JPS61222988A - ２−６族化合物半導体素子の製造方法 - Google Patents
２−６族化合物半導体素子の製造方法Info
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- JPS61222988A JPS61222988A JP6279985A JP6279985A JPS61222988A JP S61222988 A JPS61222988 A JP S61222988A JP 6279985 A JP6279985 A JP 6279985A JP 6279985 A JP6279985 A JP 6279985A JP S61222988 A JPS61222988 A JP S61222988A
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- Japan
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ア）産業上の利用分野
本発明は、青色発光材料として最も有望視されているＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体素子に関するものである。
Ｉ−ＶＩ族化合物半導体素子に関するものである。
（イ）従来の技術
半導体素子の形成方法として液相成長法、気相成長法が
よく知られている。また近年、分子線エピタキシャル法
の優秀性が認められ、種々の半導体素子の形成に用いら
れる。分子線エピタキシャル法に関し、特開昭５７−１
８８．８８９号公報、同５８−８８゜７３１号公報等が
公知である。
よく知られている。また近年、分子線エピタキシャル法
の優秀性が認められ、種々の半導体素子の形成に用いら
れる。分子線エピタキシャル法に関し、特開昭５７−１
８８．８８９号公報、同５８−８８゜７３１号公報等が
公知である。
（つ）従来技術の問題点
上記の半導体形成方法は主にＩ［Ｉ−Ｖ族（ＧａＡｓ等
）ｒＶ−ＩＶ族（ＳｉＣ等〉化合物半導体等に用いられ
、実用化されているが、これらの方法によりＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体（ＺｎＳ等）は実用されるに至っていな
い。ｎ−ｖｒ族化合物の単結晶薄膜を形成してＰ型・Ｎ
型の導伝性制御が可能となれば青色発光ダイオードや短
波長レーザ等のオプトエレクトロニクス素子の進歩が約
束される。
）ｒＶ−ＩＶ族（ＳｉＣ等〉化合物半導体等に用いられ
、実用化されているが、これらの方法によりＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体（ＺｎＳ等）は実用されるに至っていな
い。ｎ−ｖｒ族化合物の単結晶薄膜を形成してＰ型・Ｎ
型の導伝性制御が可能となれば青色発光ダイオードや短
波長レーザ等のオプトエレクトロニクス素子の進歩が約
束される。
しかしながら、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体の形成におい
て、液相成長法、気相成長法はほぼ熱平衡状態での反応
であるために単結晶薄膜を成長させる成長基板を高温に
しなければならず、その結果形成された薄膜中の空格子
点の数が多くなるとともに不純物が混入して多数の格子
欠陥が生じてしまう。多数の格子欠陥や不純物が結晶中
に存在すると自己補償効果等によりＰ型・Ｎ型の導伝性
制御ができず、素子として用いることはできない。
て、液相成長法、気相成長法はほぼ熱平衡状態での反応
であるために単結晶薄膜を成長させる成長基板を高温に
しなければならず、その結果形成された薄膜中の空格子
点の数が多くなるとともに不純物が混入して多数の格子
欠陥が生じてしまう。多数の格子欠陥や不純物が結晶中
に存在すると自己補償効果等によりＰ型・Ｎ型の導伝性
制御ができず、素子として用いることはできない。
一方、分子線エピタキシャル法（以下、ＭＢＥと略記す
る。）は非熱平衡状態における反応であるため成長基板
温度は高温でなくてよく、上記液相成長法や気相成長法
に比べ、空格子点や不純物による格子欠陥をはるかに少
なく抑えることができる。しかし、結晶中には必ず格子
欠陥は含まれるものであって、ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体においてはイオン結合性が強いために自己補償が著し
く、ＭＢＥにより格子欠陥を極力抑えるようにしてもド
ーパントを加えると自己補償効果によってＰ型・Ｎ型の
導伝性制御が非常に困難である。
る。）は非熱平衡状態における反応であるため成長基板
温度は高温でなくてよく、上記液相成長法や気相成長法
に比べ、空格子点や不純物による格子欠陥をはるかに少
なく抑えることができる。しかし、結晶中には必ず格子
欠陥は含まれるものであって、ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体においてはイオン結合性が強いために自己補償が著し
く、ＭＢＥにより格子欠陥を極力抑えるようにしてもド
ーパントを加えると自己補償効果によってＰ型・Ｎ型の
導伝性制御が非常に困難である。
（１）発明の目的
本発明は、結晶性の良好なＩＩ−Ｖｌ族化合物の単結晶
薄膜を成長させることを第一の目的とし、もってＰ型・
Ｎ型の導伝性制御を可能とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体素子を形成することを第二の目的とする。
薄膜を成長させることを第一の目的とし、もってＰ型・
Ｎ型の導伝性制御を可能とするＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体素子を形成することを第二の目的とする。
（オ）発明の概要
上記目的を達成するため本発明は■族の分子線を、適宜
手段により分解されたー量体、もしくは−ｉｔ体と二量
体の混合として成長基板に供給し、かつこの■族の分子
線と■族の分子線との相対的強度を適宜変化させて化学
量論的組成のエピタキシャル層を形成したことを特徴と
する。
手段により分解されたー量体、もしくは−ｉｔ体と二量
体の混合として成長基板に供給し、かつこの■族の分子
線と■族の分子線との相対的強度を適宜変化させて化学
量論的組成のエピタキシャル層を形成したことを特徴と
する。
（力）実施例
第１図は本発明の一実施例を示し、本発明者らが行った
実験装置の概略図である。
実験装置の概略図である。
図中、１が半導体成長装置であって、チャンバ２内に延
出するガスセル３、クヌードセンセル４゜５、チャンバ
内に配設された成長基板６、この基板６を保持する基板
台７、上記クヌードセンセル４．５それぞれの分子線放
出端近くに配設されたシャッタ８．９、上記基板６の近
（に配設されたシャッタ１０．ガスセル３のガスソース
となる８２ Ｓガスのボンベ１１、このボンベ１１のバ
ルブ１２、このバルブ１２に連結された流量調整弁１３
、この流量調整弁１３とガスセル３とを連結する可変リ
ーク弁１４、チャンバ２内を所望の気圧とする排気装置
１５により構成される。なお、他の構成部品（例えばＲ
ＨＥＥＤパターン測定用の装置や上記以外の排気装置、
バルブ、質量分析計等）は省略しである。
出するガスセル３、クヌードセンセル４゜５、チャンバ
内に配設された成長基板６、この基板６を保持する基板
台７、上記クヌードセンセル４．５それぞれの分子線放
出端近くに配設されたシャッタ８．９、上記基板６の近
（に配設されたシャッタ１０．ガスセル３のガスソース
となる８２ Ｓガスのボンベ１１、このボンベ１１のバ
ルブ１２、このバルブ１２に連結された流量調整弁１３
、この流量調整弁１３とガスセル３とを連結する可変リ
ーク弁１４、チャンバ２内を所望の気圧とする排気装置
１５により構成される。なお、他の構成部品（例えばＲ
ＨＥＥＤパターン測定用の装置や上記以外の排気装置、
バルブ、質量分析計等）は省略しである。
第２図は第１図中のガスセル３の要部断面図である。こ
のガスセル３は、石英からなる管形状の壁１６内にヒー
トワイヤ１７を通したものである。１日は壁１６周囲に
配設されたタンタル製熱シールド板であって、壁１６周
囲からの輻射熱による影響を抑えるためのものである。
のガスセル３は、石英からなる管形状の壁１６内にヒー
トワイヤ１７を通したものである。１日は壁１６周囲に
配設されたタンタル製熱シールド板であって、壁１６周
囲からの輻射熱による影響を抑えるためのものである。
以上の実験装置において、クヌードセンセル４内に■族
の分子線源としてＺｎ （亜鉛）、クヌードセンセル５
内にドーパントとしてＧａ （ガリウム）、ガスセル３
のソースとして■族元素Ｓ（硫黄）を含む気体である１
１２ｓ （硫化水素）を用いて実験を行った。まず、
ドーピングをせずに即ちドーパントなしとしてＩＩ−Ｖ
ｌ族化合物を成長させ、その特性を測定した。
の分子線源としてＺｎ （亜鉛）、クヌードセンセル５
内にドーパントとしてＧａ （ガリウム）、ガスセル３
のソースとして■族元素Ｓ（硫黄）を含む気体である１
１２ｓ （硫化水素）を用いて実験を行った。まず、
ドーピングをせずに即ちドーパントなしとしてＩＩ−Ｖ
ｌ族化合物を成長させ、その特性を測定した。
第３図は基板温度に対する、成長したＺｎＳ （硫化
亜鉛）中の、Ｚｎの占める割合を示すグラフである。な
お、基板６は基板台７中のヒータにより所望の温度に制
御される。
亜鉛）中の、Ｚｎの占める割合を示すグラフである。な
お、基板６は基板台７中のヒータにより所望の温度に制
御される。
同図かられかるように、基板温度が上昇するとＳリッチ
の状態となる。これは、■族元素を含む気体Ｈａｓが、
ガスセル３のヒートワイヤ１７の加熱により、 ２ＨｚＳ→２Ｈ２＋５２ Ｓ２ →２Ｓ。
の状態となる。これは、■族元素を含む気体Ｈａｓが、
ガスセル３のヒートワイヤ１７の加熱により、 ２ＨｚＳ→２Ｈ２＋５２ Ｓ２ →２Ｓ。
のように分解されて、Ｓ分子線には二量体のみならず一
量体が含まれていることを示している。このことは、日
本真空技術株式会社発行の「真空ハンドブック」によれ
ば、Ｚｎ、 Ｓ一量体、Ｓ二量体。
量体が含まれていることを示している。このことは、日
本真空技術株式会社発行の「真空ハンドブック」によれ
ば、Ｚｎ、 Ｓ一量体、Ｓ二量体。
Σ３．ＺｎＳの蒸気圧曲線は第４図のように表わされ、
基板温度が上昇したときに、Ｓ一量体のみがＺｎよりも
蒸気圧が低いことによって明らかである。
基板温度が上昇したときに、Ｓ一量体のみがＺｎよりも
蒸気圧が低いことによって明らかである。
次に、Ｓの分子線中に含まれる一量体と二量体との大小
関係を調べるため、Ｈａｓガスの導入圧に対して成長し
たＺｎＳ中のＳ一量体の占める割合を示したのが第５図
である。同図によれば、Ｈ２ｓガス導入圧が上昇するに
つれて化学量論的組成（成長したＺｎＳのＺｎとＳとの
構成比が１＝１）に近づいている。
関係を調べるため、Ｈａｓガスの導入圧に対して成長し
たＺｎＳ中のＳ一量体の占める割合を示したのが第５図
である。同図によれば、Ｈ２ｓガス導入圧が上昇するに
つれて化学量論的組成（成長したＺｎＳのＺｎとＳとの
構成比が１＝１）に近づいている。
第６図に１１２３ガス導入圧に対するＳ一量体（同図中
のＳｔ）のモル分率を、ガスセル３内のヒートワイヤに
よる分解温度（図中のＴｃｒ ）を】２００°Ｋ。
のＳｔ）のモル分率を、ガスセル３内のヒートワイヤに
よる分解温度（図中のＴｃｒ ）を】２００°Ｋ。
１３００’ Ｋ、 １４００’ Ｋ、 １５００°に
、の口温度について、第７図にＨ２Ｓガス導入圧に対す
るＳ二量体（図中のＳ２）のモル分率を、上記と同じ口
温度について、それぞれ実験結果から示す。両図から、
Ｈ２Ｓガス導入圧が上昇するにつれて、Ｓ一量体のモル
分率は減少し、Ｓ二量体は増加していることがわかる。
、の口温度について、第７図にＨ２Ｓガス導入圧に対す
るＳ二量体（図中のＳ２）のモル分率を、上記と同じ口
温度について、それぞれ実験結果から示す。両図から、
Ｈ２Ｓガス導入圧が上昇するにつれて、Ｓ一量体のモル
分率は減少し、Ｓ二量体は増加していることがわかる。
第５図に示したグラフの実験は分解温度９２０°Ｃ（＝
１１９３°Ｋ）で行っており、第６図、第７図中の分解
温度１２００°にの曲線とほぼ同一と考えられるから、
第５図のグラフの実験においてはＳ一量体よりもＳ二量
体の方が多く分子線中に存在していると考えてよい。こ
れは、Ｈ２Ｓガス導入圧が低いときには、（第４図から
明らかなように付着係数がほぼ１である）Ｓ一量体が多
く発生しているためにＳリッチとなっているものが、Ｈ
，ＬＳガス導入圧を高くしたことによってＳ一量体が少
なくなりＳ二量体が増えたために、ＺｎとＳ二量体との
相補性によって化学量論的組成に近づくものと考えられ
るからである。
１１９３°Ｋ）で行っており、第６図、第７図中の分解
温度１２００°にの曲線とほぼ同一と考えられるから、
第５図のグラフの実験においてはＳ一量体よりもＳ二量
体の方が多く分子線中に存在していると考えてよい。こ
れは、Ｈ２Ｓガス導入圧が低いときには、（第４図から
明らかなように付着係数がほぼ１である）Ｓ一量体が多
く発生しているためにＳリッチとなっているものが、Ｈ
，ＬＳガス導入圧を高くしたことによってＳ一量体が少
なくなりＳ二量体が増えたために、ＺｎとＳ二量体との
相補性によって化学量論的組成に近づくものと考えられ
るからである。
以上のことから、Ｈ２Ｓガスの熱分解により生じた分子
線を構成する■族分子は、Ｓの一量体と二量体の混合で
あって、二量体の方が多く含まれていることがわかる。
線を構成する■族分子は、Ｓの一量体と二量体の混合で
あって、二量体の方が多く含まれていることがわかる。
第８図はＺｎの分子線強度の変化に対するＺｎＳ中のＺ
ｎの占める割合を示すものである。この第８図のように
、Ｓリッチの状態からＺｎ分子線強度が増大するにつれ
て化学量論的組成に近づき、化学量論的組成となって後
、Ｚｎ分子線強度のある領域内では化学量論的組成の状
態を保持し、その後Ｚｎリッチの状態となることが、Ｍ
ＢＥにより成長する他の化合物半導体と同様に明らかで
ある。
ｎの占める割合を示すものである。この第８図のように
、Ｓリッチの状態からＺｎ分子線強度が増大するにつれ
て化学量論的組成に近づき、化学量論的組成となって後
、Ｚｎ分子線強度のある領域内では化学量論的組成の状
態を保持し、その後Ｚｎリッチの状態となることが、Ｍ
ＢＥにより成長する他の化合物半導体と同様に明らかで
ある。
第９図はＨａｓガス導入圧３ Ｘ １０ ［Ｔｏｒｒ］
、基板温度３６０°Ｃ，）１２Ｓガスの分解温度９２
０°Ｃとして、Ｚｎ分子線強度に対する成長したＺｎＳ
中のＺｎの占める割合を実験データから求めたグラフを
示している。このグラフから、Ｚｎの分子線強度を増大
し、９ Ｘ １０ ［Ｍｏ１ｅ／ ｃ♂・Ｓコ付近とな
ったときに化学量論的組成となっていることがわかる。
、基板温度３６０°Ｃ，）１２Ｓガスの分解温度９２
０°Ｃとして、Ｚｎ分子線強度に対する成長したＺｎＳ
中のＺｎの占める割合を実験データから求めたグラフを
示している。このグラフから、Ｚｎの分子線強度を増大
し、９ Ｘ １０ ［Ｍｏ１ｅ／ ｃ♂・Ｓコ付近とな
ったときに化学量論的組成となっていることがわかる。
上記ＨＳガス導入圧、及び分解温度からＳ分子線強度は
およそ７ Ｘ １０ ［Ｍｏ１ｅ／ ｃｍ’ ｓ ］で
あるからＺｎとＳとの分子線強度比がおよそ１３：１付
近でＳリッチの状態から化学量論的組成へと移っている
。この分子線強度比１３：１程度というのは成長基板温
度等の要因によって変化するが、Ｚｎの分子線の方がＳ
の分子線よりも強いのはそれらの要因によらない。これ
はＳの分子線中にＳ一量体が含まれていることによる。
およそ７ Ｘ １０ ［Ｍｏ１ｅ／ ｃｍ’ ｓ ］で
あるからＺｎとＳとの分子線強度比がおよそ１３：１付
近でＳリッチの状態から化学量論的組成へと移っている
。この分子線強度比１３：１程度というのは成長基板温
度等の要因によって変化するが、Ｚｎの分子線の方がＳ
の分子線よりも強いのはそれらの要因によらない。これ
はＳの分子線中にＳ一量体が含まれていることによる。
第１０図はＺｎ分子線強度９ ｘ １０ ［Ｍｏ１ｅ／
ｃｍ’ ｓ ］のときの成長したＺｎＳ表面のＲＨＥ
ＥＤパターンであって、良好な表面（単結晶薄膜）が成
長していることがわかる。
ｃｍ’ ｓ ］のときの成長したＺｎＳ表面のＲＨＥ
ＥＤパターンであって、良好な表面（単結晶薄膜）が成
長していることがわかる。
第８図において、Ｓリッチ領域をＡ、Ｚｎリッチ領域を
Ｂ、化学量論的組成の領域のうち、Ｓリッチ領域に近い
部分をＣ，Ｚｎリッチに近い部分をＤとした。これらの
領域のうち、結晶性の良好な領域はＣ，Ｄであるから、
Ｃ，Ｄ部分にドーピングしてＮ型及びＰ型の導伝性制御
を行い、半導体素子を形成すればよい。Ｃ部分では化学
量論的組成であるが、厳密にはＳリッチの傾向があり、
Ｄ部分では逆にＺｎリッチの傾向がある。従って、Ｃ部
分においてＺｎ格子位置を置換するドーパント（ドナー
）を添加し、Ｄ部分においてＳ格子位置を置換するドー
パント（アクセプタ）を添加すれば、ドーパントが成長
過程のＺｎＳ中に入り易い。このとき、ドーピングする
ことで自己補償効果が起ってＺｎの空格子が生じても、
上述のようにＺｎの分子線強度がＳの分子線強度よりも
大きいため、この空格子をつぶすことができ、また、Ｓ
の空格子が生じてもＳ一量体の基板滞在時間が長いため
、この空格子をつぶすことができる。
Ｂ、化学量論的組成の領域のうち、Ｓリッチ領域に近い
部分をＣ，Ｚｎリッチに近い部分をＤとした。これらの
領域のうち、結晶性の良好な領域はＣ，Ｄであるから、
Ｃ，Ｄ部分にドーピングしてＮ型及びＰ型の導伝性制御
を行い、半導体素子を形成すればよい。Ｃ部分では化学
量論的組成であるが、厳密にはＳリッチの傾向があり、
Ｄ部分では逆にＺｎリッチの傾向がある。従って、Ｃ部
分においてＺｎ格子位置を置換するドーパント（ドナー
）を添加し、Ｄ部分においてＳ格子位置を置換するドー
パント（アクセプタ）を添加すれば、ドーパントが成長
過程のＺｎＳ中に入り易い。このとき、ドーピングする
ことで自己補償効果が起ってＺｎの空格子が生じても、
上述のようにＺｎの分子線強度がＳの分子線強度よりも
大きいため、この空格子をつぶすことができ、また、Ｓ
の空格子が生じてもＳ一量体の基板滞在時間が長いため
、この空格子をつぶすことができる。
第１１図はＣ部分においてＧａをドーピングした半導体
素子のフォトルミネンセンス特性のグラフを示すもので
ある。この第１１図のグラフから、自己付活性発光の小
さい、即ち格子欠陥の少ない■−■族化合物半導体素子
の一つであるＮ型ＺｎＳが形成されたことがわかる。こ
れと同様に、第８図のＤ部分においてＳ格子位置を置換
するドーパント、例えばＰをドーピングすれば、Ｐ型の
ＺｎＳが形成されることは言うまでもない。
素子のフォトルミネンセンス特性のグラフを示すもので
ある。この第１１図のグラフから、自己付活性発光の小
さい、即ち格子欠陥の少ない■−■族化合物半導体素子
の一つであるＮ型ＺｎＳが形成されたことがわかる。こ
れと同様に、第８図のＤ部分においてＳ格子位置を置換
するドーパント、例えばＰをドーピングすれば、Ｐ型の
ＺｎＳが形成されることは言うまでもない。
なお、本実施例ではｎ−ｖｒ族化合物半導体素子として
、ＺｎＳを形成したものを示したが、Ｚｎ５ｅ （セレ
ン化亜鉛）等、他のｎ−ｖｒ族化合物半導体素子でも同
様である。
、ＺｎＳを形成したものを示したが、Ｚｎ５ｅ （セレ
ン化亜鉛）等、他のｎ−ｖｒ族化合物半導体素子でも同
様である。
また、本実施例では■族分子線をガスセルにて供給する
ものを示したが、これは■族元素の蒸気圧が高く、クヌ
ードセンセルでは分子線強度の制御が難しいことからガ
スセルとしたものであり、ガスセル以外でも■族元素の
一量体もしくは一量体と二量体の混合の分子線を供給し
得るものであればよい。この際、■族元素の一量体もし
くは一量体と二量体の混合とは、■族元素の多量体を完
全に含まない場合はもちろん、半導体形成において問題
とならない程度のわずかな量を含んでいる場合をも含む
。
ものを示したが、これは■族元素の蒸気圧が高く、クヌ
ードセンセルでは分子線強度の制御が難しいことからガ
スセルとしたものであり、ガスセル以外でも■族元素の
一量体もしくは一量体と二量体の混合の分子線を供給し
得るものであればよい。この際、■族元素の一量体もし
くは一量体と二量体の混合とは、■族元素の多量体を完
全に含まない場合はもちろん、半導体形成において問題
とならない程度のわずかな量を含んでいる場合をも含む
。
さらに、■族の分子線、ドーパントの分子線の供給は実
施例に示したクヌードセンセル以外の方法によってもよ
いことは言うまでもない。
施例に示したクヌードセンセル以外の方法によってもよ
いことは言うまでもない。
（キ）発明の効果
以上述べた本発明によれば、格子欠陥の少ない、高品質
でＰ−Ｎ型の導伝性制御を可能とした■−■族化合物半
導体を形成することができる。
でＰ−Ｎ型の導伝性制御を可能とした■−■族化合物半
導体を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す装置の概略図、第２図
は第１図中のガスセルの要部断面図、第３図は成長した
ＺｎＳ中のＺｎの占める割合を示すグラフ、第４図はＺ
ｎ、 Ｓ、 ＺｎＳの蒸気圧曲線、第５図はＨｉＳガ
ス導入圧に対する、ＺｎＳ中のＳの占める割合を示すグ
ラフ、第６図はＨ２Ｓガス導入圧に対する、Ｓ分子線中
のＳ一量体のモル分率を示すグラフ、第７図はｌｈｓガ
ス導入圧に対するＳ分子線中のＳ二量体のモル分率を示
すグラフ、第８図はＺｎ分子線強度に対する成長したＺ
ｎＳ中のＺｎの占める割合を示す一般理論値のグラフで
第９図はその実験値のグラフ、第１０図は成長したＺｎ
Ｓ単結晶薄膜表面のＲＨＥＥＤパターンを示す写真、第
１１図はＺｎＳ単結晶薄膜にＧａをドーピングしたとき
のフォトルミネッセンス特性を示すグラフである。 ■・・・半導体成長装置 ２・・・チャンバ ３・・・ガスセル ４．５・・・クヌードセンセル ６・・・成長基板 ７・・・基板台 ８、 ９． １０・・・シャッタ １７・・・ヒートワイヤ ）工！ノ 第１図 第２！１ 第３図 第４図 ［」」Ｏ上１ ｎ２）秩吟 第５図 Ｈ２Ｓ カ”ス尊入圧［Ｔｏｒｒ］ 第６図 第７図 ８２モル分率〔ｏ１０］ 第８図 ＺｎＳ中のＺｎｎ占、ｉ ル冬Ｊ＃ ［Ｘ］第９図
は第１図中のガスセルの要部断面図、第３図は成長した
ＺｎＳ中のＺｎの占める割合を示すグラフ、第４図はＺ
ｎ、 Ｓ、 ＺｎＳの蒸気圧曲線、第５図はＨｉＳガ
ス導入圧に対する、ＺｎＳ中のＳの占める割合を示すグ
ラフ、第６図はＨ２Ｓガス導入圧に対する、Ｓ分子線中
のＳ一量体のモル分率を示すグラフ、第７図はｌｈｓガ
ス導入圧に対するＳ分子線中のＳ二量体のモル分率を示
すグラフ、第８図はＺｎ分子線強度に対する成長したＺ
ｎＳ中のＺｎの占める割合を示す一般理論値のグラフで
第９図はその実験値のグラフ、第１０図は成長したＺｎ
Ｓ単結晶薄膜表面のＲＨＥＥＤパターンを示す写真、第
１１図はＺｎＳ単結晶薄膜にＧａをドーピングしたとき
のフォトルミネッセンス特性を示すグラフである。 ■・・・半導体成長装置 ２・・・チャンバ ３・・・ガスセル ４．５・・・クヌードセンセル ６・・・成長基板 ７・・・基板台 ８、 ９． １０・・・シャッタ １７・・・ヒートワイヤ ）工！ノ 第１図 第２！１ 第３図 第４図 ［」」Ｏ上１ ｎ２）秩吟 第５図 Ｈ２Ｓ カ”ス尊入圧［Ｔｏｒｒ］ 第６図 第７図 ８２モル分率〔ｏ１０］ 第８図 ＺｎＳ中のＺｎｎ占、ｉ ル冬Ｊ＃ ［Ｘ］第９図
Claims (1)
- 分子線エピタキシャル法により形成されるII−VI族化合
物半導体素子であって、VI族の分子線を適宜手段により
分解された一量体、もしくは一量体と二量体の混合とし
て成長基板に供給し、かつこのVI族の分子線とII族の分
子線との相対的強度を適宜変化させて化学量論的組成の
エピタキシャル層を形成することにより、Ｐ型及びＮ型
導伝性制御を可能としたことを特徴とするII−VI族化合
物半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6279985A JPS61222988A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ２−６族化合物半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6279985A JPS61222988A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ２−６族化合物半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222988A true JPS61222988A (ja) | 1986-10-03 |
| JPH0425238B2 JPH0425238B2 (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=13210753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6279985A Granted JPS61222988A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | ２−６族化合物半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157416A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硫化亜鉛薄膜の製造方法 |
| JPH0251240A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｐ型ＺｎＳｅの製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528374A (en) * | 1978-08-23 | 1980-02-28 | Yasuji Kumagai | Forming method for compound film and manufacturing apparatus therefor |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6279985A patent/JPS61222988A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5528374A (en) * | 1978-08-23 | 1980-02-28 | Yasuji Kumagai | Forming method for compound film and manufacturing apparatus therefor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01157416A (ja) * | 1987-12-15 | 1989-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硫化亜鉛薄膜の製造方法 |
| JPH0251240A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｐ型ＺｎＳｅの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0425238B2 (ja) | 1992-04-30 |
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