JPS612306A - 磁界発生装置 - Google Patents
磁界発生装置Info
- Publication number
- JPS612306A JPS612306A JP12226784A JP12226784A JPS612306A JP S612306 A JPS612306 A JP S612306A JP 12226784 A JP12226784 A JP 12226784A JP 12226784 A JP12226784 A JP 12226784A JP S612306 A JPS612306 A JP S612306A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- coil
- magnetic
- field generating
- magnetic flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/06—Electromagnets; Actuators including electromagnets
- H01F7/20—Electromagnets; Actuators including electromagnets without armatures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnets (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はソレノイド型コイルを用いて磁界を発生する装
置に関するものである。更に詳しく述べれば、発生磁界
を強化することを可能とした構造を有する磁界発生装置
に関するものである。
置に関するものである。更に詳しく述べれば、発生磁界
を強化することを可能とした構造を有する磁界発生装置
に関するものである。
（従来技術とその問題点）
表面に垂直な強い一軸株磁気異方性を有する磁性材料薄
片中に存在する磁気バブルを利用した磁気バブル素子に
於いては、通常磁気バブルを安定に保持する目的のため
に、磁性材料薄片に垂直なバブル保持磁界（以下バイア
ス磁界と称する）が必要である。バイアス磁界を発生す
るには、永久磁石を用いる方法やソレノイド型中空コイ
ルを用いる方法がよく知られている。特に、磁気バブル
素子の諸物件を測定・評価する際には、前記バイアス磁
界を変化させることが重要である。従ってこの目的のた
めには、バイアス磁界の発生は、印加する電流値で自由
に強度が変えられるソレノイド型コイルを用いるのが一
般的である。
片中に存在する磁気バブルを利用した磁気バブル素子に
於いては、通常磁気バブルを安定に保持する目的のため
に、磁性材料薄片に垂直なバブル保持磁界（以下バイア
ス磁界と称する）が必要である。バイアス磁界を発生す
るには、永久磁石を用いる方法やソレノイド型中空コイ
ルを用いる方法がよく知られている。特に、磁気バブル
素子の諸物件を測定・評価する際には、前記バイアス磁
界を変化させることが重要である。従ってこの目的のた
めには、バイアス磁界の発生は、印加する電流値で自由
に強度が変えられるソレノイド型コイルを用いるのが一
般的である。
一方、磁気バブル素子、特に磁気バブルを情報の担体と
して利用する磁気バブルメモリ素子では情報の高密度化
のために、用いる磁気バブルの径を微小化することが行
なわれてきた。磁気バブルを微小化するに伴って、一般
にはその磁性材料の飽和磁化Ｍｓを大きくする必要があ
る。飽和磁化が大きくなると、これに従って磁気バブル
を安定に保持するバイアス磁界も大きくなる。例えば。
して利用する磁気バブルメモリ素子では情報の高密度化
のために、用いる磁気バブルの径を微小化することが行
なわれてきた。磁気バブルを微小化するに伴って、一般
にはその磁性材料の飽和磁化Ｍｓを大きくする必要があ
る。飽和磁化が大きくなると、これに従って磁気バブル
を安定に保持するバイアス磁界も大きくなる。例えば。
磁性材料として磁性ガーネッｌ−［を用いた場合、磁気
バブル直径が３μｍ程度のときはバイアス磁界としては
、１５００ｅ 程度であったのが、２μｍ直径の磁気
バブルを保持するバイアス磁界は約２５００ｅ、１μｍ
直径に対しては３５００ｅ 程度必要とする６更に０．
５μｍ直径の磁気バブルを安定に保持するには６０００
ｅ 程度のバイアス磁界が必要となる。
バブル直径が３μｍ程度のときはバイアス磁界としては
、１５００ｅ 程度であったのが、２μｍ直径の磁気
バブルを保持するバイアス磁界は約２５００ｅ、１μｍ
直径に対しては３５００ｅ 程度必要とする６更に０．
５μｍ直径の磁気バブルを安定に保持するには６０００
ｅ 程度のバイアス磁界が必要となる。
この様に、微小磁気バブルを利用した磁気バブル素子を
評価するには、高いバイアス磁界が必要とされる。高い
バイアス磁界を発生するには、磁界発生コイルに大きな
電流を印加すれば良いが、単純なコイルではコイルに発
生するジュール熱は電流値の自乗に比例するため、バイ
アス磁界の上昇に伴い急激にコイルの温度が上昇し、安
定に磁気バブル素子の評価・測定が行なえなくなる欠点
を有している。
評価するには、高いバイアス磁界が必要とされる。高い
バイアス磁界を発生するには、磁界発生コイルに大きな
電流を印加すれば良いが、単純なコイルではコイルに発
生するジュール熱は電流値の自乗に比例するため、バイ
アス磁界の上昇に伴い急激にコイルの温度が上昇し、安
定に磁気バブル素子の評価・測定が行なえなくなる欠点
を有している。
（発明の目的）
本発明の目的は、上記の欠点を取り除くため、ソレノイ
ド型磁界発生コイルで発生する磁界の単位電流当りの強
度を大きくすることにより、同一発生磁界に要する印加
電流値を下げ、コイルの発熱を抑制する磁界発生装置を
提供することにある。
ド型磁界発生コイルで発生する磁界の単位電流当りの強
度を大きくすることにより、同一発生磁界に要する印加
電流値を下げ、コイルの発熱を抑制する磁界発生装置を
提供することにある。
（発明の構成）
本発明による磁界発生装置の構成は、少なくとも１つの
ソレノイド型磁界発生コイルを有し、前記ソレノイド型
コイルの外側面に、高透磁率強磁性体（軟強磁性体）枠
を設けたことを特徴としている。
ソレノイド型磁界発生コイルを有し、前記ソレノイド型
コイルの外側面に、高透磁率強磁性体（軟強磁性体）枠
を設けたことを特徴としている。
（構成の詳細な説明）
不発明は、上述の構成をとることにより、従来技術の欠
点を克服するものである。一般に、第１図に示す様にソ
レノイド型磁界発生コイル１に電流を印加して、磁界を
発生させると、ソレノイドの中央部１２では中心軸に沿
って一方向の磁界２１が発生する、磁束の連続性の一般
原理に基き、このソレノイド型コイルの外側には、中央
中空部１２での磁界方向と逆向きの磁界が広く分布して
存在している。本発明の原理は、この外側に広く分布し
て存在する磁束を、コイルの外側に設けた商透磁率軟強
磁性体の円筒枠材に吸収させることによりこの枠材をコ
イル外の磁界方向に磁化させ、その磁化の分だけ磁束密
度を増大させて、ンレノイド内の磁界をも増強させるこ
とにある。
点を克服するものである。一般に、第１図に示す様にソ
レノイド型磁界発生コイル１に電流を印加して、磁界を
発生させると、ソレノイドの中央部１２では中心軸に沿
って一方向の磁界２１が発生する、磁束の連続性の一般
原理に基き、このソレノイド型コイルの外側には、中央
中空部１２での磁界方向と逆向きの磁界が広く分布して
存在している。本発明の原理は、この外側に広く分布し
て存在する磁束を、コイルの外側に設けた商透磁率軟強
磁性体の円筒枠材に吸収させることによりこの枠材をコ
イル外の磁界方向に磁化させ、その磁化の分だけ磁束密
度を増大させて、ンレノイド内の磁界をも増強させるこ
とにある。
（実施例）
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
実施例１
第２図を用いて本発明の第１の実施例を説明する。本実
施例では、ソレノイド型磁界発生コイルｌａ、ｌｂを中
心軸を共有して間隙２０を隔てて対置したヘルムホルツ
型磁界発生コイルの外側に、高透磁率軟磁性体円筒形状
枠材２ａ、２ｂを設けである。磁界を印加すべき試料５
は、このヘルムホルツ型コイルの間隙部２０の中央に置
く。磁界発生コイルに、磁界発生用電流を通じると、コ
イルにより発生するコイル外の磁束は、前述の如く高透
磁率軟磁性体枠材２ａ、２ｂに吸収され、これにより、
枠材２ａ、２ｂは矢印３に示す方向に磁化される。
施例では、ソレノイド型磁界発生コイルｌａ、ｌｂを中
心軸を共有して間隙２０を隔てて対置したヘルムホルツ
型磁界発生コイルの外側に、高透磁率軟磁性体円筒形状
枠材２ａ、２ｂを設けである。磁界を印加すべき試料５
は、このヘルムホルツ型コイルの間隙部２０の中央に置
く。磁界発生コイルに、磁界発生用電流を通じると、コ
イルにより発生するコイル外の磁束は、前述の如く高透
磁率軟磁性体枠材２ａ、２ｂに吸収され、これにより、
枠材２ａ、２ｂは矢印３に示す方向に磁化される。
この磁化により磁束は増加し、これがソレノイドコイル
内の磁束２１に加わり、コイル内の磁束密度即ち、磁界
強度が増大する。
内の磁束２１に加わり、コイル内の磁束密度即ち、磁界
強度が増大する。
具体的には、ソレノイドコイル１ａ又は１ｂの寸法が内
径３２酩、外径９５闘、厚さが１５朋で間隙２０の大き
さが１６關の場合、肉厚３關のＮ１Ｚｎｆｉ性フ工ライ
ト円筒形枠材２ａ、２ｂを設けると、これがない場合に
比べて、同じ印加電流値で約１０％の発生磁界の増大が
みられた。換言すれば、同じ磁界強度を得るには約り０
％少ない電流でよく、このために消費電力は約２１減少
する。
径３２酩、外径９５闘、厚さが１５朋で間隙２０の大き
さが１６關の場合、肉厚３關のＮ１Ｚｎｆｉ性フ工ライ
ト円筒形枠材２ａ、２ｂを設けると、これがない場合に
比べて、同じ印加電流値で約１０％の発生磁界の増大が
みられた。換言すれば、同じ磁界強度を得るには約り０
％少ない電流でよく、このために消費電力は約２１減少
する。
史施億ユ
次に本発明の第２の実施例を第３図囚、（Ｂ）を用いて
説明する。第３図（Ａ）は本実施例の立面図、第３図（
Ｂｌは平面図である。本実施例の磁界発生コイルとして
は第１の実施例と同様に、ソレノイド型コイルｌａ、ｌ
ｂを対置したヘルムホルツ型コイルを用いている。高透
磁率軟強磁性体円筒枠２は。
説明する。第３図（Ａ）は本実施例の立面図、第３図（
Ｂｌは平面図である。本実施例の磁界発生コイルとして
は第１の実施例と同様に、ソレノイド型コイルｌａ、ｌ
ｂを対置したヘルムホルツ型コイルを用いている。高透
磁率軟強磁性体円筒枠２は。
ヘルムホルツ型コイルの外側全体を覆っている。
試料５の取り出し等の便宜のため、円筒枠材２はその一
部にヘルムホルツ型コイルの間隙部２０に対応して穴２
Ｃがあけられている。
部にヘルムホルツ型コイルの間隙部２０に対応して穴２
Ｃがあけられている。
本実施例では、前述の第１の実施例に比べて。
間隙部２０も殆んど軟強磁性体材で橋絡されているため
５間隙部での磁束の軟強磁性体枠材外へのにじみ出しの
ロスが減少し、そのために枠材の磁化は一層大きくなり
、同一電流での発生磁界強度が更に増加する。
５間隙部での磁束の軟強磁性体枠材外へのにじみ出しの
ロスが減少し、そのために枠材の磁化は一層大きくなり
、同一電流での発生磁界強度が更に増加する。
（発明の効果）
以上に述べた様に５本発明を用いれば、単位電流あたり
の発生磁界強度が大きく、従って同じ磁界強度では、コ
イル部分での消費電力の少ない磁界発生装置が実現され
る。本発明の枠材としては、前述の高透磁率を有する磁
性フェライトのみならず、パーマロイの如き高透磁率金
属材料を用いても本発明の効果を容易に得られることは
、その原理からみて当然である。
の発生磁界強度が大きく、従って同じ磁界強度では、コ
イル部分での消費電力の少ない磁界発生装置が実現され
る。本発明の枠材としては、前述の高透磁率を有する磁
性フェライトのみならず、パーマロイの如き高透磁率金
属材料を用いても本発明の効果を容易に得られることは
、その原理からみて当然である。
第１図は本発明の詳細な説明する図、第２図。
第３図ｔＡＪ、 ＋Ｂ）は本発明の実施例を示す図であ
る。 図ζこ於いて、 １ 、ｌａ 、ｌｂはソレノイド型磁界発生コイル、２
、２ａ 、 ２ｂ は高透磁率軟強磁性体円筒状枠
材、２Ｃは枠材中の大部分、３は枠材の磁化方向、５は
試料、１２はソレノイドコイルの中空部分、２０はコイ
ル間隙、２１は磁束若しくは、磁界の方向である。
る。 図ζこ於いて、 １ 、ｌａ 、ｌｂはソレノイド型磁界発生コイル、２
、２ａ 、 ２ｂ は高透磁率軟強磁性体円筒状枠
材、２Ｃは枠材中の大部分、３は枠材の磁化方向、５は
試料、１２はソレノイドコイルの中空部分、２０はコイ
ル間隙、２１は磁束若しくは、磁界の方向である。
Claims (4)
- （１）少なくとも１個のソレノイド型磁界発生コイルを
有し、前記ソレノイド型コイルの外側面に軟強磁性体を
設けたことを特徴とする磁界発生装置。 - （２）軟強磁性体は円筒形状である特許請求の範囲第１
項記載の磁界発生装置。 - （３）２個のソレノイド型コイルを対置したヘルムホル
ツ型磁界発生コイルの外側面に該コイルと中心軸を共有
する円筒状軟強磁性体枠を設け、該枠の一部に開孔が設
けられた特許請求の範囲第１項又は第２項記載の磁界発
生装置。 - （４）軟強磁性体枠材がフェライトである特許請求の範
囲第１項、第２項又は第３項に記載の磁界発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122267A JPH0746647B2 (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁界発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122267A JPH0746647B2 (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁界発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612306A true JPS612306A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH0746647B2 JPH0746647B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=14831725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122267A Expired - Lifetime JPH0746647B2 (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 磁界発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746647B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291172A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Toshiba Corp | 高感度トライアック |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517345U (ja) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517345B2 (ja) * | 1972-02-17 | 1980-05-10 |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59122267A patent/JPH0746647B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5517345U (ja) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02291172A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Toshiba Corp | 高感度トライアック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746647B2 (ja) | 1995-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ATE171546T1 (de) | Verwendung einer miniaturisierten spulenanordnung hergestellt in planartechnologie zur detektion von ferromagnetischen stoffen | |
| ATE420375T1 (de) | Magnetresonanzabbildungssystem mit eisenunterstütztem magnetfeldgradientensystem | |
| WO2002078018A1 (fr) | Generateur de champ magnetique | |
| WO2008013789A3 (en) | Nuclear magnetic resonance tool using switchable source of static magnetic field | |
| JP2017040645A (ja) | 電気永久磁石を使用する原子センサーに関する低電力磁場発生のためのシステムおよび方法 | |
| ATE36088T1 (de) | Duennfilm-magnetkopf auf einem nicht-magnetischen substrat zur senkrechten magnetisierung. | |
| US4870380A (en) | Magnet arrangements | |
| JP2001281308A (ja) | 磁気センサ及び位置検出装置 | |
| GB1139112A (en) | Magnet structure | |
| EP1591759A1 (en) | Electromagnetic flowmeter | |
| KR950033430A (ko) | 지자기방위센서 | |
| GB1110172A (en) | Improvements in or relating to magnet structures | |
| ATE30797T1 (de) | Magnetkopf. | |
| DE60218136D1 (de) | Langsame Diffusion und Fluss von Molekülen gemessen mit Kernspinresonanz mit gepulsten Feldgradienten unter Verwendung der longitudinalen Magnetisierung von Nicht-Proton Isotopen | |
| JPS612306A (ja) | 磁界発生装置 | |
| US5140568A (en) | Photomagnetic recording and erasing apparatus having magnetic field generating device including a coil and a recording media facing member which extends beyond the coil | |
| JPH0387365A (ja) | 平行磁場印加用電磁石を備えたスパッタリング装置 | |
| JPH0518245B2 (ja) | ||
| JPH0518246B2 (ja) | ||
| Oniku et al. | Batch patterning of submillimeter features in hard magnetic films using pulsed magnetic fields and soft magnetizing heads | |
| JP2004302412A (ja) | 磁気光学デバイス | |
| JP2822706B2 (ja) | 薄膜加工用マスク及びその保持方法 | |
| RU2584720C1 (ru) | Способ измерения магнитного поля | |
| JP2002102205A (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JPS6050442A (ja) | 核磁気共鳴イメ−ジング装置の磁界発生装置 |