JPS61219217A - Semiconductor logic circuit - Google Patents

Semiconductor logic circuit

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JPS61219217A
JPS61219217A JP60059617A JP5961785A JPS61219217A JP S61219217 A JPS61219217 A JP S61219217A JP 60059617 A JP60059617 A JP 60059617A JP 5961785 A JP5961785 A JP 5961785A JP S61219217 A JPS61219217 A JP S61219217A
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JP
Japan
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output
circuit
input
transistor
becomes
Prior art date
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JP60059617A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Tanabe
泰之 田辺
Yasusuke Yamamoto
庸介 山本
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0013Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01Modifications for accelerating switching
    • H03K19/017Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits
    • H03K19/01707Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
    • H03K19/01721Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits by means of a pull-up or down element

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Abstract

PURPOSE:To obtain a semiconductor logic circuit which is low in power consumption and operates at a high speed and, at the same time, gives a stable DC output, by providing an inverter circuit which inputs a logical output and outputs the input after inversion and feeding back the output of the inverter circuit to the gate of a load transistor. CONSTITUTION:When any one of the input signals given to input terminals I1-I3 is high level, the signal of an output terminal 4 naturally becomes low level. When all the input signals are low level, the output of the output terminal 4 gradually rises in accordance with the ratio of all the transconductance gm(n) of (n) MOS transistors 1-3 for input to the transconductance gm(p) of a (p) MOS transistor 8 which becomes a load or the ratio of leak currents. When the value of the output exceeds the threshold of a CMOS inverter 5, the (p) MOS transistor 8 is set to a conducted condition and, thereafter, the output becomes high level in a moment. Since the condition is maintained by means of a feedback circuit through the CMOS inverter 5 when the output terminal 4 once becomes high level in such a way, this circuit becomes a stable circuit in the sense of DC.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、低電力、高速で動作する半導体論理回路に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a semiconductor logic circuit that operates at low power and high speed.

(従来技術〕 従来のCMO8NOR回路としては、例え゛ば第5図に
示すごとき回路がある(例えば電子通信学会論文誌19
83年12月Vo1.66−CNo、12 P、919
FIPOS/CMO316KbitスタティックRAM
馬場竜雄著に記載)。
(Prior art) As a conventional CMO8NOR circuit, for example, there is a circuit as shown in FIG.
December 1983 Vo1.66-CNo, 12 P, 919
FIPOS/CMO316Kbit static RAM
Written by Tatsuo Baba).

第5図において、Pi〜P、はPMO8(pチャネルM
oSトランジスタ)、N1〜N4はn M OS(nチ
ャネルMOSトランジスタ)、■、〜I4は入力端子、
dは出力端子である。
In FIG. 5, Pi~P is PMO8 (p channel M
oS transistor), N1 to N4 are nMOS (n channel MOS transistors), ■, ~I4 is an input terminal,
d is an output terminal.

第5図に示すごとき0MO5NOR回路においては、入
力信号が変化する過渡時にのみ電流が流れ、定常状態で
は電流が流れない。
In the 0MO5NOR circuit shown in FIG. 5, current flows only during a transient period when the input signal changes, and no current flows in a steady state.

従って、定常状態では電力を必要としない特徴を有して
いる。
Therefore, it has the characteristic that it does not require electric power in a steady state.

又、第6図も従来のNOR回路の一例図(例えば公開特
許公報昭和56年第41579号に記載)である。
Further, FIG. 6 is also an example diagram of a conventional NOR circuit (described in, for example, Japanese Patent Publication No. 41579 of 1982).

第6図において、負荷となるトランジスタP。In FIG. 6, a transistor P serves as a load.

は、入力信号と同期してクロック端子18に与えられる
クロック制御信号によって制御され、クロック制御信号
が与えられているときにのみ、すなわち動作時にのみ、
回路に電流が流れる。
is controlled by a clock control signal applied to the clock terminal 18 in synchronization with the input signal, and only when the clock control signal is applied, that is, only during operation.
Current flows through the circuit.

したがって、この回路も低電力化が図れるという効果が
ある。なお、第6図において、17は出力端子であり、
その他、第5図と同符号は同一物を示す。
Therefore, this circuit also has the effect of reducing power consumption. In addition, in FIG. 6, 17 is an output terminal,
In addition, the same symbols as in FIG. 5 indicate the same parts.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、第5図のごとき回路においては。 However, in a circuit such as that shown in FIG.

負荷となる9MO8が縦列接続しているため、選択時の
レコーダ出力の立上り時間が長くなり、高速動作が出来
ないという問題があった。
Since nine MO8s serving as a load are connected in series, there is a problem in that the rise time of the recorder output at the time of selection becomes long, and high-speed operation is not possible.

又、第6図のごとき回路においては、入力端子I、〜工
、が全で低レベルであり、かつ負荷トランジスタP、が
オン(クロック制御信号が低レベル)になって出力端子
17が高レベル状態になった後、クロック制御信号が高
レベルになって負荷トランジスタP、がオフになると、
出力端子17は浮動状態になり、直流的に不安定になる
。すなわち、クロック制御信号の入力時にのみ論理が行
なわれ、他の場合は出力が不安定になってしまう6又、
論理が最終段まで伝送される間、クロック制御信号を与
えておく必要があり、その間は回路に電流が流れるので
、低電力化が十分達成されない、等の問題があった。
In addition, in the circuit shown in FIG. 6, all of the input terminals I, ~, are at a low level, and the load transistor P is turned on (the clock control signal is at a low level), so that the output terminal 17 is at a high level. After the state is reached, when the clock control signal goes high and the load transistor P, turns off,
The output terminal 17 becomes floating and unstable in terms of direct current. In other words, the logic is performed only when the clock control signal is input, and the output becomes unstable in other cases.
It is necessary to provide a clock control signal while the logic is being transmitted to the final stage, and current flows through the circuit during this time, which poses problems such as insufficient power reduction.

本発明は、上記のごとき従来技術の問題を解決し、低電
力、かつ高速で動作し、しかも直流的に安定な出力の得
られる半導体論理回路を提供することを目的とするもの
である。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and to provide a semiconductor logic circuit that operates at low power and high speed and provides a stable DC output.

〔問題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記の目的を達成するため本発明においては、複数の入
力信号をそれぞれ受ける複数の入力用トランジスタとし
て、n M OSとPMO8とのうちの何れか一方の形
のトランジスタを用い、負荷として他方の形のトランジ
スタを用いた論理回路において、その論理出力を入力と
し、それを反転して出力するインバータ回路を備え、か
つ上記インバータ回路の出力を上記負荷のトランジスタ
のゲートにフィードバックするように構成している。
In order to achieve the above object, in the present invention, transistors of one type among nMOS and PMO8 are used as a plurality of input transistors each receiving a plurality of input signals, and the other type is used as a load. A logic circuit using a transistor is provided with an inverter circuit that takes the logic output as an input, inverts it and outputs it, and is configured to feed back the output of the inverter circuit to the gate of the transistor of the load. .

又、本発明において、負荷のトランジスタと並列に負荷
と同じ形のトランジスタを接続し、該トランジスタを高
速トリガパルスによって一時的に低インピーダンスとす
るように構成することにより、さらに高速で高レベルの
出力を得ることの出来る半導体論理回路を実現すること
が出来る。
Furthermore, in the present invention, a transistor of the same type as the load is connected in parallel with the load transistor, and the transistor is configured to temporarily have a low impedance by a high-speed trigger pulse, thereby achieving an even faster and higher level output. It is possible to realize a semiconductor logic circuit that can obtain the following.

又、本発明において、上記の構成に加えて論理出力を増
幅する回路を備えることによって駆動能力を高め、さら
に高速で動作する半導体論理回路を実現することが出来
る。
Further, in the present invention, by providing a circuit for amplifying the logic output in addition to the above-described configuration, it is possible to increase the driving capability and realize a semiconductor logic circuit that operates at higher speed.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

第1図は1本発明の基本回路の一実施例図であり、NO
R回路を示す。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the basic circuit of the present invention.
The R circuit is shown.

第1図において、1〜3はそれぞれ入力用のn M O
S トランジスタであり、相互に並列接続されている。
In FIG. 1, 1 to 3 are n M O for input, respectively.
S transistors, connected in parallel with each other.

なお、この入力用のnMO8hランジスタは、入力信号
の数だけ接続されている。
Note that the nMO8h transistors for input are connected as many as the number of input signals.

又、11〜I、は信号入力端子である。Further, 11 to I are signal input terminals.

又、6はnMOsトランジスタ、7は9MOsトランジ
スタであり、これらの6及び7によってNOR回路の出
力を入力とするCMOSインバータ5が形成されている
Further, 6 is an nMOS transistor, and 7 is a 9MOS transistor, and these 6 and 7 form a CMOS inverter 5 which receives the output of the NOR circuit as input.

また、8はCMOSインバータ5の出力によって駆動さ
れるpMOSトランジスタである。
Further, 8 is a pMOS transistor driven by the output of the CMOS inverter 5.

又、14及び15は電源端子であり、例えば14が電源
電圧Vcc、 15がグランドに接続されるか或はその
逆に接続される。
Further, 14 and 15 are power supply terminals, for example, 14 is connected to the power supply voltage Vcc, and 15 is connected to the ground, or vice versa.

第1図の回路においては、入力端チェ、〜工、に与えら
れる入力信号のうちのいずれか1つでも高レベルである
場合には、出力端子4の信号は当然低レベルになる。
In the circuit shown in FIG. 1, if any one of the input signals applied to the input terminals C, -, is at a high level, the signal at the output terminal 4 naturally becomes at a low level.

又、入力信号の全てが低レベルの場合には、出力端子4
の出力は入力用のnMOsトランジスタ1〜3の全ての
トランスコンダクタンスgm (n)と、負荷となる2
MOsトランジスタ8のトランスコンダクタンスg−(
p)の比又はリーク電流の比に従って次第に上昇し、そ
の値がCMOSインバータ5の閾値を越えると2MOs
トランジスタ8が導通状態となり、その後は一気に高レ
ベルとなる。
Also, when all input signals are low level, output terminal 4
The output of is the transconductance gm (n) of all the input nMOS transistors 1 to 3 and the load 2
Transconductance g-( of MOS transistor 8
p) or the leakage current ratio, and when the value exceeds the threshold of the CMOS inverter 5, the
Transistor 8 becomes conductive, and then becomes high level all at once.

上記のように第1図の回路においては、出力端子4が一
旦、高レベルになると、CMOSインバータ5を介した
フィードバック回路によってその状態が保持されるので
、直流的に極めて安定な回路となる。
As described above, in the circuit shown in FIG. 1, once the output terminal 4 becomes high level, that state is maintained by the feedback circuit via the CMOS inverter 5, so that the circuit becomes extremely stable in terms of direct current.

又、全回路に電流が流れる時間は、過渡時のみであるか
ら、0M08回路一般に共通な低電力性が維持されてい
ることは明白である。
Further, since the time during which current flows through all the circuits is only during a transient period, it is clear that the low power characteristic common to 0M08 circuits in general is maintained.

又、第1図の回路と後述する第2図、第4図のごとき高
速トリガパルス等とを組み合わせることによって、より
高速で動作し、かつ低電力で、しかも直流的に安定な出
力の得られる半導体論理回路を実現することが出来る。
Furthermore, by combining the circuit shown in Figure 1 with high-speed trigger pulses as shown in Figures 2 and 4, which will be described later, it is possible to operate at higher speed, use less power, and obtain a stable DC output. A semiconductor logic circuit can be realized.

次に、第2図は、本発明の第2の実施例図であり、前記
第1図と同符号は同一物を示す。
Next, FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, and the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts.

第2図の実施例は、第1図の実施例における負荷となる
PMOSトランジスタ8と並列に、それと同じ形のトラ
ンジスタ即ち9MO8)−ランジスタ9を接続し、トリ
ガ入力端子16から高速トリガパルスを与えることによ
って一時的に低インピーダンス状態となるように構成し
たものである。
In the embodiment shown in FIG. 2, a transistor of the same type as the PMOS transistor 8 serving as the load in the embodiment shown in FIG. The structure is such that it temporarily enters a low impedance state.

なおトリガ入力端子16には、図示しない高速トリガパ
ルス発生回路から高速トリガパルスが与えられ、それに
よってPMOSトランジスタ9が駆動される。
Note that a high-speed trigger pulse is applied to the trigger input terminal 16 from a high-speed trigger pulse generation circuit (not shown), and the PMOS transistor 9 is driven by the high-speed trigger pulse.

第2図において、入力端チェ、〜工、の全てが低レベル
であり、しかもトリガ入力端子16にトリガパルスが印
加された場合には、g+w(p)>g+n(n)となる
から出力端子4の出力は一気に高レベルとなる。
In FIG. 2, if all of the input terminals C, - C are at low level and a trigger pulse is applied to the trigger input terminal 16, then g+w(p)>g+n(n), so the output terminal 4's output suddenly reaches a high level.

その後、トリガ入力端子16に与えられるトリガパルス
が切れても、CMOSインバータ5によるフィードバッ
クによって出力端子4の出力は高レベル状態に安定に保
たれ続ける。
Thereafter, even if the trigger pulse applied to the trigger input terminal 16 is cut off, the output of the output terminal 4 continues to be stably maintained at a high level by feedback from the CMOS inverter 5.

第3図は、上記第2図の回路の動作タイミング図である
FIG. 3 is an operation timing diagram of the circuit shown in FIG. 2 above.

第3図において、入力が変化すると同時にトリガパルス
が入る。
In FIG. 3, a trigger pulse is applied at the same time as the input changes.

入力が全て低レベルになれば出力は高レベルになり、又
、入力が1つでも高レベルであれば出力は低レベルとな
る。
If all inputs are at low level, the output will be at high level, and if even one input is at high level, the output will be at low level.

上記のように第2図の回路においては、立上り時には出
力端子4がPMOSトランジスタ9のみを介して高電位
(端子14)とショート状態となり。
As described above, in the circuit shown in FIG. 2, the output terminal 4 is short-circuited to the high potential (terminal 14) only through the PMOS transistor 9 at the time of rising.

又、立下り時には出力端子4がnMOSトランジスタ1
段のみで低電位(端子15)とショート状態になるから
、極めて高速な立上り時間tLH及び立下り時間tHL
を実現することが出来る。
Also, at the time of falling, the output terminal 4 is connected to the nMOS transistor 1.
Since only the stage is shorted to the low potential (terminal 15), the rise time tLH and fall time tHL are extremely fast.
can be realized.

なお、tLH及びtHLの概略は、下記の式で示される
In addition, the outline of tLH and tHL is shown by the following formula.

tLo=C/gn+ (pMO39) tut=c/ gm (nMOs) なお上記の式において、CはCMOSトランジスタのソ
ース・ドレイン間の容量や配線等による容量の総和であ
り、又、gvs (pMO39)はPMOSトランジス
タ9のトランスコンダクタンスである。
tLo=C/gn+ (pMO39) tut=c/gm (nMOs) In the above formula, C is the sum of the capacitance between the source and drain of the CMOS transistor and the capacitance due to wiring, etc., and gvs (pMO39) is This is the transconductance of the PMOS transistor 9.

又、第2図の回路においても、全回路電流が流れる時間
は過渡時だけであるから、0M08回路一般に共通な低
電力性が維持されていることは明白である。
Also, in the circuit shown in FIG. 2, the time during which the entire circuit current flows is only during a transient period, so it is clear that the low power characteristic common to 0M08 circuits in general is maintained.

又、第2図の回路において、トリガパルスで駆動するp
MO3負荷の代わりにn M OS負荷や抵抗その他の
電荷供給回路を用いても動作することは勿論である。
Furthermore, in the circuit shown in Fig. 2, the p
It goes without saying that the device can also operate using an nMOS load, a resistor, or other charge supply circuit in place of the MO3 load.

次に第4図は、本発明の第3の実施例図であり、前記第
2図と同符号は同一物を示す。
Next, FIG. 4 shows a third embodiment of the present invention, in which the same reference numerals as in FIG. 2 indicate the same parts.

第4図の回路は、第2図の構成に加えて論理出力を増幅
する回路を備え、駆動能力を高めて、より高速で動作す
るようにした回路である。
The circuit shown in FIG. 4 is a circuit that includes a logic output amplifying circuit in addition to the configuration shown in FIG. 2, thereby increasing the driving ability and operating at higher speed.

第4図において、pMOSトランジスタlOは、CMO
Sインバータ5の出力によって駆動される。
In FIG. 4, the pMOS transistor lO is a CMO
It is driven by the output of the S inverter 5.

又、PMOSトランジスタ11は、トリガ入力端子16
に与えられる高速トリガパルス発生回路からのトリガパ
ルスによって駆動される。
Further, the PMOS transistor 11 has a trigger input terminal 16.
is driven by a trigger pulse from a high-speed trigger pulse generation circuit.

又、 12及び13はnpn形バイポーラトランジスタ
である。
Further, 12 and 13 are npn type bipolar transistors.

第4図の回路において、入力端子11〜工、の全てが低
レベルであり、しかもpMOSトランジスタ11にトリ
ガパルスが印加されている場合には、pMOSトランジ
スタ11が導通し、npn形バイポーラトランジスタ1
2のベース電極に電源端子14の高電位が加わるため、
出力端子4の出力は直ちに高レベルとなる。
In the circuit of FIG. 4, when all of the input terminals 11 to 1 are at a low level and a trigger pulse is applied to the pMOS transistor 11, the pMOS transistor 11 becomes conductive and the npn bipolar transistor 1
Since the high potential of the power supply terminal 14 is applied to the base electrode of 2,
The output of output terminal 4 immediately becomes high level.

その後、トリガパルスが切れても、CMOSインバータ
5によるフィードバック回路によって出力端子4は高レ
ベル状態に保たれ続ける。
Thereafter, even if the trigger pulse is cut off, the output terminal 4 continues to be kept at a high level by the feedback circuit formed by the CMOS inverter 5.

入力端子工、〜工、のうち1つでも高レベルであれば、
入力用のnMOSトランジスタ1〜3の何れかが導通し
て出力端子4は低レベルとなる。
If even one of the input terminal work and ~ work is at a high level,
Any one of the input NMOS transistors 1 to 3 becomes conductive, and the output terminal 4 becomes a low level.

この低レベルの値は、電源端子15の低電位よりnpn
形バイポーラトランジスタ13のエミッタ・ベース間電
圧だけ高い値となるゆ 上記のように第4図の回路においては、出力端子4の出
力が高レベル状態、低レベル状態共にバイポーラトラン
ジスタ12又は13を介して変化するので、極めて高速
で動作させることが出来る。
This low level value is npn lower than the low potential of the power supply terminal 15.
The voltage between the emitter and base of the bipolar transistor 13 becomes higher.As described above, in the circuit shown in FIG. Since it changes, it can be operated at extremely high speed.

又1回路電流は、入力信号が変化する過渡時しか流れな
いので、低電力性が維持されていることは明らかである
Furthermore, since the single circuit current flows only during transient times when the input signal changes, it is clear that low power consumption is maintained.

なお、上記第1〜第3の実施例においては、NOR回路
について説明したが、前記実施例のnMOSトランジス
タをPMOSトランジスタとし、又、PMOSトランジ
スタをn M OS トランジスタとし、npn形バイ
ポーラトランジスタをpnpn列形ポーラトランジスタ
に変えることによって、容易にNAND回路となること
は明らがである。
In the first to third embodiments described above, NOR circuits have been described, but the nMOS transistors in the embodiments described above are replaced with PMOS transistors, the PMOS transistors are replaced with nMOS transistors, and the npn type bipolar transistors are replaced with pnpn arrays. It is obvious that a NAND circuit can be easily formed by changing to a type polar transistor.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したごとく本発明においては、出力信号をイン
バータ回路を介して負荷のトランジスタにフィードバッ
クするように構成しているので、直流的に極めて安定な
出力を得ることが出来る。
As explained above, in the present invention, since the output signal is fed back to the load transistor via the inverter circuit, an extremely stable output can be obtained in terms of direct current.

又、出力端子と高レベル電位及び低レベル電位の間が共
に並列トランジスタで結ばれているので、立上り及び立
下りが極めて高速になるという利点がある。
Further, since the output terminal and the high-level potential and the low-level potential are both connected by parallel transistors, there is an advantage that the rising and falling times are extremely fast.

又、CMO8回路特有の低電力性を備えているので、大
規模な論理LSI、メモリLSI、メモリにおけるデコ
ーダ回路などに適用した場合にこれらのLSIの電力を
増加させることなく高速化することが可能となる。
In addition, since it has low power consumption characteristic of CMO8 circuits, when applied to large-scale logic LSIs, memory LSIs, memory decoder circuits, etc., it is possible to increase the speed of these LSIs without increasing the power consumption. becomes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図はそれぞれ本発明の一実施例図、第3
図は第2図の回路の動作波形図、第4図は本発明の他の
実施例図、第5図及び第6図は従来の論理回路の一例図
である。 く符号の説明〉 1〜3・・・nMOSトランジスタ 4・・・出力端子 5・・・CMOSインバータ 6・・・nMOSトランジスタ 7〜11・・・pMOSトランジスタ 12、13・・・npn形バイポーラトランジスタ14
、15・・・電源端子 16・・・トリガ入力端子 特許出願人  日本電信電話公社 代理人弁理士  中 村 純之助 1’1  図 第3図 才5 図 手続補正書翰釦 昭和60年 4月18日 特許庁長官 志 賀   学 殿 1、事件の表示   昭和60年特許願第59617号
2、発明の名称   半導体論理回路 5、補正の対象   図 面 6、補正の内容   図面第5図を添付のとおりに補正
する。
FIG. 1 and FIG. 2 are illustrations of one embodiment of the present invention, and FIG.
This figure is an operational waveform diagram of the circuit of FIG. 2, FIG. 4 is a diagram of another embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are diagrams of an example of a conventional logic circuit. Explanation of symbols> 1 to 3...nMOS transistor 4...output terminal 5...CMOS inverter 6...nMOS transistor 7 to 11...pMOS transistor 12, 13...npn bipolar transistor 14
, 15... Power supply terminal 16... Trigger input terminal Patent Applicant: Nippon Telegraph and Telephone Public Corporation Representative Patent Attorney Junnosuke Nakamura 1'1 Figure 3 Figure 5 Figure Procedure Amendment Form Button Patent dated April 18, 1985 Agency Commissioner Manabu Shiga 1, Indication of case Patent Application No. 59617 of 1985 2, Title of invention Semiconductor logic circuit 5, Subject of amendment Drawing 6, Contents of amendment Drawing 5 is amended as attached. .

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数の入力信号をそれぞれ受ける複数の入力用トランジ
スタとしてnMOSとpMOSとのうちのいずれか一方
の形のトランジスタを用い、負荷として他方の形のトラ
ンジスタを用いた論理回路において、その論理出力を入
力とし、それを反転して出力するインバータ回路を備え
、かつ上記インバータ回路の出力を上記負荷のトランジ
スタのゲートにフィードバックすることを特徴とする半
導体論理回路。
In a logic circuit that uses either nMOS or pMOS transistors as a plurality of input transistors that each receive a plurality of input signals, and uses the other type of transistor as a load, the logic output thereof is used as an input. , an inverter circuit that inverts and outputs the inverter circuit, and feeds back the output of the inverter circuit to the gate of the transistor of the load.
JP60059617A 1985-03-26 1985-03-26 Semiconductor logic circuit Pending JPS61219217A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60059617A JPS61219217A (en) 1985-03-26 1985-03-26 Semiconductor logic circuit

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6432528A (en) * 1987-07-28 1989-02-02 Nec Corp Logic circuit
JPH04145725A (en) * 1990-10-08 1992-05-19 Nec Ic Microcomput Syst Ltd Decoder circuit

Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS562810A (en) * 1979-06-21 1981-01-13 Kurita Mach Mfg Co Ltd Filter plate sending device for filter press

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