、処理前後の重量変化で算出し次。また、製
品中のボイド発生率は、各実施例、比較例の試料で５４
ＰｉｎＦＰ型ＩＣをモールドしその後、そのＩＣについ
て軟Ｘ線でボイドを観察した。発生率は、５ＱＯ個につ
いて観察し、１０〜５００μのボイドをカウントして求
めた。
〔発明の効果〕
表２に示したように揮発成分の含有率がα２％以下のも
のは、製品中のボイド発生率が１％以下と少ないことが
わかった。一方揮発成分α２５％、α５０％のものは、
ボイド発生率が＆５〜１α０％と大きいことがわかった
。従って揮発成分をα２％以下にすることによって、ボ
イド発生率の少ない製品を得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
因１はボイド発生率と揮発成分含有率の関係揮発成勿含
角＊Ｃｗｔ％） 第１図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子を封止する半導体封止用樹脂において、
    封止温度での揮発成分の含有率が、０．２０ｗｔ％以下
    であることを特徴とする半導体封止用樹脂。 ２、揮発成分の含有率が、１５０〜１９０℃の温度のと
    き、０．２０ｗｔ％以下であることを特徴とする特許請
    求の範囲第１項記載の半導体封止用樹脂。 ３、半導体封止用樹脂がエポキシ系成形材料であること
    を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体封止用
    樹脂。
JP60103045A 1985-05-15 1985-05-15 半導体封止用樹脂 Pending JPS61261316A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103045A JPS61261316A (ja) 1985-05-15 1985-05-15 半導体封止用樹脂

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60103045A JPS61261316A (ja) 1985-05-15 1985-05-15 半導体封止用樹脂

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61261316A true JPS61261316A (ja) 1986-11-19

Family

ID=14343693

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60103045A Pending JPS61261316A (ja) 1985-05-15 1985-05-15 半導体封止用樹脂

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61261316A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0971000A1 (en) * 1997-03-25 2000-01-12 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173850A (ja) * 1982-04-02 1983-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173850A (ja) * 1982-04-02 1983-10-12 Nitto Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0971000A1 (en) * 1997-03-25 2000-01-12 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus
EP0971000A4 (en) * 1997-03-25 2000-07-19 Tokyo Electron Ltd ELECTRONIC / ELECTRICAL COMPONENTS FOR USE IN CLEANROOM AND DEVICE FOR TREATING SUBSTRATES
US6337365B1 (en) 1997-03-25 2002-01-08 Tokyo Electron Limited Electronic/electric components used in clean room and substrate treatment apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5681883A (en) Enhanced boron nitride composition and polymer based high thermal conductivity molding compound
JP2015025120A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JPS61261316A (ja) 半導体封止用樹脂
JP2006265370A (ja) 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JPH03116958A (ja) 半導体装置
JP2927817B2 (ja) 半導体装置
Wong et al. Alcohol modified RTV silicone encapsulation for integrated circuit device packaging
JP2703632B2 (ja) 光半導体装置およびそれに用いる光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
Tan et al. The study on the moldability and reliability of epoxy molding compound
JPH11233694A (ja) 高熱伝導樹脂封止型半導体装置
JPS62240313A (ja) 半導体封止用樹脂
JPS61261315A (ja) 半導体封止用樹脂
Peng et al. Effect of filler, toughening agent and coupling agent on the curing shrinkage of epoxy-based underfills
Duan et al. The Study on Warpage of Epoxy Molding Compound
JPH06209024A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造法
JPH0657744B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2501819B2 (ja) 半導体装置
JPS58197831A (ja) 樹脂封止方法
JPH09290420A (ja) エポキシ樹脂組成物タブレット及びその製造方法
JP3259958B2 (ja) 半導体装置の実装方法
Soriano et al. Expanded Usage Window of Molding Compound to Reduce Material Wastage in Manufacturing Line
JPS60224234A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS63209809A (ja) 半導体素子封止用成形材料の予備成形体
JPH03195722A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2000186214A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体装置