JPS61259577A - 放射線検出装置 - Google Patents
放射線検出装置Info
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- JPS61259577A JPS61259577A JP60100422A JP10042285A JPS61259577A JP S61259577 A JPS61259577 A JP S61259577A JP 60100422 A JP60100422 A JP 60100422A JP 10042285 A JP10042285 A JP 10042285A JP S61259577 A JPS61259577 A JP S61259577A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
- H01L31/117—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation of the bulk effect radiation detector type, e.g. Ge-Li compensated PIN gamma-ray detectors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02322—Optical elements or arrangements associated with the device comprising luminescent members, e.g. fluorescent sheets upon the device
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、放射線検出装置ζこ関する。
本発明に関する従来の技術例を第２図に示す。
１はＷコリメータ、２はＡＩＪ電極、３はｎ −８ｔ１
４はＡｕ”！’ｆｆ１．５はＮａＩ（Ｔｆｆｌ）シンチ
レータ、６は電流増巾器をそれぞれ示している。これら
の放射線検出装置を、Ｘ線に対して直角方向に多段構成
としたものが、多チヤンネル放射線検出装置であるが、
主ｌＣＸ線ＣＴ（コンピュータ、トモグラフィ）装置へ
適用されるものである。これは、半導体検出装置で直接
的ｔこＸ線全検出するだけでなく、半導体検出装置を通
過したＸ線をさらに利用してＮａＩ（ＴＡ’）シンチレ
ータ５を発光させ、この光（図中、点線の矢印）全再度
半導体検出装置で受光して感度の増加金はかっている。
４はＡｕ”！’ｆｆ１．５はＮａＩ（Ｔｆｆｌ）シンチ
レータ、６は電流増巾器をそれぞれ示している。これら
の放射線検出装置を、Ｘ線に対して直角方向に多段構成
としたものが、多チヤンネル放射線検出装置であるが、
主ｌＣＸ線ＣＴ（コンピュータ、トモグラフィ）装置へ
適用されるものである。これは、半導体検出装置で直接
的ｔこＸ線全検出するだけでなく、半導体検出装置を通
過したＸ線をさらに利用してＮａＩ（ＴＡ’）シンチレ
ータ５を発光させ、この光（図中、点線の矢印）全再度
半導体検出装置で受光して感度の増加金はかっている。
従って、この半導体検出装置はＸ線検出および光検出と
いう二つの役割を有している。
いう二つの役割を有している。
この半導体検出器の問題点は次の点である。即ち、光に
対する有感部分である空乏層はＡｕ電極側のみに形成さ
れており、ＡＪ電極側へ入射する光に対してはほとんど
感度がなく、光の利用効率が低い点である。
対する有感部分である空乏層はＡｕ電極側のみに形成さ
れており、ＡＪ電極側へ入射する光に対してはほとんど
感度がなく、光の利用効率が低い点である。
次に第３図は、上記した問題点を改善した半導体検出装
置の１例を示したものである（′Ｖｊ開昭５８−１１８
１６３）。７はＷコリメータ、８はＡｕ電極、９はｎ−
８ｔ１１０はＡＩ電極、１１は０＋ａ−８ｔ：Ｈ（ｎ形
アモルファスシリコン層）１２は１２は１ａ−８ｉ：Ｈ
（ノンドープアモルファスシリン鳴）、１３はＡ ｕ
Ｍｆ、他、１４はＮａＩ（’１”Ａ）シンチレータ、１
５は醒流増巾器全それぞれ示している。こ（ト）構造に
おいて、Ｘ綴金ｎ−８ｉ９で検出し且つＡｕｇ極８の下
側に形成される空乏層によりＮａＩ（ＴＡ）シンチレー
タ１４からの光（図中点線矢印）を受光する点は第２図
に示した従来例と同様である。しかしながら、Ａｌ電極
１０上に堆積されているアモルファスシリコン層はショ
ットキ型アモルファス光検出素子として動作し、ＮａＩ
（Ｔｌ）シンチレータからの光をさらに検出することが
できるために、第２図に示した半導体検出装置をしのぐ
感度特性を有する。
置の１例を示したものである（′Ｖｊ開昭５８−１１８
１６３）。７はＷコリメータ、８はＡｕ電極、９はｎ−
８ｔ１１０はＡＩ電極、１１は０＋ａ−８ｔ：Ｈ（ｎ形
アモルファスシリコン層）１２は１２は１ａ−８ｉ：Ｈ
（ノンドープアモルファスシリン鳴）、１３はＡ ｕ
Ｍｆ、他、１４はＮａＩ（’１”Ａ）シンチレータ、１
５は醒流増巾器全それぞれ示している。こ（ト）構造に
おいて、Ｘ綴金ｎ−８ｉ９で検出し且つＡｕｇ極８の下
側に形成される空乏層によりＮａＩ（ＴＡ）シンチレー
タ１４からの光（図中点線矢印）を受光する点は第２図
に示した従来例と同様である。しかしながら、Ａｌ電極
１０上に堆積されているアモルファスシリコン層はショ
ットキ型アモルファス光検出素子として動作し、ＮａＩ
（Ｔｌ）シンチレータからの光をさらに検出することが
できるために、第２図に示した半導体検出装置をしのぐ
感度特性を有する。
しかし、この半導体検出装置においても次のような問題
点がある。Ｎａ Ｉ （’ｒｚ ）シンチレータはＸ＠
全受けて発光するが１発光ピークは４１０ｎｍ付近ｌこ
あり、この波長での発光強度を１００係とすると、波長
５０Ｑｎｍにおける発光強度はその３０〜４０チ程度と
がる。上記のショットキ型アモルファス光検出素子の光
に対する感度は、５００〜６００ｎｍの波長にピークを
持っている。従って、前記シンチレータ発光の５００ｎ
ｍ以上の光を十分利用できる特性となっている。しかし
、これに対してｎ−８ｉに形成されているＡｕ＆極にょ
る空乏層での光に対する感度は、一般に７００〜８００
ｎｍ付近の波長にそのピークが存在し％７００ｎｍ以下
の波長になると感度が大きく低下する傾向にあシ。
点がある。Ｎａ Ｉ （’ｒｚ ）シンチレータはＸ＠
全受けて発光するが１発光ピークは４１０ｎｍ付近ｌこ
あり、この波長での発光強度を１００係とすると、波長
５０Ｑｎｍにおける発光強度はその３０〜４０チ程度と
がる。上記のショットキ型アモルファス光検出素子の光
に対する感度は、５００〜６００ｎｍの波長にピークを
持っている。従って、前記シンチレータ発光の５００ｎ
ｍ以上の光を十分利用できる特性となっている。しかし
、これに対してｎ−８ｉに形成されているＡｕ＆極にょ
る空乏層での光に対する感度は、一般に７００〜８００
ｎｍ付近の波長にそのピークが存在し％７００ｎｍ以下
の波長になると感度が大きく低下する傾向にあシ。
５００ｎｍ付近での感度は非常に小さいことが判ってい
る。このために、前記シンチレータ発光による光の利用
度は非常に小さい。また、上記検出装置ｌご用いている
ｎ−８１は、高価であり且っ大口径の結晶全作製できな
いという問題があり、必然的に前記装置は小さくなって
しまう。
る。このために、前記シンチレータ発光による光の利用
度は非常に小さい。また、上記検出装置ｌご用いている
ｎ−８１は、高価であり且っ大口径の結晶全作製できな
いという問題があり、必然的に前記装置は小さくなって
しまう。
本発明の目的は、蛍光物質と組合せて使用した場合に非
常に高い感度を有し、また所望の大きさの半導体検出装
置全安価に提供することである。
常に高い感度を有し、また所望の大きさの半導体検出装
置全安価に提供することである。
本発明は、蛍光物質を両面に備えた放射線を透過する金
属性基板の蛍光物質上に透光性導電層金儲え、この透光
１生導電１曽の上にアモルファス半導体［Δを堆積せし
めた構成ζこより、放射線を検出する放射線検出装置全
得ることにある。
属性基板の蛍光物質上に透光性導電層金儲え、この透光
１生導電１曽の上にアモルファス半導体［Δを堆積せし
めた構成ζこより、放射線を検出する放射線検出装置全
得ることにある。
本発明によれば、即ち透光性導電層、アモルファス半導
体層および導電性金棟１層から成るアモルファス半導体
検出装置で、直接的に放射線を検出するだけでなく、放
射線を透過する金属性基板両面に備えられた蛍光物質を
放射線で発光させて。
体層および導電性金棟１層から成るアモルファス半導体
検出装置で、直接的に放射線を検出するだけでなく、放
射線を透過する金属性基板両面に備えられた蛍光物質を
放射線で発光させて。
この光（図中点心矢印）の大部分をアモルファス半導体
検出装置で受光し感度の増大をはかフ、さらにアモルフ
ァス半導体層を通過した光音導電性金属１司で反射させ
光を再利用できるため、蛍光物質発光による光を無駄な
く利用し得るため感度の増大をはかれる。従って、放射
線の直接検出ど光に変換した関接険出との相互功果によ
り、非常にすぐれた放射線検出感度全有する放射線検出
装置を提供できる。
検出装置で受光し感度の増大をはかフ、さらにアモルフ
ァス半導体層を通過した光音導電性金属１司で反射させ
光を再利用できるため、蛍光物質発光による光を無駄な
く利用し得るため感度の増大をはかれる。従って、放射
線の直接検出ど光に変換した関接険出との相互功果によ
り、非常にすぐれた放射線検出感度全有する放射線検出
装置を提供できる。
また、アモルファス半導体層は非常に薄くてすみ、はつ
プラズマ反応を利用して作製するために基板の大きさ、
形状の選択性に富んでいる。さらに基板として金属性基
板、例えばＡｌ１専の安価な材料を用いることができる
ために、比較的容易に安価な放射線検出装置を提供でき
る。
プラズマ反応を利用して作製するために基板の大きさ、
形状の選択性に富んでいる。さらに基板として金属性基
板、例えばＡｌ１専の安価な材料を用いることができる
ために、比較的容易に安価な放射線検出装置を提供でき
る。
本発明の実施例を第１図に示す。１６．２８はＡＩから
なる導電性金属層、１７．２７はＰａ−８Ｉ ：Ｈ（Ｐ
形アモルファスシリコン層）、１８゜２６は１ａ−８ｉ
：Ｈ（ノンドープアモルファスシリコン層）、１９．２
５はｎａ−８ｉ：Ｈ（ｎ形アモルファスシリコン層）、
２０．２４はＩＴＯからなる透光性導電層、２１．２３
はＣｓＩからなる蛍光物質、２２はＡＩからなる金属性
基板、２９゜３０はＷから々るフリメータ、３）は電流
増巾器をそれぞれ示している。
なる導電性金属層、１７．２７はＰａ−８Ｉ ：Ｈ（Ｐ
形アモルファスシリコン層）、１８゜２６は１ａ−８ｉ
：Ｈ（ノンドープアモルファスシリコン層）、１９．２
５はｎａ−８ｉ：Ｈ（ｎ形アモルファスシリコン層）、
２０．２４はＩＴＯからなる透光性導電層、２１．２３
はＣｓＩからなる蛍光物質、２２はＡＩからなる金属性
基板、２９゜３０はＷから々るフリメータ、３）は電流
増巾器をそれぞれ示している。
詳述すると、Ｘ線検出部はＸＢ入射１［］Ｉｌからみて
Ａ ｌ／ ｐ−１−ｎ （ａ−８ｉ ：Ｈ）／ＩＴＯ／
ＣｓＩ／Ａｌ基板／ＣｓＩ／ＩＴＯ／ｎ−トｐ（ａ−８
Ｉ ：Ｈ）／Ａｌ構造となっており、蛍光物質２１．２
３上のＩＴＯ２０，２４を介して並列接続の構成となっ
ている。
Ａ ｌ／ ｐ−１−ｎ （ａ−８ｉ ：Ｈ）／ＩＴＯ／
ＣｓＩ／Ａｌ基板／ＣｓＩ／ＩＴＯ／ｎ−トｐ（ａ−８
Ｉ ：Ｈ）／Ａｌ構造となっており、蛍光物質２１．２
３上のＩＴＯ２０，２４を介して並列接続の構成となっ
ている。
蛍光物質２１．２３およびＩＴＯ２０，２４は真空蒸着
によって形成する。ｐ −１−ｎ（ａ−８ｉ：Ｈ）はＳ
１’ＨＬガス等のグロー放電分解を用いたプラズマＣ
ＶＤ法によって堆積する。Ａ１１６゜２８は真空蒸着で
形成する。
によって形成する。ｐ −１−ｎ（ａ−８ｉ：Ｈ）はＳ
１’ＨＬガス等のグロー放電分解を用いたプラズマＣ
ＶＤ法によって堆積する。Ａ１１６゜２８は真空蒸着で
形成する。
膜厚はＧ々１００Ａ以上、１００ＯＡ以上、１００八以
上としているが、１ａ−８ｉ：Ｈに限ってはＸ線の検出
部と蛍光物質発光による光の検出部を考慮して膜厚を決
足す２１．ば良い。同様に蛍光物質の厚さは％Ｘ線はＸ
線入射側のＣｓＩ２１に発光させたのち透過し、さらに
ｈｉ基板も透過してＣｓＩ２３を発光させる必要があり
、そのためｌこはＸ線入射ＩＨＱ （／Ｊ Ｃｓ Ｉ
２１は、Ｘ線がＣｓＩ２３？：十分発光させることがで
きる厚さ表する必要がある。このことを考慮するとＸ線
入射間のＣｓＩは薄くすれば良いが、１ａ−８ｉ：Ｈ膜
厚と同様にＸ線による発光強度を考慮して膜厚を決定す
れば良い。
上としているが、１ａ−８ｉ：Ｈに限ってはＸ線の検出
部と蛍光物質発光による光の検出部を考慮して膜厚を決
足す２１．ば良い。同様に蛍光物質の厚さは％Ｘ線はＸ
線入射側のＣｓＩ２１に発光させたのち透過し、さらに
ｈｉ基板も透過してＣｓＩ２３を発光させる必要があり
、そのためｌこはＸ線入射ＩＨＱ （／Ｊ Ｃｓ Ｉ
２１は、Ｘ線がＣｓＩ２３？：十分発光させることがで
きる厚さ表する必要がある。このことを考慮するとＸ線
入射間のＣｓＩは薄くすれば良いが、１ａ−８ｉ：Ｈ膜
厚と同様にＸ線による発光強度を考慮して膜厚を決定す
れば良い。
本実施例によれば、Ｘ線は最初アモルファス半導体検出
装置ａ’ｌこ入射しＸ、ｌが検出される。次いで前記検
出装置を通過したＸ線はＣｓＩ２１に入射しＣ５Ｉｉ発
光させ、ＣｓＩ発光による光は図中点線矢印のように進
みその大部分は前記検出装置に入射して光の検出が行な
われ、また一部の光はＷコリメータで反射（図中点線矢
印）して前記検出装置に入射し光が検出され、さ□らに
これらの光はＡｌ１６で反射し再度光の検出が行なわれ
る、という光の増感作用を含んだ光検出プロセスをとる
。またＣ３Ｉ２１に入射したＸ線、はＡへ芦板２２を通
過しＣｓＩ２３に入射して発光させＪ”Ｃｓ Ｉ発光に
：よる光は図中点線矢印のように１１蕃？レファス半導
体。
装置ａ’ｌこ入射しＸ、ｌが検出される。次いで前記検
出装置を通過したＸ線はＣｓＩ２１に入射しＣ５Ｉｉ発
光させ、ＣｓＩ発光による光は図中点線矢印のように進
みその大部分は前記検出装置に入射して光の検出が行な
われ、また一部の光はＷコリメータで反射（図中点線矢
印）して前記検出装置に入射し光が検出され、さ□らに
これらの光はＡｌ１６で反射し再度光の検出が行なわれ
る、という光の増感作用を含んだ光検出プロセスをとる
。またＣ３Ｉ２１に入射したＸ線、はＡへ芦板２２を通
過しＣｓＩ２３に入射して発光させＪ”Ｃｓ Ｉ発光に
：よる光は図中点線矢印のように１１蕃？レファス半導
体。
検出装置ｂｌこ入射し、前記と兜、帆な光検出プロゼ′
スをとり、さらにＣｓＩ２３を、通’％したＸ線は前記
゛□検出装置で検出される。以上”′のよ：□′：うな
Ｘ＠検出乞ロセスのために、従来例に比べて蛍光物質発
光１．こよる光の利用効率が大幅に向上するだけでなく
。
スをとり、さらにＣｓＩ２３を、通’％したＸ線は前記
゛□検出装置で検出される。以上”′のよ：□′：うな
Ｘ＠検出乞ロセスのために、従来例に比べて蛍光物質発
光１．こよる光の利用効率が大幅に向上するだけでなく
。
ＣｓＩ発光ピークは５００ ｎｍ付近に存在し、アモル
ファス半導体検出装置の感度ピークとうまく合致すると
いう特長も兼ね備えているため、より高い検出感度特性
を持つ、放射線検出装置を提供できる。また、プラズマ
ＣＶＤ法を用いてアモルファス半導体を堆積するために
、基板の大きさ。
ファス半導体検出装置の感度ピークとうまく合致すると
いう特長も兼ね備えているため、より高い検出感度特性
を持つ、放射線検出装置を提供できる。また、プラズマ
ＣＶＤ法を用いてアモルファス半導体を堆積するために
、基板の大きさ。
形状等の選択性に富むという利点も持っている。
以上、本実施例によれば従来の半導体放射線検出装置を
しのぐ感度特性を有する放射線検出装置を提供できる。
しのぐ感度特性を有する放射線検出装置を提供できる。
尚１本発明は本実施例に限定されるものではな、７．い
。本実施例においては、放射線検出装置構造とどｉして
ｐｉＯ構造を用いているがＩｌｌ”構造あるいは：、、
ｌｊ） ｐ ｉ 、 ｎ ｉ構造としても良く、ま″た
これら谷構造を、、、、、：、、多段に積層させたタン
デム型構造（例えばｐｉ口霞→１ｎ−ｎｉｐｎｉｐ ）
あるいはこれら各構造の組合せ（例、” えばｐｉｎ−
“ｉ）とし１も良い・さらにＸ線入射−、、側からみて
、本実施例ではｐｉｎ−ｎｉｐ としてい、るが、ｎ
１ｐ−ｐｉｎ、ｐｉｎ−ｐｉｎ、ｎ１ｐ−ｎｉｐという
ような構造をとっても杏発明は有効であり、ｐｎ構造、
ｐｉ、ｎｉ溝構造鴨合においても同様である。また放射
線検出装置がアモルファス半導体と微結晶半導体の組合
せから構成されていても本発明を適用できる。さらに１
ａ−８ｉ：Ｈはノンドープとしてぃるが、Ｂ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ等のドーピングを行なった１ａ−８ｉ：Ｈとしても良
い。
。本実施例においては、放射線検出装置構造とどｉして
ｐｉＯ構造を用いているがＩｌｌ”構造あるいは：、、
ｌｊ） ｐ ｉ 、 ｎ ｉ構造としても良く、ま″た
これら谷構造を、、、、、：、、多段に積層させたタン
デム型構造（例えばｐｉ口霞→１ｎ−ｎｉｐｎｉｐ ）
あるいはこれら各構造の組合せ（例、” えばｐｉｎ−
“ｉ）とし１も良い・さらにＸ線入射−、、側からみて
、本実施例ではｐｉｎ−ｎｉｐ としてい、るが、ｎ
１ｐ−ｐｉｎ、ｐｉｎ−ｐｉｎ、ｎ１ｐ−ｎｉｐという
ような構造をとっても杏発明は有効であり、ｐｎ構造、
ｐｉ、ｎｉ溝構造鴨合においても同様である。また放射
線検出装置がアモルファス半導体と微結晶半導体の組合
せから構成されていても本発明を適用できる。さらに１
ａ−８ｉ：Ｈはノンドープとしてぃるが、Ｂ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ等のドーピングを行なった１ａ−８ｉ：Ｈとしても良
い。
また、本実施例では透光性導電Ｊ―としてＩＴＯを用い
たが、Ｉｎ、０３ 、ＳｎＯ，あるいはこれらの組合せ
でも良く、さらには透光性絶縁層と透光性導電層との組
脅せでも使用可能である。
たが、Ｉｎ、０３ 、ＳｎＯ，あるいはこれらの組合せ
でも良く、さらには透光性絶縁層と透光性導電層との組
脅せでも使用可能である。
さらに１本実施例では導電性金属ノーにＡＪｉ用いたが
、Ｍｏ、’Ｉ”ｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｄ等等用用ても
良く％また基板にはＡ７２用いているが、Ｂｅ、Ｃ等安
定で且つＸ線を透過する金属であれば本発明は有効であ
る。
、Ｍｏ、’Ｉ”ｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｄ等等用用ても
良く％また基板にはＡ７２用いているが、Ｂｅ、Ｃ等安
定で且つＸ線を透過する金属であれば本発明は有効であ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す図、第２図及第３図は
従来例を示す図である。 １６．２８・・・導電性金属層、１７．２７・・・Ｐ形
アモルファスシリコン層、１８．２６・・・ノンドープ
アモルファスシリコン層％ １９．２５・・・ｎ形アモ
ルファスシリコン層、２０．２４・・・透光性導電層、
２１．２３・・・蛍光物質、２２・・・金属性基板、２
９．３０・・・コリメータ、３）・・・電流増巾器。 （１υ
従来例を示す図である。 １６．２８・・・導電性金属層、１７．２７・・・Ｐ形
アモルファスシリコン層、１８．２６・・・ノンドープ
アモルファスシリコン層％ １９．２５・・・ｎ形アモ
ルファスシリコン層、２０．２４・・・透光性導電層、
２１．２３・・・蛍光物質、２２・・・金属性基板、２
９．３０・・・コリメータ、３）・・・電流増巾器。 （１υ
Claims (7)
- （１）金属性基板の両面に該金属性基板側から順に蛍光
物質、透光性導電層、アモルファス半導体層、導電性金
属層が積層して形成されており、前記透光性導電層、ア
モルファス半導体層、導電性金属層からなる層は放射線
及び光を検出し得ることを特徴とする放射線検出装置。 - （２）前記金属性基板は放射線を透過し得ることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の放射線検出装置。 - （３）前記透光性導電層は１層若しくは２層以上の積層
構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の放射線検出装置。 - （４）前記アモルファス半導体層はｐｉｎ構造、ｐｎ構
造又はｎｉ、ｐｉ構造のいずれかからなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の放射線検出装置 - （５）前記アモルファス半導体層は、アモルファス相と
微結晶相の組合せからなることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の放射線検出装置。 - （６）前記アモルファス半導体層は、ｐｉｎ構造、ｐｎ
構造又はｎｉ、ｐｉ構造のいずれかが多段に積層された
タンデム構造からなることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の放射線検出装置。 - （７）前記アモルファス半導体層は、ｐｉｎ構造、ｐｎ
構造又はｎｉ、ｐｉ構造のいずれかの組合せからなるタ
ンデム構造からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の放射線検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100422A JPS61259577A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 放射線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100422A JPS61259577A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 放射線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259577A true JPS61259577A (ja) | 1986-11-17 |
Family
ID=14273534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60100422A Pending JPS61259577A (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 放射線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61259577A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01165984A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-06-29 | Thomson Csf | 映像を電気信号に変換する装置 |
| JP2002062359A (ja) * | 2000-08-21 | 2002-02-28 | Aloka Co Ltd | 放射線測定装置 |
| WO2002054445A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Guy Andrew Vaz | Photon power cell |
| US7615757B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-11-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiological detector and semiconductor radiological imaging apparatus |
| WO2012137425A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP60100422A patent/JPS61259577A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4643809B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-03-02 | アロカ株式会社 | 放射線測定装置 |
| WO2002054445A2 (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-11 | Guy Andrew Vaz | Photon power cell |
| WO2002054445A3 (en) * | 2000-12-28 | 2004-02-19 | Guy Andrew Vaz | Photon power cell |
| US7615757B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-11-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor radiological detector and semiconductor radiological imaging apparatus |
| WO2012137425A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2012-10-11 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
| JPWO2012137425A1 (ja) * | 2011-04-04 | 2014-07-28 | 株式会社島津製作所 | Ｘ線検出器 |
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