JPS61247067A - Time constant regulator - Google Patents

Time constant regulator

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JPS61247067A
JPS61247067A JP8775085A JP8775085A JPS61247067A JP S61247067 A JPS61247067 A JP S61247067A JP 8775085 A JP8775085 A JP 8775085A JP 8775085 A JP8775085 A JP 8775085A JP S61247067 A JPS61247067 A JP S61247067A
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古賀 隆史
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Abstract

PURPOSE:To enable the regulating of a time constant in a short time without increasing a circuit scale or regulating steps by commonly using the input terminals of a plurality of current mirror circuits, and connecting corresponding time constant circuits with output terminals. CONSTITUTION:A current mirror circuit has a common input terminal of col lectors of transistors Q0, and the collectors of transistor Q1-Qn as output terminals. The current mirror ratio of the circuits are set by the resistance ratio of resistors R1-Rn to the resistor R0. For example, the current mirror ratio of the circuits formed of the transistors Q0, Q1 regarding the time constant circuit CkT1 is decided by the ratio of the resistors R0, R1. The ratio of the current mirror ratios among a plurality of current mirror circuits is determined in response to the time constants between the time constant circuits CkT1-CkTn. The input current of the common input terminal of the circuits is regulated by a variable resistor VR0.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、半導体集積回路に内蔵された複数の時定数
回路の時定数を調整するのに好適な時定数調整装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a time constant adjustment device suitable for adjusting the time constants of a plurality of time constant circuits built into a semiconductor integrated circuit.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

半導体集積回路の高集積化に伴ない、近年、該集積回路
に、時定数回路の容量素子を内蔵することかしばしば行
われている。
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor integrated circuits have become more highly integrated, capacitive elements for time constant circuits have often been built into the integrated circuits.

半導体集積回路ICに内蔵される容量素子は、一般に、
第4図に示すような構造をしている。
Capacitive elements built into semiconductor integrated circuit ICs are generally
It has a structure as shown in Figure 4.

すなわち、第4図は、kt層−絶縁層一半導体層n+に
よってMO8構造の容i−素子を形成したもの    
″である。この容量素子は、その面積(左側のAL)の
精度は良いが、絶縁層の厚みおよび誘電率は相当なばら
つきをもつ。したがって、その容量値は、±20チ〜3
0チの範囲でばらつく。
That is, FIG. 4 shows an MO8 structure i- element formed of a kt layer, an insulating layer, and an n+ semiconductor layer.
''. Although this capacitive element has good accuracy in its area (AL on the left), the thickness and dielectric constant of the insulating layer vary considerably. Therefore, its capacitance value ranges from ±20 to 3
It varies within a range of 0.

このような容量素子を半導体集積回路内の時定数回路の
容量素子として用いた従来回路例を第5図に示す。
FIG. 5 shows an example of a conventional circuit using such a capacitive element as a capacitive element of a time constant circuit in a semiconductor integrated circuit.

第5図に示す回路は、1個の半導体集積回路内に複数個
(n個)の時定数回路CkT 1〜CkTnをもつ。そ
して、各時定数回路CkT、〜CkTnは、それぞれ容
量素子01〜Cをもつ。
The circuit shown in FIG. 5 has a plurality (n) of time constant circuits CkT1 to CkTn in one semiconductor integrated circuit. Each of the time constant circuits CkT and CkTn has capacitive elements 01 to C, respectively.

これらの容量素子01〜Cnは、±20〜30%の範囲
内で容量値がばらつくため、各時定数回路CkT 1〜
CkTnを希望する値(設計値)に正確に合わせようと
すれば、それぞれに端子T1〜Tnを設け、そのそれぞ
れに可変抵抗VR,〜vRnを接続して、その抵抗値の
調整によって設計値を得る必要がある。
Since the capacitance values of these capacitive elements 01 to Cn vary within a range of ±20 to 30%, each time constant circuit CkT1 to
To accurately match CkTn to the desired value (design value), provide terminals T1 to Tn for each, connect variable resistors VR and ~vRn to each, and adjust the resistance value to adjust the design value. need to get it.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

しかしながら、上記の如く、各時定数回路CkT 1〜
CkTnごとに、その時定数を設ける構成においては、
時定数回路CkT 1〜CkTnの増加に伴なって端子
や可変抵抗の増加を招く。これKよシ1回路規模が増大
し、さらには、各時定数回路CkT1〜CkTnごとに
、その時定数を調整する必要があるため、調整工程の増
加を招き、極めて不経済である。
However, as mentioned above, each time constant circuit CkT1~
In a configuration in which a time constant is provided for each CkTn,
As the number of time constant circuits CkT1 to CkTn increases, the number of terminals and variable resistors increases. This increases the circuit scale by K, and furthermore, it is necessary to adjust the time constant of each time constant circuit CkT1 to CkTn, which increases the number of adjustment steps and is extremely uneconomical.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、複
数の時定数回路の時定数の調整部を共通化することによ
シ、時定数回路を半導体集積回路化する場合であっても
、何ら回路規模の増大や調整工程の増加を招くことなく
、時定数の調整を短時間に行うことができる時定数調整
装置を提供することを目的とする。
This invention was made to deal with the above-mentioned situation, and by making the time constant adjustment section of a plurality of time constant circuits common, even when the time constant circuits are integrated into a semiconductor integrated circuit, It is an object of the present invention to provide a time constant adjusting device that can adjust a time constant in a short time without increasing the circuit scale or increasing the number of adjustment steps.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は、各時定数回路ごとにカレントミラー回路を
設け、これら複数のカレントミラー回路の入力端は共通
にし、各出力端は対応する時定数回路に接続することに
よって上記目的を達成するものである。
This invention achieves the above object by providing a current mirror circuit for each time constant circuit, making the input terminals of these plurality of current mirror circuits common, and connecting each output terminal to the corresponding time constant circuit. be.

すなわち、上記構成において、複数のカレントミラー回
路間のカレントミラー比の比を、複数の時定数回路の時
定数の比に応じて設定することによシ、上記共通入力端
の入力電流の調整によって、一度に、全ての時定数を所
望の値に設定できるようにしたものである。
That is, in the above configuration, by setting the ratio of current mirror ratios between the plurality of current mirror circuits according to the ratio of the time constants of the plurality of time constant circuits, and by adjusting the input current of the common input terminal. , all time constants can be set to desired values at once.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細に説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.

第1図において、CkT、〜CkTnはこの半導体集積
回路ICに内蔵される時定数回路である。
In FIG. 1, CkT to CkTn are time constant circuits built into this semiconductor integrated circuit IC.

各時定数回路CkT、〜CkTnはそれぞれ容量素子C
4〜Cnをもつ。
Each time constant circuit CkT, ~CkTn each has a capacitive element C
It has 4 to Cn.

各容量素子C4〜Cnは、それぞれ電流源トランジスタ
Q、〜 Qn のコレクタに接続されている。各トラン
ジスタQ、〜Qnのエミッタはそれぞれ抵抗R4〜Rn
を介して電源vccに接続されている。また、全トラン
ジスタQ、〜Qnのペースは、ダイオード接続のトラン
ジスタQ。のベースに共通接続されている。このトラン
ジスタQoのエミッタは抵抗R8を介して電源vccに
接続されている。また、トランジスタQ。のペースとコ
レクタの共通接続点は′、トランジスタQ0〜Qnとは
逆極性のトランジスタQのコレクタに接続されている。
Each capacitive element C4 to Cn is connected to the collector of current source transistor Q, to Qn, respectively. The emitters of each transistor Q, ~Qn are resistors R4~Rn, respectively.
It is connected to the power supply VCC via. Also, the pace of all transistors Q, ~Qn is diode-connected transistor Q. are commonly connected to the base. The emitter of this transistor Qo is connected to the power supply vcc via a resistor R8. Also, transistor Q. The common connection point between the pace and the collector of is connected to the collector of the transistor Q, which has the opposite polarity to the transistors Q0 to Qn.

このトランジスタQのエミッタは端子T。に接続され、
この端子T0には、可変抵抗VRが外付けされている。
The emitter of this transistor Q is terminal T. connected to,
A variable resistor VR is externally connected to this terminal T0.

トランジスりQのベースには、バイアス電源VBが接続
されている。
A bias power supply VB is connected to the base of the transistor Q.

上記構成においては、各時定数回路CkT、〜CkTn
に対応するトランジスタQ、〜Qnはそれぞれトランジ
スタQとカレントミラー回路を成す。
In the above configuration, each time constant circuit CkT, ~CkTn
Transistors Q and -Qn corresponding to each form a current mirror circuit with transistor Q.

つまシ、これらカレントミラー回路は、トランジスタQ
0のコレクタを共通入力端とし、各トランジスタQ1〜
Qnのコレクタをそれぞれの出力端とする。各カレント
ミラー回路のカレントミラー比は、抵抗Rとそれぞれの
抵抗R1〜Rnの抵抗比によって設定される。例えば、
時定数回路CkT、に関係するトランジスタQ01Q、
によりて構成されるカレントミラー回路のカレントミラ
ー比は抵抗R6,R1の比によって決定される。
Tsumashi, these current mirror circuits are transistor Q
0 as a common input terminal, and each transistor Q1~
Let the collector of Qn be the respective output terminal. The current mirror ratio of each current mirror circuit is set by the resistance ratio of the resistor R and each of the resistors R1 to Rn. for example,
Transistor Q01Q related to time constant circuit CkT,
The current mirror ratio of the current mirror circuit configured by is determined by the ratio of resistors R6 and R1.

また、これら複数のカレントミラー回路間のカレントミ
ラー比の比は、時定数回路CkT1.CkTn間の時定
数の比に応じて決定される。そして。
Further, the ratio of current mirror ratios among these plurality of current mirror circuits is determined by the time constant circuit CkT1. It is determined according to the ratio of time constants between CkTn. and.

複数のカレントミラー回路の共通入力端の入力端子は、
可変抵抗■。によって調整される。
The input terminal of the common input terminal of multiple current mirror circuits is
Variable resistance ■. adjusted by.

上記構成において動作を説明する。半導体集積回路にお
いては、一般に、上記の如く、各索子の特性は大きくば
らつくものであるが、同種の素子であれば、その変動傾
向はほとんど同じである(ペア性がある)。したがって
、同種の素子間の特性比は、素子の特性のばらつきに関
係なく、常に所望の値のものを得ることができる。そこ
で、設計段階で、時定数回路CkT、〜CkTnを構成
する容量素子C1〜 Cn の容量比や抵抗の抵抗比を
、所望の時定数比に合わせて設定することによシ、素子
特性がばらついても、上記所望の時定数を得ることがで
きる。同様に、抵抗R0〜Rnの抵抗値を上記所望の時
定数比に合わせて適宜設定することにより、複数のカレ
ントミラー回路間のカレントミラー比の比も、また、複
数の時定数回路間の時定数の比に合わせることができる
。さらに、このように素子特性を設定することにより、
各カレントミラー回路とこれに対応する各容量素子C1
〜Cnによって構成される複数の時定数回路間の時定数
の比も、上記所望の時定数比と一致することになる。し
たがって、時定数回路CkT 1〜CkTnの少なくと
も1つの時走数を測定し、これが所望の値となるように
、可変抵抗vRoによってカレントミラー回路の入力電
流を調整してやれば、1度に、全ての時定数回路CkT
、〜CkTnの時定数を、精度良く所望の値に設定する
ことができる。
The operation in the above configuration will be explained. In a semiconductor integrated circuit, the characteristics of each strand generally vary widely as described above, but if the elements are of the same type, their tendency to change is almost the same (pairing). Therefore, the characteristic ratio between elements of the same type can always have a desired value, regardless of variations in the characteristics of the elements. Therefore, at the design stage, by setting the capacitance ratios of the capacitive elements C1 to Cn and the resistance ratios of the resistors constituting the time constant circuits CkT, ~CkTn to match the desired time constant ratios, variations in element characteristics can be avoided. However, the desired time constant can be obtained. Similarly, by appropriately setting the resistance values of the resistors R0 to Rn according to the desired time constant ratio, the ratio of the current mirror ratios between the plurality of current mirror circuits can also be changed. It can be adjusted to a constant ratio. Furthermore, by setting the element characteristics in this way,
Each current mirror circuit and each corresponding capacitive element C1
The ratio of time constants between the plurality of time constant circuits constituted by ~Cn also matches the desired time constant ratio. Therefore, by measuring the time running number of at least one of the time constant circuits CkT1 to CkTn and adjusting the input current of the current mirror circuit using the variable resistor vRo so that this becomes the desired value, all Time constant circuit CkT
, ~CkTn can be set to desired values with high accuracy.

以上詳述したようにこの実施例は、各時定数回路CkT
、〜吐−ごとにカレントミラー回路を設け、これらカレ
ントミラー回路の入力端を共通にするとともに、各カレ
ントミラー回路間のカレントミラー比の比を、上記時定
数回路CkT。
As detailed above, in this embodiment, each time constant circuit CkT
A current mirror circuit is provided for each discharge, and the input terminals of these current mirror circuits are made common, and the ratio of the current mirror ratio between each current mirror circuit is determined by the above-mentioned time constant circuit CkT.

〜CkTn間の時定数比に合わせるようにしたものであ
る。このような構成によれば、上記複数のカレントミラ
ー回路の共通入力端の入力電流を調整する1つの可変抵
抗VRoを設けるだけで、全ての時定数回路CkT 、
〜CkTnの時定数を調整可能である。しかも、この調
整は全て同時になされるという利点がある。その結果、
時定数回路CkT、〜CkTユを集積回路ICに内蔵す
るに際して、その数が増加しても、端子T や可変抵抗
■ の数が増加することがなく、回路規模の増大及び製
造経費の上昇を防止することができる。
-CkTn. According to such a configuration, all the time constant circuits CkT, CkT,
The time constant of ~CkTn can be adjusted. Moreover, there is an advantage that all these adjustments are made at the same time. the result,
When incorporating time constant circuits CkT, ~CkT into an integrated circuit IC, even if the number of time constant circuits increases, the number of terminals T and variable resistors does not increase, and the circuit scale and manufacturing costs increase. It can be prevented.

第2図は第2図に示すバイアス電源VBの具体的構成の
一例を示す回路図である。第2図のバイアス電源VBは
、トランジスタQのペース・エミッタ間電圧のばらつき
、温度ドリフトに起因するトランジスタQのコレクタ′
亀流のばらつき及び温度ドリフトによる時定数のばらつ
きを補償し得るように構成されたものである。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of the bias power supply VB shown in FIG. The bias power supply VB in FIG.
It is configured to compensate for variations in the time constant due to variations in the current and temperature drift.

すなわち、図示の回路は、ダイオード接続のトランジス
タQ0及び抵抗R0とカレントミラー回路を成すトラン
ジスタQA及び抵抗RAをもつ。トランジスタQAのコ
レクタには、トランジスタQと同極性でかつダイオード
接続のトランジスタQBのペースとコレクタの共通接続
点に接続されている。このトランジスタQBのエミッタ
は抵抗Rを介して接地されている。そして、トランジス
タQAのペースは、トランジスタQ。のペースに接続−
gれ、トランジスタQ、のペースとコレクタの共通接続
点は、トランジスタQのペースに接続されている〇 上記構成においては、トランジスタQAのコレクタ電圧
がトランジスタQのバイアス電圧となる。そこで、抵抗
R6,RAの抵抗比やトランジスタQ、 、Qo、 Q
B、 Qのエミッタ面積AEO比に、次のような関係を
設定すれば、上述した補償を完全に実現することができ
る。
That is, the illustrated circuit has a transistor QA and a resistor RA that form a current mirror circuit with a diode-connected transistor Q0 and resistor R0. The collector of the transistor QA has the same polarity as the transistor Q and is connected to a common connection point between the base and collector of a diode-connected transistor QB. The emitter of this transistor QB is grounded via a resistor R. And the pace of transistor QA is transistor Q. Connect to the pace of
The common connection point between the pace and collector of transistor Q is connected to the pace of transistor Q. In the above configuration, the collector voltage of transistor QA becomes the bias voltage of transistor Q. Therefore, the resistance ratio of resistors R6 and RA and transistors Q, , Qo, Q
If the following relationship is set for the emitter area AEO ratio of B and Q, the above-mentioned compensation can be completely realized.

Ro:RA= AFJ(QA):AE(Q。) = A
E(Qll):AE(Q)−・・・・・(1)第3図は
、ビデオテープレコーダ(以下、VTRと称する)の輝
度信号用1f’M変調器及びFM復調器における時定数
の調整に、この発明する場合を示すものである。
Ro:RA= AFJ(QA):AE(Q.)=A
E (Qll): AE (Q) - (1) Figure 3 shows the time constants of the 1f'M modulator for luminance signals and the FM demodulator of a video tape recorder (hereinafter referred to as VTR). Adjustment is intended to illustrate the case of this invention.

第3図において、トランジスタQtt、Qtz及び抵抗
R10*R11はバイアス回路11t−構成する。トラ
ンジスタQM、〜QM6 m抵抗RM、〜RM4及び容
量素子C,を含むエミッタ結合無安定マルチバイブレー
タはFM変調器12を構成する。
In FIG. 3, transistors Qtt, Qtz and resistors R10*R11 constitute a bias circuit 11t. An emitter-coupled astable multivibrator including transistors QM, ~QM6, resistors RM, ~RM4, and capacitive element C constitutes the FM modulator 12.

トランジスタQD、〜QD6 *抵抗RD、〜RD4及
び容量素子CDを含むエミッタ結合単安定マルチバイブ
レータ13ノ、それに掛算器132は1M復調器13を
構成する。
An emitter-coupled monostable multivibrator 13 including transistors QD, ~QD6 *resistors RD, ~RD4, and capacitive element CD, and a multiplier 132 constitute a 1M demodulator 13.

また、半導体集積回路ICの変調用入力端子Taは、シ
ンクチツノキャリア調整用可変抵抗vRcを介して電源
V。Cに接続されている。この入力端子TILには、記
録時、ビデオ信号源S、からニージョン調整用可変抵抗
vRDを介して入力される。そして、このビデオ信号の
変調出力(FMビデオ信号)は、出力端子T、から出力
される。
Further, the modulation input terminal Ta of the semiconductor integrated circuit IC is connected to the power supply V via a sink carrier adjustment variable resistor vRc. Connected to C. During recording, signal is input to this input terminal TIL from the video signal source S via the knee adjustment variable resistor vRD. The modulated output of this video signal (FM video signal) is output from the output terminal T.

再生時、Ei’Mビデオ信号の復調出力は、復調パルス
出力端子T0よシ外付けのロー・ヤスフィルター4を介
して、端子15に導びかれる。
During playback, the demodulated output of the Ei'M video signal is guided to the terminal 15 via the demodulated pulse output terminal T0 and an external low/yas filter 4.

上記構成において動作を説明する。The operation in the above configuration will be explained.

まず、記録モードRにおけるF’M変調動作から説明す
る。この場合、モード指示信号Sl 。
First, the F'M modulation operation in recording mode R will be explained. In this case, the mode indication signal Sl.

S2がそれぞれロウレベル、ハイレベルにあるため、ト
ランジスタQD6がオフ、トランジスタQM6がオンす
る。また、バイアス回路11によクチ、トランジスタQ
M3のエミッタ電位は()v′cc)に設定される。し
たがって、可変抵抗VRDには、直流電流は流れず、交
流電流のみ流れる。
Since S2 is at low level and high level, respectively, transistor QD6 is turned off and transistor QM6 is turned on. Also, the bias circuit 11 is connected to the transistor Q.
The emitter potential of M3 is set to ()v'cc). Therefore, no direct current flows through the variable resistor VRD, but only alternating current.

ここで、エミッタ結合無安定マルチパイプレークを駆動
する電流IMは、 となる。上式の右辺第1項は直流分、第2項は交流のみ
となっている。この電流−と容量素子CMで決定される
時定数でFM変調器12の発振周波数が決定されるので
、容量素子CMの容量値が±20〜30%の範囲でばら
ついても、可変抵抗vRC1vRDを調整することによ
って規定のシンフチラグキャリア周波数及びデビエーシ
ョンに合わせることができる。
Here, the current IM driving the emitter-coupled astable multi-pipe rake is as follows. The first term on the right side of the above equation is the DC component, and the second term is only the AC component. Since the oscillation frequency of the FM modulator 12 is determined by this current and the time constant determined by the capacitive element CM, even if the capacitance value of the capacitive element CM varies within a range of ±20 to 30%, the variable resistor vRC1vRD By adjusting it, it is possible to match the specified syn-edge lag carrier frequency and deviation.

一方、再生モードPのFM復調動作においては、トラン
ジスタQM6がオフし、トランジスタQD6がオンする
。これによシ、トランジスタQD3のエミッタ電位は%
(−zVcc)に設定される。このとき、信号源Siか
らのビデオ信号の振幅はOK段設定れ、〔信号源(S、
)を構成する半導体集積回路によってそのように設定さ
れる〕。
On the other hand, in the FM demodulation operation in reproduction mode P, transistor QM6 is turned off and transistor QD6 is turned on. Accordingly, the emitter potential of transistor QD3 is %
(-zVcc). At this time, the amplitude of the video signal from the signal source Si is set to an OK level, and [signal source (S,
) is set as such by the semiconductor integrated circuit that constitutes it.

可変抵抗VRDには、全く電流が流れない。したがって
、エミッタ結合無安定マルチバイブレータを、駆動する
電流工。は、 となる。上式は直流電流を表わしている。仁の電流■。
No current flows through the variable resistor VRD. Therefore, the current engineer driving the emitter-coupled astable multivibrator. becomes . The above equation represents direct current. Jin's current ■.

と容量素子CDの容量値で決定される時定数でF’M復
調器の復調感度が決定される。
The demodulation sensitivity of the F'M demodulator is determined by the time constant determined by the capacitance value of the capacitive element CD.

ここで、容量素子CDの容量値は±20〜30チのばら
つきをもつが、容量素子CMとの相対精度(ペア性)が
良いので、1M復調器13の調整において、ばらついた
容量素子CMの容量値に対して、可変抵抗vRcの抵抗
値が正しく調整されていれば、この抵抗値をそのまま式
(3)に代入して得られる電流■。と容量CDとで決定
される時定数はほとんどばらつかない。
Here, the capacitance value of the capacitive element CD has a variation of ±20 to 30 inches, but since the relative accuracy (pairability) with the capacitive element CM is good, when adjusting the 1M demodulator 13, the capacitance value of the capacitive element CM that varies is If the resistance value of the variable resistor vRc is adjusted correctly with respect to the capacitance value, the current (2) can be obtained by directly substituting this resistance value into equation (3). The time constant determined by the capacitance CD and the capacitance CD hardly vary.

以上の説明において、この発明に関係する部分をまとめ
ると、第3図に示す回路の全ての回路定数を希望するF
M変調器12の発振周波数及びI’M復調器13の復調
感度となるように決定しておけば、容量値(絶対値)の
ばらつきが極めて多い容量素子CM、CDヲ用いても、
その容量値のばらつきに対して、可変抵抗VR6,VR
DによってFM変調動作時の発振周波数を所望の値に調
整することにより、F’M復調動作の復調感度は希望値
にほぼ合っており、!量素子CDの容量値(絶対値)の
ばらつきに起因する復調感度    ′のばらつきは生
じない。このとき、復調感度のばらつきは、容量素子C
MtCDの容量値比のばらつき、抵抗RM□、RM3の
抵抗比のばらつき、それに、抵抗RD2.RD3の抵抗
比のばらつきで決定されるが、これらの同種の素子の特
性の比のばらつきは、半導体集積回路においては、極め
て少ない。
In the above explanation, to summarize the parts related to this invention, all the circuit constants of the circuit shown in FIG.
If the oscillation frequency of the M modulator 12 and the demodulation sensitivity of the I'M demodulator 13 are determined in advance, even if capacitive elements CM and CD with extremely large variations in capacitance value (absolute value) are used,
Variable resistors VR6 and VR
By adjusting the oscillation frequency during FM modulation operation to a desired value using D, the demodulation sensitivity of F'M demodulation operation almost matches the desired value. There is no variation in demodulation sensitivity ' due to variation in the capacitance value (absolute value) of the quantum element CD. At this time, the variation in demodulation sensitivity is caused by the capacitive element C
Variation in the capacitance ratio of MtCD, variation in the resistance ratio of resistors RM□ and RM3, and resistance RD2. Although it is determined by the variation in the resistance ratio of RD3, the variation in the ratio of characteristics of these same types of elements is extremely small in a semiconductor integrated circuit.

このようにこの発明を、VTRの輝度信号用FM変調器
120時に数回路と1M復調器13の時定数回路の時定
数の調整に適用した場合、FM変調器12の時定数を調
整して発振周波数を所望の値に設定するだけで、F’M
復調器13の時定数も自動的に所望の値に設定され、そ
の復調感度も所望の感度に設定される。
In this way, when the present invention is applied to adjusting the time constants of the time constant circuit of the FM modulator 120 for brightness signals of a VTR and the time constant circuit of the 1M demodulator 13, the time constant of the FM modulator 12 is adjusted to oscillate. Just set the frequency to the desired value, F'M
The time constant of the demodulator 13 is also automatically set to a desired value, and its demodulation sensitivity is also set to a desired sensitivity.

なお、この発明は、半導体集積回路化される時定数回路
以外の時定数回路の時定数の調整にも適用可能なことは
勿論である。
It goes without saying that the present invention is also applicable to adjusting the time constant of a time constant circuit other than a time constant circuit integrated into a semiconductor integrated circuit.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

このようにこの発明によれば、複数の時定数回路の時定
数の調整部を共通化することによシ、時定数回路を半導
体集積回路化する場合であっても、何ら回路規模の増大
や調整工程の増加を招くことなく、時定数の調整を短時
間に行うことができる時定数調整装置を提供することが
できる。
As described above, according to the present invention, by making the time constant adjustment section of a plurality of time constant circuits common, even when the time constant circuits are integrated into a semiconductor integrated circuit, there is no increase in the circuit scale or It is possible to provide a time constant adjustment device that can adjust the time constant in a short time without increasing the number of adjustment steps.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、第2
図は第1図に示すバイアス電源の具体的構成の一例を示
す回路図、第3図はこの発明の適用例の一例を示す回路
図、第4図は容量素子の半導体集積回路化構造を示す図
、第5図は従来装置を示す回路図である。 CkT、〜CkTn・・・時定数回路、C4〜Cn・・
・容量素子、R−R・・・抵抗、QxsQo−Qn・・
・トランOn ソスタ、VB・・・バイアス電源、■ ・・・可変抵抗
。 第1 因
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a circuit diagram showing an example of a specific configuration of the bias power supply shown in FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of an application example of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a semiconductor integrated circuit structure of a capacitive element. FIG. 5 is a circuit diagram showing a conventional device. CkT, ~CkTn...time constant circuit, C4~Cn...
・Capacitive element, R-R...resistance, QxsQo-Qn...
・Tran ON soster, VB...Bias power supply, ■...Variable resistor. First cause

Claims (1)

【特許請求の範囲】 複数の時定数回路と、 この複数の時定数回路のそれぞれに設けられ、入力端子
を共通とし、各出力端子が対応する時定数回路に接続さ
れる複数のカウントミラー回路と、 この複数のカレントミラー回路の上記共通入力端の入力
電流を調整可能な電流調整手段とを具備し、 上記複数のカレントミラー回路間のカレントミラー比の
比が、上記複数の時定数回路間の時定数の比に応じて設
定されるように構成されていることを特徴とする時定数
調整装置。
[Claims] A plurality of time constant circuits, and a plurality of count mirror circuits provided in each of the plurality of time constant circuits, having a common input terminal, and each output terminal being connected to a corresponding time constant circuit. , current adjusting means capable of adjusting the input current of the common input terminal of the plurality of current mirror circuits, and the ratio of the current mirror ratio between the plurality of current mirror circuits is such that the ratio of the current mirror ratio between the plurality of time constant circuits is A time constant adjustment device characterized in that the time constant adjustment device is configured to be set according to a ratio of time constants.
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