JPS61240207A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPS61240207A JPS61240207A JP8156485A JP8156485A JPS61240207A JP S61240207 A JPS61240207 A JP S61240207A JP 8156485 A JP8156485 A JP 8156485A JP 8156485 A JP8156485 A JP 8156485A JP S61240207 A JPS61240207 A JP S61240207A
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- JP
- Japan
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- optical waveguide
- waveguide
- layer
- siloxane
- optical
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光集積回路等に用いる光導波路に関するもので
ある。
ある。
（従来技術及びその問題点）
大量の情報信号を高速に処理するための超高速を大容量
の情報処理装置への要求は近年増々高まってきている。
の情報処理装置への要求は近年増々高まってきている。
このような情報処理装置は従来ロジックゲートを基本単
位とする高集積度の電気的集積回路（ＬＳＩ）によシ実
現されていた。ＬＳＩは半導体技術や実装技術の進歩に
より更に高密度化？高速化ｐ高性能化が進められている
。しかしＬＳＩでは高集積化に伴うファン・アウトの増
大ｐ配線間の干渉等のため高性能化に限界が見えはじめ
てきている。このような問題を解決するためＬＳＩチッ
プ内！チップ間１装置間の配線を光で行なう党内部接続
を用いた０ＢＩＣの概念が提晶されている。０ＫＩＣで
は光及び電気的素子を混然一体に集積化し、高度な機能
を実現することが期待できる。更に近年の光通信システ
ムの本格的実用化に伴い、光技術の適用分野は多岐にわ
たり、光センサラ光交換機等の分野では光信号を光のま
まで処理する装置も実験段階ではあるが実現されてきて
いる。このような装置も性能の高度化Ｊ安定化のために
は光集積回路化が不可決であシ将来的には前述の０ＢＩ
Ｃと共に光ｊ′ＦＭ、気が一体となった高度な機能の実
現へ発展するものと期待される。
位とする高集積度の電気的集積回路（ＬＳＩ）によシ実
現されていた。ＬＳＩは半導体技術や実装技術の進歩に
より更に高密度化？高速化ｐ高性能化が進められている
。しかしＬＳＩでは高集積化に伴うファン・アウトの増
大ｐ配線間の干渉等のため高性能化に限界が見えはじめ
てきている。このような問題を解決するためＬＳＩチッ
プ内！チップ間１装置間の配線を光で行なう党内部接続
を用いた０ＢＩＣの概念が提晶されている。０ＫＩＣで
は光及び電気的素子を混然一体に集積化し、高度な機能
を実現することが期待できる。更に近年の光通信システ
ムの本格的実用化に伴い、光技術の適用分野は多岐にわ
たり、光センサラ光交換機等の分野では光信号を光のま
まで処理する装置も実験段階ではあるが実現されてきて
いる。このような装置も性能の高度化Ｊ安定化のために
は光集積回路化が不可決であシ将来的には前述の０ＢＩ
Ｃと共に光ｊ′ＦＭ、気が一体となった高度な機能の実
現へ発展するものと期待される。
上述のような高度な機能を実現するための光集積回路で
は、発光り受光デバイス？光スイッチ！変調器等の光制
御デバイスだけでなく、それらの間を自在に接続するた
めの低損失の光導波路が必要となる。このような目的に
用いる光導波路には次のような特性が要求される。
は、発光り受光デバイス？光スイッチ！変調器等の光制
御デバイスだけでなく、それらの間を自在に接続するた
めの低損失の光導波路が必要となる。このような目的に
用いる光導波路には次のような特性が要求される。
（１）大面積での成膜の容易性２制御性（２）１〜数１
０μｍの膜厚が可能（単一モードから多モード迄） （３）高精度のパターン化可能 （４） ０．１ ｄＢ／ｍ程度以下の低導波損失（５
）発光素子との高結合効率 （６）長期に渡る安定性 このうち（５）については半導体レーザ（ＬＤ）との端
面結合を考えると、ＬＤの放射角θｒと導波路の受光角
θを合わせる必要がある。ＬＤの放射角は１ ／ ｅ’
半角で３５−４０° 程度であるから導波路の開口数８
人（＝ｓｉｎθ）として０．５〜０．６程度が必要とな
る。導波路のクラッド層としてガラスやイ
５ｉ０１ （ｎ〜１．４５ ）、サファイヤ（ｎ〜１
．７）を用いることを考えると導波路のコア材料の屈折
率として１．５５及び１．８程度であることが必要とな
る。
０μｍの膜厚が可能（単一モードから多モード迄） （３）高精度のパターン化可能 （４） ０．１ ｄＢ／ｍ程度以下の低導波損失（５
）発光素子との高結合効率 （６）長期に渡る安定性 このうち（５）については半導体レーザ（ＬＤ）との端
面結合を考えると、ＬＤの放射角θｒと導波路の受光角
θを合わせる必要がある。ＬＤの放射角は１ ／ ｅ’
半角で３５−４０° 程度であるから導波路の開口数８
人（＝ｓｉｎθ）として０．５〜０．６程度が必要とな
る。導波路のクラッド層としてガラスやイ
５ｉ０１ （ｎ〜１．４５ ）、サファイヤ（ｎ〜１
．７）を用いることを考えると導波路のコア材料の屈折
率として１．５５及び１．８程度であることが必要とな
る。
従来考えられている光導波路材料としては半導体材料を
除くと次のようなものがある。
除くと次のようなものがある。
０シリカ系ガラス
Ｏ酸化物結晶
○有機系材料
シリカ系ガラスによる光導波路では雑誌［アイ・イー・
イー・イー・ジャーナル・オブ・カンタムエレトクｏニ
クス（ＩＦｉＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎ−
ｔｕｍ Ｆｉｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ第ＱＥ−１
７巻、１９８１年、９８２〜９８７頁及び雑誌「エレク
トロニクス優しターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ）Ｊ 、第１９巻、１９８３年、５８３−
５８４頁に掲載の論文に於て、化学気相たい積（ＣＶＤ
）法、肺炎加水分解法によシ製作された例が報告されて
いる。
イー・イー・ジャーナル・オブ・カンタムエレトクｏニ
クス（ＩＦｉＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｑｕａｎ−
ｔｕｍ Ｆｉｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ） Ｊ第ＱＥ−１
７巻、１９８１年、９８２〜９８７頁及び雑誌「エレク
トロニクス優しターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ）Ｊ 、第１９巻、１９８３年、５８３−
５８４頁に掲載の論文に於て、化学気相たい積（ＣＶＤ
）法、肺炎加水分解法によシ製作された例が報告されて
いる。
シリカ系ガラスによる光導波路は薄い膜から数１０μｍ
以上の原膜迄成膜やチャンネル導波路化のためのパター
ン化が容易、低導波損失という利点がある。しかし良質
なりラッド層、光学的バッファ層である５ｉＯｚやガラ
ス基板との間に充分な屈折率差がとれず（Ｎ人〜０．２
が限界）放射角の大きな半導体レーザ（ＬＤ）、発光ダ
イオード（ＬＥＤ）と高効率で結合することが難しい。
以上の原膜迄成膜やチャンネル導波路化のためのパター
ン化が容易、低導波損失という利点がある。しかし良質
なりラッド層、光学的バッファ層である５ｉＯｚやガラ
ス基板との間に充分な屈折率差がとれず（Ｎ人〜０．２
が限界）放射角の大きな半導体レーザ（ＬＤ）、発光ダ
イオード（ＬＥＤ）と高効率で結合することが難しい。
酸化物結晶では雑誌［アイ・イー・イー・イー・ジャー
ナル・オプ・カンタム・エレクトロニクス（ＩＥＥｇ
Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｑｕｎａｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ）第ＱＥ−１８巻、１９８２．８００−８０６
頁に掲載された論文に於て述べられているように５ｔ３
Ｎ４ｊＮｂ、 ｏ、 Ｊ ’ｐａ２ ｏ、やＺｎＯなど
の結晶を用いた光導波路が報告されている。これらの材
料は屈折率が２程度と非常に高（，８ｉ０２層少ガラス
基板やサファイヤ基板上に形成し先光導波路では屈折率
差が大きすぎ光をと９出す際の放射角が非常に大きくな
ってし１う。更に、これらの材料を成膜する方法はスパ
ッタリングやＣＶＤ法が主であるがこれらの方法で成膜
した膜では基板との格子定数や熱膨張係数の違いから来
るひずみにより数μｍ以上の厚い膜をクラックなしに成
長することは難しいという問題もある。
ナル・オプ・カンタム・エレクトロニクス（ＩＥＥｇ
Ｊｏｕｎａｌ ｏｆ Ｑｕｎａｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ）第ＱＥ−１８巻、１９８２．８００−８０６
頁に掲載された論文に於て述べられているように５ｔ３
Ｎ４ｊＮｂ、 ｏ、 Ｊ ’ｐａ２ ｏ、やＺｎＯなど
の結晶を用いた光導波路が報告されている。これらの材
料は屈折率が２程度と非常に高（，８ｉ０２層少ガラス
基板やサファイヤ基板上に形成し先光導波路では屈折率
差が大きすぎ光をと９出す際の放射角が非常に大きくな
ってし１う。更に、これらの材料を成膜する方法はスパ
ッタリングやＣＶＤ法が主であるがこれらの方法で成膜
した膜では基板との格子定数や熱膨張係数の違いから来
るひずみにより数μｍ以上の厚い膜をクラックなしに成
長することは難しいという問題もある。
これらに対し有機系材料では一般に屈折率は１．５〜１
．７程度のものが種々得られ５ｉ０２層やガラス基板を
クラッド層とした場合ＬＤ 、ＬＥＤとの結合に適して
いる。また成膜も溶媒に溶かした液体状態でスピン・コ
ート等により行なえるので、サブミクロンから１００μ
ｍ程度の厚み迄の膜が大面積で容易に形成できる。この
ように有機系材料はシリカ系ガラスツ酸化物結晶材料に
比べ光導波路材料として優れた適性を有している。
．７程度のものが種々得られ５ｉ０２層やガラス基板を
クラッド層とした場合ＬＤ 、ＬＥＤとの結合に適して
いる。また成膜も溶媒に溶かした液体状態でスピン・コ
ート等により行なえるので、サブミクロンから１００μ
ｍ程度の厚み迄の膜が大面積で容易に形成できる。この
ように有機系材料はシリカ系ガラスツ酸化物結晶材料に
比べ光導波路材料として優れた適性を有している。
゛しかしながら従来報告されているポリウレタンｐエポ
キシｔＫＰＲフォトレジスト等の材料（雑誌［アプライ
ド拳オプティクス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ）、
第１１巻、１９７２年４２８−４３４頁）は成膜初期の
状態での導波損失等の特性は優れているが、材料自体の
吸湿性２分解夕耐熱性の悪さ等の問題によシ長期間に渡
ると特性が劣化したシ、成膜以降に高温のプロセスを導
入できない等の問題があり光集積回路の中で用いる光導
波路材料としては適していなかった。
キシｔＫＰＲフォトレジスト等の材料（雑誌［アプライ
ド拳オプティクス（Ａｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ）、
第１１巻、１９７２年４２８−４３４頁）は成膜初期の
状態での導波損失等の特性は優れているが、材料自体の
吸湿性２分解夕耐熱性の悪さ等の問題によシ長期間に渡
ると特性が劣化したシ、成膜以降に高温のプロセスを導
入できない等の問題があり光集積回路の中で用いる光導
波路材料としては適していなかった。
（発明の目的）
本発明の目的は上述のような従来技術の問題点を除去し
、大面積に渡シ成膜が容易で低損失かつ兄冗索子との結
合に適し、長期の信頼性も高い先導波路を提供すること
にある。
、大面積に渡シ成膜が容易で低損失かつ兄冗索子との結
合に適し、長期の信頼性も高い先導波路を提供すること
にある。
（問題点を解決する具体的手段）
本発明は、単層又は多層から成る基板と、該基板上に形
成された光ガイド層とを有する光導波路において、前記
光ガイド層はシロキサン系有機高分子材料より成ること
を特徴とする光導波路とした。
成された光ガイド層とを有する光導波路において、前記
光ガイド層はシロキサン系有機高分子材料より成ること
を特徴とする光導波路とした。
本発明者らは、厚膜の形成が容易であるという理由から
、有機高分子材料に着目し、種々の有機高分子材料の光
学特性を調べたととる、シロキチン系有機高分子材料（
シリコーン樹脂）が光導波路の光ガイド層に適している
ことを見出した。シロキサン系有機高分子材料は無機質
の８ ｉ −０−８ｉ結合と有機基とから成る材料で物
理的化学的性質は無機質と有機質の両方をそなえている
。たとえばシリケート類に由来する耐熱性と有機材料に
負うところの溶解性などを兼ね備えている。つまりシロ
キサン系有機高分子材料は通常の有機材料と同様、溶媒
に溶かした状態で容易に成膜することができ、なおかつ
一度溶媒が飛んでしまえばシリケート類の特徴である耐
熱性と低い吸湿性を示す非常に安定な膜となる。このこ
とはこの材料が非常に形成容易で安定な光導波路となシ
得ることを示している。
、有機高分子材料に着目し、種々の有機高分子材料の光
学特性を調べたととる、シロキチン系有機高分子材料（
シリコーン樹脂）が光導波路の光ガイド層に適している
ことを見出した。シロキサン系有機高分子材料は無機質
の８ ｉ −０−８ｉ結合と有機基とから成る材料で物
理的化学的性質は無機質と有機質の両方をそなえている
。たとえばシリケート類に由来する耐熱性と有機材料に
負うところの溶解性などを兼ね備えている。つまりシロ
キサン系有機高分子材料は通常の有機材料と同様、溶媒
に溶かした状態で容易に成膜することができ、なおかつ
一度溶媒が飛んでしまえばシリケート類の特徴である耐
熱性と低い吸湿性を示す非常に安定な膜となる。このこ
とはこの材料が非常に形成容易で安定な光導波路となシ
得ることを示している。
しかしながらシロキサン系有機材料の光学的特性は従来
充分調べられていなかった。本発明者らは上述のような
点よりこの材料の光学的特性を調べ、屈折率ｎり１．６
、光吸収係数＜＜ １ ｂＢ ／ Ｃ１１（波長６３２
８ Ｘに於て）という非常に光導波路ガイド層に適した
特性を有することを見出した。
充分調べられていなかった。本発明者らは上述のような
点よりこの材料の光学的特性を調べ、屈折率ｎり１．６
、光吸収係数＜＜ １ ｂＢ ／ Ｃ１１（波長６３２
８ Ｘに於て）という非常に光導波路ガイド層に適した
特性を有することを見出した。
本発明は本発明者らの見出したこのような知見に基づく
ものであり、成膜が容易で、低損失かつ発光素子との結
合に適し長期の信頼性も高い光導波路が得られる。
ものであり、成膜が容易で、低損失かつ発光素子との結
合に適し長期の信頼性も高い光導波路が得られる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例）
第１図は本発明による光導波路の製造プロセスを説明す
るための断面図である。
るための断面図である。
シリコン基板上１に厚さ１μｍのシリコン酸化膜２をス
パッタ蒸着する。この上にラダー屋シロキサンポリマー
３を厚さ１０μｍスピン塗布する。
パッタ蒸着する。この上にラダー屋シロキサンポリマー
３を厚さ１０μｍスピン塗布する。
ラダー型シロキサンポリマ、−３には、次のような骨格
のものを使用する。
のものを使用する。
Ｒがフェニル基のものはＬＰ−１０３の商品名で信越化
学工業■よシ入手可能である。Ｒは、プロトンあるいは
アルキル基であっても良い。これらの材料の屈折率は１
．６前後である。ポリマーの溶媒には、たとえばクロル
ベンゼンを用いることができる。２００℃で１時間焼成
し溶媒を蒸発させた後、厚さ１５００ Ｘのニッケル４
を蒸着する。通常のりソグラフィの手段を用いてニッケ
ル上にあらかじめ定められた形状のレジストパターン５
を設ける （第１図（ａ））レジメ）５にはたとえばＡ
Ｚ１３５０Ｊを用いることができる。１３５℃で１時間
ペイキングし、レジストの側壁を平滑化する。イオンミ
リング法によシレジストパターンをニッケル層４に転写
する（第１図（ｂ））。前述のペイキング処理は平滑な
側壁を有するニッケルパターンの形成、さらＫは、平滑
な側壁を有するシロキサンポリマーのパターンを形成す
るために必要である。次にＣＦ、をエツチングガスとす
る平行平板型の反応性イオンエツチング装置を用いてシ
ロキサンポリマー３にエツチング転写する。ＣＦ４＝
３０ＳＣＣＭ、 チェンバー圧力８Ｐａ１高周波印加
電力１００ Ｗ （０，１６Ｗ／ｃｍ２）の条件テレシ
スト：ラダー型シロキサンポリマー： Ｓｉｎ、 ＝
１ ： １．４ ： ２のエツチング速度比を持つ。中
間マスク材としてのニッケルのエツチングは認められな
い。最後にニッケル４ａをＦｅＣｌ３の水溶液にて除去
し光導波路を得る（第１図（Ｃ））。場合にょシ、シリ
コン樹脂等の低屈折率媒質６によシ全体をおおい、埋め
込み型の光導波路としてもよい（第１図（ｄ））。導波
路のパターンとしてはここでは直線状のストライブを用
いたが、上述のプロセスによシ曲がシ導波路や光分岐も
製作できる。
学工業■よシ入手可能である。Ｒは、プロトンあるいは
アルキル基であっても良い。これらの材料の屈折率は１
．６前後である。ポリマーの溶媒には、たとえばクロル
ベンゼンを用いることができる。２００℃で１時間焼成
し溶媒を蒸発させた後、厚さ１５００ Ｘのニッケル４
を蒸着する。通常のりソグラフィの手段を用いてニッケ
ル上にあらかじめ定められた形状のレジストパターン５
を設ける （第１図（ａ））レジメ）５にはたとえばＡ
Ｚ１３５０Ｊを用いることができる。１３５℃で１時間
ペイキングし、レジストの側壁を平滑化する。イオンミ
リング法によシレジストパターンをニッケル層４に転写
する（第１図（ｂ））。前述のペイキング処理は平滑な
側壁を有するニッケルパターンの形成、さらＫは、平滑
な側壁を有するシロキサンポリマーのパターンを形成す
るために必要である。次にＣＦ、をエツチングガスとす
る平行平板型の反応性イオンエツチング装置を用いてシ
ロキサンポリマー３にエツチング転写する。ＣＦ４＝
３０ＳＣＣＭ、 チェンバー圧力８Ｐａ１高周波印加
電力１００ Ｗ （０，１６Ｗ／ｃｍ２）の条件テレシ
スト：ラダー型シロキサンポリマー： Ｓｉｎ、 ＝
１ ： １．４ ： ２のエツチング速度比を持つ。中
間マスク材としてのニッケルのエツチングは認められな
い。最後にニッケル４ａをＦｅＣｌ３の水溶液にて除去
し光導波路を得る（第１図（Ｃ））。場合にょシ、シリ
コン樹脂等の低屈折率媒質６によシ全体をおおい、埋め
込み型の光導波路としてもよい（第１図（ｄ））。導波
路のパターンとしてはここでは直線状のストライブを用
いたが、上述のプロセスによシ曲がシ導波路や光分岐も
製作できる。
（実施例２）
シリコン基板上に厚さ１μｍのシリコン酸化膜をスパッ
タ蒸着す゛る。この上にポリ（ジメチルジフェニルビニ
ルシロキサン）を厚さ１０μｍスピン塗布する。このよ
うなポリマーはＰ８２６４の商品名でペトラーチ社よシ
入手可能である。ポリマーは塗布後焼成してもゴム状の
ままであるが、λ＝２５０１１１１の遠紫外光を照射す
ると三次元架橋する。遠紫外光の照射はキャノン社ＯＰ
Ｌ人５２０露光装置の光源を利用し、１０時間行なう。
タ蒸着す゛る。この上にポリ（ジメチルジフェニルビニ
ルシロキサン）を厚さ１０μｍスピン塗布する。このよ
うなポリマーはＰ８２６４の商品名でペトラーチ社よシ
入手可能である。ポリマーは塗布後焼成してもゴム状の
ままであるが、λ＝２５０１１１１の遠紫外光を照射す
ると三次元架橋する。遠紫外光の照射はキャノン社ＯＰ
Ｌ人５２０露光装置の光源を利用し、１０時間行なう。
照射後さらに２００℃で１時間ペイキングし、ポリマー
中に生成されたＯＨ基を離脱させる。実施例１で述べた
方法と同様な手法でシロキサンポリマーにパターンを転
写し、光導波路を得る。尚ポリ（ジメチルジフェニルビ
ニルシロキサン）の代υイ にポリ（ジメチルビニルシロキサン）ｐポリ（ジフェニ
ルビニルシロキサン）１ポリ（メチルノ１イドロジェン
ビニルシロキサン）などを用いてもよい。また、実施例
では８ｉ上に５ｉ０２を形成した２層構造の基板を用い
たが、ガラス石英等から成る単層の基板であっても効果
は同じである。要は光ガイド層の屈折率よシも小さい屈
折率の領域が少なくとも光ガイド層に接する基板表面近
傍に存在すればよい。
中に生成されたＯＨ基を離脱させる。実施例１で述べた
方法と同様な手法でシロキサンポリマーにパターンを転
写し、光導波路を得る。尚ポリ（ジメチルジフェニルビ
ニルシロキサン）の代υイ にポリ（ジメチルビニルシロキサン）ｐポリ（ジフェニ
ルビニルシロキサン）１ポリ（メチルノ１イドロジェン
ビニルシロキサン）などを用いてもよい。また、実施例
では８ｉ上に５ｉ０２を形成した２層構造の基板を用い
たが、ガラス石英等から成る単層の基板であっても効果
は同じである。要は光ガイド層の屈折率よシも小さい屈
折率の領域が少なくとも光ガイド層に接する基板表面近
傍に存在すればよい。
（発明の効果）
上述のように形成した光導波路に鉛ガラス（ｎ≧１．７
）製のプリズムを用いて波長λ＝６３２８ＸのＮｅ−Ｎ
ｅガスレーザ光を導波し、導波損失を測定したところ低
次モード主体の励起状態で０．５ｄＢ／ Ｃ１１以下の
低い値が得られた。この値は加熱ｐ冷却のサイクルを繰
シ返したサンプルに於ても変化はなく本発明による光導
波路が非常に安定なものであることが示された。
）製のプリズムを用いて波長λ＝６３２８ＸのＮｅ−Ｎ
ｅガスレーザ光を導波し、導波損失を測定したところ低
次モード主体の励起状態で０．５ｄＢ／ Ｃ１１以下の
低い値が得られた。この値は加熱ｐ冷却のサイクルを繰
シ返したサンプルに於ても変化はなく本発明による光導
波路が非常に安定なものであることが示された。
また実施例 に示した方法によシ導波路の入出射端面も
形成したサンプルと波長λ＝１．３μｍのＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ Ｐ二重チャンネルプレー
ナ埋込みへテロ（ＤＣ−ＰＢＨ）型ＬＤ（雑誌「エレク
トロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ）第１８巻、１９８２年２〜３頁） と全端面結合したところ反射損失を除いた結合効率とし
て７０チ以上が得られた。
形成したサンプルと波長λ＝１．３μｍのＩ ｎ Ｇ
ａ Ａ ｓ Ｐ ／ Ｉ ｎ Ｐ二重チャンネルプレー
ナ埋込みへテロ（ＤＣ−ＰＢＨ）型ＬＤ（雑誌「エレク
トロニクス・レターズ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ）第１８巻、１９８２年２〜３頁） と全端面結合したところ反射損失を除いた結合効率とし
て７０チ以上が得られた。
以上詳細に説明したように本発明によれば大面積に渡り
成膜が容易で低損失かつ発光素子との結合に適し、長期
の信頼性も高い先導波路が得られ種々の光集積回路の発
展に當与する所大である。
成膜が容易で低損失かつ発光素子との結合に適し、長期
の信頼性も高い先導波路が得られ種々の光集積回路の発
展に當与する所大である。
尚 本実施例ではラダー型ジフェニルポリシロキサンｐ
ポリジメチルジフェニルビニルシロキサンをシロキサン
系有機高分子材料の一例として述べたが、以上の材料に
限定されることなく、末端水酸基材封鎖ジメチルシロキ
サン あるいは末端水酸基封鎖ジフェニルシロキサンと架標剤
との組合せであってもよい。架橋剤としてはアルコキシ
シランまたはそれらの部分加水分解シロキサンたとえば
ＣＨｓＳｉ（ＣＯ２Ｈｓ ）ａ −ＣｅＨｓＳｉ（ＱＣ
！Ｈ５）３νＣＨ２＝ＣＨ８ｉ （ＣＯ２Ｈ５） ３
ｔ Ｓ ｉ （ＯＣＲＨ５）４ ｐ８ｉ（ＯＣｓＨｙ）
ａなど、あるいはこれらの部分加水分解シロキサンｐＣ
Ｈ＠ ８ ｓ Ｏ２ｌＳ ｉ０２単位の共重合シロキサ
ンなどを用いることができる。
ポリジメチルジフェニルビニルシロキサンをシロキサン
系有機高分子材料の一例として述べたが、以上の材料に
限定されることなく、末端水酸基材封鎖ジメチルシロキ
サン あるいは末端水酸基封鎖ジフェニルシロキサンと架標剤
との組合せであってもよい。架橋剤としてはアルコキシ
シランまたはそれらの部分加水分解シロキサンたとえば
ＣＨｓＳｉ（ＣＯ２Ｈｓ ）ａ −ＣｅＨｓＳｉ（ＱＣ
！Ｈ５）３νＣＨ２＝ＣＨ８ｉ （ＣＯ２Ｈ５） ３
ｔ Ｓ ｉ （ＯＣＲＨ５）４ ｐ８ｉ（ＯＣｓＨｙ）
ａなど、あるいはこれらの部分加水分解シロキサンｐＣ
Ｈ＠ ８ ｓ Ｏ２ｌＳ ｉ０２単位の共重合シロキサ
ンなどを用いることができる。
また、ここで述べた実施例では平坦な基板上に゛クラッ
ド層と導波路層を形成した後にパターン化する方法につ
いて示したが、雑誌アプライド・オブティクス（Ａｐｐ
ｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）第１４巻、１９７５年、１
２００〜１２０６頁に掲載された論文のように予め溝を
形成した基板上に光導波路を形成してもよい。
ド層と導波路層を形成した後にパターン化する方法につ
いて示したが、雑誌アプライド・オブティクス（Ａｐｐ
ｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ ）第１４巻、１９７５年、１
２００〜１２０６頁に掲載された論文のように予め溝を
形成した基板上に光導波路を形成してもよい。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明による光導波路の製造プ
ロセスを説明するだめの図である。
ロセスを説明するだめの図である。
Claims (1)
- 単層又は多層から成る基板と、該基板上に形成された光
ガイド層とを有する光導波路において、前記光ガイド層
はシロキサン系有機高分子材料より成ることを特徴とす
る光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156485A JPS61240207A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8156485A JPS61240207A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240207A true JPS61240207A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13749785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8156485A Pending JPS61240207A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240207A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2625333A1 (fr) * | 1987-12-24 | 1989-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de microguides de lumiere a faibles pertes de propagation optique par depot de multicouches |
| EP0364214A2 (en) * | 1988-10-11 | 1990-04-18 | Sony Corporation | Optical wavelength conversion devices |
| JPH0353203A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Toray Ind Inc | 埋め込み型有機結晶体光導波路素子の製造方法 |
| EP0974067B1 (en) * | 1997-04-08 | 2004-05-26 | Corning Incorporated | Low stress optical waveguide having conformal cladding and fixture for precision optical interconnects |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5247744A (en) * | 1975-10-10 | 1977-04-15 | Xerox Corp | Optically modulating method and device |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8156485A patent/JPS61240207A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5247744A (en) * | 1975-10-10 | 1977-04-15 | Xerox Corp | Optically modulating method and device |
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