JPS61231165A - プラスチツクの帯電防止方法 - Google Patents
プラスチツクの帯電防止方法Info
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- JPS61231165A JPS61231165A JP7089285A JP7089285A JPS61231165A JP S61231165 A JPS61231165 A JP S61231165A JP 7089285 A JP7089285 A JP 7089285A JP 7089285 A JP7089285 A JP 7089285A JP S61231165 A JPS61231165 A JP S61231165A
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- plastic
- film
- gas
- sputtering
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプラスチックの表面帯電を防止する方法に関す
るものである。
るものである。
プラスチック製品は、一般忙著しく帯電しやすいため、
はこり、じんあいなどの付着により外観が汚れやすい。
はこり、じんあいなどの付着により外観が汚れやすい。
また、蓄積した静電気による人体への電撃ショック、火
花放電、あるいは電子回路の故障等、種々の問題がある
。
花放電、あるいは電子回路の故障等、種々の問題がある
。
この帯電を防止する方法として、従来から、カーボンブ
ラックなどの導電性材料を添加する方法、界面活性剤を
配合あるいは塗布する方法金属や金属酸化物を蒸着ある
いはスパッタする方法など、多数の方法が知られている
。これらの方法は、どれにおいても帯電防止しようとす
る対象物や使おうとする工程などによって一長一短があ
るため、ケースバイケースで使われていた。例えば、磁
気テープの場合には、帯電が原因となる種々の問題（走
行速度のばらつき、信号ノイズの発生、巻き形状の歪み
）があるため、帯電防止が必要であるが、従来はこのよ
うなフィルムについては、磁気塗料にカーボンブラック
などの導電材料や界面活性剤を練り込んでいた。しかし
、この方法で十分な帯電防止を行うためＫは、多量のカ
ーボンブラックや界面活性剤が必要なため、電磁変換特
性が低下するという問題があった。
ラックなどの導電性材料を添加する方法、界面活性剤を
配合あるいは塗布する方法金属や金属酸化物を蒸着ある
いはスパッタする方法など、多数の方法が知られている
。これらの方法は、どれにおいても帯電防止しようとす
る対象物や使おうとする工程などによって一長一短があ
るため、ケースバイケースで使われていた。例えば、磁
気テープの場合には、帯電が原因となる種々の問題（走
行速度のばらつき、信号ノイズの発生、巻き形状の歪み
）があるため、帯電防止が必要であるが、従来はこのよ
うなフィルムについては、磁気塗料にカーボンブラック
などの導電材料や界面活性剤を練り込んでいた。しかし
、この方法で十分な帯電防止を行うためＫは、多量のカ
ーボンブラックや界面活性剤が必要なため、電磁変換特
性が低下するという問題があった。
一方、金属や金属酸化物をフィルム上に蒸着あるいはス
パッタする方法は、上記した問題点を解決′するもので
ある。これらの方法は、例えば特開昭５９−２３４０５
号公報の中に示されている。
パッタする方法は、上記した問題点を解決′するもので
ある。これらの方法は、例えば特開昭５９−２３４０５
号公報の中に示されている。
しかしながら、これらの従来の方法は、以下に述べるい
ずれかの欠点を有していた。
ずれかの欠点を有していた。
ビ） 基材フィルムと蒸着ある′いはスパッタされた金
属（あるいは金属酸化物）との接着性が劣る。
属（あるいは金属酸化物）との接着性が劣る。
（ロ）金属（あるいは金属酸化物）の耐摩耗特性が劣る
。
。
ビ→ 帯電防止効果の経時安定性が劣る。
に）蒸着あるいはスパッタされた金属（あるいは金属酸
化物）の電気抵抗が極端に低すぎるため、消去ヘッドの
消去磁界に誘起されて再生ヘッドにノイズを発生する（
これについては、例えば特開昭５８−７０４２１号公報
に開示されている）。
化物）の電気抵抗が極端に低すぎるため、消去ヘッドの
消去磁界に誘起されて再生ヘッドにノイズを発生する（
これについては、例えば特開昭５８−７０４２１号公報
に開示されている）。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決して
、長期に亘って安定な帯電防止をなし得るプラスチック
の帯電防止方法を提供することＫある。
、長期に亘って安定な帯電防止をなし得るプラスチック
の帯電防止方法を提供することＫある。
上述の目的に対して、本願発明者らは導電性物質のスパ
ッタ法に着目し鋭意検討を行った結果、放電を有機ガス
の低温プラズマで行うことＫよって優れた効果が得られ
ることを見い出し本発明を提案するものである。
ッタ法に着目し鋭意検討を行った結果、放電を有機ガス
の低温プラズマで行うことＫよって優れた効果が得られ
ることを見い出し本発明を提案するものである。
導電性物質を有機ガスを用いてスパッタすると、導電性
物質と有機ガス成分の混在した均質の薄膜を得ることが
できる。この薄膜は、導電性物質に基づく若干の導電性
を有する。従ってこのようにして作製したスパッタ膜を
有する基体では、静電気は蓄積されず系外に漏洩され、
表面帯電を防止することができる。しかも、本発明によ
って作製されたスパッタ膜は、プラスチック基体との接
着性に優れている。これは、スパッタ雰囲気で分解され
た有機ガスが基材のプラスチック表面と化学結合をつく
るためと考えられる。
物質と有機ガス成分の混在した均質の薄膜を得ることが
できる。この薄膜は、導電性物質に基づく若干の導電性
を有する。従ってこのようにして作製したスパッタ膜を
有する基体では、静電気は蓄積されず系外に漏洩され、
表面帯電を防止することができる。しかも、本発明によ
って作製されたスパッタ膜は、プラスチック基体との接
着性に優れている。これは、スパッタ雰囲気で分解され
た有機ガスが基材のプラスチック表面と化学結合をつく
るためと考えられる。
本発明に用いる有機ガスとしては、常温でガス状態にあ
る有機化合物が好適に用いられるがスパッタ時のガス圧
力を実質的に作り得る蒸気圧を有する有機化合物であれ
ば、常温で液体あるいは固体であってもよい。具体的に
は、メタン、エタン、プロパン、メタン、エチレン、ア
セチレン、シクロプロパン、シクロブタン、ジシクロペ
ンタジェン、ベンゼン、トルエン、スｆ１／７、ｆフタ
リン、７エナントレン、アントラ七ンなどの炭化水素、
ピリジン、アリルアミン、メチルアミン、エチルアミン
、ピロール、アニリンなどの含窒素有機化合物、テトラ
メチルシラン、トリメチルクロルシラン、トリエトキシ
クロルシラン、ヘキサメチルジシロキサン。
る有機化合物が好適に用いられるがスパッタ時のガス圧
力を実質的に作り得る蒸気圧を有する有機化合物であれ
ば、常温で液体あるいは固体であってもよい。具体的に
は、メタン、エタン、プロパン、メタン、エチレン、ア
セチレン、シクロプロパン、シクロブタン、ジシクロペ
ンタジェン、ベンゼン、トルエン、スｆ１／７、ｆフタ
リン、７エナントレン、アントラ七ンなどの炭化水素、
ピリジン、アリルアミン、メチルアミン、エチルアミン
、ピロール、アニリンなどの含窒素有機化合物、テトラ
メチルシラン、トリメチルクロルシラン、トリエトキシ
クロルシラン、ヘキサメチルジシロキサン。
ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシランなどの含
ケイ素有機化合物、フェロセン、テトラメチルティン、
テトラエチルティン、Ｚａ（ＣＨ，）、 、Ｚａ（Ｃ，
ＨＩ）、、ＡＩ （ＣＨｓ ） ｓ 、ＡＸ （ＣｔＨ
ｓ ）ｓＧａ（Ｃ７０）ｍ、Ｂｉ （ＣＨＢ ）１ 、
Ｉ ｎ （ＣＨ３）１．１弗（Ｃ，Ｈｌ）、、ａｍ（ｃ
Ｈ，）い Ｐｂ（ＣＨｍ）＋、７’ｇ （ｃＨｓ ）い
５ｂ（ｃｘ、）ａ などつ有機金属化合物などが好適
な例として挙げられる。これらの有機ガスは、Ａｔ等の
通常のスパッタガスに任意の割合で混合して用いる。
ケイ素有機化合物、フェロセン、テトラメチルティン、
テトラエチルティン、Ｚａ（ＣＨ，）、 、Ｚａ（Ｃ，
ＨＩ）、、ＡＩ （ＣＨｓ ） ｓ 、ＡＸ （ＣｔＨ
ｓ ）ｓＧａ（Ｃ７０）ｍ、Ｂｉ （ＣＨＢ ）１ 、
Ｉ ｎ （ＣＨ３）１．１弗（Ｃ，Ｈｌ）、、ａｍ（ｃ
Ｈ，）い Ｐｂ（ＣＨｍ）＋、７’ｇ （ｃＨｓ ）い
５ｂ（ｃｘ、）ａ などつ有機金属化合物などが好適
な例として挙げられる。これらの有機ガスは、Ａｔ等の
通常のスパッタガスに任意の割合で混合して用いる。
本発明を適用できるプラスチックとしては、低圧、中圧
、高圧ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ポリエステル例えばポリエチレンテレフタレートなど、
ポリ塩化ビニル。
、高圧ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ポリエステル例えばポリエチレンテレフタレートなど、
ポリ塩化ビニル。
ポリアセテート、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミドなど、ボリア之
トイミド、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート、
ポリメタクリレート、ポリアクリロニトリル、アクリロ
ニトリルスチレン共重合体、アクリミニトリルブタジェ
ンスチレン共重合体、エリア樹脂、シリコーン樹脂、ポ
リパラキシリレン、ポリフェノール、エポキシ樹脂、ポ
リジアリルフタレート、トリアジン樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂、ポリベンズイミダゾール、また、こ
れらのブロック共重合体、グラフト共重合体、さらｋは
これらの少なくとも２種以上の混合体などが挙げられる
。
ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミドなど、ボリア之
トイミド、ポリビニルアルコール、ポリアクリレート、
ポリメタクリレート、ポリアクリロニトリル、アクリロ
ニトリルスチレン共重合体、アクリミニトリルブタジェ
ンスチレン共重合体、エリア樹脂、シリコーン樹脂、ポ
リパラキシリレン、ポリフェノール、エポキシ樹脂、ポ
リジアリルフタレート、トリアジン樹脂、ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂、ポリベンズイミダゾール、また、こ
れらのブロック共重合体、グラフト共重合体、さらｋは
これらの少なくとも２種以上の混合体などが挙げられる
。
また、プラスチックの形状は、フィルム状、シート状、
肉厚の成形品等特に制限はないが、フィルム状のものが
好適である。
肉厚の成形品等特に制限はないが、フィルム状のものが
好適である。
本発明に用いる導電性物質としては、Ａｓ、ＡｆＰｔ％
Ｃ塾、ＡＩ、 Ｆａ％ Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｅ％ Ｐｄ
、 Ｔｉ、 Ｓｈ、Ｉｎ、ステンレス鋼、黄銅など
の金属あるいは合金が好適に用いられる。また、Ｓｎの
酸化物、Ｉｂの酸化物、ＴｉＯなどの導電性のある金属
酸化物も好適に用いられる。さらに１カーボンやグラフ
ァイトなどを用いても同じ効果を得ることができる。な
お、これらは、２種以上の混合物として用いることもで
きる。
Ｃ塾、ＡＩ、 Ｆａ％ Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｅ％ Ｐｄ
、 Ｔｉ、 Ｓｈ、Ｉｎ、ステンレス鋼、黄銅など
の金属あるいは合金が好適に用いられる。また、Ｓｎの
酸化物、Ｉｂの酸化物、ＴｉＯなどの導電性のある金属
酸化物も好適に用いられる。さらに１カーボンやグラフ
ァイトなどを用いても同じ効果を得ることができる。な
お、これらは、２種以上の混合物として用いることもで
きる。
本発明にかかわるスパッタは、前記した内容以外は公知
の方法で行うことができる。これは例えば日刊工業新聞
社発行、麻蒔著「薄膜作成の基礎」の中で詳しく述べら
れている。図面は本発明に用いるスパッタ装置の概略を
示したものである。工程の一例を述べると、次の通りで
ある。基材のプラスチック１をスパッタ装置の反応室６
内の平行平板電極の一方の電極２上に設置し、排気管９
により系内な約１０−’ Ｐ ａ まで排気した後、
ガス導入管３によりＪｒ等の不活性ガスとを導入して、
圧力を００１〜１０ ＰａＫ調整する。次に、ターゲッ
ト４を取り付けた電極５に高周波電源８によりマツチン
グボックス７を介して’１５６ＭＨＸの高周波を印加し
て、相対する電極間にプラズマを発生させる。印加、電
力は通常０．２〜１０１Ｆが用いられる。また、スパッ
タ時間は、所望の膜厚により調整するが、一般には数秒
〜数十時間とすることでよい。なお、この例では、１五
５６ＭＨｚの高周波を選んだが、直流あるいは低周波を
用いることもできる。また、ターゲットに磁石を取り付
けることによりマグネトロ／放電を起こし、より効果的
にスパッタする方法が好適な場合が多い。
の方法で行うことができる。これは例えば日刊工業新聞
社発行、麻蒔著「薄膜作成の基礎」の中で詳しく述べら
れている。図面は本発明に用いるスパッタ装置の概略を
示したものである。工程の一例を述べると、次の通りで
ある。基材のプラスチック１をスパッタ装置の反応室６
内の平行平板電極の一方の電極２上に設置し、排気管９
により系内な約１０−’ Ｐ ａ まで排気した後、
ガス導入管３によりＪｒ等の不活性ガスとを導入して、
圧力を００１〜１０ ＰａＫ調整する。次に、ターゲッ
ト４を取り付けた電極５に高周波電源８によりマツチン
グボックス７を介して’１５６ＭＨＸの高周波を印加し
て、相対する電極間にプラズマを発生させる。印加、電
力は通常０．２〜１０１Ｆが用いられる。また、スパッ
タ時間は、所望の膜厚により調整するが、一般には数秒
〜数十時間とすることでよい。なお、この例では、１五
５６ＭＨｚの高周波を選んだが、直流あるいは低周波を
用いることもできる。また、ターゲットに磁石を取り付
けることによりマグネトロ／放電を起こし、より効果的
にスパッタする方法が好適な場合が多い。
以下、本発明の実施例のうちいくつかを述べることによ
り、本発明をさらに説明する。
り、本発明をさらに説明する。
実施例１：
本実施例においては、プラスチックとしてポリエチレン
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てメタンを用いた。
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てメタンを用いた。
具体的には次のごとくスパッタリングを行った。すなわ
ち、１００Ｘ１００ＸＱ、１鱈のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを、スパッタ装置内の水冷した電極上に
設置し、系内を約１０−’Ｐａまで排気した後、Ａｒと
メタンを分圧比ｓｏ ： ｓ。
ち、１００Ｘ１００ＸＱ、１鱈のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを、スパッタ装置内の水冷した電極上に
設置し、系内を約１０−’Ｐａまで排気した後、Ａｒと
メタンを分圧比ｓｏ ： ｓ。
の割合で混合した混合ガスを導入し、内部圧力を約４Ｐ
１！Ｋした。次に、Ａ謡のターゲットを取り付けた相対
する電極Ｋ ’５．５６ＭＨ１の高周波を印加した。印
加電力は３００Ｆでスパッタ時間は３０分間であった。
１！Ｋした。次に、Ａ謡のターゲットを取り付けた相対
する電極Ｋ ’５．５６ＭＨ１の高周波を印加した。印
加電力は３００Ｆでスパッタ時間は３０分間であった。
生成した薄膜のフィルムに対する接着性は優れたもので
あり、また、耐摩耗性も良好であった。なお、接着性は
、セロハンテープによるひきはがし試験を行い、全くは
がれのないものを良好とし、耐摩耗性は１曲率半径２０
■のサファイア摺動子を５０２の荷重で押し付けてこす
り、疵の付か々いものを良好とした。さらに、表面電気
抵抗は表面抵抗率で表わすと２Ｘ１０？Ωであり、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面抵抗率Ｉ Ｘ
１０１ｓΩに比べ、８桁下げることができ、これＫより
、摩擦等による静電気の蓄積を防止することができた。
あり、また、耐摩耗性も良好であった。なお、接着性は
、セロハンテープによるひきはがし試験を行い、全くは
がれのないものを良好とし、耐摩耗性は１曲率半径２０
■のサファイア摺動子を５０２の荷重で押し付けてこす
り、疵の付か々いものを良好とした。さらに、表面電気
抵抗は表面抵抗率で表わすと２Ｘ１０？Ωであり、ポリ
エチレンテレフタレートフィルムの表面抵抗率Ｉ Ｘ
１０１ｓΩに比べ、８桁下げることができ、これＫより
、摩擦等による静電気の蓄積を防止することができた。
また、このプラスチッ。
クフィルムは、空気中で１年間放置後も薄膜の接着性は
良好で、かつ、表面抵抗率も４Ｘ１０’Ωであり、優れ
た紐時安定性を示した。
良好で、かつ、表面抵抗率も４Ｘ１０’Ωであり、優れ
た紐時安定性を示した。
実施例２：
本実施例忙おいては、プラスチックとしてボリエチレン
のフィルムを用い、また、有機ガスとしてエチレンを用
いた。
のフィルムを用い、また、有機ガスとしてエチレンを用
いた。
具体的には次のごとくスパッタリングを行った。すなわ
ち、１００ Ｘ １００ Ｘα０５■のポリエチレンフ
ィルムを、スパッタ装置内の水冷した電極上に設置し、
系内な約１０−’ Ｐａ Ｋ排気した後、Ａｙとエチレ
ンを分圧比１０： ９０の割合で混合した混合ガスを導
入し、内部圧力を約２．７Ｐｇにした。
ち、１００ Ｘ １００ Ｘα０５■のポリエチレンフ
ィルムを、スパッタ装置内の水冷した電極上に設置し、
系内な約１０−’ Ｐａ Ｋ排気した後、Ａｙとエチレ
ンを分圧比１０： ９０の割合で混合した混合ガスを導
入し、内部圧力を約２．７Ｐｇにした。
次に、ステンレス鋼製のターゲットを取り付けた相対す
る電極に１４５６ＭＨ２の高周波を印加した。
る電極に１４５６ＭＨ２の高周波を印加した。
印加電力は２００Ｆでスパッタ時間は３０分間であった
。
。
生成した薄膜のフィルムに対する接着性および耐摩耗性
は優れたものであった。さらに、表面電気抵抗は表面抵
抗率で表わすとＩ Ｘ １０’Ωであり、ポリエチレン
フィルムの表面抵抗率Ｉ Ｘ １０”Ωに比べ、８桁下
げることができ、これＫより、摩擦等による静電気の蓄
積を防止することができた。また、このプラスチックフ
ィルムは、空気中で１年間放置後も薄膜の接着性の劣化
はなく、かつ、表面抵抗率も２Ｘ１０”Ωであり、優れ
た経時安定性を示した。
は優れたものであった。さらに、表面電気抵抗は表面抵
抗率で表わすとＩ Ｘ １０’Ωであり、ポリエチレン
フィルムの表面抵抗率Ｉ Ｘ １０”Ωに比べ、８桁下
げることができ、これＫより、摩擦等による静電気の蓄
積を防止することができた。また、このプラスチックフ
ィルムは、空気中で１年間放置後も薄膜の接着性の劣化
はなく、かつ、表面抵抗率も２Ｘ１０”Ωであり、優れ
た経時安定性を示した。
実施例３：
本実施例においては、プラスチックとしてポリエチレン
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てアセチレンを用いた。
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てアセチレンを用いた。
具体的には次のごとくスパッタリングを行った。すなわ
ち、１００ Ｘ １００ Ｘ ０．１５ｍｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムを、スパッタ装置内の水冷
した電極上に設置し、系内を約１０″″’Ｐａまで排気
した後、Ａデとアセチレンを分圧比７０：３０の割合で
混合した混合ガスを導入し、内部圧力を約ｔ３Ｐｇにし
た。次に、ｐｅｔ製のターゲットを取り付けた相対する
電極Ｋ １５．５６ＭＨ２の高周波を印加した。印加電
力は５００Ｆでスパッタ時間は１０分間であった。
ち、１００ Ｘ １００ Ｘ ０．１５ｍｍのポリエチ
レンテレフタレートフィルムを、スパッタ装置内の水冷
した電極上に設置し、系内を約１０″″’Ｐａまで排気
した後、Ａデとアセチレンを分圧比７０：３０の割合で
混合した混合ガスを導入し、内部圧力を約ｔ３Ｐｇにし
た。次に、ｐｅｔ製のターゲットを取り付けた相対する
電極Ｋ １５．５６ＭＨ２の高周波を印加した。印加電
力は５００Ｆでスパッタ時間は１０分間であった。
生成した薄膜のフィルムに対する接着性および耐摩耗性
は優れていた。さらに、表面電気抵抗は表面抵抗率で表
わすと３Ｘ１０’Ωであり、優れた帯電防止効果を示し
た。これにより、摩擦等による静電気の蓄積を防止する
ことができた。また、このプラスチックフィルムは、空
気中で１年間放置後も接着性の劣化はなく、かつ表面抵
抗率も５Ｘ１０７Ω であり、優れた経時安定性を示し
た。
は優れていた。さらに、表面電気抵抗は表面抵抗率で表
わすと３Ｘ１０’Ωであり、優れた帯電防止効果を示し
た。これにより、摩擦等による静電気の蓄積を防止する
ことができた。また、このプラスチックフィルムは、空
気中で１年間放置後も接着性の劣化はなく、かつ表面抵
抗率も５Ｘ１０７Ω であり、優れた経時安定性を示し
た。
実施例４：
本実施例においては、プラスチックとしてポリエチレン
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てピリジンを用いた。
テレフタレートのフィルムを用い、また、有機ガスとし
てピリジンを用いた。
具体的には次のごとくスパッタリングを行った。すなわ
ち、フィルム巻出し装置とフィルム巻取り装置とを内蔵
したプレーナマグネトロン電極を有するスパッタ装置内
に、幅が５００■、厚みが０．０１５■のフィルムを、
水冷したドラム状のもう一方の電極に接するように配置
し、スパッタ室内を１０″″’Ｐａまで排気した後、Ａ
デとピリジンを分圧比４０ ： ６０の割合で混合した
混合ガスを導入して、内部圧力を２．７Ｐａ Ｋ調整し
た。
ち、フィルム巻出し装置とフィルム巻取り装置とを内蔵
したプレーナマグネトロン電極を有するスパッタ装置内
に、幅が５００■、厚みが０．０１５■のフィルムを、
水冷したドラム状のもう一方の電極に接するように配置
し、スパッタ室内を１０″″’Ｐａまで排気した後、Ａ
デとピリジンを分圧比４０ ： ６０の割合で混合した
混合ガスを導入して、内部圧力を２．７Ｐａ Ｋ調整し
た。
次に、フィルムを”’／ｍｇｎの速度で送りながらＳ
ｎ Ｏ＠とＩｎ＠ＯＨの重量比が９５＝５であるターゲ
ットを取り付けた水冷したプレーナマグネ）。
ｎ Ｏ＠とＩｎ＠ＯＨの重量比が９５＝５であるターゲ
ットを取り付けた水冷したプレーナマグネ）。
ン電極Ｋ １５．５６ＭＨ１の高周波を印加してスパッ
タを行った。なお、印加電力はＳＫＦであった。
タを行った。なお、印加電力はＳＫＦであった。
このようにして得られたスパッタ薄膜とポリエチレンテ
レフタレートフィルムの接着性および耐摩耗特性は優れ
ていた。また、表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと８
Ｘ １０’Ωであり、優れた帯電防止効果を示した。
レフタレートフィルムの接着性および耐摩耗特性は優れ
ていた。また、表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと８
Ｘ １０’Ωであり、優れた帯電防止効果を示した。
このフィルムは空気中で１年間放置後も接着性の劣化は
なく、かつ、表面抵抗率もＩ Ｘ １０’Ω であり、
優れた帯電防止効果を示した。
なく、かつ、表面抵抗率もＩ Ｘ １０’Ω であり、
優れた帯電防止効果を示した。
なお、以上述べた具体的実施例においては、プラスチッ
クとしてポリエチレンテレフタレートフィルムおよびポ
リエチレンフィルムを用いて説明したが、ポリアミドフ
ィルムやポリイミドフィルムなどのフィルムについても
好結果が得られた。また、フィルムに限らず、前に例示
した各種プラスチック、例えばポリプロピレン。
クとしてポリエチレンテレフタレートフィルムおよびポ
リエチレンフィルムを用いて説明したが、ポリアミドフ
ィルムやポリイミドフィルムなどのフィルムについても
好結果が得られた。また、フィルムに限らず、前に例示
した各種プラスチック、例えばポリプロピレン。
ポリスチレン、ポリ塩化ビニル製容器等の成形物を用い
ても、同様な帯電防止効果を得ることができる。
ても、同様な帯電防止効果を得ることができる。
以上詳述したよ５Ｋ、本発明の方法によればプラスチッ
クの表面電気抵抗を大幅に下げることができ、また、形
成された帯電防止薄膜は基体であるプラスチックとの接
着性に優れている。
クの表面電気抵抗を大幅に下げることができ、また、形
成された帯電防止薄膜は基体であるプラスチックとの接
着性に優れている。
しかも、経時安定性に優れているため、長期に亘って帯
電防止効果を保持することができる。
電防止効果を保持することができる。
々お、本発明の方法は、これを厚真フィルム、磁気テー
プやフロッピーディスクの製造工程に組み込むと、ごみ
の吸着による欠陥をなくすことができる。また、磁気テ
ープにおいては、静電気の帯電が原因となる走行速度の
ばらつき。
プやフロッピーディスクの製造工程に組み込むと、ごみ
の吸着による欠陥をなくすことができる。また、磁気テ
ープにおいては、静電気の帯電が原因となる走行速度の
ばらつき。
信号ノイズの発生、巻き形状の歪みなどの障害を取り除
くことができる。さらに、本発明の方法を取り入れてＩ
Ｃ，ＬＳＩ Ｊどの半導体製品の包装用袋あるいはシー
トを製造すると、これらの中身を静電気障害から守るこ
とができる。以上述べたように、本発明の工業における
効果は非常に大きい。
くことができる。さらに、本発明の方法を取り入れてＩ
Ｃ，ＬＳＩ Ｊどの半導体製品の包装用袋あるいはシー
トを製造すると、これらの中身を静電気障害から守るこ
とができる。以上述べたように、本発明の工業における
効果は非常に大きい。
図面は本発明に用いるスパッタ装置の概略図である。
符号の説明
１・・・・・・・・・・・・プラスチック２．５・・・
・・・電極 ５・・−・−・・・・・ガス導入管 ４・・・・・−・−・・ターゲット ６・・・・・−・・・・・反応室 ７・・−・−・−・・マッチンクホックス８・・・・・
−・−・・高周波電源 ９・・−・−・−・・排気管 ゛べ。 Ｉ鳴−１′ 〈−一′
・・・電極 ５・・−・−・・・・・ガス導入管 ４・・・・・−・−・・ターゲット ６・・・・・−・・・・・反応室 ７・・−・−・−・・マッチンクホックス８・・・・・
−・−・・高周波電源 ９・・−・−・−・・排気管 ゛べ。 Ｉ鳴−１′ 〈−一′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、プラスチック表面に導電性物質のスパッタ膜を形成
して該プラスチックの帯電を防止する方法であって、ス
パッタガスに有機ガスを混合してスパッタリングを行う
ことを特徴とするプラスチックの帯電防止方法。 ２、プラスチックがフィルム状であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項に記載のプラスチックの帯電防止
方法。 ３、導電性物質が、Ａｕ、Ｐｄ、ステンレス鋼、ＳｎＯ
＿２とＩｎ＿２Ｏ＿３との混合物のいずれか一つである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載のプラスチックの帯電防止方法。 ４、有機ガスが、メタン、エチレン、アセチレン、ピリ
ジンのいずれか一つであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれか１項に記載のプラス
チックの帯電防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089285A JPS61231165A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7089285A JPS61231165A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61231165A true JPS61231165A (ja) | 1986-10-15 |
Family
ID=13444630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7089285A Pending JPS61231165A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61231165A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6470742A (en) * | 1987-08-13 | 1989-03-16 | Du Pont | Film for electronic beam recording |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP7089285A patent/JPS61231165A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6470742A (en) * | 1987-08-13 | 1989-03-16 | Du Pont | Film for electronic beam recording |
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