JPS61260515A - 高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタ - Google Patents
高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタInfo
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- JPS61260515A JPS61260515A JP10220785A JP10220785A JPS61260515A JP S61260515 A JPS61260515 A JP S61260515A JP 10220785 A JP10220785 A JP 10220785A JP 10220785 A JP10220785 A JP 10220785A JP S61260515 A JPS61260515 A JP S61260515A
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- thyristor
- semiconductor
- voltage
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H9/00—Details of switching devices, not covered by groups H01H1/00 - H01H7/00
- H01H9/54—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the switching device and for which no provision exists elsewhere
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本願発明は次に述べる問題点の解決を目的とする。
（産業上の利用分野） この発明は高圧負荷開閉器や遮
断器等（本件明細書中においては単に高圧負荷開閉器と
も呼ぶ）の消弧用として使用することができるようにし
た高電圧大電流両方向性のサイリスタに関するものであ
る。
断器等（本件明細書中においては単に高圧負荷開閉器と
も呼ぶ）の消弧用として使用することができるようにし
た高電圧大電流両方向性のサイリスタに関するものであ
る。
（従来の技術） 上記のような高圧負荷開閉器はその取
扱う電圧が極めて高電圧である為、そのような開閉器に
おいて従来周知のサイリスタを用いようとする場合には
、大容量のサイリスタを多数直列に接続して高耐圧とし
さらにこれらを逆並列に接続して使用せねばならぬ問題
が生ずる為、そのような問題の解決されたサイリスタの
提供が望まれている。
扱う電圧が極めて高電圧である為、そのような開閉器に
おいて従来周知のサイリスタを用いようとする場合には
、大容量のサイリスタを多数直列に接続して高耐圧とし
さらにこれらを逆並列に接続して使用せねばならぬ問題
が生ずる為、そのような問題の解決されたサイリスタの
提供が望まれている。
（発明が解決しようとする問題点） この発明は上記従
来の問題点を除くようにした−もので、上記のような高
圧負荷開閉器における消弧用として好通に用いることの
できる高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタを提供しよう
とするものである。
来の問題点を除くようにした−もので、上記のような高
圧負荷開閉器における消弧用として好通に用いることの
できる高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタを提供しよう
とするものである。
本願発明の構成は次の通りである。
（問題点を解決する為の手段） 本願発明は前記請求の
範囲記載の通りの手段を講じたものであってその作用は
次の通りである。
範囲記載の通りの手段を講じたものであってその作用は
次の通りである。
（作用） 多数の半導体板が多層状に重ねられている為
、遮断状態において高い耐圧を示す、一方、上記各半導
体板はＰＮＰＮ接合が逆並列の状態で備わっている為、
導通時には一対の電極のいずれがプラスでいずれがマイ
ナスになっても通電状態が達成される。
、遮断状態において高い耐圧を示す、一方、上記各半導
体板はＰＮＰＮ接合が逆並列の状態で備わっている為、
導通時には一対の電極のいずれがプラスでいずれがマイ
ナスになっても通電状態が達成される。
（実施例） 以下本願の実施例を示す図面について説明
する。第１図乃至第５図において、１． ２は一対の電
８ｉｉ（上部電極と下部電極）で、高圧負荷開閉器の固
定及び可動電橋への接続用の電極であり、熱伝導性のよ
い銅により形成され、特に下部電極は各接合部より発生
する熱を奪いとるように厚肉に形成しである。３は半導
体板、４は導体板で、上記一対の電極１．２の間に多層
状に介設しである。上記半導体板３は第４図に示される
ようにＮ形層５の表裏両面にＰ形層６を夫々備えさせて
ＰＮＰ接合となっている。上記半導体板３は次のように
形成される。即ち、不純物として微量のアンチモン（Ｓ
ｂ”）を加えたシリコーン（Ｓｉ）の単結晶からなるＮ
形半導体（電流容量および耐圧によって直径と厚みが決
定されるが本例では直径１１゜３ｆｌ、厚み０．３絹の
円板にカッティングされており、さらに中央にはトリガ
ー用の光を通過させるための後述の透孔が形成されてい
る。）に対して、次の工程においてその上下両面にガリ
ュウム（Ｇａ）が蒸着されてＰＮＰ接合が形成される。
する。第１図乃至第５図において、１． ２は一対の電
８ｉｉ（上部電極と下部電極）で、高圧負荷開閉器の固
定及び可動電橋への接続用の電極であり、熱伝導性のよ
い銅により形成され、特に下部電極は各接合部より発生
する熱を奪いとるように厚肉に形成しである。３は半導
体板、４は導体板で、上記一対の電極１．２の間に多層
状に介設しである。上記半導体板３は第４図に示される
ようにＮ形層５の表裏両面にＰ形層６を夫々備えさせて
ＰＮＰ接合となっている。上記半導体板３は次のように
形成される。即ち、不純物として微量のアンチモン（Ｓ
ｂ”）を加えたシリコーン（Ｓｉ）の単結晶からなるＮ
形半導体（電流容量および耐圧によって直径と厚みが決
定されるが本例では直径１１゜３ｆｌ、厚み０．３絹の
円板にカッティングされており、さらに中央にはトリガ
ー用の光を通過させるための後述の透孔が形成されてい
る。）に対して、次の工程においてその上下両面にガリ
ュウム（Ｇａ）が蒸着されてＰＮＰ接合が形成される。
つまり、Ｎ形半導体のウェハー（円板）をガリエウム（
Ｇａ）を含むガス中に１２００℃以上の高温で数十時間
放置してその上下両面にガリュウムを所定の深さまでし
み込ませる。（これ＆拡散すると云う、）なお、この場
合蒸着形成されるガリュウム（［；ａ）を第４の１図の
ごとく二つの範囲６ａ、６ｂに分離して形成してもよい
、導体板４はシリコーンと熱膨張係数が掻めて近いモリ
ブデン（Ｍｏ） またはタングステン（Ｗ）から形成さ
れ（本例では直径９．５鶴、厚み０．２ｆｌ程度の円板
形）、その中央には同じくトリガー用の光を通過させる
後述の透孔が形成されている。導体板４は第３図に示さ
れる如く上下両面の内一方の面には上記ＰＮＰ接合の半
導体［３のＰ形層６に対しオーミックに接触する金ｒＸ
７、例えば３価のアルミニニウム（Ａ１）と、同Ｐ形層
６に対し拡散してＮ形層を形成する５価の不純物８、例
えばアンチモン（ｓｂ）とを同面がほぼ１／２に区分さ
れるように分離して蒸着してあり、もう片方の面は上記
金属７と不純物８とに対しそれぞれ逆の位置関係になる
ようにアルミニュウム（ＡＩ） ７とアンチモン（Ｓ
ｂ） ８とが同じように分離して蒸着形成されている
。ただし、電極１，２に接する上下両端の導体板４につ
いては、一方の面つまり半導体板３に対向する側にのみ
オーミック接触用の金属（ＡＩ） ７とＮ形層形成用
の不純物（Ｓｂ） とを分離して蒸着形成しである０
次に９は上記一対の電極１．２と上記両端の導体板４と
を接続する為のろう材で、例えば銀が用いられる。
Ｇａ）を含むガス中に１２００℃以上の高温で数十時間
放置してその上下両面にガリュウムを所定の深さまでし
み込ませる。（これ＆拡散すると云う、）なお、この場
合蒸着形成されるガリュウム（［；ａ）を第４の１図の
ごとく二つの範囲６ａ、６ｂに分離して形成してもよい
、導体板４はシリコーンと熱膨張係数が掻めて近いモリ
ブデン（Ｍｏ） またはタングステン（Ｗ）から形成さ
れ（本例では直径９．５鶴、厚み０．２ｆｌ程度の円板
形）、その中央には同じくトリガー用の光を通過させる
後述の透孔が形成されている。導体板４は第３図に示さ
れる如く上下両面の内一方の面には上記ＰＮＰ接合の半
導体［３のＰ形層６に対しオーミックに接触する金ｒＸ
７、例えば３価のアルミニニウム（Ａ１）と、同Ｐ形層
６に対し拡散してＮ形層を形成する５価の不純物８、例
えばアンチモン（ｓｂ）とを同面がほぼ１／２に区分さ
れるように分離して蒸着してあり、もう片方の面は上記
金属７と不純物８とに対しそれぞれ逆の位置関係になる
ようにアルミニュウム（ＡＩ） ７とアンチモン（Ｓ
ｂ） ８とが同じように分離して蒸着形成されている
。ただし、電極１，２に接する上下両端の導体板４につ
いては、一方の面つまり半導体板３に対向する側にのみ
オーミック接触用の金属（ＡＩ） ７とＮ形層形成用
の不純物（Ｓｂ） とを分離して蒸着形成しである０
次に９は上記一対の電極１．２と上記両端の導体板４と
を接続する為のろう材で、例えば銀が用いられる。
１０はトリガー用の光を通す為の透孔を示し、第２図の
如く一方のｔ掻ｌ及び多数の半導体板３、導体板４に夫
々形成されている。これらの透孔ｌＯの直径はｔ掻１の
透孔ｌＯが最も大きくそのｔ掻から離れた位置にある半
導体板３及び導体板４はどその孔径を小さくして、電極
１に近い位置にある半導体板３に対しても又遠い位置に
ある半導体板３に対しても平均的にトリガー用の光が与
えられるようにしである。向上記透孔１０は単なる丸孔
形状でなく、丸孔の周囲から放射状に延びる溝を備えた
形状に形成しても良い、上記のような電極１゜２及び多
数の半導体板３、導体板４は多数枚（使用場所に応じた
所要の耐圧が得られる枚数で、その数は十数枚又はそれ
以上である）を第２図に示す如く半導体板３と導体板４
とが交互に位置するよう重ね合わせ、加熱炉内に入れて
加熱する。するとアンチモン（Ｓｂ） ８がＰ形層６
に拡散して第４番目のＮ形層を形成して新しくＰＮ接合
ができる一方、アルミニュウム（Ａｌ） ７はＰ形層
６に対しては単にオーミックに接触するだけのため、こ
の工程によりＰＮＰＮ接合と、ＰＮＰＮ接合の逆並列と
、またこれらがさらに多数直列に接続された状態とが同
時に出来上がる。なお、上記において４番目のＮ形層を
形成する場合に、５価の不純物８はアンチモン（Ｓｂ）
と金（Ａｕ）との合金の形をとってもよいし、さら
にアンチモン（Ｓｂ）にかわってシリコーン（Ｓ＋）や
シリコーン（Ｓ＋）と金（Ａｕ）の合金を使用してもよ
（、またＮ形層の形成手段についても、この分野におい
て一般によく用いられる拡散合金法や二重拡散法を使用
してもよい、１１゜１１・・・は放熱用の張出部で、前
記半導体板３の直径を導体板４の直径よりも大きくする
ことにより、半導体板３の周縁部を以って形成されてい
る。
如く一方のｔ掻ｌ及び多数の半導体板３、導体板４に夫
々形成されている。これらの透孔ｌＯの直径はｔ掻１の
透孔ｌＯが最も大きくそのｔ掻から離れた位置にある半
導体板３及び導体板４はどその孔径を小さくして、電極
１に近い位置にある半導体板３に対しても又遠い位置に
ある半導体板３に対しても平均的にトリガー用の光が与
えられるようにしである。向上記透孔１０は単なる丸孔
形状でなく、丸孔の周囲から放射状に延びる溝を備えた
形状に形成しても良い、上記のような電極１゜２及び多
数の半導体板３、導体板４は多数枚（使用場所に応じた
所要の耐圧が得られる枚数で、その数は十数枚又はそれ
以上である）を第２図に示す如く半導体板３と導体板４
とが交互に位置するよう重ね合わせ、加熱炉内に入れて
加熱する。するとアンチモン（Ｓｂ） ８がＰ形層６
に拡散して第４番目のＮ形層を形成して新しくＰＮ接合
ができる一方、アルミニュウム（Ａｌ） ７はＰ形層
６に対しては単にオーミックに接触するだけのため、こ
の工程によりＰＮＰＮ接合と、ＰＮＰＮ接合の逆並列と
、またこれらがさらに多数直列に接続された状態とが同
時に出来上がる。なお、上記において４番目のＮ形層を
形成する場合に、５価の不純物８はアンチモン（Ｓｂ）
と金（Ａｕ）との合金の形をとってもよいし、さら
にアンチモン（Ｓｂ）にかわってシリコーン（Ｓ＋）や
シリコーン（Ｓ＋）と金（Ａｕ）の合金を使用してもよ
（、またＮ形層の形成手段についても、この分野におい
て一般によく用いられる拡散合金法や二重拡散法を使用
してもよい、１１゜１１・・・は放熱用の張出部で、前
記半導体板３の直径を導体板４の直径よりも大きくする
ことにより、半導体板３の周縁部を以って形成されてい
る。
尚、この放熱用の張出部１１は第９図に示される如く導
体板４の直径を大きく形成することによってその導体板
４の周縁の一部をもって形成しても良いし、或いは第１
０図に示される如（導体板４の周囲にフィン状の張出部
２１を形成しそれをもって放熱用張出部としても良い、
又半導体板３に代えて導体板４の周囲にフィン状の張出
部を形成し、それをもって放熱用張出部としても良い、
更に又、半導体板３と導体板４の周囲の双方に鍔状の張
出部を備えさせておいても良い、一方、第１図又は第９
図の例の場合、半導体板３の周側面に第７図又は第８図
に夫々示される如く一段のベベリング又は二段のベベリ
ングを形成して、ＰＮ接合に対し逆耐圧が印加された時
の表面電界を弱めて耐圧の向上を図ると同時に、半導体
板３の周側面の表面積を大きくして放熱効果を高めるよ
うにしても良い、１２はアルミナ磁器よりなる絶縁性の
密閉容器であり、上記半導体板３と導体板４と上下両電
極１．２の一部を収納するようにしたもので、その両端
はガラス等の封着材１３によって上下部両電橿１，２に
封着されて同容器の気密が保持されている。なお封着時
、絶縁容器１２内には耐湿性、耐圧特性の向上を目的と
して窒素ガスやシリコーンオイルが注入される。１４は
上部電極ｌに形成した透孔ｌＯに対し装着した点弧用の
光ファイバーであり、同ファイバー１４を経由して侵入
した光が各半導体板３の受光部（ｉ３孔１０の近傍を云
う）に供給されてサイリスタがＯＮ（トリガー）するよ
うになっている、尚１５はガラス等の封着材、１６は絶
縁材料製のカバーを夫々示す。
体板４の直径を大きく形成することによってその導体板
４の周縁の一部をもって形成しても良いし、或いは第１
０図に示される如（導体板４の周囲にフィン状の張出部
２１を形成しそれをもって放熱用張出部としても良い、
又半導体板３に代えて導体板４の周囲にフィン状の張出
部を形成し、それをもって放熱用張出部としても良い、
更に又、半導体板３と導体板４の周囲の双方に鍔状の張
出部を備えさせておいても良い、一方、第１図又は第９
図の例の場合、半導体板３の周側面に第７図又は第８図
に夫々示される如く一段のベベリング又は二段のベベリ
ングを形成して、ＰＮ接合に対し逆耐圧が印加された時
の表面電界を弱めて耐圧の向上を図ると同時に、半導体
板３の周側面の表面積を大きくして放熱効果を高めるよ
うにしても良い、１２はアルミナ磁器よりなる絶縁性の
密閉容器であり、上記半導体板３と導体板４と上下両電
極１．２の一部を収納するようにしたもので、その両端
はガラス等の封着材１３によって上下部両電橿１，２に
封着されて同容器の気密が保持されている。なお封着時
、絶縁容器１２内には耐湿性、耐圧特性の向上を目的と
して窒素ガスやシリコーンオイルが注入される。１４は
上部電極ｌに形成した透孔ｌＯに対し装着した点弧用の
光ファイバーであり、同ファイバー１４を経由して侵入
した光が各半導体板３の受光部（ｉ３孔１０の近傍を云
う）に供給されてサイリスタがＯＮ（トリガー）するよ
うになっている、尚１５はガラス等の封着材、１６は絶
縁材料製のカバーを夫々示す。
上記構成のサイリスタにあっては、一対の電極１．２間
に電圧が印加された状態においてファイバー１４を通し
てトリガー用の光が透孔１０に送り込まれると、各半導
体板３におけるＰＮＰＮ接合が夫々トリガーされて導通
状態となる。この場合、各半導体板３においては、その
一部が一方の面から他方の面に向けてＰＮＰＮ接合とな
っており他の部分はそれとは反対の方向にＰＮＰＮ接合
となっている為、上記一対の電極１．２の間に加わる電
圧は何れがプラスで何れがマイナスであってもそれらの
′ｇＬｉ１．２間において導通状態を得ることができる
。この導通状態において各半導体板３から生ずる熱は夫
々電極１．２の側へ伝わって放熱されるは勿論のこと、
各半導体板３又は導体板４を半径方向に伝わって、放熱
用張出部１１から速やかにかつ効率良く放熱される。こ
のように放熱が良好に行なわれることによって、サイリ
スタの電流容量の増大と、ターンオフ特性の安定化と、
更には耐電圧特性の向上を図ることができる。向上記サ
イリスタの特性の一例を示せば、通を電流１０００ Ａ
、耐圧２０ＫＶ、通電サイクルはｌサイクル以上通電可
能の特性を有する。
に電圧が印加された状態においてファイバー１４を通し
てトリガー用の光が透孔１０に送り込まれると、各半導
体板３におけるＰＮＰＮ接合が夫々トリガーされて導通
状態となる。この場合、各半導体板３においては、その
一部が一方の面から他方の面に向けてＰＮＰＮ接合とな
っており他の部分はそれとは反対の方向にＰＮＰＮ接合
となっている為、上記一対の電極１．２の間に加わる電
圧は何れがプラスで何れがマイナスであってもそれらの
′ｇＬｉ１．２間において導通状態を得ることができる
。この導通状態において各半導体板３から生ずる熱は夫
々電極１．２の側へ伝わって放熱されるは勿論のこと、
各半導体板３又は導体板４を半径方向に伝わって、放熱
用張出部１１から速やかにかつ効率良く放熱される。こ
のように放熱が良好に行なわれることによって、サイリ
スタの電流容量の増大と、ターンオフ特性の安定化と、
更には耐電圧特性の向上を図ることができる。向上記サ
イリスタの特性の一例を示せば、通を電流１０００ Ａ
、耐圧２０ＫＶ、通電サイクルはｌサイクル以上通電可
能の特性を有する。
次に上記構成のサイリスタＴは第６図に示される如く高
圧負荷開閉器２４における固定電橋２５とそれに接離す
る可動電極２６との間に並列に接続して使用される。尚
第６図において２７は電源側端子、２８は負荷側端子、
２９は高圧電源、３０は負荷を夫々示す。
圧負荷開閉器２４における固定電橋２５とそれに接離す
る可動電極２６との間に並列に接続して使用される。尚
第６図において２７は電源側端子、２８は負荷側端子、
２９は高圧電源、３０は負荷を夫々示す。
このような構成のものにあっては、開閉器２４における
可動接点２６が固定接点２５から離反する時そこにアー
クが生ずると、そのアークは光ファイバー１４を通して
サイリスタＴに前述の如く与えられる。
可動接点２６が固定接点２５から離反する時そこにアー
クが生ずると、そのアークは光ファイバー１４を通して
サイリスタＴに前述の如く与えられる。
するとサイリスタＴは前述の如く導通状態となり、端子
２７．２８間の電流はサイリスタＴに移行して固定電橋
２５及び可動電極２６の間が無電圧となり、上記アーク
が消滅させられる。その後を源の位相がＯ″又は１８０
”（電圧が０）となる、とサイリスタは遮断状態となり
、１ｉｆ＃から負荷への通電が断たれる。
２７．２８間の電流はサイリスタＴに移行して固定電橋
２５及び可動電極２６の間が無電圧となり、上記アーク
が消滅させられる。その後を源の位相がＯ″又は１８０
”（電圧が０）となる、とサイリスタは遮断状態となり
、１ｉｆ＃から負荷への通電が断たれる。
次に第１１図は上記半導体板の異なる例を示すものであ
る０図において３１はＰ形層、３２はその表裏両面に備
えられたＮ形層を夫々示す。上記のような構成の半導体
板３は例えば次のようにして形成される。先ずシリコン
にガリウム或いは硼素を添加してＰ形半導体とする０次
にその表裏両面に夫々リン或いはアンチモンを拡散させ
て（Ｎ形層の形成’）ＮＰＮ接合を形成することによっ
て上記半導体板３が形成される。このような半導体板は
前記第２図に示された半導体板３に代えて用いることが
できる。この場合、導体板４と重ね合わせて加熱し一体
に接合した場合、３価の金属７と接する箇所においては
上記金属７がＮ形層３２に拡散してＰ形層が形成される
ことによりＰＮＰＮ接合が形成され、一方５価の不純物
８と接する箇所はオーミンクな接合が形成される。
る０図において３１はＰ形層、３２はその表裏両面に備
えられたＮ形層を夫々示す。上記のような構成の半導体
板３は例えば次のようにして形成される。先ずシリコン
にガリウム或いは硼素を添加してＰ形半導体とする０次
にその表裏両面に夫々リン或いはアンチモンを拡散させ
て（Ｎ形層の形成’）ＮＰＮ接合を形成することによっ
て上記半導体板３が形成される。このような半導体板は
前記第２図に示された半導体板３に代えて用いることが
できる。この場合、導体板４と重ね合わせて加熱し一体
に接合した場合、３価の金属７と接する箇所においては
上記金属７がＮ形層３２に拡散してＰ形層が形成される
ことによりＰＮＰＮ接合が形成され、一方５価の不純物
８と接する箇所はオーミンクな接合が形成される。
次に第１２図は上記サイリスタの使用方法の異なる例を
示すもので、サイリスタＴを導通させる為に、光を利用
せずパルス信号を加えてその導通を行なわせるようにし
た例を示すものである。サイリスタＴと直列にアーク抵
抗に比して小なるインピーダンスを有するコイル３４を
接続し、この直列回路を開閉器２４の両接点２５．２６
と並列に接続しておく、開閉器の両接点の開離時におい
て生ずるアークは検出器３５により検出し、この検出信
号をパルス発生器３６に与え、さらに発生したパルス電
圧をコイル３７に供給し、さらに同コイル３７に対して
電磁気的結合をなした前記コイル３４を介して前記パル
ス電圧をサイリスタＴに印加して点弧する。
示すもので、サイリスタＴを導通させる為に、光を利用
せずパルス信号を加えてその導通を行なわせるようにし
た例を示すものである。サイリスタＴと直列にアーク抵
抗に比して小なるインピーダンスを有するコイル３４を
接続し、この直列回路を開閉器２４の両接点２５．２６
と並列に接続しておく、開閉器の両接点の開離時におい
て生ずるアークは検出器３５により検出し、この検出信
号をパルス発生器３６に与え、さらに発生したパルス電
圧をコイル３７に供給し、さらに同コイル３７に対して
電磁気的結合をなした前記コイル３４を介して前記パル
ス電圧をサイリスタＴに印加して点弧する。
このようにすることにより、サイリスタＴはブレークオ
ーバ電圧以上のパルス電圧を受けて点弧し、電ｆ１２９
から負荷３０に向かう１１流は両接点２５．２６の開閉
動作に同期して同接点からサイリスタへ移行し、アーク
は消弧される。尚このような方法で使用するサイリスタ
にあっては、前記トリガー用の光を通す為の透孔や光フ
ァイバーは不要である。
ーバ電圧以上のパルス電圧を受けて点弧し、電ｆ１２９
から負荷３０に向かう１１流は両接点２５．２６の開閉
動作に同期して同接点からサイリスタへ移行し、アーク
は消弧される。尚このような方法で使用するサイリスタ
にあっては、前記トリガー用の光を通す為の透孔や光フ
ァイバーは不要である。
（発明の効果） 以上のように本発明にあっては、線路
の電圧に耐え得る耐電圧を得るに充分な数の半導体板３
が積み重ねであるから高耐圧を得ることができ、また各
半導体板３においては一方の面から他方の面へ向けての
ＰＮＰＮ接合とその反対方向に向けてのＰＮＰＮ接合と
が並んでいるから（即ち逆並列となっているから）、一
対の電極１゜２のいずれがプラス、他がマイナスとなっ
ても導通状態を得ることができ、交流の高圧負荷開閉器
の消弧用として適切に使用できる特長がある。
の電圧に耐え得る耐電圧を得るに充分な数の半導体板３
が積み重ねであるから高耐圧を得ることができ、また各
半導体板３においては一方の面から他方の面へ向けての
ＰＮＰＮ接合とその反対方向に向けてのＰＮＰＮ接合と
が並んでいるから（即ち逆並列となっているから）、一
対の電極１゜２のいずれがプラス、他がマイナスとなっ
ても導通状態を得ることができ、交流の高圧負荷開閉器
の消弧用として適切に使用できる特長がある。
しかも上記のごとく多数枚の半導体板３及び導体板４が
積層されたものであっても、導通状態において各半導体
板３が発熱した場合には、各々において生ずる熱を夫々
個別に外周方向に向は導いて、放熱用張出部１１から速
やかに放熱することができ、温度上昇を低く押え得る効
果がある。このことはサイリスタの通電可能な点弧容量
を大きくできると同時に、サイリスタのターンオフ特性
を安定化させられる利点がある。
積層されたものであっても、導通状態において各半導体
板３が発熱した場合には、各々において生ずる熱を夫々
個別に外周方向に向は導いて、放熱用張出部１１から速
やかに放熱することができ、温度上昇を低く押え得る効
果がある。このことはサイリスタの通電可能な点弧容量
を大きくできると同時に、サイリスタのターンオフ特性
を安定化させられる利点がある。
図面は本願の実施例を示すもので、第１図はサイリスタ
の縦断面図、第２図はサイリスタの分解正面図、第３の
１図は導体板の平面図、第３の２図はｍ−ｍ線断面図、
第４の１図は半導体板の平面図、第４の２図は半導体板
の正面図、第５図は半導体板と導体板の接合状態を示す
部分拡大図、第６図はサイリスタの使用状態を示す回路
図、第７図及び第８図は半導体板の周側面の形状の異な
る例を示す部分拡大図、第９図及び第１Ｏ図は放熱用張
出部の異なる構成例を示す部分図、第１１図は半導体板
の異なる例を示す拡大図、第１２図はサイリスタの使用
方法の異なる例を示す回路図。 １．２・・・電極、３・・・半導体板、４・・・導体板
、１１・・・放熱用張出部。 第１図 第９図 第１Ｏ図 第２図 １り 第４Ｊｊ１図 、３゜１つ
暑 第４ｔｐＩＺ図 １３Ｊｚ
図第５図
の縦断面図、第２図はサイリスタの分解正面図、第３の
１図は導体板の平面図、第３の２図はｍ−ｍ線断面図、
第４の１図は半導体板の平面図、第４の２図は半導体板
の正面図、第５図は半導体板と導体板の接合状態を示す
部分拡大図、第６図はサイリスタの使用状態を示す回路
図、第７図及び第８図は半導体板の周側面の形状の異な
る例を示す部分拡大図、第９図及び第１Ｏ図は放熱用張
出部の異なる構成例を示す部分図、第１１図は半導体板
の異なる例を示す拡大図、第１２図はサイリスタの使用
方法の異なる例を示す回路図。 １．２・・・電極、３・・・半導体板、４・・・導体板
、１１・・・放熱用張出部。 第１図 第９図 第１Ｏ図 第２図 １り 第４Ｊｊ１図 、３゜１つ
暑 第４ｔｐＩＺ図 １３Ｊｚ
図第５図
Claims (1)
- 高圧線路用の高圧負荷開閉器における固定電極と可動電
極との間に接続して、両電極間で生ずるアークを消弧す
るようにした高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタにおい
て、上記サイリスタは、上記固定電極と可動電極への接
続用の一対の電極の間に、線路の電圧に耐え得る耐電圧
を得るに充分な数の多数の半導体板と導体板とを交互に
かつ積層状に介設させて構成されていると共に、相互に
対向する半導体板と導体板とは相互に電気的に導通状態
となっており、しかも上記各々の半導体板においては、
その一部が一方の面から他方の面に向けてＰＮＰＮ接合
となっていると共に、他の部分はそれとは反対の方向に
ＰＮＰＮ接合となっており、更に、上記多数の半導体板
又は導体板又はその両者の外周には、多数の放熱用張出
部が相互に間隔を隔てて備えられていることを特徴とす
る高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220785A JPS61260515A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10220785A JPS61260515A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61260515A true JPS61260515A (ja) | 1986-11-18 |
| JPH051571B2 JPH051571B2 (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=14321217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10220785A Granted JPS61260515A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 高圧負荷開閉器の消弧用サイリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61260515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382160A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342108A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sintered alloy superior in wear resistance |
| JPS55124254A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-25 | Siemens Ag | Thyristor stack |
| JPS58500876A (ja) * | 1981-04-16 | 1983-05-26 | スクエア−デイ−カンパニ− | ソリツド・ステ−ト消弧素子 |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP10220785A patent/JPS61260515A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5342108A (en) * | 1976-09-29 | 1978-04-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sintered alloy superior in wear resistance |
| JPS55124254A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-25 | Siemens Ag | Thyristor stack |
| JPS58500876A (ja) * | 1981-04-16 | 1983-05-26 | スクエア−デイ−カンパニ− | ソリツド・ステ−ト消弧素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0382160A (ja) * | 1989-08-25 | 1991-04-08 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH051571B2 (ja) | 1993-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |