JPS61236608A - 高純度ケイ素の製造方法 - Google Patents
高純度ケイ素の製造方法Info
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- JPS61236608A JPS61236608A JP7801785A JP7801785A JPS61236608A JP S61236608 A JPS61236608 A JP S61236608A JP 7801785 A JP7801785 A JP 7801785A JP 7801785 A JP7801785 A JP 7801785A JP S61236608 A JPS61236608 A JP S61236608A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はケイ素の製造方法に関し、更に詳しくは従来に
較べて高純度のケイ素を製造する方法に関するものであ
る。
較べて高純度のケイ素を製造する方法に関するものであ
る。
従来より、ケイ素を製造する方法の１つとして、反応器
にＨｓガスとａ１２ガスを導入し、燃焼させて火災を発
生させ、この火炎中にシラン及び／又は／・ロゲ／化シ
ランを吹込み、熱分解させてケイ素を回転する出発材に
析出させるケイ素の・製造方法が提案されている（特公
昭ｊ７−／７ｔ ≠３ ）。
にＨｓガスとａ１２ガスを導入し、燃焼させて火災を発
生させ、この火炎中にシラン及び／又は／・ロゲ／化シ
ランを吹込み、熱分解させてケイ素を回転する出発材に
析出させるケイ素の・製造方法が提案されている（特公
昭ｊ７−／７ｔ ≠３ ）。
この方法を、図面によって更に詳しく説明するに、第１
図はこの方法に使用される具体的な１例を示す装置の断
面図である。第１図から明らかなように、反応容器ｌの
底部にはノ（−ナーλが設けられ、この）（−ナースは
原料導入管３Ｈ，ガス導入管グ及びＯ１ｇガス導入管ｊ
と接続している。このバーナーの上方に出発材ｔを備え
た回転引上げ装置７があり、出発材乙の先端には析出し
たケイ素多結晶体ｔが成長している。
図はこの方法に使用される具体的な１例を示す装置の断
面図である。第１図から明らかなように、反応容器ｌの
底部にはノ（−ナーλが設けられ、この）（−ナースは
原料導入管３Ｈ，ガス導入管グ及びＯ１ｇガス導入管ｊ
と接続している。このバーナーの上方に出発材ｔを備え
た回転引上げ装置７があり、出発材乙の先端には析出し
たケイ素多結晶体ｔが成長している。
同時に反応容器ｌ内の圧力を調贅するための排気調整器
２が備えられている。ｔｆｔ）（−す−一般置部および
出発材乙の出入部にはシール材ｉｏが設けられ、反応器
ｌ内の気密が保持されている。バーナーコにおいて、Ｈ
，−０１４ガスは次の（１）式のように燃焼し、 Ｈ３十０１１−．２ＨＯ１＋４’ １１．２ Ｋｃａｉ
−−−（１）この発熱よって、原料はたとえば、（２
）’Ｅたは（３）式のように熱分解し、ケイ素微結晶を
生じる。
２が備えられている。ｔｆｔ）（−す−一般置部および
出発材乙の出入部にはシール材ｉｏが設けられ、反応器
ｌ内の気密が保持されている。バーナーコにおいて、Ｈ
，−０１４ガスは次の（１）式のように燃焼し、 Ｈ３十０１１−．２ＨＯ１＋４’ １１．２ Ｋｃａｉ
−−−（１）この発熱よって、原料はたとえば、（２
）’Ｅたは（３）式のように熱分解し、ケイ素微結晶を
生じる。
ＳｉＨ４＋１０１１ Ｓ ｉ十弘Ｉ（０１・・・・
・・・・・・・・（２）＋３１０１４ ＋２Ｈ２−８ｉ
＋４ｔＨｃＪ１・・・・・・・・・・・・（３）この
夛イ素微結晶流（Ｈ，−０１３炎） ／／は回転ケイ
素多結晶体ｌはその成長に合わせで、同転引上げ装置７
により回転、引上げられ、丸棒状のケイ素多結晶体ｌが
製造される。
・・・・・・・・（２）＋３１０１４ ＋２Ｈ２−８ｉ
＋４ｔＨｃＪ１・・・・・・・・・・・・（３）この
夛イ素微結晶流（Ｈ，−０１３炎） ／／は回転ケイ
素多結晶体ｌはその成長に合わせで、同転引上げ装置７
により回転、引上げられ、丸棒状のケイ素多結晶体ｌが
製造される。
しかし、このようなケイ素の製造方法によれば、熱分解
時の高温におけるａｔ４ガス並びに生成ＨＯＩの強い腐
蝕性により、反応装置構成元素、−５＝ 特に高温になるバーナーを構成する元素がケイ素多結晶
体に混入することが避けられない。したがって、ある一
定の純度以上には製品純度を上げられないという欠点が
あった。即ち、０１工とＨ，の燃焼反応によるＨ（１１
の合成に紘、従来石英及び黒鉛を用いたバーナーを使用
するのが通常の方法であるが（［材料の腐蝕と防蝕の工
学］日本材料学会編、／７７ｊ年１月１日発行、頁２４
ぶ）、か＼るバーナーを用いてケイ素を成長させると黒
鉛中の炭素や石英中の酸素が気相に移行し、成長させる
べきケイ素中に混入すると云う欠点がおった。
時の高温におけるａｔ４ガス並びに生成ＨＯＩの強い腐
蝕性により、反応装置構成元素、−５＝ 特に高温になるバーナーを構成する元素がケイ素多結晶
体に混入することが避けられない。したがって、ある一
定の純度以上には製品純度を上げられないという欠点が
あった。即ち、０１工とＨ，の燃焼反応によるＨ（１１
の合成に紘、従来石英及び黒鉛を用いたバーナーを使用
するのが通常の方法であるが（［材料の腐蝕と防蝕の工
学］日本材料学会編、／７７ｊ年１月１日発行、頁２４
ぶ）、か＼るバーナーを用いてケイ素を成長させると黒
鉛中の炭素や石英中の酸素が気相に移行し、成長させる
べきケイ素中に混入すると云う欠点がおった。
本発明の目的はか＼る欠点のない純度の高いケイ素を容
易に製造し得る方法を提供するにある。
易に製造し得る方法を提供するにある。
本発明者等はか＼る方法について種々検討した結果、反
応装置としてＯ’ｌｌと為との燃焼を少なくとも金属ケ
イ素で構成したバーナーを用いて行えば、好ましくはケ
イ素製反応装置、又は−番 − 装置内部がケイ素で被覆されている装置を用いれば高純
度のケイ素が容易に得られることを見い出し本発明に到
達した。
応装置としてＯ’ｌｌと為との燃焼を少なくとも金属ケ
イ素で構成したバーナーを用いて行えば、好ましくはケ
イ素製反応装置、又は−番 − 装置内部がケイ素で被覆されている装置を用いれば高純
度のケイ素が容易に得られることを見い出し本発明に到
達した。
即ち、本発明は、反応容器中に塩素と水素を吹き込み、
該塩素と一該水素とを燃焼させて火炎を発生させ、この
中にシラン及び／又はノ・ロゲン化シランを吹龜込み、
ケイ素を析出させる方法において、該塩素と水素との燃
焼を全綱ケイ素製又は金属ケイ素で被覆したバーナーを
用いて行うことを特徴とする高純度ケイ素の製造方法に
存する。
該塩素と一該水素とを燃焼させて火炎を発生させ、この
中にシラン及び／又はノ・ロゲン化シランを吹龜込み、
ケイ素を析出させる方法において、該塩素と水素との燃
焼を全綱ケイ素製又は金属ケイ素で被覆したバーナーを
用いて行うことを特徴とする高純度ケイ素の製造方法に
存する。
本発明を更に詳しく説明するに、本発明方法では前記し
た如く、反応容器内に塩素と水素を吹き込み、金属ケイ
素で構成したバーナーを用いて燃焼させ、その火炎中に
原料ガス、例えばシラン、四塩化シラン、三塩化シラン
などを供給して前記（２）、 （３）式のように原料を
熱分解し、ケイ素多結晶を生成させる。
た如く、反応容器内に塩素と水素を吹き込み、金属ケイ
素で構成したバーナーを用いて燃焼させ、その火炎中に
原料ガス、例えばシラン、四塩化シラン、三塩化シラン
などを供給して前記（２）、 （３）式のように原料を
熱分解し、ケイ素多結晶を生成させる。
本発明では原石のシラン及び／又はノ・ロゲン化シラン
を熱分解させるために、塩素と水素とにより火炎を発生
させるが、この燃焼は金属ケイ素膜、又は全綱ケイ素で
被覆したバーナーを使用することが必要である。黒鉛等
を材質としたバーナーでは前記したごとく、材質の炭素
等の元素が生成ケイ素中に混入し、高純度の製品れば種
々のものが使用できる。例えば第１図に示すように二重
構造管としたものでもよく、また三重構造管としたもの
、或は水素と塩素とをそれぞれのバーナーより供給する
ものでもよい。
を熱分解させるために、塩素と水素とにより火炎を発生
させるが、この燃焼は金属ケイ素膜、又は全綱ケイ素で
被覆したバーナーを使用することが必要である。黒鉛等
を材質としたバーナーでは前記したごとく、材質の炭素
等の元素が生成ケイ素中に混入し、高純度の製品れば種
々のものが使用できる。例えば第１図に示すように二重
構造管としたものでもよく、また三重構造管としたもの
、或は水素と塩素とをそれぞれのバーナーより供給する
ものでもよい。
また、バーナーの金属ケイ素の純度は必要とされる製品
の純度により定められる。通常の黒鉛等のバーナーに代
えて純度？ｒｌの金属ケイ素を用いても、もちろん効果
はあるが、２２．２タタタ７２％（いわゆるｆＮ）以上
の純度の製品金属ケイ素を得たい場合は、やはす♂Ｎ以
上の金属ケイ素を用いるのが好ましい。
の純度により定められる。通常の黒鉛等のバーナーに代
えて純度？ｒｌの金属ケイ素を用いても、もちろん効果
はあるが、２２．２タタタ７２％（いわゆるｆＮ）以上
の純度の製品金属ケイ素を得たい場合は、やはす♂Ｎ以
上の金属ケイ素を用いるのが好ましい。
反応容器ｌは黒鉛製でもさしつかえないが、高い製品純
度を得るには、一部又は全部を金＾ケイ素に代えるのが
よい。その場合金属ケイ素は耐熱性及び機械的強度が低
く、かつ高価であるので最も好ましくは、内面をケイ素
で覆った黒鉛を用いる。尚反応容器ｌは高温になるので
ジャケットを備えた反応容器であってもよい。
度を得るには、一部又は全部を金＾ケイ素に代えるのが
よい。その場合金属ケイ素は耐熱性及び機械的強度が低
く、かつ高価であるので最も好ましくは、内面をケイ素
で覆った黒鉛を用いる。尚反応容器ｌは高温になるので
ジャケットを備えた反応容器であってもよい。
せる。出発材ｌｌとしては、通常ケイ素多結晶適である
。
。
本発明で使用する原料のシラン及び／又はハロゲン化シ
ランとしてはシラン（ＳｉＨ４）、四塩化シラン（日１
０］す）、三塩化シラン（５ｉＨ（１１哀）、二塩化シ
ラｙ （ＢｉＨｌｏｌｇ ） 、−塩化シラン（Ｅｌｌ
Ｈ，０１）、又はこれら１種以上の混合物を挙げること
ができる。
ランとしてはシラン（ＳｉＨ４）、四塩化シラン（日１
０］す）、三塩化シラン（５ｉＨ（１１哀）、二塩化シ
ラｙ （ＢｉＨｌｏｌｇ ） 、−塩化シラン（Ｅｌｌ
Ｈ，０１）、又はこれら１種以上の混合物を挙げること
ができる。
しかし、原料としては［３１Ｈ４を用いるのが最も有利
である。その理由はＢ１■番の場合（４）式に示すよう
に８１ の生成は発熱であ如、 ＳｉＨ４’＋
２０１ｇ →１３１ ＋４’ＨＯ１十Ｙｊ’、ｊ
Ｋｃａｌ （４）６・・・・−−・・・・０しかも、８
１０１４．８１ＨＯ］、Ｂ などに比較して分解温度
が約２００℃と最も低く装置材料からの異物混入が少く
て有利である。ＳｉＨ４の水素が他の元素で置換される
と、発熱量は減少し、例えば８１０１４においては（５
）式に示すように吸熱であり、分解温度も約／１００℃
と高くなる。
である。その理由はＢ１■番の場合（４）式に示すよう
に８１ の生成は発熱であ如、 ＳｉＨ４’＋
２０１ｇ →１３１ ＋４’ＨＯ１十Ｙｊ’、ｊ
Ｋｃａｌ （４）６・・・・−−・・・・０しかも、８
１０１４．８１ＨＯ］、Ｂ などに比較して分解温度
が約２００℃と最も低く装置材料からの異物混入が少く
て有利である。ＳｉＨ４の水素が他の元素で置換される
と、発熱量は減少し、例えば８１０１４においては（５
）式に示すように吸熱であり、分解温度も約／１００℃
と高くなる。
８１０１４＋コ島→Ｓｉ ＋４４ＨＯ１−７１，りｘｃ
ａｌ （５）原料のシラン及び／又はノヘロゲン化シ
ランを火炎中に吹き込む方法としては別に設置した吹込
ノズル、好ましくは金属ケイ素で構成したノズルより吹
込んでもよいが、第１図に１例を示すようにバーナーλ
の塩素に、或は水素に混入するのが簡便であり好適であ
る。またバーナーコの構造を三重管構造として塩素、水
素及び原料をそれぞれ吹き込んでもよい。
ａｌ （５）原料のシラン及び／又はノヘロゲン化シ
ランを火炎中に吹き込む方法としては別に設置した吹込
ノズル、好ましくは金属ケイ素で構成したノズルより吹
込んでもよいが、第１図に１例を示すようにバーナーλ
の塩素に、或は水素に混入するのが簡便であり好適であ
る。またバーナーコの構造を三重管構造として塩素、水
素及び原料をそれぞれ吹き込んでもよい。
塩水素炎の操作は、ケイ素原料及び塩素の合計に対して
化学量論的に水素過剰で行うのがのぞましい。但し、日
ｉＨ４のように水素を発生する原料を使用する場合は、
その分だけ供給水素を減することができる。塩素過剰で
あると、ケイ素析出の際、不純物が共に析出するおそれ
がある。使用するＮ３は高純度のものが好ましく製品の
必要純度に応じて精製すればよい。例えばｔＫ以上の製
品ケイ素を得るためには、 とくにＮ３．００．００ｓ
ｓ ｌ’４ ｇ Ｂ（Ｎ１８ 換ｘ） ’２） ソレ
ソ’ｔＬ Ｚ＞’／ ＰＰｍ （容量）以下、好箇しく
は０’、ｊ ＰＰｍ以下、最も好ましくは０．／ ＰＰ
ｍ以下の含有率にまで精製する。精製法としては通常の
方法でもよいが、大きい多孔物質に接触させるのが好ｌ
しい。−多孔物質としてはゼオライトが最も有利でシリ
カゲル、シリカアルミナゲル、活性アルミナ、ましく、
最も好ましくはｔｏｏｎ？／を以上である。もう一つの
好ましい精製法は水素吸蔵合金（たとえばＦｅＴｉ、Ｍ
ｇ２ＬＪｉ、ＴｌＭｎ ／、ｊなど）に吸着させ九Ｈ２
を脱着する方法である。使用するａ１２についても高純
度のものが好ましく、同様に必要に応じて精製すればよ
い。例えばｆｆＮ以上の製品を得るためにはとくにＨｌ
Ｏｓ １ｌｉ１４ Ｎ＋ のそれぞれが、／ ＰＰｍ
（容量）以下、好ましくはＯ，Ｓ以下、好ましくはＯ
，を以下の含有率にまで精製する。精製法としては、Ｃ
１，を冷却及び／又は加圧して液体状態とし、蒸留する
のが最も有利である。原料１３１ Ｈ４，５ｉＨＯ］ｊ
、 ８１０１４ 等も必要に応じてｔ＃製すればよ（
、ｆｆＮ以上の製品ケイ素を得るためにはとくにＰ、
Ｂ、 Ｓｂ、 Ａｓのそれぞれが／ ＰＰｍ （水素
化物換算、容量）好ましくはＯ，Ｓ％最も好ましくは０
．／ ＰＰｍ以下にまで精製する。精製は蒸留が最も容
易でかつ効果があり、有利である。
化学量論的に水素過剰で行うのがのぞましい。但し、日
ｉＨ４のように水素を発生する原料を使用する場合は、
その分だけ供給水素を減することができる。塩素過剰で
あると、ケイ素析出の際、不純物が共に析出するおそれ
がある。使用するＮ３は高純度のものが好ましく製品の
必要純度に応じて精製すればよい。例えばｔＫ以上の製
品ケイ素を得るためには、 とくにＮ３．００．００ｓ
ｓ ｌ’４ ｇ Ｂ（Ｎ１８ 換ｘ） ’２） ソレ
ソ’ｔＬ Ｚ＞’／ ＰＰｍ （容量）以下、好箇しく
は０’、ｊ ＰＰｍ以下、最も好ましくは０．／ ＰＰ
ｍ以下の含有率にまで精製する。精製法としては通常の
方法でもよいが、大きい多孔物質に接触させるのが好ｌ
しい。−多孔物質としてはゼオライトが最も有利でシリ
カゲル、シリカアルミナゲル、活性アルミナ、ましく、
最も好ましくはｔｏｏｎ？／を以上である。もう一つの
好ましい精製法は水素吸蔵合金（たとえばＦｅＴｉ、Ｍ
ｇ２ＬＪｉ、ＴｌＭｎ ／、ｊなど）に吸着させ九Ｈ２
を脱着する方法である。使用するａ１２についても高純
度のものが好ましく、同様に必要に応じて精製すればよ
い。例えばｆｆＮ以上の製品を得るためにはとくにＨｌ
Ｏｓ １ｌｉ１４ Ｎ＋ のそれぞれが、／ ＰＰｍ
（容量）以下、好ましくはＯ，Ｓ以下、好ましくはＯ
，を以下の含有率にまで精製する。精製法としては、Ｃ
１，を冷却及び／又は加圧して液体状態とし、蒸留する
のが最も有利である。原料１３１ Ｈ４，５ｉＨＯ］ｊ
、 ８１０１４ 等も必要に応じてｔ＃製すればよ（
、ｆｆＮ以上の製品ケイ素を得るためにはとくにＰ、
Ｂ、 Ｓｂ、 Ａｓのそれぞれが／ ＰＰｍ （水素
化物換算、容量）好ましくはＯ，Ｓ％最も好ましくは０
．／ ＰＰｍ以下にまで精製する。精製は蒸留が最も容
易でかつ効果があり、有利である。
本発明の方法を第１図に示す装置に基づいて説明したが
、本発明方法はこれに限定されるものではなく、反応容
器に塩素と水素を吹き込み、火炎を発生させ、この火炎
中にシラン及び／又はハロゲン化シランを吹き込み、回
転する出発材に金属ケイ素を付着、析出させる製法であ
れば、ｉかなる構造の装置にも適用し得ることはいうま
でもない。
、本発明方法はこれに限定されるものではなく、反応容
器に塩素と水素を吹き込み、火炎を発生させ、この火炎
中にシラン及び／又はハロゲン化シランを吹き込み、回
転する出発材に金属ケイ素を付着、析出させる製法であ
れば、ｉかなる構造の装置にも適用し得ることはいうま
でもない。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例１
第１図による装置を用いて、以下のようにケイ素多結晶
を製造した。純度り２．タタタタ２り（Ｊ’Ｎ）の金属
ケイ木製バーナーコに毎分２０ｔのＨ。
を製造した。純度り２．タタタタ２り（Ｊ’Ｎ）の金属
ケイ木製バーナーコに毎分２０ｔのＨ。
と０１１をそれぞれ供給してぬ′徒させ、この火炎１０
内１１ｃ毎分１０ｔＯＥＨＨ４を吹き込んで、ケイ素の
多結晶を合成した。／ ００ｎｔＪのケイ素上であった
。
内１１ｃ毎分１０ｔＯＥＨＨ４を吹き込んで、ケイ素の
多結晶を合成した。／ ００ｎｔＪのケイ素上であった
。
原料Ｈ！は、液体窒素で冷却したモレキュラーシープに
接触させたものを用い、Ｎｌ ｓ ００．００ｇ、１ｌ
− ＯｈＥｌ（Ｈ，８換算）はいずれもｏ、ｔＰＰｍ（容量
）以下であった。
接触させたものを用い、Ｎｌ ｓ ００．００ｇ、１ｌ
− ＯｈＥｌ（Ｈ，８換算）はいずれもｏ、ｔＰＰｍ（容量
）以下であった。
原料Ｃ１：は、蒸留したものを用い、ＨｘＯ１Ａ／ｊ１
７”Ｎ２のそれぞれはいずれもｏ、ｔ ＰＰｍ （容量
）以下であった。
７”Ｎ２のそれぞれはいずれもｏ、ｔ ＰＰｍ （容量
）以下であった。
原料ＳｉＨ４は、蒸留したものを用い、ＰｌＢｌＳｂ、
Ａｓ、（いずれも水素化物換算）含有率はいずれも０．
／ ＰＰｍ （容量）以下であった。
Ａｓ、（いずれも水素化物換算）含有率はいずれも０．
／ ＰＰｍ （容量）以下であった。
本発明によるケイ素の製造方法によれば、金属ケイ素で
構成されたバーナーを用いて塩素と水素とを燃焼させ、
該火炎中に原料を吹き込み、ケイ素多結晶を析出させる
ものであるから、バーナーを構成する不純物元素が析出
するケイ素に混入することがなく、効率よく高純度ケイ
素を製造することができる。
構成されたバーナーを用いて塩素と水素とを燃焼させ、
該火炎中に原料を吹き込み、ケイ素多結晶を析出させる
ものであるから、バーナーを構成する不純物元素が析出
するケイ素に混入することがなく、効率よく高純度ケイ
素を製造することができる。
Ｍ１図は従来及び本発明のケイ素製造装置の断面図であ
る。 図中ｌは反応容器、λはバーナー、Ｊは原料導入管、−
はＨ２ガス導入管、ｊは０１！ガス導入管、≦は出発材
、７は回転引上げ装置、ｌはケイ素多結晶体、？は排気
調節器、１０はシール材、／ｌはケイ素微結晶流（Ｈａ
−０１ｍ火炎）でおる。 出 願人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 −ほか１名 島
る。 図中ｌは反応容器、λはバーナー、Ｊは原料導入管、−
はＨ２ガス導入管、ｊは０１！ガス導入管、≦は出発材
、７は回転引上げ装置、ｌはケイ素多結晶体、？は排気
調節器、１０はシール材、／ｌはケイ素微結晶流（Ｈａ
−０１ｍ火炎）でおる。 出 願人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 −ほか１名 島
Claims (6)
- （１）反応容器中に塩素と水素を吹き込み、該塩素と該
水素とを燃焼させて火炎を発生させ、この火炎中にシラ
ン及び／又はハロゲン化シランを吹き込み、ケイ素を析
出させる方法において、該塩素と水素との燃焼を金属ケ
イ素製又は金属ケイ素で被覆したバーナーを用いて行う
ことを特徴とする高純度ケイ素の製造方法。 - （２）前記反応容器として、金属ケイ素製反応容器、又
は内壁がケイ素で被覆された反応容器を用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の高純度ケイ素の製
造方法。 - （３）前記水素が、不純物であるＮｇ、ＣＯ、ＣＯ＿２
、Ｈ＿２Ｏ、およびＳ（Ｈ＿２Ｓ換算）をそれぞれ１Ｐ
Ｐｍ（容量）以下含有する水素であり、かつ前記塩素が
不純物であるＨ＿２Ｏ、およびＮ＿２をそれぞれ１ＰＰ
ｍ（容量）以下含有する塩素であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の高純度ケイ素の製造方法 - （４）前記シラン及び／又はロハゲン化シランが不純物
であるＰ、Ｂ、Ｓｂ、及びＡｓを水素化合物換算でいず
れも１ＰＰｍ（容量）以下含有するものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の高純度ケイ素の製
造方法。 - （５）前記シラン及び／又はハロゲン化シランがＳｉＨ
＿４であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の高純度ケイ素の製造方法。 - （６）シラン及び／又はハロゲン化シランと塩素との合
計に対して水素を化学反応量論的過剰量用いることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の高純度ケイ素の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7801785A JPS61236608A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 高純度ケイ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7801785A JPS61236608A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 高純度ケイ素の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61236608A true JPS61236608A (ja) | 1986-10-21 |
Family
ID=13650025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7801785A Pending JPS61236608A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 高純度ケイ素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61236608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512170A (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | ダイナテック エンジニアリング エーエス | シリコンの生産のための反応器および方法 |
| US9793116B2 (en) | 2011-09-26 | 2017-10-17 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
-
1985
- 1985-04-12 JP JP7801785A patent/JPS61236608A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013512170A (ja) * | 2009-11-25 | 2013-04-11 | ダイナテック エンジニアリング エーエス | シリコンの生産のための反応器および方法 |
| US9793116B2 (en) | 2011-09-26 | 2017-10-17 | Dynatec Engineering As | Reactor and method for production of silicon by chemical vapor deposition |
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