JPS61256667A - Close contact type image sensor - Google Patents

Close contact type image sensor

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JPS61256667A
JPS61256667A JP60098319A JP9831985A JPS61256667A JP S61256667 A JPS61256667 A JP S61256667A JP 60098319 A JP60098319 A JP 60098319A JP 9831985 A JP9831985 A JP 9831985A JP S61256667 A JPS61256667 A JP S61256667A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image sensor
chip
resin
circuit conductor
conductor layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP60098319A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruo Abe
阿部 輝夫
Hisashi Nakamura
中村 恒
Tsukasa Shiraishi
司 白石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS61256667A publication Critical patent/JPS61256667A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the moisture resistance of an image sensor chip and the reliability of fine metal wirings by molding the chip and the wirings with resin. CONSTITUTION:A conductive paste of glazed metal series made of noble metal such as silver or gold on a ceramic insulating substrate 8 is applied by a screen printing method in the desired circuit conductor, baked at a high temperature to form a long so-called thick film circuit conductor layer 9, a die bonding connection agent 11 made of silver paste of resin series is applied on the substrate, an image sensor chip 10 cut by accurately dicing a silicon wafer is linearly arranged thereon, and the agent 11 is thermoset to secure the chip 10. Simultaneously, the chip 10 and a circuit conductor layer 9 are electrically connected by a wire bonding method with fine metal wirings 12, a resin-stopping frame 14 is then secured to surround the chip 10, a molding resin 13 is packed in the frame 14, defoamed and cured.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はファクシミリや複写機等のOム機器の画像入力
装置に用いられる密着型イメニジセンサに関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a contact type image sensor used in an image input device of an OM device such as a facsimile or a copying machine.

従来の技術 近年、ファクシミリや複写機などに代表される0ム機器
の進歩はめざましいものがある。
BACKGROUND OF THE INVENTION In recent years, there has been remarkable progress in computer equipment such as facsimile machines and copying machines.

このような中にあって、昨今各種0ム機器の画像入力装
置の小型軽量化や、高性能化をはかることをねらいとし
て密着型イメージセンサが広範囲に利用されるようにな
ってきた。
Under these circumstances, close-contact image sensors have recently come into wide use with the aim of reducing the size and weight of image input devices for various types of home appliances and improving their performance.

この密着型イメージセンサは画像入力するために原稿と
同一寸法の受光部を持ったセンサであシ、大きく分けて
2つのタイプのものが実用化されている。
This contact type image sensor is a sensor having a light-receiving portion of the same size as a document for inputting an image, and roughly divided into two types, it has been put into practical use.

その1つは通称薄膜型といわれるタイプで、これは真空
蒸着やスパッタリング、OVDなどの薄膜技術を用いて
硫化カドミウム(CaS)や、アモルファスシリコンな
どの光導電膜を長尺のガラス基板上に直接形成したもの
である。
One type is the so-called thin-film type, in which a photoconductive film such as cadmium sulfide (CaS) or amorphous silicon is directly deposited on a long glass substrate using thin film technology such as vacuum evaporation, sputtering, or OVD. It was formed.

また、他の1つは結晶型と称するタイプであり、これは
半導体プロセスを利用してシリコン基板上にフォトダイ
オードや、フォトトランジスタ等から成る受光部を形成
したもので、C0D(電荷結合素子)や、バイポーラX
c−6どのモノシリツクタイプのイメージセンサチップ
を長尺状の基板にライン状に並べて密着型としたもので
ある。
The other type is called the crystal type, in which a light receiving section consisting of a photodiode, phototransistor, etc. is formed on a silicon substrate using a semiconductor process, and it is a C0D (charge coupled device). Ya, Bipolar X
c-6 Any monolithic type image sensor chip is arranged in a line on a long substrate to form a close contact type.

これら2つのタイプの密着型イメージセンサは、それぞ
れ一長一短を備えているが、高解像性中高速読み取シ性
能などの特性が要求されるOム機器分野では、CODや
バイポーラICなどから成る結晶型のものが広く使われ
ている。
These two types of contact image sensors each have their own advantages and disadvantages, but in the field of optical devices that require characteristics such as high resolution and medium-high speed reading performance, crystal type image sensors made of COD or bipolar ICs are used. are widely used.

従来、このような密着型イメージセンサは第3図に示す
ような構成となっていた。
Conventionally, such a contact type image sensor has had a configuration as shown in FIG. 3.

第3図において、1はセラミック絶縁基板、2は厚膜回
路導体層、3はイメージセンサチップ、4はダイボンド
用接着剤、6は金属細線、6は封止枠、7は接着剤であ
る。
In FIG. 3, 1 is a ceramic insulating substrate, 2 is a thick film circuit conductor layer, 3 is an image sensor chip, 4 is a die-bonding adhesive, 6 is a thin metal wire, 6 is a sealing frame, and 7 is an adhesive.

即ち、従来例による密着型イメージセンサは、アルミナ
等で作られた長尺状のセラミック絶縁基板1の主面上に
銀系の導電ペーストをスクリーン印刷法によシ選択的に
塗布し、高温焼成することによって所望の回路導体層2
を形成した、いわゆる厚膜回路基板上に、精密ダイシン
グ加工を施したGCDやバイポーラIC等のモノシリツ
クタイプのイメージセンサチップ3の複数個をダイボン
ド用接着剤4を用いて精度よく直線状に配列して固定し
、各イメージセンサチップ3をワイヤーボンド法によっ
てアルミニウムなどの金属細線6を用いて厚膜回路基板
と電気的に接続し、更にこの直線状に配列したイメージ
センサチップ3の周辺部に絶縁性の接着剤7によシ透光
性の良いガラス等で作られた封止枠6を固定し、イメー
ジセンサチップ3をハーメチック封止したものである。
That is, in the conventional contact image sensor, a silver-based conductive paste is selectively applied onto the main surface of a long ceramic insulating substrate 1 made of alumina or the like using a screen printing method, and then baked at a high temperature. Desired circuit conductor layer 2 by
A plurality of monolithic type image sensor chips 3 such as GCDs and bipolar ICs that have been subjected to precision dicing are arranged in a straight line with high accuracy using a die-bonding adhesive 4 on a so-called thick film circuit board formed with a die-bonding adhesive 4. Each image sensor chip 3 is electrically connected to the thick film circuit board using thin metal wires 6 made of aluminum or the like by the wire bonding method, and furthermore, a wire is attached to the periphery of the image sensor chips 3 arranged in a straight line. A sealing frame 6 made of transparent glass or the like is fixed with an insulating adhesive 7, and the image sensor chip 3 is hermetically sealed.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら前記のような密着型イメージセンサの構成
では、CODやバイポーラIC等のモノシリツクタイプ
のイメージセンサチップ3をハーメチック封止をする必
要があるが、この場合、封止枠6を凸凹の多い厚膜回路
基板上に固定するため気密封止性に欠け、また、封止性
をよくするため封止枠6と厚膜回路基板との接着面積を
広くすると基板の反りが大きくなることや、厚膜回路基
板の寸法を大きくしなければならない問題点を有してい
た。
Problems to be Solved by the Invention However, in the structure of the contact type image sensor as described above, it is necessary to hermetically seal the monolithic type image sensor chip 3 such as COD or bipolar IC. Since the sealing frame 6 is fixed onto a thick film circuit board with many irregularities, it lacks airtight sealing properties.In order to improve sealing properties, increasing the bonding area between the sealing frame 6 and the thick film circuit board causes the board to This has had problems such as increased warpage and the need to increase the dimensions of the thick film circuit board.

又、このイメージセンサでは、ハーメチック封止する必
要があるため、ワイヤーボンディングされた金属細線5
は中空状態となることから耐振動性が乏しくなる欠点を
有していた。
In addition, since this image sensor requires hermetic sealing, the wire-bonded thin metal wire 5
Since it is hollow, it has the disadvantage of poor vibration resistance.

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、簡易な構
成で高信頼性を有する密着型イメージセンサを提供する
ことを目的とするものである。
The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to provide a contact type image sensor having a simple configuration and high reliability.

問題点を解決するための手段 前記問題点を解決するために、本発明の密着型イメージ
センサは、絶縁基板の少なくとも一方の主平面上に所望
の回路導体層を備えた長尺状の回路基板上にCCDやバ
イポーラIC等のイメージセンサチップを直線状に配列
して固定しくイメージセンサチップと回路基板導体層を
金属細線により電気的に接続し、透光性のすぐれた樹脂
でモールドした構成とするものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the contact image sensor of the present invention includes a long circuit board having a desired circuit conductor layer on at least one main plane of an insulating substrate. Image sensor chips such as CCDs and bipolar ICs are arranged in a straight line on top, the image sensor chips and the circuit board conductor layer are electrically connected by thin metal wires, and the structure is molded with highly translucent resin. It is something to do.

作用 本発明による密着型イメージセンサは上記した構成によ
って、イメージセンサチップ及び金属細線がモールド樹
脂によって保護、固定されるので、イメージセンサチッ
プ及び金属細線がモールド樹脂によって保護固定される
ので、イメージセンサチップの耐湿性や金属細線の耐振
動性が著しく改善サレ、信頼性の高い密着型イメージセ
ンサが実現できるものである。
Operation The contact type image sensor according to the present invention has the above-described structure, so that the image sensor chip and the thin metal wire are protected and fixed by the molding resin. The moisture resistance of thin metal wires and the vibration resistance of thin metal wires have been significantly improved, and a highly reliable contact type image sensor can be realized.

実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
EXAMPLES Hereinafter, examples of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は、本発明の一実施例における密着型イメージセ
ンサを説明するための断面図である。
FIG. 1 is a sectional view for explaining a contact type image sensor according to an embodiment of the present invention.

第1図において、8はセラミック絶縁基板、9は厚膜回
路導体層、10はイメージセンサチップ、11はダイボ
ンド用接着剤、12は金属細線、13はモールド樹脂、
14は樹脂止め枠である。
In FIG. 1, 8 is a ceramic insulating substrate, 9 is a thick film circuit conductor layer, 10 is an image sensor chip, 11 is a die-bonding adhesive, 12 is a thin metal wire, 13 is a molding resin,
14 is a resin stopper frame.

以上のように構成された密着型イメージセンサについて
、以下第1図を用aてその構成方法を説明する。
The method of configuring the contact type image sensor configured as described above will be described below with reference to FIG.

本実施例における密着型イメージセンサは、先ず第1図
に示すようにセラミック絶縁基板8上に銀や金などの貴
金属から成るメタルグレーズ不の導電ペーストを用いス
クリーン印刷法によシ所望の回路導体上に塗布し高温焼
成することにょ〕長尺上のいわゆる厚膜回路導体層9を
形成し、この回路基板上に樹脂系の銀ペーストから成る
ダイボンド用の接着剤11を塗布し、その上にシリコン
ウェハーから高精度のダイシングにより切断加工したイ
メージセンサチップ1oを直線上に配列し、接着剤11
を加熱硬化することによりイメージセンサチップ1oを
固定するとともに、イメージセンサチップ1oと回路導
体層9をアルミニウム線や金線などの金属細線12を用
いて超音波法や熱圧着法などの通常のワイヤーボンド法
により電気的に接続し、しかる後に、モールド樹脂13
の流れ出しを防止するための樹脂止め枠14をイメージ
センサチップ1oを取シ囲むように固定し、樹脂止め枠
14の中に透光性のすぐれたエポキシ樹脂などから成る
モールド樹脂13を充填し、脱泡、硬化させることによ
って、密着型イメージセンサを構成した。
As shown in FIG. 1, the contact type image sensor of this embodiment is manufactured by first applying a conductive paste made of a noble metal such as silver or gold and not having a metal glaze onto a ceramic insulating substrate 8, and then printing a desired circuit conductor by a screen printing method. A long so-called thick film circuit conductor layer 9 is formed by coating the circuit board on top and firing at a high temperature.A die bonding adhesive 11 made of resin-based silver paste is coated on this circuit board, and then Image sensor chips 1o cut from a silicon wafer by high-precision dicing are arranged in a straight line, and adhesive 11
The image sensor chip 1o is fixed by heating and hardening, and the image sensor chip 1o and the circuit conductor layer 9 are bonded using a thin metal wire 12 such as an aluminum wire or a gold wire using a normal wire method such as an ultrasonic method or a thermocompression bonding method. Electrical connection is made by a bonding method, and then the mold resin 13
A resin stopper frame 14 is fixed to surround the image sensor chip 1o to prevent the image sensor chip 1o from flowing out, and the resin stopper frame 14 is filled with a molding resin 13 made of epoxy resin with excellent translucency. By defoaming and curing, a contact image sensor was constructed.

以上のように、本実施例による密着型イメージセンサで
は、イメージセンサチップ10及び金属細線12がモー
ルド樹脂13により保護コートされるので、耐湿性及び
耐振動性にすぐれた密着型イメージセンサを実現するこ
とができるものである。
As described above, in the contact type image sensor according to this embodiment, the image sensor chip 10 and the thin metal wire 12 are protectively coated with the mold resin 13, so that a contact type image sensor with excellent moisture resistance and vibration resistance is realized. It is something that can be done.

次に、第2図は、第2の実施例に示したものであるが−
この密着型イメージセンサは、上述した第1の実施例を
改良した構成のもので、モールド樹脂13の上面に透光
性にすぐれたガラス板16を接着することによりCOD
やバイポーラICなどのイメージセンサチップ1oの受
光面に照射される光量が均一になる効果が得られるよう
にしたものである。
Next, FIG. 2 shows the second embodiment.
This contact type image sensor has a configuration that is an improvement on the first embodiment described above, and a glass plate 16 with excellent translucency is bonded to the upper surface of a molded resin 13, thereby reducing COD.
The effect is that the amount of light irradiated onto the light-receiving surface of the image sensor chip 1o, such as a bipolar IC or the like, is made uniform.

発明の効果 以上のように本発明による密着型イメージセンサは、長
尺状の回路基板に取り付けられたCODやバイポーラI
Cなどのイメージセンサチップ及び金属細線が樹脂モー
ルドされた構成を有するものであり、このような構造に
することによりイメージセンサチップの耐湿性や金属細
線の信頼性を飛躍的に改良される効果が得られ、工業的
価値の大なるものである。
Effects of the Invention As described above, the contact type image sensor according to the present invention can be applied to COD or bipolar I mounted on a long circuit board.
It has a structure in which an image sensor chip such as C and a thin metal wire are molded with resin, and this structure has the effect of dramatically improving the moisture resistance of the image sensor chip and the reliability of the thin metal wire. It is of great industrial value.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例における密着型イメージ
センサの断面図、第2図は第2の実施例を説明するため
の密着型イメージセンサの断面図、第3図は従来例によ
る密着型イメージセンサの断面図である。 8・・・・・・セラミック絶縁基板、9・・・・・・厚
膜回路導体層、1o・・・・・・イメージセンサチップ
、11・・・・・・ダイボンド用接着剤、12・・・・
・・金属細線、13・・・・・・モールド樹脂、14・
・・・・・樹脂止め枠。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名81
0.セムッ2刻リネ」1叉 第1図      1?・・・金属mMLD・・・モー
ルド#島 /4.、、啓tg止メ4亭 第2図 第3図
Fig. 1 is a sectional view of a contact type image sensor according to a first embodiment of the present invention, Fig. 2 is a sectional view of a contact type image sensor for explaining the second embodiment, and Fig. 3 is a conventional example. FIG. 2 is a cross-sectional view of a contact image sensor. 8... Ceramic insulating substrate, 9... Thick film circuit conductor layer, 1o... Image sensor chip, 11... Adhesive for die bonding, 12...・・・
...Thin metal wire, 13...Mold resin, 14.
...Resin stopper frame. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person81
0. Semutsu 2 Koku Line" 1 fork 1st figure 1? ...Metal mMLD...Mold #Island/4. ,,Kei TG Stop 4 Tei Figure 2 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 絶縁基板の少なくとも一方の主平面上に所望の回路導体
層を備えた長尺状の回路基板にイメージセンサチップを
直線状に配列して前記回路導体層と金属細線により電気
的に接続するとともに、前記イメージセンサチップをモ
ールド樹脂でモールドしたことを特徴とする密着型イメ
ージセンサ。
Image sensor chips are arranged linearly on a long circuit board having a desired circuit conductor layer on at least one main plane of the insulating substrate and are electrically connected to the circuit conductor layer by a thin metal wire, A contact image sensor characterized in that the image sensor chip is molded with a molding resin.
JP60098319A 1985-05-09 1985-05-09 Close contact type image sensor Pending JPS61256667A (en)

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