JPS61257471A - 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 - Google Patents
効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置Info
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- JPS61257471A JPS61257471A JP9686085A JP9686085A JPS61257471A JP S61257471 A JPS61257471 A JP S61257471A JP 9686085 A JP9686085 A JP 9686085A JP 9686085 A JP9686085 A JP 9686085A JP S61257471 A JPS61257471 A JP S61257471A
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- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
圧力勾配型直流放電を利用する実用のイオンプレーテン
グ装置ではプラズマ源（放電の陰極と中間電極）を真空
容器の横に取イ・ｊけてプラズマ流を水平に発射し、−
１−向け 、に置いたハース（放電陽極）の真−トで直
角に曲げるのが重力に対して自然であり、一般的な方法
はすでに発明者が１真空−１誌７−７−（１９８，１）
Ｐ６４に発表している。そのプラズマ流を直角に曲げる
原理は図面で説明すると、初期プラズマ流が沿っている
水平磁場Ｂ７７ とプラズマ流を曲げるための垂直磁
場Ｂ上がハースの真上の交点で同じ程度の強さになるよ
うに調節することである。このときその直角に曲がる■
３ とＢ工の交点〃 附近ではプラズマ流の有限の直径（小さな径でプラズマ
源を発進したとしてもプラズマ流の拡散で大きな径にな
ってハースの上に米る）のため、プラズマ流の外周りの
磁場は内周りの磁場より弱い、即ち、外周りの磁力線は
長く、内周りの磁力線は短いので磁力線を斜め下方に横
切る方向の磁場の勾配のｆｌｊ Ｗを受ける。かくして
プラズマ流の中に電子とイオンが互に反相方向に運動す
るドリフトを生じて紙面に東向方向にプラス゛マ流が拡
がる。このために放電抵抗（放電々圧と放電々流の比）
が増大しで放電々力かプラズマ空間に発散しハースへの
放電々力集中か減少する。この現象は図面で、プラズマ
源とハースの真」−迄の水平Ｖ１！離が、ある程度具Ｉ
−長くなるとき者しくなり、ハース」−の試料金属の溶
解、蒸気化を極端に弱め、イオンプレーテングの効率を
大きく悪化させる原因にもなる。従ってこのＢ７゜とＢ
工の交点１ｆｆｌ近の磁場勾配によるドリフトを緩和し
、放電抵抗を小さくする工夫が大型容器にプラズマ流と
ハースを取イマ１けるとき、また高融点の試料金属をイ
オン化するとき重要になる。
グ装置ではプラズマ源（放電の陰極と中間電極）を真空
容器の横に取イ・ｊけてプラズマ流を水平に発射し、−
１−向け 、に置いたハース（放電陽極）の真−トで直
角に曲げるのが重力に対して自然であり、一般的な方法
はすでに発明者が１真空−１誌７−７−（１９８，１）
Ｐ６４に発表している。そのプラズマ流を直角に曲げる
原理は図面で説明すると、初期プラズマ流が沿っている
水平磁場Ｂ７７ とプラズマ流を曲げるための垂直磁
場Ｂ上がハースの真上の交点で同じ程度の強さになるよ
うに調節することである。このときその直角に曲がる■
３ とＢ工の交点〃 附近ではプラズマ流の有限の直径（小さな径でプラズマ
源を発進したとしてもプラズマ流の拡散で大きな径にな
ってハースの上に米る）のため、プラズマ流の外周りの
磁場は内周りの磁場より弱い、即ち、外周りの磁力線は
長く、内周りの磁力線は短いので磁力線を斜め下方に横
切る方向の磁場の勾配のｆｌｊ Ｗを受ける。かくして
プラズマ流の中に電子とイオンが互に反相方向に運動す
るドリフトを生じて紙面に東向方向にプラス゛マ流が拡
がる。このために放電抵抗（放電々圧と放電々流の比）
が増大しで放電々力かプラズマ空間に発散しハースへの
放電々力集中か減少する。この現象は図面で、プラズマ
源とハースの真」−迄の水平Ｖ１！離が、ある程度具Ｉ
−長くなるとき者しくなり、ハース」−の試料金属の溶
解、蒸気化を極端に弱め、イオンプレーテングの効率を
大きく悪化させる原因にもなる。従ってこのＢ７゜とＢ
工の交点１ｆｆｌ近の磁場勾配によるドリフトを緩和し
、放電抵抗を小さくする工夫が大型容器にプラズマ流と
ハースを取イマ１けるとき、また高融点の試料金属をイ
オン化するとき重要になる。
この発明は以１−のような、プラズマ流を曲げるときに
生ずる障害を緩和した装置である。即ち、図面に示した
ように水平磁Ｊ易Ｆ３７．にプラス゛マ源の近くで永久
磁石５によって初期型１ｒＬ磁場△１３．．を附加して
プラズマ流を下方に圧縮し、結果として図面で６のよう
に斜めＦ方の磁力線に沿ってプラズマ流をハースの上に
導く装置である。別の観点からすれば、プラズマ流の径
を小さくし、より短い磁力線に沿ってハースの上に導く
装置である。
生ずる障害を緩和した装置である。即ち、図面に示した
ように水平磁Ｊ易Ｆ３７．にプラス゛マ源の近くで永久
磁石５によって初期型１ｒＬ磁場△１３．．を附加して
プラズマ流を下方に圧縮し、結果として図面で６のよう
に斜めＦ方の磁力線に沿ってプラズマ流をハースの上に
導く装置である。別の観点からすれば、プラズマ流の径
を小さくし、より短い磁力線に沿ってハースの上に導く
装置である。
この装置で実験した結果、先述した直角１１１１げ型の
装置に比較して、プラズマ流の磁場勾配による拡がり（
紙面に垂直力向）が縮小され、放電抵抗が１７３以下に
なＱ（Ａｒｆｆスの放電でその電圧、電流を測定）ハー
スへの放電々力の集中を着しく高くできることが確かめ
られた。
装置に比較して、プラズマ流の磁場勾配による拡がり（
紙面に垂直力向）が縮小され、放電抵抗が１７３以下に
なＱ（Ａｒｆｆスの放電でその電圧、電流を測定）ハー
スへの放電々力の集中を着しく高くできることが確かめ
られた。
図は効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレーテン
グ装置の構成図である。図に於いて、１はプラズマ源（
陰極と中間電極）、２はハース（放電陽極を兼用し内部
に垂直磁場Ｂ工をつくる永久磁石を持っている）、３は
初期放電プラズマ流を水モに導くための水平磁’ｉ Ｂ
ｔｔ・用空芯コイル、４は垂直附加磁場ΔＢ、かないと
きの（５がないときの）直角に曲げられた放電プラズマ
流、５は初期放電プラズマ流にプラズマ源の近くで垂直
磁場ΔＢ、を附加するための永久磁石、６はΔＢ工が附
加されて斜め下方に一斗一 導かれた放電プラズマ流である。。
グ装置の構成図である。図に於いて、１はプラズマ源（
陰極と中間電極）、２はハース（放電陽極を兼用し内部
に垂直磁場Ｂ工をつくる永久磁石を持っている）、３は
初期放電プラズマ流を水モに導くための水平磁’ｉ Ｂ
ｔｔ・用空芯コイル、４は垂直附加磁場ΔＢ、かないと
きの（５がないときの）直角に曲げられた放電プラズマ
流、５は初期放電プラズマ流にプラズマ源の近くで垂直
磁場ΔＢ、を附加するための永久磁石、６はΔＢ工が附
加されて斜め下方に一斗一 導かれた放電プラズマ流である。。
Claims (1)
- 曲げ型放電プラズマ流を利用するイオンプレーテング装
置に垂直磁場を附加して、放電プラズマ流を斜め下方の
磁力線に沿ってハースの上に導くようにしたイオンプレ
ーテング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9686085A JPS61257471A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9686085A JPS61257471A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257471A true JPS61257471A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14176211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9686085A Pending JPS61257471A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 効率的に放電プラズマ流を曲げたイオンプレ−テング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257471A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987005637A1 (en) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Tobi Co., Ltd. | Continuous ion plating device for rapidly moving film |
| US5169452A (en) * | 1990-05-14 | 1992-12-08 | Tdk Corporation | Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films |
| WO2007066548A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP9686085A patent/JPS61257471A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987005637A1 (en) * | 1986-03-12 | 1987-09-24 | Tobi Co., Ltd. | Continuous ion plating device for rapidly moving film |
| US5169452A (en) * | 1990-05-14 | 1992-12-08 | Tdk Corporation | Apparatus for the synthesis of diamond-like thin films |
| WO2007066548A1 (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
| JP2007154265A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | シートプラズマ成膜装置 |
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