JPS61224119A - Magnetic recording medium and its production - Google Patents
Magnetic recording medium and its productionInfo
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- JPS61224119A JPS61224119A JP6552585A JP6552585A JPS61224119A JP S61224119 A JPS61224119 A JP S61224119A JP 6552585 A JP6552585 A JP 6552585A JP 6552585 A JP6552585 A JP 6552585A JP S61224119 A JPS61224119 A JP S61224119A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録体およびその製造方法に係り、特に基
板上に磁化容易軸の膜面内配向性の高い磁性膜層が形成
された磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a magnetic recording medium and a method for manufacturing the same, and particularly relates to a magnetic recording medium in which a magnetic film layer having a high in-plane orientation of the axis of easy magnetization is formed on a substrate. The present invention relates to a recording medium and its manufacturing method.
近年コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い外
部メモリ装置の記憶容量を更に増大することが要求され
てきている。この要求を満足させるためには、外部メモ
リ装置に用いられる磁気ディスクも更に記録密度を増加
させる必要があり、このために合金磁性薄膜を有する記
録密度の高い磁気記録媒体の研究が近年大いに推進され
ている。In recent years, as computers have become smaller and their processing power has increased, there has been a demand for further increases in the storage capacity of external memory devices. In order to satisfy this demand, it is necessary to further increase the recording density of the magnetic disks used in external memory devices, and for this reason, research into magnetic recording media with high recording density containing alloy magnetic thin films has been greatly promoted in recent years. ing.
その1つとしてコバルト(CO)−ニッケル(Ni)合
金をAr及びN2雰囲気中においてスタリングした磁性
薄膜は良好な磁気特性を有することが公知である。また
Co−Ni合金にRuを添加することによって良好な磁
気特性を有し、その耐食性も優れていることが知られて
いる。(特開昭56−73413.特開昭59−844
07)ところで磁気記録媒体は一般に基板上に硬質の下
地層を設け、その上に磁性層を形成し、更にその上に所
望により保護膜を設けている。As one example, it is known that a magnetic thin film obtained by starching a cobalt (CO)-nickel (Ni) alloy in an Ar and N2 atmosphere has good magnetic properties. It is also known that by adding Ru to a Co-Ni alloy, it has good magnetic properties and its corrosion resistance is also excellent. (Japanese Patent Publication No. 56-73413. Japanese Patent Application Publication No. 59-844
07) Generally, magnetic recording media have a hard underlayer provided on a substrate, a magnetic layer formed thereon, and a protective film further provided thereon, if desired.
従来基板材料として用いられているガラスは加工性に困
難があり、磁性膜の付着強度が低いため、磁気記録媒体
製造および使用時の条件にかなりの制約をうけるという
問題がある。また非磁性Ni合金を付着したアルミニウ
ム基材として代表的なN1−Pめっき被膜アルミニウム
合金基材は、加工性・耐衝撃性は十分であるものの、2
00ないし250℃以上の温度で帯磁しノイズの原因と
なるので、やはり磁気記録媒体製造時の条件にかなりの
制約をうけることになる。Glass, which has been conventionally used as a substrate material, is difficult to work with and has low adhesion strength for magnetic films, which poses a problem in that it imposes considerable restrictions on the manufacturing and use conditions of magnetic recording media. Furthermore, although N1-P plated aluminum alloy base material, which is a typical aluminum base material with non-magnetic Ni alloy attached, has sufficient workability and impact resistance,
Since it becomes magnetized at temperatures above 0.000 to 250.degree. C. and causes noise, it is still subject to considerable restrictions on the manufacturing conditions of magnetic recording media.
一方Co−Ni合金にRuを添加した合金薄膜は、耐食
性の良好な膜面内磁気記録媒体として使用しうろことが
考えられていたが、一般の純Arガス雰囲気中でのスパ
ッタリングによる製造法においては磁化容易軸の膜面内
方向への配向が未だ十分ではなく、磁気特性に不満があ
った。On the other hand, an alloy thin film made by adding Ru to a Co-Ni alloy was considered to be useful as an in-plane magnetic recording medium with good corrosion resistance. However, the orientation of the easy axis of magnetization in the in-plane direction of the film was still insufficient, and the magnetic properties were unsatisfactory.
またCo−Ni合金をA r + N 2ガス雰囲気中
においてスパッタして製造した合金薄膜は十分な磁気特
性を有するものの、耐食性の点で純Arガス雰囲気中で
スパッタした磁性膜より劣ることが実用上の支障となっ
ていた。Furthermore, although alloy thin films produced by sputtering Co-Ni alloys in an Ar + N2 gas atmosphere have sufficient magnetic properties, they are inferior to magnetic films sputtered in pure Ar gas atmospheres in terms of corrosion resistance. It was a hindrance to the above.
上記従来技術の問題点を解決するために本発明は、ディ
スク形基板の板面上に磁性膜層が形成された磁気記録媒
体において、該磁性膜層はRuを含むCo−Ni基合金
であり、(002)面のX線回折強度I (002’
)と(100)面のX線回折強度I (100’)と
の比、即ちI (002)/ I (100)で定
義されるR値が0≦R≦3の範囲にあることを特徴とす
る磁気記録媒体、及び基板上にアルマイト質の下地層を
形成し、次いでスパッタリング法によってこの下地層上
にRuを含むCo−Ni基合金の磁性膜層を形成するこ
とにより、この磁性膜の(002)面のX線回折強度I
(002)と(100)面のX線回折強度I (
100)との比であるR値を0≦R≦3とすることを特
徴とする磁気記録媒体の製造方法を要旨とするものであ
る。In order to solve the problems of the prior art described above, the present invention provides a magnetic recording medium in which a magnetic film layer is formed on the surface of a disk-shaped substrate, in which the magnetic film layer is made of a Co-Ni based alloy containing Ru. , (002) plane X-ray diffraction intensity I (002'
) and the X-ray diffraction intensity I (100') of the (100) plane, that is, the R value defined as I (002)/I (100) is in the range of 0≦R≦3. By forming an alumite underlayer on a magnetic recording medium and a substrate, and then forming a magnetic film layer of a Co-Ni base alloy containing Ru on this underlayer by sputtering, the magnetic film ( 002) plane X-ray diffraction intensity I
X-ray diffraction intensity I (002) and (100) plane
The gist of the present invention is a method of manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that the R value, which is the ratio of
以下本発明につき更に詳細に説明する。The present invention will be explained in more detail below.
本発明の磁気記録媒体に用いられる基板の材質としては
、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とし、これに
その他の金属元素を加えて強度、剛性、耐食性等の特性
のうち一つ又は、二つ以上の特性を改良するようにした
ものが好適であり、例えばマグネシウムを数重゛量%、
例えば3〜4重量%含むものが用いられる。なおシリコ
ンは、二酸化珪素として析出し易いのでシリコン含有率
の小さいものが好ましい。The material of the substrate used in the magnetic recording medium of the present invention is aluminum or aluminum as a main component, and other metal elements are added to this to improve one or more of the properties such as strength, rigidity, and corrosion resistance. It is preferable that the properties are improved, for example, several weight percent of magnesium,
For example, one containing 3 to 4% by weight is used. Note that since silicon tends to precipitate as silicon dioxide, it is preferable to use a material with a low silicon content.
この基板上に形成される下地層はアルマイト質のもので
ある。この下地層は酸溶液中における陽極酸化等によっ
てアルミニウム又はアルミニウム基合金の基板表面を酸
化することによって容易に形成されるのであるが、この
酸化に際して、基板に含まれるアルミニウム以外の金属
の酸化によって生じた酸化物が下地層中に混在するよう
になり、従って通常被膜中の酸化アルミニウム以外の金
属酸化物の種類及び量は基板中のアルミニウム以外の金
属の種類及び含有率に影響される。The base layer formed on this substrate is made of alumite. This underlayer is easily formed by oxidizing the surface of an aluminum or aluminum-based alloy substrate by anodization in an acid solution, but during this oxidation, metals other than aluminum contained in the substrate are oxidized. Therefore, the type and amount of metal oxides other than aluminum oxide in the coating are usually influenced by the type and content of metals other than aluminum in the substrate.
この下地層の厚さは好ましくは5μm〜20μmとされ
る。5μmよりも薄い場合にはヘッドの衝突に対する耐
力が小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるおそれ
があり、一方20μmよりも厚い場合には、製造時にお
ける温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になっ
て亀裂を生じさせるおそれがある。下地層はヴイッカー
ス硬度)1vが300以上のものが好適に用いられる。The thickness of this base layer is preferably 5 μm to 20 μm. If it is thinner than 5 μm, the strength against head collision is low, and there is a risk of so-called head crushing. On the other hand, if it is thicker than 20 μm, the internal thermal stress caused by temperature rises and falls during manufacturing becomes excessive, resulting in cracks. There is a risk of causing The base layer preferably has a Vickers hardness (1v) of 300 or more.
l(vが300よりも小さい場合には衝撃耐力が小さく
なる。When l(v is smaller than 300, the impact strength becomes small.
下地層の上に形成される磁性膜層としてはRu含有量が
0.5〜8原子%であるCoNi基合金であって(00
2)面のX線回折強度1 (002”)と(100)
面のX線回折強度I (100’)との比、即ちI
(002) / I (100”)で定義されるR
値が0≦R≦3の範囲にあるものが用いられる。以下に
この磁性膜層について説明する。The magnetic film layer formed on the underlayer is a CoNi-based alloy with a Ru content of 0.5 to 8 at% (00
2) X-ray diffraction intensity of plane 1 (002”) and (100)
The ratio of the surface X-ray diffraction intensity I (100'), that is, I
R defined as (002) / I (100”)
A value in the range of 0≦R≦3 is used. This magnetic film layer will be explained below.
(イ)この磁性膜層の組成としてはRuを含みCoの1
5原子%以下をNiで置換したものが好適である。一般
にGo−Ni−Ru合金磁性薄膜は斜め入射蒸着法によ
って製造した時、その保磁力Hcが0.5〜5原子%で
極大となり、耐食性も向上するという特徴を有している
が(例えば特開昭59−84407) 、スパッタリン
グ法においては耐食性は良いが十分に高いHcの値が得
られず高密度磁気記録媒体としての要求を満たさない。(a) The composition of this magnetic film layer includes Ru and 1 Co.
It is preferable that 5 atomic % or less is substituted with Ni. In general, when a Go-Ni-Ru alloy magnetic thin film is manufactured by oblique incidence evaporation, its coercive force Hc reaches its maximum at 0.5 to 5 atomic %, and its corrosion resistance is also improved (for example, Although corrosion resistance is good in the sputtering method, a sufficiently high Hc value cannot be obtained and the requirements for a high-density magnetic recording medium are not met.
即ち磁性薄膜に要求されるHcの範囲は5000e以上
であり、そのためCo−Ni−Ru合金磁性薄膜を有す
る磁気記録媒体においては通常、Ru含有量を2原子%
前後とするのが好ましいのである。なおRu含有量が0
.5原子%以下では磁気特性は十分であるが耐食性が劣
るようになる。またRu含有量が8原子%以上では、H
c及び4πMsが低下して高密度磁気記録媒体としての
要求を満たさない。That is, the range of Hc required for a magnetic thin film is 5000e or more, and therefore, in a magnetic recording medium having a Co-Ni-Ru alloy magnetic thin film, the Ru content is usually set at 2 atomic %.
It is preferable to set it before and after. Note that the Ru content is 0
.. If the content is less than 5 at %, the magnetic properties are sufficient, but the corrosion resistance becomes poor. Moreover, when the Ru content is 8 at% or more, H
c and 4πMs are decreased, and the requirements for a high-density magnetic recording medium are not met.
また本発明においてはコバルトの一部をニッケルで置換
する。ニッケルを入れるとHcが若干変化し、媒体に対
する要求特性に応じたHcの調整を容易にできるという
効果がある。コバルトの一部をニッケルで置換する場合
、この置換比率は15原子%を上限とすることが好まし
い。この理由は次の通りである。即ちニッケルによる置
換比率が15原子%を超えると飽和磁束密度Bsが低下
し、また結晶系がhcpからfccになり膜面内の角形
比Sが低下するようになるからである。NiはC,o−
Ni−Ruにおいて1〜15原子%含ませるのが最も好
ましい。Further, in the present invention, a part of cobalt is replaced with nickel. The addition of nickel causes a slight change in Hc, which has the effect of making it easier to adjust Hc according to the characteristics required for the medium. When replacing a portion of cobalt with nickel, the upper limit of this replacement ratio is preferably 15 atomic %. The reason for this is as follows. That is, if the substitution ratio by nickel exceeds 15 atomic %, the saturation magnetic flux density Bs decreases, and the crystal system changes from hcp to fcc, resulting in a decrease in the in-plane squareness ratio S. Ni is C, o-
It is most preferable to include 1 to 15 atom % of Ni-Ru.
(ロ)粒径100〜500人の結晶粒を主体とすること
により磁気特性がいっそう優れたものになる。(b) Magnetic properties are further improved by using crystal grains with a grain size of 100 to 500 as the main component.
即ち、結晶粒の主体が100人よりも小さくなると、H
cが小さくなり高密度記録に不通となる。特に好ましい
のは200〜400人であり、Hcが高くノイズの小さ
い磁性膜層となる。なお、本発明において「主体」とは
、50%以上の数の粒子が当該粒径範囲に含まれること
をいい、この粒径の測定は電子顕微鏡によって観察する
ことにより行なわれる。That is, when the main grain size becomes smaller than 100, H
c becomes small and high-density recording becomes impossible. Particularly preferred is 200 to 400 people, resulting in a magnetic film layer with high Hc and low noise. In the present invention, the term "mainly" means that 50% or more of the particles fall within the particle size range, and the particle size is measured by observing with an electron microscope.
(ハ)R値即ちI (002) / I (100
)を0≦R≦3とすることにより磁化容易軸(C軸)の
膜面自記同性を高めることができる。即ち本発明者らが
基板上に形成された種々のCo−Ni−Ru膜のC軸方
向について検討したところ、上記R値とC軸の配向性と
の間には極めて密接な関係があり、R=OではC軸が完
全に面内方向に配向し、R=3ではC軸方向の分布が完
全にランダムであり、全く配向性を示さないこと、0≦
R4−3の範囲では、C軸が膜面内方向にある粒子の数
の方が多くなり、R>3の範囲ではC軸が膜面と垂直方
向にある粒子の数の方が多(なることが認められた。そ
して0:5R≦3とすることにより磁化容易軸の面内配
向性を保ち、優れた磁気記録媒体となる。なおR=3に
おいても、垂直方向には配向していないので、本発明に
おいて採用し得る。(c) R value, i.e. I (002) / I (100
) is set to 0≦R≦3, it is possible to increase the self-recording homogeneity of the film surface of the easy axis of magnetization (C axis). That is, when the present inventors investigated the C-axis direction of various Co-Ni-Ru films formed on a substrate, there was a very close relationship between the R value and the C-axis orientation. When R=O, the C-axis is completely oriented in the in-plane direction, and when R=3, the distribution in the C-axis direction is completely random and shows no orientation at all, 0≦
In the range of R4-3, the number of particles with the C-axis in the in-plane direction is larger, and in the range of R>3, the number of particles with the C-axis in the direction perpendicular to the film surface is larger ( It was recognized that by setting 0:5R≦3, the in-plane orientation of the easy axis of magnetization is maintained, resulting in an excellent magnetic recording medium.Even when R=3, it is not oriented in the perpendicular direction. Therefore, it can be adopted in the present invention.
第1図はN2+Ar中でスパッタしたCo−N i −
Ru磁性膜の350℃X3hr真空中熱処理後のX線回
折チャートの一例を示すものである。第1図においては
R≧0.15であり、熱処理によりC軸の面内配向性が
向上している。Figure 1 shows Co-N i − sputtered in N2+Ar.
An example of an X-ray diffraction chart of a Ru magnetic film after heat treatment in vacuum at 350° C. for 3 hours is shown. In FIG. 1, R≧0.15, and the in-plane orientation of the C-axis is improved by the heat treatment.
(ニ)N及びOの含有率がそれぞれ1原子%以下となる
ようにすることにより、Hcを大きくすることができる
。本発明の磁気記録媒体は、後述のように基板上にアル
マイト質の下地層を形成し、更にその上にN及び/又は
Oを含む雰囲気中でスCo−Ni−Ru膜を形成し、こ
れを熱処理する工程を経て製造することができるのであ
るが、この熱処理工程においてN、Oが離脱するととも
に粒成長が生ずる。そして残留するN、Oがそれぞれ1
原子%以下となるような熱処理を施すことにより所定の
粒径にまで粒成長した、磁気特性の良い磁性膜層が形成
されるのである。(d) Hc can be increased by controlling the N and O contents to be each 1 atomic % or less. The magnetic recording medium of the present invention is produced by forming an alumite underlayer on a substrate as described later, and further forming a Co-Ni-Ru film thereon in an atmosphere containing N and/or O. However, in this heat treatment process, N and O are released and grain growth occurs. And the remaining N and O are each 1
By performing heat treatment to reduce the particle size to atomic percent or less, a magnetic film layer with good magnetic properties and grains grown to a predetermined grain size is formed.
Nと0とはCoNとCooの双方がX線的には検出され
ないように、十分な脱N及び/又は脱O熱処理を施すの
が望ましい。As for N and 0, it is desirable to perform sufficient heat treatment to remove N and/or O so that both CoN and Coo are not detected by X-rays.
本発明の磁気記録媒体は例えば次のようにして製造する
ことができる。即ちアルミニウム又はアルミニウム基合
金基板をクロム酸等の酸を含む混合液中で陽極酸化し、
基板表面にアルマイト層を形成する。次にN2を含むA
rガス雰囲気中でスパッタリング等の方法によってCo
−Ni−Ru合金薄膜を基板上に形成し、然る後熱処理
しNを放出させるものである。この製造法において基板
上にまず形成する薄膜中のNの含有率は3原子%以上、
例えば4〜50原子%とするのが好ましい。The magnetic recording medium of the present invention can be manufactured, for example, as follows. That is, an aluminum or aluminum-based alloy substrate is anodized in a mixed solution containing an acid such as chromic acid,
Form an alumite layer on the substrate surface. Then A containing N2
Co by a method such as sputtering in an r gas atmosphere
A -Ni-Ru alloy thin film is formed on a substrate and then heat-treated to release N. In this manufacturing method, the N content in the thin film first formed on the substrate is 3 atomic % or more,
For example, it is preferably 4 to 50 atomic %.
このようにスパッタリング時に多量のNt−薄膜に含有
させると、アモルファス状又は粒径50人〜150人程
度の微結晶体より成る薄膜が形成され、この薄膜は後工
程の熱処理で結晶化又は粒径100〜500人程度に粒
成長し、適度なHcを有しかつ高角形比の磁気記録媒体
を形成するようになる。In this way, when a large amount of Nt is contained in a thin film during sputtering, a thin film consisting of an amorphous or microcrystalline substance with a grain size of about 50 to 150 grains is formed, and this thin film is crystallized or changed in grain size by heat treatment in the post-process. The grains grow to about 100 to 500 grains, forming a magnetic recording medium having an appropriate Hc and a high squareness ratio.
この熱処理の温度としては300〜600℃程度が好ま
しい、熱処理の温度が300℃を下回る場合には脱Nの
速度が小さくなり、薄膜の結晶化も不十分となりやすい
。また熱処理温度が600℃を超える場合は、脱Nが過
度に早く進行し、かつ結晶粒径が大きくなりHcが低下
する。特に好ましい熱処理条件は320℃〜450℃で
1〜5時間程度の保持であり、このようにすることによ
り磁気特性の優れたものを安価に製造することが可能と
なる。The temperature of this heat treatment is preferably about 300 to 600°C. If the temperature of the heat treatment is lower than 300°C, the rate of de-Ning becomes low and the crystallization of the thin film tends to be insufficient. Furthermore, if the heat treatment temperature exceeds 600° C., de-Ning will proceed too quickly and the crystal grain size will increase, resulting in a decrease in Hc. Particularly preferable heat treatment conditions are holding at 320° C. to 450° C. for about 1 to 5 hours, and by doing so, it becomes possible to manufacture products with excellent magnetic properties at low cost.
上記のN2の代わりに02を用いても全く同様にして本
発明の磁気記録媒体が製造できた。そしてN2の代わり
にN2と02の混合気体でも良いことも認められた。The magnetic recording medium of the present invention could be manufactured in exactly the same manner even if 02 was used instead of N2. It was also recognized that a mixed gas of N2 and 02 may be used instead of N2.
本発明において用いられる基板としては非磁性基板であ
れば従来から用いられている各種のものが使用でき、前
述のアルミニウム又はアルミニウム合金基板(例えばア
ルミニウムに数%以下程度のMgを添加した合金やチタ
ン合金の基板)のほか、結晶化ガラス又はセラミックス
基板などが用いられる。As the substrate used in the present invention, various conventionally used non-magnetic substrates can be used, including the aforementioned aluminum or aluminum alloy substrates (for example, aluminum alloys with a few percent or less of Mg added or titanium alloys). In addition to alloy substrates), crystallized glass or ceramic substrates are also used.
なお、基板と磁性薄膜との間に下地層の他、磁性薄膜の
付着強度を増大させる各種の中間層などを設けても良い
。In addition to the underlayer, various intermediate layers for increasing the adhesion strength of the magnetic thin film may be provided between the substrate and the magnetic thin film.
また磁性薄膜上に炭素、ポリ珪酸等の保護膜を設けても
よい。さらに、この保護膜上に潤滑剤を塗布しても良い
。Further, a protective film of carbon, polysilicate, or the like may be provided on the magnetic thin film. Furthermore, a lubricant may be applied onto this protective film.
本発明の磁気記録媒体においては磁性膜のR値を0≦R
≦3としたので磁化容易軸の面内配向性が高いという特
徴を有する。またそのため高密度記録を達成できる等の
作用がある。In the magnetic recording medium of the present invention, the R value of the magnetic film is 0≦R.
≦3, it is characterized by high in-plane orientation of the axis of easy magnetization. Moreover, it also has the effect of being able to achieve high-density recording.
またこの磁性膜は下地層をアルマイト質とし、この上に
スパッタリングすることにより形成することができる。Further, this magnetic film can be formed by sputtering on an alumite underlayer.
このアルマイト質の下地層はニッケルーリン下地層と異
なり高温にしても帯磁しない、そのためスパッタリング
前後又はスパッタリング中に熱処理を施し、膜の密着性
を向上させることが可能とされる。また、スパッタ時の
基板温度を高(して、膜の堆積速度を大きくすることも
できる。Unlike the nickel-phosphorous underlayer, this alumite underlayer does not become magnetized even at high temperatures, so it is possible to heat-treat it before, during or after sputtering to improve the adhesion of the film. Furthermore, the deposition rate of the film can be increased by increasing the substrate temperature during sputtering.
なお、アルマイト下地層上にスパッタリングすとが影響
しているものと推察される。In addition, it is presumed that sputtering on the alumite base layer has an effect.
以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail using specific examples.
なお以下に述べる実施例はマグネトロンr、f、スパッ
タ装置によったが、イオン工学的に同様のことが言える
イオンビームスパッタリング等によって本発明の効果を
得ることが可能であることは勿論である。Although the embodiment described below uses a magnetron r, f, and sputtering device, it is of course possible to obtain the effects of the present invention by ion beam sputtering, etc., which can be said to be similar in terms of ion technology.
実施例1
をクロム酸を含む酸浴中で陽極酸化し、その表面に厚さ
8〜17μmのアルマイト質の下地層を形成し、かつそ
の表面を2μm程度研磨し平坦にした。Example 1 was anodized in an acid bath containing chromic acid, an alumite base layer with a thickness of 8 to 17 μm was formed on the surface, and the surface was polished to a thickness of about 2 μm to make it flat.
次に、平板マグネトロンr、f、スパッタ装置を用い、
下記条件にて下地層上にNを含むGo−Ni−Ru薄膜
を形成した。Next, using a flat plate magnetron r, f, sputtering device,
A Go-Ni-Ru thin film containing N was formed on the underlayer under the following conditions.
初期排気 6 X 10’ Tor
r全雰囲気圧(A r +N2 ) 6〜20 t
aTorr雰囲気中N2ガス濃度
(全圧に対するN2分圧の%)35〜75%投入電力
IKW
ターゲット組成 Co−N1−Ru(目標と
する薄膜の組成に一致させる。Initial exhaust 6 x 10' Tor
rTotal atmospheric pressure (A r +N2) 6 to 20 t
N2 gas concentration in aTorr atmosphere (% of N2 partial pressure to total pressure) 35-75% input power
IKW Target composition Co-N1-Ru (match the composition of the target thin film.
例えば、Co : N i : Ru=88:10:2
(原子比%)の薄膜を形成する場合
には、Co88原子%、Ni5原子%、Ru2原子%の
ターゲットを用いる。)極間隔
108 +a+s薄膜形成速度 100〜30
0人/+win膜厚 700人
この膜形成後、ただちにカーボン保護膜をスパッタリン
グで500人形成した。この膜形成後翼空中にて320
〜400℃で1〜5時間の熱処理を行ない、膜を結晶化
ないし結晶粒成長させると共に、窒素を放出させた。こ
の試料からはCoNがX線的には検出されなかった。For example, Co:Ni:Ru=88:10:2
(atomic ratio), a target containing 88 atomic % of Co, 5 atomic % of Ni, and 2 atomic % of Ru is used. ) pole spacing
108 +a+s thin film formation speed 100-30
0 people/+win film thickness 700 people After forming this film, a carbon protective film was immediately formed by sputtering for 500 people. After this film is formed, the wing is airborne for 320 minutes.
Heat treatment was performed at ~400° C. for 1 to 5 hours to crystallize or grow grains of the film and release nitrogen. CoN was not detected by X-ray in this sample.
この磁気記録媒体の磁気特性を上記以外の条件と共に第
1表に示す。The magnetic properties of this magnetic recording medium are shown in Table 1 along with conditions other than those mentioned above.
比較例1
下地層の膜厚、磁性膜層の組成及び濃厚、スパッタリン
グ時の雰囲気のN2ガス濃度、熱処理条件等を第1表の
ものとし、磁気記録媒体を製造した。その他の条件は実
施例1と同様である。その特性の測定結果を第1表に示
す。Comparative Example 1 A magnetic recording medium was manufactured using the thickness of the underlayer, the composition and concentration of the magnetic layer, the N2 gas concentration in the atmosphere during sputtering, the heat treatment conditions, etc. shown in Table 1. Other conditions are the same as in Example 1. Table 1 shows the measurement results of its characteristics.
第1表より本発明に係るものは、いずれも磁気特性に優
れていることが認められる。From Table 1, it is recognized that all the materials according to the present invention have excellent magnetic properties.
またNo5の磁気記録媒体の電磁変換特性を次のように
して測定した。Further, the electromagnetic conversion characteristics of the No. 5 magnetic recording medium were measured as follows.
使用ヘッド : M n −Z nフェライトミニ
ウィンチェスタ−型
(トラック幅16μm1ギヤツプ長1.1μm1ギャッ
プ深さ20μm、巻数14TX2)フライングハイド:
0.34μm
1F周波数 : 1.25 MHz2F周波数
: 2.5 MHzディスク回転数 : 3600
rpm測定箇所 :ディスクの中心からR=3
00I11の部分で測定。Head used: Mn-Zn ferrite mini Winchester type (track width 16μm, 1 gap length 1.1μm, 1 gap depth 20μm, number of turns 14TX2) Flying hide:
0.34μm 1F frequency: 1.25 MHz2F frequency
: 2.5 MHz Disk rotation speed : 3600
rpm measurement point: R=3 from the center of the disc
Measured at part 00I11.
この再生出力特性は次の通りであった。The reproduction output characteristics were as follows.
2F再生出力E 2 F : 0.42 mVpp分解
能(R=30mm) : 87%オーバーライド
: −34dB
第1表に示した磁気記録媒体を60℃、相対湿度90%
の雰囲気中に2週間曝露して耐環境試験を実施した。試
験後の磁気特性を第2表に示す。2F playback output E 2F: 0.42 mVpp resolution (R=30mm): 87% override
: -34dB The magnetic recording media shown in Table 1 were heated at 60°C and relative humidity 90%.
An environmental resistance test was conducted by exposing the sample to the atmosphere for two weeks. The magnetic properties after the test are shown in Table 2.
第2表
第2表より本発明による磁気記録媒体は、いずれも耐食
性に優れていることが認められる。From Table 2, it is recognized that all the magnetic recording media according to the present invention have excellent corrosion resistance.
以上のことから、この磁気記録媒体は高密度記録媒体と
しての特性を備えていることが判明した。From the above, it was found that this magnetic recording medium has characteristics as a high-density recording medium.
以上詳述した通り、本発明によって提供される磁気記録
媒体は、R値が0≦R≦3である磁性膜層を有しており
、膜面内角膨比が高く、良好な耐食性を併せ持ち、高密
度記録媒体としての特性を具備した実用性の高いもので
ある。As detailed above, the magnetic recording medium provided by the present invention has a magnetic film layer with an R value of 0≦R≦3, has a high in-plane angular expansion ratio, and has good corrosion resistance. It has the characteristics of a high-density recording medium and is highly practical.
まh本発明の製造方法によれば、このような優れた磁気
記録媒体を容易に製造することができる。According to the manufacturing method of the present invention, such an excellent magnetic recording medium can be easily manufactured.
第1図は磁性膜のX線回折図である。
禰−−rpa
昭和60年 特許願 第65525号
発明の名称 磁気記録媒体およびその製造方法補正をす
る者
事件との関係 特許出願人
住所 東京都千代田区丸ノ内二丁目1番2号名称 (5
08)日立金属株式会社
代表者 松 野 浩 二FIG. 1 is an X-ray diffraction diagram of the magnetic film. Ne--rpa 1985 Patent Application No. 65525 Name of the invention Relationship to the case of a person who amends a magnetic recording medium and its manufacturing method Patent applicant address 2-1-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Name (5
08) Koji Matsuno, Representative of Hitachi Metals, Ltd.
Claims (6)
磁気記録媒体において、その磁性層がRuを含むCoN
i基合金であり、(002)面のX線回折強度I(00
2)と(100)面のX線回折強度I(100)との比
、即ちI(002)/I(100)で定義されるR値が
、0≦R≦3の範囲にあることを特徴とする磁気記録媒
体。(1) In a magnetic recording medium in which a magnetic film layer is formed on the plate surface of a disk-shaped substrate, the magnetic layer is CoN containing Ru.
It is an i-based alloy, and the X-ray diffraction intensity of the (002) plane I(00
2) and the X-ray diffraction intensity I(100) of the (100) plane, that is, the R value defined by I(002)/I(100) is in the range of 0≦R≦3. magnetic recording media.
、その上にアルマイト質の下地層が形成され、この下地
層の上に前記磁性膜層が形成されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体。(2) Claim 1, characterized in that the substrate is made of aluminum or an aluminum alloy, an alumite underlayer is formed on the substrate, and the magnetic film layer is formed on the underlayer. Magnetic recording medium described in Section 1.
徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の磁気記
録媒体。(3) The magnetic recording medium according to claim 1 or 2, characterized in that a protective film is formed on the magnetic film layer.
スパッタリング法によってこの下地層上にRuを含むC
oNi基合金の磁性膜層を形成することにより、この磁
性膜の(002)面のX線回折強度I(002)と、(
100)面のX線回折強度I(100)との比であるR
値を0≦R≦3とすることを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。(4) Form an alumite base layer on the substrate, and then apply Ru-containing C on this base layer by sputtering.
By forming a magnetic film layer of oNi-based alloy, the X-ray diffraction intensity I(002) of the (002) plane of this magnetic film and (
R, which is the ratio to the X-ray diffraction intensity I(100) of the 100) plane
A method for manufacturing a magnetic recording medium, characterized in that the value is 0≦R≦3.
、これに陽極酸化処理することによりアルマイト質の下
地層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第4項
記載の磁気記録媒体の製造方法。(5) The method for manufacturing a magnetic recording medium according to claim 4, wherein the substrate is made of aluminum or an aluminum alloy, and an alumite underlayer is formed by anodizing the substrate.
含む合金膜を形成し、次いで熱処理して脱窒素させて磁
性膜層を形成することを特徴とする特許請求の範囲第4
項又は第5項記載の磁気記録媒体の製造方法。(6) Sputtering in a nitrogen-containing atmosphere to form a nitrogen-containing alloy film, followed by heat treatment to denitrify it to form a magnetic film layer.
5. A method for manufacturing a magnetic recording medium according to item 5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6552585A JPS61224119A (en) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | Magnetic recording medium and its production |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6552585A JPS61224119A (en) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | Magnetic recording medium and its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61224119A true JPS61224119A (en) | 1986-10-04 |
Family
ID=13289516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6552585A Pending JPS61224119A (en) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | Magnetic recording medium and its production |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61224119A (en) |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6552585A patent/JPS61224119A/en active Pending
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