JPS61220286A

JPS61220286A - 発熱抵抗体

Info

Publication number: JPS61220286A
Application number: JP60059384A
Authority: JP
Inventors: 菅田　正夫; 正木　辰雄; 博和小室; 平澤　伸一; 泰弘矢野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1985-03-26
Filing date: 1985-03-26
Publication date: 1986-09-30

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は発熱抵抗体に関し、特に基体表面上に機能要素
としての抵抗薄膜を形成してなる薄膜発熱抵抗体に関す
る。

この様な抵抗体は各種の電子機器または電気機器におい
て電気−熱エネルギー変換素子として好適に利用される
。

［従来の技術］従来、電子機器または電気機器において比較的小型の電
気−熱エネルギー変換素子として用いられている発熱抵
抗体には薄膜型のもの、厚膜型のもの及び半導体型のも
のがある。なかでもＱＩＩ型のものは他のものに比較し
て消費電力が少なくてすみ、又熱応答性が比較的良好で
あるので次第にその適用が増加しつつある。

この様な発熱抵抗体に要求される性能としては、所定の
電気信号に対する発熱の応答性が良好であること、熱伝
導性が良好であること、自己の発熱に対する耐熱性が良
好であること、及び各種の耐久性（たとえば熱履歴に対
する耐久性）が良好であること等があげられる。

しかして、従来の薄膜型発熱抵抗体においては上記性能
が必ずしも満足できるものではなく、更なる特性の向上
が望まれている。

［発明の目的］以上の如き従来技術に鑑みて１本発明の目的のうちの１
つは熱応答性の向上された薄膜発熱抵抗体を提供するこ
とにある。

本発明の他の目的は熱伝導性の向上された薄膜発熱抵抗
体を提供することにある。

本発明の更に別の目的は耐熱性の向上された薄膜発熱抵
抗体を提供することにある。

本発明のもう１つの目的は耐久性の向上された薄膜発熱
抵抗体を提供することにある。

［発明の概要］以上の目的は、本発明による新規薄膜発熱抵抗体により
達成される。

本発明の９膜発熱抵抗体は、基体上に、炭素原子を母体
としシリコン原子とゲルマニウム原子とハロゲン原子と
水素原子とを含有してなる非晶質材料からなる機能薄膜
が形成されていることを特徴とする。

以下、図面を参照しながら本発明を更に具体的に説明す
る。

第１戸は本発明発熱抵抗体の一実施態様例の構成を示す
部分断面図である。

本図において、２は基体であり、４は機能性即ち抵抗を
実現するための薄膜である。

本発明においては基体２の材料に特に制限はないが、実
際上はその表面上に形成される機能薄膜４との密着性が
良好で、該機能薄膜４を形成する際の熱及び使用時にお
いて該機能薄Ｉｉ４により生ぜしめられる熱に対する耐
久性の良好なものが好ましい、また、基体２はその表面
上に形成される機能薄１９４よりも大きな電気抵抗を有
するのが好ましい、更に１本発明においては、抵抗体の
使用目的に応じて、基体２としては熱伝導性の小さなも
のや熱伝導性の大きなものを用いることができる。

本発明において使用される基体２としてはガラス、セラ
ミックス、シリコン等の無機物からなるものやポリアミ
ド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機物からなるものが例示
できる。

本発明においては１機能薄膜４は炭素原子を母体としシ
リコン原子とゲルマニウム原子とハロゲン原子と水素原
子とを含有してなる非晶質材料からなる。ハロゲン原子
としてはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等が利用でき、これらは単
独でもよいし複数の組合せでもよい、ハロゲン原子とし
ては特にＦ。

Ｃｔが好ましく、なかでもＦが好ましい。

機能薄膜４中におけるシリコン原子の含有率は、抵抗体
の使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択さ
れるが、好ましくはｏ、ｏｏ。

ｌ〜４０原子％であり、更に好ましくは０．０００５〜
２０原子％であり、好適にはｏ、ｏｏｔ〜ｌＯ原子％で
あ原子機能薄膜４中におけるゲルマニウム原子の含有率は、抵
抗体の使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選
択されるが、好ましくは０．０００１〜４０原子％であ
り、更に好ましくは０．０００５〜２０原子％であり、
好適には０．００１〜１０原子％である。

機能薄膜４中におけるハロゲン原子の含有率は、抵抗体
の使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択さ
れるが、好ましくはｏ、ｏｏ。

ｌ〜３０！！Ｘ子％であり、更に好ましくは０．０００
５〜２０原子％であり、好適には０．００１〜１０原子
％である。

機能ｈｉｌｌＡ中における水素原子の含有率は、抵抗体
の使用目的に応じ所望の特性が得られる様に適宜選択さ
れるが、好ましくは０．０００１〜３０原子％であり、
更に好ましくは０．０００５〜２０原子％であり、好適
にはｏ、ｏｏｔ〜１０原子％であ原子機能薄＠４中におけるシリコン原子の含有率とゲルマニ
ウム原子の含有率とハロゲン原子の含有率と水素原子の
含有率との和は、抵抗体の使用目的に応じ所望の特性が
得られる様に適宜選択されるが、好ましくは０．０００
１〜４０原子％であり、更に好ましくは０．０００５〜
３０Ｊｉ子％であり、好適にはｏ、ｏｏｔ〜２０原子％
であ原子水発明発熱抵抗体における炭素を母体としシリ
コン原子とゲルマニウム原子とノ＼ロゲン原子と水素原
子とを含有してなる非晶質材料（以下、「ａ−Ｃ二Ｓｉ
　：Ｇｅ：　（Ｘ、Ｈ）Ｊと略記することがある。ここ
でＸはハロゲン原子を表わす、）からなる機能１ｉ１膜
４は、たとえばグロー放電法の様なプラズマＣＶＤ法あ
るいはスパッタリング法等の真空堆積法によって形成さ
れる。

たとえば、グロー放電法によってａ−Ｃ：Ｓｉ：Ｇｅ：
（Ｘ、Ｈ）からなる薄ＷＪ４を形成するには：基本的に
は基体２を減圧下の堆積室内に配置し。

該堆積室内に炭素原子（Ｃ，）を供給し得るＣ供給用の
原料ガスとシリコン原子（５７）を供給し得るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスとハロゲン原子（Ｘ）を供給し得
るＸ供給用の原料ガスと水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ
供給用の原料ガスとを導入して、該堆積室内にて高周波
またはマイクロ波を用いてグロー放電を生起させ基体２
の表面上にａ−Ｃ：Ｓｉ　：Ｇｅ　：　（Ｘ、Ｈ）から
なる層を形成させればよい。

また、スパッタリング法によってａ−Ｃ：Ｓｉ：Ｇｅ：
（Ｘ、Ｈ）からなる薄膜４を形成するには。

基本的には基体２を減圧下の堆積室内に配置し、該堆積
室内にてたとえばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスまたはこれ
らのガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＣで構成
されたターゲットをスパッタリングする際、堆積室内に
Ｓｉ供給用の原料ガス。

Ｇｅ供給用の原料ガス、Ｘ供給用の原料ガス及びＨ供給
用の原料ガスを導入すればよい。

上記方法において、Ｃ供給用の原料ガス、Ｓｉ供給用の
原料ガス、Ｇｅ供給用の原料ガス、Ｘ供給用の原料ガス
及びＨ供給用の原料ガスとしては常温常圧においてガス
状態のもののほかに減圧下においてガス化し得る物質を
使用することができる。

Ｃ供給用の！！Ｘ、？４としては、たとえば炭素数１〜
５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素
、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素。

芳香族炭化水素等、具体的には、飽和炭化水素としては
メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈａ　）、プロパ７（
Ｃ３Ｈａ）、ｎ−ブタン（ｎ　−Ｃ４Ｈ１０）、ペンタ
ン（Ｃｓ　Ｈ１２）　、　ｘ−チレン系炭化水素として
はエチレン（Ｃ２Ｈ４）　、プロピレン（Ｃ３Ｈａ　）
　、ブテン−１（０４ＢＢ　）　、ブテン−２（Ｃ４）
Ｉｌｌ　）　、イソブチレンＣＣ４Ｈ８）、ペンテン（
Ｃ５ＨＩＯ）　、アセチレン系炭化水素としてはアセチ
レン（Ｃ２８２）　、メチルアセチレン（０３Ｈ４）　
、ブチン（Ｃ４Ｈｅ　）　、芳香族炭化水素としてはベ
ンゼン（Ｃｏ　Ｈａ　）　＄があげられる。

Ｓｉ供給用の原料としては、たとえばＳｉＨ４，５１２
Ｈ６，Ｓｉ＋ＨＢ、Ｓｉ＋Ｈｘｏ等の水素化ケイ素（シ
ラン類）や、Ｓ　ｉ　Ｆ４　、　　（Ｓ　ＨＦ２　）　
ｓ　、　　（Ｓ　ｉ　Ｆ２　）　ａ、（Ｓ　［Ｆ２　）
　４、Ｓｉ２　Ｆ６．Ｓｉ３　ＦＢ、ＳｉＨＦ３，５ｉ
ＨｚＦ２．５ｉＣ１４（ＳｉＣ１２）５．ＳｉＢｒ４、
（ＳｉＢｒ２）５．５ｉ２Ｃ１６，５ｉ２Ｃ１３Ｆ３等
のハロゲン化ケイ素（ハロゲン原子で置換されたシラン
誘導体）があげられる。

Ｇｅ供給用の原料としては、たとえばＧｅＨ４、Ｇｅ２
　Ｈ６％Ｇｅ３　ＨＢ　、Ｇｅ４　Ｈｌｏ。

Ｇ　Ｃ５）ｉｌｌ　Ｇ　ｅａ　ＨＬ４．　Ｇ　Ｃ７Ｈ１
６、ＧｅｇＨＩＢ、Ｇｅｇ　Ｈ２Ｏ等の水素化ゲルマニ
ウムや、ＧｅＦ４、（ＧｅＦ２）ｓ、（ＧｅＦ２）ａ。

（ＧｅＦｚ　）４　、Ｇｅ２Ｆａ　、Ｇｅ３Ｆｓ　、Ｇ
ｅＨＦ３　、ＧｅＨ２Ｆ２　、ＧｅＣ１４（ＧｅＣ１２
）５．ＧｅＢｒ４．（ＧｅＢｒ２）ｓ。

Ｇｅ２　Ｃ１６、Ｇｅ２　Ｃ１３Ｆ３等ノハロゲン化ゲ
ルマニウム（ハロゲン原子で置換されたハロゲン化水素
誘導体）があげられる。

Ｘ供給用の原料としては、たとえばハロゲン、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲン置換炭化水素誘導体
等、具体的にはハロゲンとしてはＦ２．Ｃ１２，Ｂｒ２
．Ｉ２．　ハロゲン化物としてはＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢ　
ｒ、ＨＩ、　ハロゲン間化合物としてはＢｒＦ、ＣｌＦ
、ＣｌＦ３　、ＢｒＦ５．ＢｒＦ３．ＨＦ３．ＩＦ７．
ＩＣｌ、■Ｂｒ、ハロゲン置換炭化水素誘導体としては
ＣＦ４　、ＣＨＦ３　、ＣＨ２Ｆ２　、ＣＨ３Ｆ、ＣＣ
１４、ＣＨＣ１３、ＣＨ２Ｃ１２、ＣＨ３Ｃｌ、ＣＢｒ
４．ＣＨＢｒ３．ＣＨ２Ｂｒ２゜ＣＨ３Ｂｒ、Ｃｌ４　
、ＣＨＩ３　、ＣＨ２１２、Ｃ）（３１等があげられる
。

Ｈ供給用の原料としては、たとえば水素ガス。

及び上記Ｃ供給用原料でもある飽和炭化水素、エチレン
系炭化水素、アセチレン系炭化水素、芳香族炭化水素等
の炭化水素があげられる。

これらの原料は単独で用いてもよいし、複数組合せて用
いてもよい。

以上の様な薄膜形成法において、形成される薄膜４中に
含まれるシリコン原子の量、ゲルマニウム原子の量、ハ
ロゲン原子の量及び水素原子の量や薄ｇｉ４の特性を制
御するには、基体温度、原料ガスの供給量、放電電力、
堆積室内の圧力等を適宜設定する。

基体温度は好ましくは２０〜１５００℃、更に好ましく
は３０〜１２００℃、最適には５０〜１１００℃のうち
から選ばれる。

原料ガスの供給量は目的とする薄膜性能や目標とする成
膜速度に応じ適宜法められる。

放電電力は好ましくは０．００１〜２０Ｗ／ｃ　ｒｎ’
　、より好ましくは０．０１　Ｎ１５Ｗ／Ｃｒｎ”。

最適には０．０５〜ＩＯＷ／ｃゴのうちから選ばれる。

堆積室内の圧力は好ましくは１０−４〜１ＯＴｏｒｒ、
好適にはｔｏ−２〜５Ｔｏｒｒのうちから選ばれる。

以上の様な薄膜形成法を用いて得られる本発明発熱抵抗
体の薄膜はダイヤモンドに近い特性を有する。即ち、た
とえばビッカース硬度１８００〜５０００、熱伝導率０
．：１ｗ２ｃａｌ／ｃｍ＊５ｅｃｅ”ｃ、抵抗率ｌＯ″
″３〜ＩＱＩＩΩ・Ｃｍの性質を有し、またシリコン原
子、ゲルマニウム原子、ハロゲン原子及び水素原子を含
有するので耐薬品性や柔軟性も極めて優れたものが得ら
れる。

本発明の抵抗体の機能薄膜４上には適宜の保護及びその
他の機能を有する層を付してもよいことはもちろんであ
る。

尚、以上の説明において、基体２は単一のものであると
されているが１本発明における基体２は複合体であって
もよい、その様な一実施態様例の構成を第２図に示す、
即ち、基体２は基部２ａと表面層２ｂとの複合体からな
り、基部２ａとしてはたとえば上記第１図に関し説明し
た基体材料を使用することができ、また表面層２ｂとし
てはその上に形成される機能薄膜４との密着性のより良
好な材料を使用することができる０表面層２ｂはたとえ
ば炭素原子を母体とする非晶質材料や従来より知られて
いる酸化物等から構成される。この様な表面層２ｂは基
部ｚａ上に上記薄膜形成法と類似の方法により適宜の原
料を用いて堆積させることにより得られる。また１表面
層２ｂは通常のガラス質のグレーズ層であってもよい。

次に１本発明の発熱抵抗体の製造方法の概略について説
明する。

第３図は基体表面上に機能薄膜を形成する際に用いられ
る装置の一例を示す図である。ｔｔｏｔは堆積室であり
、１１０２〜１１０Ｂはガスボンベであり、１１０７〜
１１１１はマスフローコントローラであり、１１１２〜
１１１６は流入バルブであり、１１１７〜１１２１は流
出バルブであり、１１２２〜１１２６はガスボンベのバ
ルブであり、１１２７〜１１３１は出口圧ゲージであり
、１１３２は補助バルブであり、１１３３はレバーであ
り、１１３４はメインバルブであり、１１３５はリーク
バルブであり、１１３６は真空計であり、１１３７は製
造すべき抵抗体の基体材料であり、１１３８はヒータで
あり、１１３９は基体支持体であり、１１４０は高電圧
電源であり、１１４１は電極であり、１１４２はシャッ
タである。尚、１１４２−１はスパッタリング法を行な
う際に電極１１４１に取付けられるターゲットである。

たとえば、１１０２にはＡｒガスで希釈されたＣＨ，ガ
ス（純度９９．９％以上）が密封されており、１１０３
にはＡｒガスで希釈されたＳｉＨ４ガス（純度９９．９
％以上）が密封されており、１１０４にはＡｒガスで希
釈されたＧｅＦ４ガス（純度９９．９％以上）が密封さ
れており、１１０５にはＡｒガスで希釈されたＳ　ｉ　
Ｆ４ガス（純度９９．９％以上）が密封されており、１
１０６にはＡｒガスで希釈されたＧｅＨ４ガス（純度９
９．９％以上）が密封されている。これらボンベ中のガ
スを堆積室１１０１に流入させるに先立ち、各ガスボン
ベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６及び
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
また流入パルプ１１１２〜１１１６．流出バルブ１１１
７〜１１２１及び補助バルブ１１３２が開かれているこ
とを確認して、先ずメインバルブ１１３４を開いテ堆積
室１１０１及びガス配管内を排気する０次に真空計１１
３６の読みが約１．５ＸｌＯ−８Ｔｏｒｒになった時点
で、補助バルブ１１３２．流入バルブ１１１２〜１１１
６及び流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じる。その後
、堆積室１１０１内に導入すべきガスのボンベに接続さ
れているガス配管のバルブを開いて所望のガスを堆積室
１１０１内に導入する。

次に１以上の装置を用いてグロー放電法によって本発明
抵抗体を製造する場合の手順の一例について説明する。

バルブ１１２２を開いてガスボンベ１１０２からＣＨ４
／Ａｒガスを流出させ、バルブ１１２３を開いてガスボ
ンベ１１０３からＳｉＨ４／Ａｒガスを流出させ、バル
ブ１１２４を開いてガスボンベ１１０４からＧｅＦ４／
Ａｒガスを流出させ、出口圧ゲージ１１２７．１１２８
．１１２９の圧力を１ｋｇ／ｃｒｒｒに調整し、次に流
入パルプ１１１２．１１１３．１１１４を徐々に開いて
マスフローコントローラ１１０７．１１０８．１１０９
内に流入させておく、続いて。

流出バルブ１１１７，１１１８．１１１９、補助パル’
；／１１３２を徐々に開いてＣＨ４／ＡｒガスとＳ　ｉ
　Ｈ４／　Ａ　ｒガスとＧｅＦ４／Ａｒガスとを堆積室
１１０１内に導入する。この時、ＣＨ４／ＡｒガスノＮ
ｔＩｋとＳ　ｉ　Ｈ４／Ａ　ｒガスノ流量とＧｅＦ４／
Ａｒガスの流量との比が所望の値になる様にマスフロー
コントローラ１１０７．ｌ１１８．１１１９を調整し、
また堆積室ｔｉｏｉ内の圧力が所望の値になる様に真空
計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１１３４の開
度を調整する。そして、堆積室１１０１内の支持体１１
３９により支持されている基体１１３７の温度が所望の
温度になる様にヒータ１１３８により加熱した上で、シ
ャッタ１１４２を開き堆積室１ｔｏｔ内にてグロー放電
を生起させる。

次に、以上の装置を用いてスパッタリング法によって本
発明抵抗体を製造する場合の手順の一例について説明す
る。高圧電源１１４０により高電圧が印加される電極１
１４１上には予め高純度グラファイト１１４２−１をタ
ーゲットとして設置しておく、グロー放電法の場合と同
様にして、ガスポンベ１１０３からＳ　ｉ　Ｈ４／　Ａ
　ｒガスをガスポンベ１１０４からＧ　ｅ　Ｆ　４　／
　Ａ　ｒガスをそれぞれ所望の流量にて堆積室１１０１
内に導入させる。

シャッタ１１４２を開いて、高圧電ｌ１１１４０を投入
することによりターグー、）１１４２−１をスパッタリ
ングする。尚、この際ヒータ１１３８により基体１１３
７を所望の温度に加熱し、メインバルブ１１３４の開度
を調整することにより堆積室１１０１内を所望の圧力と
することはグロー放電法の場合と同様である。゛以下に、本発明発熱抵抗体の具体的実施例を示す。

実施例１：基体としてアルミナセラミック板を用いて、該基体の表
面上に機能ｅ膜である発熱抵抗層を形成した０発熱抵抗
層の堆積は第３図に示される装置を用いてグロー放電法
により行なわれた。原料ガスとしてｃＨ４／Ａｒ＝０．
５　（容量比）、ＳｉＨ４／Ａｒ＝Ｏ，ｌ（容量比）及
びＧｅＦ４／Ａｒ＝０．０５　（容量比）を用いた。堆
積の際の条件はｗＳ１表の通りとした。尚、堆積中にお
いては各バルブの開度及びその他の条件については一定
に保ち、第１表に示される厚さの発熱抵抗層を形成した
。

形成された抵抗層上に電子ビーム蒸着法によりＡ１層を
形成した後、フォトリソグラフィー技術によって該Ａ１
層を所望の形状となる様にエツチングし、複数対の電極
を形成した。

続いて、フォトリソグラフィー技術によってＨＦ系エツ
チング液を用いて所定の部分の抵抗層を除去した。尚、
本実施例においては、前記電極対間にある抵抗層の大き
さは１００μｍｍＸ１００ｊＬとされた０本実施例にお
いては、ｉｆｔ極対間に形成された発熱要素がピッ′チ
８個／ｍｍで配列される様に同一基板上に複数の発熱抵
抗素子を作製した。かくして作製された発熱抵抗素子の
部分断面図を第４図に示す０図において、２は基体であ
り、４は発熱抵抗層であり、６．７は１対の電極である
。

かくして得られた各発熱抵抗素子の電気抵抗を測定した
ところ８０Ωであった。

また、本実施例により得られた発熱抵抗素子に対し、電
気的パルス信号を入力して、該発熱抵抗素子の耐久性を
測定した。尚、電気的パルス信号のデユーティ５０％、
印加電圧２０Ｖ、駆動周波数０．５ｋＨ２，１，０ｋＨ
ｚ、２．０１ＣＨｚとした。

その結果、異なった駆動周波数で駆動したいづれの場合
においても電気的パルス信号入力がｌＸｌｏＩＯ回に達
しても発熱抵抗素子は破壊されることなく、またその抵
抗値もほとんど変化しなかった。

実施例２：原料ガスをＣＨ４／Ａ　ｒ　＝　０　、５　（容量比）
。

ＳｉＦ４／Ａｒ＝０．１　（容量比）及びＧ　ｅ　Ｈ４
／Ａｒ＝０．０５（容量比）とした以外は実施例１と同
様にして、同じ膜厚の発熱抵抗層を堆積した。

次に、実施例１と同様にして発熱抵抗素子を作製し電気
的パルス信号を入力したところ、電気的パルス信号入力
がｌＸｌｏＩＯ回に達しても発熱抵抗素子は破壊するこ
とがなかった。また、抵抗値の変化も認められなかった
。

実施例３：基体なコーニング社１１＃７０５９ガラスに変えた以外
は実施例１と同様にして発熱抵抗層を堆積し発熱抵抗素
子を作製した。

かくして得られた発熱抵抗素子を実施例１と同様にして
駆動したところ、実施例１と同様に十分な耐久性を有し
ていることが確認された。

実施例４：基体をコーニング社製＃７０５９ガラスに変えた以外は
実施例２と同様にして発熱抵抗層を堆積し発熱抵抗素子
を作製した。

かくして得られた発熱抵抗素子を実施例２と同様にして
駆動したところ、実施例２と同様に十分な耐久性を有し
ていることが確認された。

［発明の効果］以上の様な本発明によれば、機能薄膜として炭素原子を
母体としシリコン原子とゲルマニウム原子とハロゲン原
子と水素原子とを含有してなる非晶質材料を用いている
ことにより、熱応答性、熱伝導性、耐熱性及び／または
耐久性、更には耐薬品性、柔軟性の著しく良好な発熱抵
抗体が提供される。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明発熱抵抗体の部分断面図であ
る。第３図は本発明発熱抵抗体の製造に用いられる装置を示
す図である。第４図は本発明実施例において作製された発熱抵抗素子
の部分断面図である。２二基体　　　　４：機能薄膜６．７：電極１１０１：堆積室１１３７：基体

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体上に、炭素原子を母体としシリコン原子とゲ
ルマニウム原子とハロゲン原子と水素原子とを含有して
なる非晶質材料からなる機能薄膜が形成されていること
を特徴とする、発熱抵抗体。
（２）機能薄膜におけるシリコン原子の含有率が０．０
００１〜４０原子％である、特許請求の範囲第１項の発
熱抵抗体。
（３）機能薄膜におけるゲルマニウム原子の含有率が０
．０００１〜４０原子％である、特許請求の範囲第１項
の発熱抵抗体。
（４）機能薄膜におけるハロゲン原子の含有率が０．０
００１〜３０原子％である、特許請求の範囲第１項の発
熱抵抗体。
（５）機能薄膜における水素原子の含有率が０．０００
１〜３０原子％である、特許請求の範囲第１項の発熱抵
抗体。
（６）機能薄膜におけるシリコン原子の含有率とゲルマ
ニウム原子の含有率とハロゲン原子の含有率と水素原子
の含有率との和が０．０００１〜４０原子％である、特
許請求の範囲第１項の発熱抵抗体。
（７）ハロゲン原子がＦまたはＣｌである、特許請求の
範囲第１項の発熱抵抗体。
（８）基体が機能薄膜形成面側に炭素原子を母体とする
非晶質材料からなる表面層を有する、特許請求の範囲第
１項の発熱抵抗体。