JPS6121883Y2

JPS6121883Y2 -

Info

Publication number: JPS6121883Y2
Application number: JP18801880U
Authority: JP
Priority date: 1980-12-27
Filing date: 1980-12-27
Publication date: 1986-07-01
Also published as: JPS57111151U

Description

【考案の詳細な説明】本考案は、テレビジヨン受像機のチユーナに関
する。特に、UHFおよびVHFの高周波増幅回路
（以下、RFアンプという。）に絶縁型デユアルゲ
ートFET（以下、MOS・FETという。）および
接合型デユアルゲートFET（以下、MES・FET
という。）を使用したチユーナに関するものであ
る。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a tuner for a television receiver. In particular, insulated dual gate FETs (hereinafter referred to as MOS/FETs) and junction type dual gate FETs (hereinafter referred to as MES/FETs) are used in UHF and VHF high frequency amplifier circuits (hereinafter referred to as RF amplifiers).
That's what it means. ) is related to chuyuna using.

テレビジヨン受像機には、受信電波の強弱によ
るコントラストの変動を抑制するために自動利得
制御（以下、AGCという。）回路が設けられてい
る。AGCによる制御は、チユーナおよび映像中
間周波増幅回路に対して行われるが、そのうち本
考案はチユーナに対してAGC制御を行う場合の
問題点を解決しようとするものである。 Television receivers are equipped with an automatic gain control (hereinafter referred to as AGC) circuit to suppress variations in contrast due to the strength of received radio waves. AGC control is performed on tuners and video intermediate frequency amplification circuits, and the present invention attempts to solve problems when performing AGC control on tuners.

第１図は、UHF−RFアンプにMES・FET１
を使用し、VHF・RFアンプにMOS・FET２を
使用した場合のチユーナ回路の一部（DCバイア
スのみ、AC回路省略）を示したものである。
AGC制御電流はAGC入力端子３より入力され
る。４はUHF−RFアンプの電源（以下、Ｂ_U電
源という。）供給端子、５はVHF−RFアンプの
電源（以下、Ｂ_V電源という。）供給端子をそれぞ
れ示している。 Figure 1 shows the UHF-RF amplifier with MES/FET1
This shows a part of the tuner circuit (DC bias only, AC circuit omitted) when using MOS/FET2 for the VHF/RF amplifier.
AGC control current is input from AGC input terminal 3. Reference numeral 4 indicates a power supply terminal for the UHF-RF amplifier (hereinafter referred to as _BU power supply), and 5 indicates a power supply terminal for the VHF-RF amplifier (hereinafter referred to as _BV power supply).

第１図において、UHF電波受信時にはＢ_U電源
電圧Ｖ_BU＝15.7（Ｖ），Ｂ_V電源電圧Ｖ_BV＝０
（Ｖ）となる。このとき、MES・FET１および
MOS・FET２に対するAGC電圧Ｖ_AGCはバイア
ス抵抗R₁とR₂の分圧比により決定される。一
方、VHF電波受信時にはＢ_U電源電圧Ｖ_BU＝０
（Ｖ），Ｂ_U電源電圧Ｖ_BV＝15.7（Ｖ）となる。と
ころが、Ｂ_U電源電圧Ｖ_BU＝０であつてもMES・
FET１は接合型ゲートであるためAGC電流が保
護抵抗R₃を介してゲートG₁に流れ込むこととな
る。この流れ込む電流による影響を少なくするた
めにはバイアス抵抗R₁とR₂の値を十分小さくす
る必要があつた。しかし、十分効果的に制御する
電圧Ｖ_AGCを得るためには大きな制御電流が必要
となる。 In Figure 1, when receiving UHF radio waves, _BU power supply voltage V _BU = 15.7 (V), _BV power supply voltage V _BV = 0
(V). At this time, MES・FET1 and
AGC voltage V _AGC for MOS-FET 2 is determined by the voltage division ratio of bias resistors R ₁ and R ₂ . On the other hand, when receiving VHF radio waves, the B _U power supply voltage V _BU = 0
(V), _BU power supply voltage V _BV =15.7 (V). However, even if the B _U power supply voltage V _BU = 0, the MES・
Since FET1 is a junction type gate, AGC current flows into gate _G1 via protection resistor _R3 . In order to reduce the influence of this flowing current, it was necessary to make the values of bias resistors R ₁ and R ₂ sufficiently small. However, in order to obtain a sufficiently effective control voltage V _AGC , a large control current is required.

具体的に示すと、バイアス抵抗R₁＝5.1（ｋ
Ω）Ｖ_BU＝15.7（Ｖ）として、 AGC制御電流＝Ｖ_BU／R₁＝15.7／5.1×10³ ＝3.1〔mA〕となる。但し、R₁≦R₃／R₂，R₃＝30（ｋΩ）で
ある。 Specifically, bias resistance R ₁ = 5.1 (k
Ω) Assuming that V _BU = 15.7 (V), the AGC control current = V _BU /R ₁ = 15.7/5.1×10 ³ = 3.1 [mA]. However, R ₁ ≦R ₃ /R ₂ , R ₃ =30 (kΩ).

このように大きな電流を必要とすることは、通
常のICとは異なり、電流容量の大きな特殊仕様
のICが必要となることである。なお、第１図に
おいて説明に直接関係しない部分については説明
を簡単にするため、バイアス抵抗をＲ_b、保護抵
抗をＲ_p、第２ゲートをG₂，g₂としてまとめて示
したが、全て同一値であることを意味するもので
はない。 Requiring such a large current means that, unlike a normal IC, a special specification IC with a large current capacity is required. In Fig. 1, in order to simplify the explanation, parts that are not directly related to the explanation are collectively shown as R _b for the bias resistor, R _p for the protection resistor, and G ₂ and g ₂ for the second gate, but all This does not mean that they are the same value.

本考案は小さなAGC制御電流にてAGC動作す
ることが可能なRFアンプを提供することを目的
とする。 The purpose of this invention is to provide an RF amplifier that can perform AGC operation with a small AGC control current.

以下本考案は図示する実施例に基づいて詳述す
る。第２図に本考案によるRFアンプの実施例を
示す。第１図と同一部分には同一の符号を付して
説明する。 The present invention will be described in detail below based on the illustrated embodiments. FIG. 2 shows an embodiment of the RF amplifier according to the present invention. The same parts as in FIG. 1 will be described with the same reference numerals.

この実施例において第１図と異なる部分は、
AGC端子３とVHF−RFアンプのMOS・FET２
の電源端子すなわちＢ_V電源端子５との間に抵抗
R₅とダイオードＤの直列回路を挿入し、R₂を除
いている点である。抵抗R₅はバイアス抵抗R₁の
抵抗値に等しいか又は略等しい抵抗値を有してい
る。ダイオードＤはAGC端子３からＢ_V電源端子
５に向けて順方向接続されている。 The parts in this embodiment that differ from FIG. 1 are as follows:
AGC terminal 3 and VHF-RF amplifier MOS/FET 2
A resistor is connected between the power supply terminal of B _V and the power supply terminal 5.
The point is that a series circuit of _R5 and diode D is inserted, and _R2 is removed. The resistor _R5 has a resistance value equal to or approximately equal to the resistance value of the bias resistor _R1 . The diode D is connected in the forward direction from the AGC terminal 3 to the B _V power supply terminal 5.

小さなAGC制御電流でAGC動作を行わしめる
ためには、バイアス抵抗R₁，R₅を保護抵抗R₃と
同等の高抵抗にしなければならない。そして、そ
の値はUHF受信時、VHF受信時の両方の状態を
考慮したものでなければならない。 In order to perform AGC operation with a small AGC control current, bias resistors R ₁ and R ₅ must have a high resistance equivalent to that of protection resistor R ₃ . The value must take into account both UHF and VHF reception conditions.

これを具体的に示すと、次の通りである。すな
わち、UHF受信時ではＶ_BU＝15.7（Ｖ），Ｖ_BV＝
０（Ｖ）であり、したがつてダイオードＤは正バ
イアスされるのでONとなる。このときAGC電圧
Ｖ_AGCは、Ｖ_AGC≒Ｖ_ＢＵ×Ｒ_５／Ｒ_１＋Ｒ_５≒8.2（Ｖ）但し、R₁＝R₅ となる。 A concrete example of this is as follows. In other words, when receiving UHF, V _BU = 15.7 (V), V _BV =
0 (V), so the diode D is positively biased and turns ON. At this time, the AGC voltage V _AGC is V _AGC ≒V _BU ×R ₅ /R ₁ +R ₅ ≒ 8.2 (V) However, R ₁ =R ₅ .

VHF受信時では、Ｖ_BU＝０（Ｖ），Ｖ_BU＝15.7（Ｖ）であり、ダイオードＤはOFF
である。また、このときMES・FET１の第１ゲ
ートG₁G１にAGC制御電流が流れ込む。 When receiving VHF, V _BU = 0 (V), V _BU = 15.7 (V), and diode D is OFF.
It is. Further, at this time, the AGC control current flows into the first gate G ₁ G1 of the MES/FET1.

AGC電圧Ｖ_AGCは、Ｖ_AGC≒Ｖ_ＢＶ×Ｒ_３／Ｒ_１＋Ｒ_３≒8.2（Ｖ）但し、R₁≒R₃，R₃＝30（ｋΩ）となつて、充分な制御電圧を得ることができる。AGC voltage V _AGC is V _AGC ≒ V _BV × R ₃ / R ₁ + R ₃ ≒ 8.2 (V) However, R ₁ ≒ R ₃ , R ₃ = 30 (kΩ) to obtain a sufficient control voltage. Can be done.

したがつて、このとき、R₁≒R₃であるからR₁
＝30（ｋΩ）を用いたとすると、AGC制御電流
は AGC制御電流＝Ｖ_BU／R₁＝15.7／30×10³ ＝0.52〔mA〕となる。この値はテレビジヨン受像機に用いられ
ている一般のICの動作電流と略等しいレベルで
あり、したがつて特殊仕様のICを用いることな
く、充分にAGC制御することができる。 Therefore, at this time, since R ₁ ≒ R ₃ , R ₁
=30 (kΩ), the AGC control current is AGC control current =V _BU /R ₁ =15.7/30×10 ³ =0.52 [mA]. This value is approximately the same level as the operating current of a general IC used in television receivers, and therefore sufficient AGC control can be performed without using a specially designed IC.

なお、以上の説明ではUHF・RFアンプに
MES・FET１を使用し、VHF−RFアンプに
MOS・FET２を用いた場合について説明した
が、これと全く逆の場合、すなわちUHF・RFア
ンプ１にMOS・FET２を使いVHF−RFアンプ
にMES・FETを使用したチユーナでもダイオー
ドＤの向きを反対にすることで本考案を適用する
ことができる。又、ゲートG₁，g₁にAGC電圧を
を加えた場合について説明しているが、このゲー
トG₁，g₁は説明の便宜上使用している符号であ
つて特別にゲート位置を示すものではなく通常
FETの第１ゲート電極に入力信号が、第２ゲー
ト電極にAGC電圧が供給されるのが一般的な使
い方である。 Note that the above explanation refers to UHF/RF amplifiers.
Using MES/FET1, VHF-RF amplifier
We have explained the case where MOS/FET2 is used, but in the completely opposite case, that is, even in a tuner where MOS/FET2 is used for UHF/RF amplifier 1 and MES/FET is used for VHF-RF amplifier, the direction of diode D can be reversed. The present invention can be applied by doing the following. Also, the case where the AGC voltage is applied to the gates G ₁ and g ₁ is explained, but the gates G ₁ and g ₁ are symbols used for convenience of explanation and do not specifically indicate the gate positions. normal without
In general usage, the input signal is supplied to the first gate electrode of the FET, and the AGC voltage is supplied to the second gate electrode.

以上の通り、本考案によれば、小さなAGC制
御電流にてRFアンプのAGC動作を行うことがで
きる。 As described above, according to the present invention, the AGC operation of the RF amplifier can be performed with a small AGC control current.

[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来のUHF，VHF−RFアンプの一部
を示す回路図、第２図は本考案の実施例をRFア
ンプの回路図である。１……MES・FET、２……MOS・FET、３…
…AGC入力端子、４……Ｂ_U電源端子、５……Ｂ
_V電源端子、R₅……バイアス抵抗、Ｄ……ダイオ
ード。 FIG. 1 is a circuit diagram showing a part of a conventional UHF/VHF-RF amplifier, and FIG. 2 is a circuit diagram of an RF amplifier according to an embodiment of the present invention. 1...MES/FET, 2...MOS/FET, 3...
...AGC input terminal, 4...B _U power supply terminal, 5...B
_V power supply terminal, R ₅ ... bias resistor, D ... diode.

Claims

[Claims for Utility Model Registration] Junction type dual gate in UHF high frequency amplifier circuit
In a tuner for a television receiver in which either one of a FET or an isolated dual gate FET is used and the other FET is used in a VHF high frequency amplification circuit, the automatic gain control signal input terminal of both amplification circuits and
Between the power terminal of the VHF high frequency amplifier circuit and the UHF
A television receiver characterized in that a series circuit consisting of a resistor with a high resistance value approximately equal to the second gate bias resistor of an FET of a high frequency amplifier circuit and a diode in a forward direction is connected from the automatic gain control signal input terminal to the power supply terminal. Chiyuna of the machine.