JPS61257471A - 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 - Google Patents

効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置

Info

Publication number
JPS61257471A
JPS61257471A JP9686085A JP9686085A JPS61257471A JP S61257471 A JPS61257471 A JP S61257471A JP 9686085 A JP9686085 A JP 9686085A JP 9686085 A JP9686085 A JP 9686085A JP S61257471 A JPS61257471 A JP S61257471A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow
magnetic field
plasma
discharge
ion plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9686085A
Other languages
English (en)
Inventor
Joshin Uramoto
上進 浦本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP9686085A priority Critical patent/JPS61257471A/ja
Publication of JPS61257471A publication Critical patent/JPS61257471A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 圧力勾配型直流放電を利用する実用のイオンプレーテン
グ装置ではプラズマ源（放電の陰極と中間電極）を真空
容器の横に取イ・ｊけてプラズマ流を水平に発射し、−
１−向け　、に置いたハース（放電陽極）の真−トで直
角に曲げるのが重力に対して自然であり、一般的な方法
はすでに発明者が１真空−１誌７−７−（１９８，１）
Ｐ６４に発表している。そのプラズマ流を直角に曲げる
原理は図面で説明すると、初期プラズマ流が沿っている
水平磁場Ｂ７７　　とプラズマ流を曲げるための垂直磁
場Ｂ上がハースの真上の交点で同じ程度の強さになるよ
うに調節することである。このときその直角に曲がる■
３　　とＢ工の交点〃 附近ではプラズマ流の有限の直径（小さな径でプラズマ
源を発進したとしてもプラズマ流の拡散で大きな径にな
ってハースの上に米る）のため、プラズマ流の外周りの
磁場は内周りの磁場より弱い、即ち、外周りの磁力線は
長く、内周りの磁力線は短いので磁力線を斜め下方に横
切る方向の磁場の勾配のｆｌｊ　Ｗを受ける。かくして
プラズマ流の中に電子とイオンが互に反相方向に運動す
るドリフトを生じて紙面に東向方向にプラス゛マ流が拡
がる。このために放電抵抗（放電々圧と放電々流の比）
が増大しで放電々力かプラズマ空間に発散しハースへの
放電々力集中か減少する。この現象は図面で、プラズマ
源とハースの真」−迄の水平Ｖ１！離が、ある程度具Ｉ
−長くなるとき者しくなり、ハース」−の試料金属の溶
解、蒸気化を極端に弱め、イオンプレーテングの効率を
大きく悪化させる原因にもなる。従ってこのＢ７゜とＢ
工の交点１ｆｆｌ近の磁場勾配によるドリフトを緩和し
、放電抵抗を小さくする工夫が大型容器にプラズマ流と
ハースを取イマ１けるとき、また高融点の試料金属をイ
オン化するとき重要になる。
この発明は以１−のような、プラズマ流を曲げるときに
生ずる障害を緩和した装置である。即ち、図面に示した
ように水平磁Ｊ易Ｆ３７．にプラス゛マ源の近くで永久
磁石５によって初期型１ｒＬ磁場△１３．．を附加して
プラズマ流を下方に圧縮し、結果として図面で６のよう
に斜めＦ方の磁力線に沿ってプラズマ流をハースの上に
導く装置である。別の観点からすれば、プラズマ流の径
を小さくし、より短い磁力線に沿ってハースの上に導く
装置である。
この装置で実験した結果、先述した直角１１１１げ型の
装置に比較して、プラズマ流の磁場勾配による拡がり（
紙面に垂直力向）が縮小され、放電抵抗が１７３以下に
なＱ（Ａｒｆｆスの放電でその電圧、電流を測定）ハー
スへの放電々力の集中を着しく高くできることが確かめ
られた。
【図面の簡単な説明】
図は効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレーテン
グ装置の構成図である。図に於いて、１はプラズマ源（
陰極と中間電極）、２はハース（放電陽極を兼用し内部
に垂直磁場Ｂ工をつくる永久磁石を持っている）、３は
初期放電プラズマ流を水モに導くための水平磁’ｉ　Ｂ
ｔｔ・用空芯コイル、４は垂直附加磁場ΔＢ、かないと
きの（５がないときの）直角に曲げられた放電プラズマ
流、５は初期放電プラズマ流にプラズマ源の近くで垂直
磁場ΔＢ、を附加するための永久磁石、６はΔＢ工が附
加されて斜め下方に一斗一 導かれた放電プラズマ流である。。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 曲げ型放電プラズマ流を利用するイオンプレーテング装
    置に垂直磁場を附加して、放電プラズマ流を斜め下方の
    磁力線に沿ってハースの上に導くようにしたイオンプレ
    ーテング装置
JP9686085A 1985-05-08 1985-05-08 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 Pending JPS61257471A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9686085A JPS61257471A (ja) 1985-05-08 1985-05-08 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9686085A JPS61257471A (ja) 1985-05-08 1985-05-08 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61257471A true JPS61257471A (ja) 1986-11-14

Family

ID=14176211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9686085A Pending JPS61257471A (ja) 1985-05-08 1985-05-08 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61257471A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987005637A1 (en) * 1986-03-12 1987-09-24 Tobi Co., Ltd. Continuous ion plating device for rapidly moving film
US5169452A (en) * 1990-05-14 1992-12-08 Tdk Corporation Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films
WO2007066548A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Shinmaywa Industries, Ltd. シートプラズマ成膜装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987005637A1 (en) * 1986-03-12 1987-09-24 Tobi Co., Ltd. Continuous ion plating device for rapidly moving film
US5169452A (en) * 1990-05-14 1992-12-08 Tdk Corporation Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films
WO2007066548A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Shinmaywa Industries, Ltd. シートプラズマ成膜装置
JP2007154265A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Shin Meiwa Ind Co Ltd シートプラズマ成膜装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102119584B (zh) 强流直流质子加速器
US6838676B1 (en) Particle beam processing system
JPH04253149A (ja) 二次元磁気走査を用いたイオン照射装置および関連装置
US9084336B2 (en) High current single-ended DC accelerator
TW200828390A (en) Ion implanter
EP0660372A1 (en) Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam
JPS60194072A (ja) 十字電磁界ダイオ−ド・スパツタリング・タ−ゲツト集成体
CA2345627C (en) Method of reducing axial beam focusing
JP2006278006A (ja) イオン源引き出し領域におけるプラズマ境界面制御方法及びそのイオン源
Ueno et al. Surface production dominating Cs-free H− ion source for high intensity and high energy proton accelerators
JPS61257471A (ja) 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置
JPS63291344A (ja) イオン源装置
CN103345957B (zh) 一种圆孔径反对称简化六极场磁铁装置及其制造方法
JP2003257356A (ja) イオンビーム照射装置
KR20110098264A (ko) 사이클로트론
CN109830422B (zh) 一种溅射离子泵的磁路结构及溅射离子泵
CN209693134U (zh) 一种电子加速器束流扫描矫正调节装置
CN108566719A (zh) 大强度离子的离子源产生装置及产生方法
JP2879342B2 (ja) 電子ビーム励起イオン源
US3239707A (en) Cyclotron ion source
JP2003133133A (ja) 電磁石と永久磁石を縦方向に組み合わせた磁界発生装置
JPS61214399A (ja) 中性粒子入射装置
JP2791083B2 (ja) 負イオン源
JPS6482447A (en) Ion pump
Goncharov et al. The low-field permanent magnet electrostatic plasma lens