JPH01213007A - Mixer circuit - Google Patents

Mixer circuit

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JPH01213007A
JPH01213007A JP3755788A JP3755788A JPH01213007A JP H01213007 A JPH01213007 A JP H01213007A JP 3755788 A JP3755788 A JP 3755788A JP 3755788 A JP3755788 A JP 3755788A JP H01213007 A JPH01213007 A JP H01213007A
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昭夫 山本
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Abstract

PURPOSE:To improve the suppression of an unnecessary wave by inputting a UHF signal to a third FET source and inputting a VHF signal to a second FET gate. CONSTITUTION:A gate earth, a source input and the drain of a third FET 3 of a drain output type are connected to the gate of a first FET 1 out of the first FET 1 and a second FET 2 to constitute a buffer FET. A UHF signal is inputted to the source of the FET 3, and a VHF signal is inputted to the gate of the FET 2. Consequently, a UHF mixer circuit and a VHF mixer circuit are integrated in one body, a matching condition with a variable turning filter 18 inserted to the front stage of the FET 1 become well, and the suppression of the unnecessary wave of the filter 18 is improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、衛星放送受信機やテレビチューナ等に用いら
れる信号周波数変換のためのミクサ回路に関し、特に、
IC化に好適なミクサ回路に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a mixer circuit for signal frequency conversion used in satellite broadcast receivers, television tuners, etc.
This invention relates to a mixer circuit suitable for IC implementation.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来のIC化テレビチューナにおけるミクサ回路は、ア
イ・イー・イー・イー、トランザクション オン コン
シューマ−エレクトロニクス。
The mixer circuit in a conventional IC TV tuner is manufactured by IEE, Transaction on Consumer Electronics.

シーイー32.4 (1986)第723頁から732
頁(IEEE、 Transactions on C
onsumer Electronics、 Vol、
GE−32,k4 (1986) pp723〜732
)において記述されているように、UHFミクサ回路。
C.E. 32.4 (1986) pp. 723-732
Page (IEEE, Transactions on C
onsumer Electronics, Vol.
GE-32, k4 (1986) pp723-732
) as described in UHF mixer circuit.

VHFミクサ回路、ハイパーバンド(Hyper ba
nd)ミクサ回路という具合に、受信する周波数帯域に
よってそれぞれ別々の分離した構成をとっており、そし
て、それぞれの分離した各ミクサ回路をスイッチング回
路によって選択するようにしていた。
VHF mixer circuit, Hyperband
nd) Mixer circuits are configured separately depending on the receiving frequency band, and each of the separate mixer circuits is selected by a switching circuit.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

上記した様に、既提案例においては、UHFミクサ回路
、VHFミクサ回路、ハイパーバンドミクサ回路という
具合に、受信する周波数帯域によってそれぞれ別々の分
離した構成をとっているため、回路規模が大きくなると
共に、消費電力が大きくなり、また、受信する周波数帯
域によって分離した各ミクサ回路を選択するためのスイ
ッチング回路が複雑になるという問題があった。
As mentioned above, in the existing proposed example, the UHF mixer circuit, VHF mixer circuit, and hyperband mixer circuit have separate configurations depending on the receiving frequency band, so the circuit size increases and However, there are problems in that the power consumption increases and the switching circuit for selecting separate mixer circuits depending on the receiving frequency band becomes complicated.

また、上記の如く、回路規模が大きくなるため、回路全
体をIC化した場合、発熱量が大きくなり、チップ温度
の上昇により特性が不安定となるという問題もあった。
Furthermore, as described above, since the circuit scale becomes large, when the entire circuit is integrated into an IC, there is a problem that the amount of heat generated increases and the characteristics become unstable due to an increase in chip temperature.

さらにまた、前記UHFミクサ回路の前段には、一般に
、入力されるUHF信号の不要波を抑圧するための不要
波抑圧フィルタが挿入されるが、上記した既提案例にお
いては、該UHFミクサ回路がトランジスタのベース入
力となっており、それにより、該UHFミクサ回路の入
力インピーダンスが高(なっているため、挿入した前記
不要波抑圧フィルタにおいて、十分な不要波抑圧度がと
れないという問題があった。
Furthermore, an unnecessary wave suppression filter for suppressing unnecessary waves of the input UHF signal is generally inserted before the UHF mixer circuit, but in the previously proposed example described above, the UHF mixer circuit is This is the base input of the transistor, and as a result, the input impedance of the UHF mixer circuit is high.Therefore, there was a problem that the unnecessary wave suppression filter inserted could not achieve a sufficient degree of unnecessary wave suppression. .

以上のように、上記した従来技術においては幾つかの解
決すべき課題が存在していた。
As described above, there are several problems to be solved in the above-mentioned conventional techniques.

そこで、・本発明の目的は、これら従来技術の課題を解
決し、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路(ハイパー
バンドミクサ回路を含む)との一体化が図れ、IC化に
遺し、また、UHF信号の不要波を抑圧する不要波抑圧
フィルタの不要波抑圧度を向上させることのできるバラ
ンス形のミクサ回路を提供することにある。
Therefore, it is an object of the present invention to solve the problems of the prior art, to integrate a UHF mixer circuit and a VHF mixer circuit (including a hyperband mixer circuit), to make it possible to integrate a UHF mixer circuit and a VHF mixer circuit (including a hyperband mixer circuit), and to improve the integration of UHF signal. An object of the present invention is to provide a balanced mixer circuit that can improve the degree of unnecessary wave suppression of an unnecessary wave suppression filter that suppresses unnecessary waves.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記した目的を達成するために、本発明では、例えば、
ダブルバランス形ミクサとバッファFETと定電流源と
から成るミクサ回路において、前記バッファFETを構
成する第1のFETと第2のFETのうち、第1のFE
Tのゲートに、ゲート接地、ソース入力、ドレイン出力
形の第3のFETのドレインを接続し、UHF信号を前
記第3のFETのソースに入力し、VHF信号(ハイパ
ーバンドの信号を含む)を前記第2のFETのゲートに
入力するようにした。
In order to achieve the above object, the present invention includes, for example,
In a mixer circuit consisting of a double-balanced mixer, a buffer FET, and a constant current source, the first FET of the first FET and the second FET constituting the buffer FET is
Connect the drain of a third FET with a common gate, source input, and drain output type to the gate of T, input a UHF signal to the source of the third FET, and input a VHF signal (including hyperband signals). The signal was input to the gate of the second FET.

〔作用〕[Effect]

前記ダブルバランス形ミクサは、UH’F信号とVHF
信号(ハイパーバンドの信号も含む)とで兼用して用い
られるので、実質的にU)IFミクサ回路とVHFミク
サ回路(ハイパーバンドミクサ回路を含む)との一体化
が図れることになる。従って、本発明によれば、回路規
模を小さくでき、消費電力も小さくなり、しかも、受信
する周波数帯域によってミクサ動作を選択するためのス
イッチング回路(例えば、前記第3のFETのドレイン
に接続する。)を簡略化することができる。
The double-balanced mixer has a UH'F signal and a VHF signal.
Since it is used for both signals (including hyperband signals), it is possible to substantially integrate the U) IF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit). Therefore, according to the present invention, the circuit scale can be reduced and the power consumption can be reduced, and a switching circuit (for example, connected to the drain of the third FET) for selecting mixer operation depending on the receiving frequency band. ) can be simplified.

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合に
、従来の様に、発熱量が太き(なり、チップ温度の上昇
により特性が不安定になるということもなく、従って、
IC化に適する。
In addition, since the circuit scale can be made smaller, when integrated into an IC, the amount of heat generated does not increase (as in the conventional case), and the characteristics do not become unstable due to an increase in chip temperature.
Suitable for IC implementation.

さらにまた、本発明によれば、UHF信号の入力部分が
前記第3のFETのソース入力となっているので、該第
3のFETの前段に挿入される不要波抑圧フィルタとの
整合状態は良好となり、従って、この不要波抑圧フィル
タの不要波抑圧度は大幅に向上する。
Furthermore, according to the present invention, since the input portion of the UHF signal is the source input of the third FET, the matching state with the unnecessary wave suppression filter inserted before the third FET is good. Therefore, the unnecessary wave suppression degree of this unnecessary wave suppression filter is greatly improved.

また、前記第1のFETと第2のFETはバッファFE
Tを構成しているため、上記の如く、UHFミクサ回路
とVHFミクサ回路とを一体化しても、ミクサ回路の前
段に接続されるUHF回路とVHF回路との間の結合は
小さくすること(即ち、両者の回路間の信号の漏れ込み
を無くすこと)ができる。
Further, the first FET and the second FET are buffer FEs.
As mentioned above, even if the UHF mixer circuit and VHF mixer circuit are integrated, the coupling between the UHF circuit and VHF circuit connected before the mixer circuit must be kept small (i.e. , it is possible to eliminate signal leakage between both circuits).

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

第1図において、1.2はそれぞれバッファFET、3
,4,5,6,7.9はそれぞれFET、8はスイッチ
ングFET、10はUHF信号の入力端子、11はVH
F信号の入力端子、12はスイッチング電圧の入力端子
、13.14は局部発振信号の入力端子、15.16は
中間周波信号の出力端子、17はバイアス電圧の入力端
子、18゜19はそれぞれ可変同調フィルタ、20,2
1゜22.24,25,26.27.30はそれぞれ抵
抗、23はコンデンサ、28は電流制御電圧の入力端子
、である。
In FIG. 1, 1.2 are buffer FETs, 3
, 4, 5, 6, 7.9 are FETs, 8 is a switching FET, 10 is a UHF signal input terminal, 11 is a VH
F signal input terminal, 12 is a switching voltage input terminal, 13.14 is a local oscillation signal input terminal, 15.16 is an intermediate frequency signal output terminal, 17 is a bias voltage input terminal, 18° and 19 are variable respectively. Tuned filter, 20,2
1°22.24, 25, 26.27.30 are resistors, 23 is a capacitor, and 28 is an input terminal for current control voltage.

本実施例は、第1図に示す様に、FET4,5゜6.7
でダブルバランス形ミクサを構成し、FET4,5、の
ソース同志を接続し、その接続したソースにバッファF
ETIのドレインを接続し、また、FET6,7のソー
ス同志を接続し、その接続したソースにバッファFET
2のドレインを接続し、また、FETI、2のソースに
は、FET9から成る定電流源を接続している。また、
バッファFETIのゲートには、抵抗25を介してゲー
トが接地されている、いわゆるゲート接地形のFET3
のドレインを接続し、そのドレインには抵抗21を介し
て入力端子17よりバイアス電圧が印加されている。ま
た、バッファFETIのゲートとバッファFET2のゲ
ートは高い抵抗値を有する抵抗20で接続されており、
それぞれに同一の直流バイアスが与えられている。
In this embodiment, as shown in FIG.
to configure a double-balanced mixer, connect the sources of FETs 4 and 5, and connect the buffer FET to the connected source.
Connect the drains of ETI, and also connect the sources of FETs 6 and 7, and connect the connected sources to the buffer FET.
The drain of FETI 2 is connected to the source of FETI 2, and a constant current source consisting of FET 9 is connected to the source of FETI 2. Also,
The gate of the buffer FETI is connected to the gate via a resistor 25, which is a so-called grounded gate type FET3.
A bias voltage is applied to the drain from the input terminal 17 via the resistor 21. Further, the gate of buffer FETI and the gate of buffer FET2 are connected by a resistor 20 having a high resistance value.
The same DC bias is applied to each.

更にまた、入力端子13.14の間には局部発振器(図
示せず)が接続されており、局部発振信号が入力されて
いる。
Furthermore, a local oscillator (not shown) is connected between the input terminals 13 and 14, and a local oscillation signal is input thereto.

では、本実施例の動作について説明する。Now, the operation of this embodiment will be explained.

先ず、VHF信号(ハイパーバンドの信号も含む)を受
信する時の動作について説明する。
First, the operation when receiving a VHF signal (including hyperband signals) will be explained.

VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端子11
より可変同調フィルタ19を介してバッファFET2の
ゲートに入力されると共に、入力端子12にHigh(
ハイ)レベルのスイッチング電圧を印加し、抵抗22を
介してスイッチングFET8をON(オン)して、バッ
ファFETIのゲートを大容量のコンデンサ23で接地
する。
When receiving a VHF signal, the VHF signal is input to input terminal 11.
It is input to the gate of the buffer FET 2 via the variable tuning filter 19, and a High(
A high level switching voltage is applied, the switching FET 8 is turned on via the resistor 22, and the gate of the buffer FETI is grounded through the large capacitor 23.

VHF信号が入力端子11より可変同調フィルタ19を
介してバッファFET2のゲートに入力される際、不要
波抑圧フィルタである可変同調フィルタ19は、VHF
信号の不要波(イメージ信号など)を抑圧する。
When the VHF signal is input from the input terminal 11 to the gate of the buffer FET 2 via the variable tuning filter 19, the variable tuning filter 19, which is an unnecessary wave suppression filter,
Suppresses unnecessary signal waves (image signals, etc.).

さて今、バッファFET2のゲート電圧が、入力された
VHF信号により上昇しているとすると、このゲート電
圧の上昇によりバッファFET2及びFET6,7を流
れる電流は増加する。ところが、FET9は前述の如く
定電流源を構成しており、このFET9を流れるドレイ
ン電流は常に一定値である。従って、バッファFET2
及びFET6,7を流れる電流の増加分は、バッファF
ET1及びFET4,5を流れる電流の減少分となって
現れてくる。つまり、バッファFET2のゲートにVH
F信号が入力されると、バッファFET2及びFET6
,7にはVHF信号に応じた電流が流れ、一方、バッフ
ァFETI及びFET4゜5にはそれとは逆相の電流が
流れる。こうして、バッファFET2のゲートに不平衡
信号として入力されたVHF信号は、ダブルバランス形
ミクサに平衡信号として入力されることになり、不平衡
また、前述した如く、VHF信号を受信する際は、バッ
ファFET2のゲートを大容量のコンデンサ23によっ
て接地することにより、VHF信号に対しバッファFE
TIのゲートは低インピーダンスとなるので、より良好
な不平衡−平衡変換を行うことができる。
Now, assuming that the gate voltage of the buffer FET2 is rising due to the input VHF signal, the current flowing through the buffer FET2 and FETs 6 and 7 increases due to this rise in gate voltage. However, the FET 9 constitutes a constant current source as described above, and the drain current flowing through the FET 9 is always a constant value. Therefore, buffer FET2
And the increase in the current flowing through FETs 6 and 7 is increased by the buffer F
This appears as a decrease in the current flowing through ET1 and FETs 4 and 5. In other words, VH is applied to the gate of buffer FET2.
When the F signal is input, buffer FET2 and FET6
, 7 flows in accordance with the VHF signal, while current in the opposite phase flows into the buffer FETI and FET 4.5. In this way, the VHF signal input as an unbalanced signal to the gate of the buffer FET2 is input as a balanced signal to the double-balanced mixer. By grounding the gate of FET2 with a large capacitor 23, the buffer FE is connected to the VHF signal.
Since the gate of TI has low impedance, better unbalanced-balanced conversion can be performed.

次に、ダブルバランス形ミクサでは、先に入力された局
部発振信号と平衡信号として入力されたVHF信号とを
混合し、局部発振信号とVHF信号との差信号である中
間周波信号を出力端子15。
Next, the double-balanced mixer mixes the previously inputted local oscillation signal and the VHF signal inputted as a balanced signal, and outputs an intermediate frequency signal, which is a difference signal between the local oscillation signal and the VHF signal, to the output terminal 15. .

16より出力する。Output from 16.

以上がVHF信号を受信する時の動作である。The above is the operation when receiving a VHF signal.

次に、UHF信号を受信する時の動作について説明する
Next, the operation when receiving a UHF signal will be explained.

UHF信号を受信する時は、UHF信号が入力端子10
より可変同調フィルタ18を介してFET3のソースに
入力されると共に、入力端子12にLoil(ロウ)レ
ベルのスイッチング電圧を印加し、抵抗22を介してス
イッチングFET8を0FF(オフ)する。
When receiving a UHF signal, the UHF signal is input to input terminal 10.
The signal is input to the source of the FET 3 via the variable tuning filter 18, and a Loil (low) level switching voltage is applied to the input terminal 12 to turn off the switching FET 8 via the resistor 22.

UHF信号が入力端子10より可変同調フィルタ18を
介してFET3のソースに入力される際、不要波抑圧フ
ィルタである可変同調フィルタ18は、UHF信号の不
要波を抑圧する。
When the UHF signal is input from the input terminal 10 to the source of the FET 3 via the variable tuning filter 18, the variable tuning filter 18, which is an unnecessary wave suppression filter, suppresses the unnecessary waves of the UHF signal.

そして、FET3のソースに入力されたUHF信号は、
FET3のドレインより出力され、バッファFETIの
ゲートに入力される。
Then, the UHF signal input to the source of FET3 is
It is output from the drain of FET3 and input to the gate of buffer FETI.

以後の動作としては、VHF信号を受信した時の動作と
対称的だがほぼ同様な動作が行われるので、その説明は
省略する。
The subsequent operation is symmetrical to, but almost the same as, the operation when the VHF signal is received, so a description thereof will be omitted.

但し、UHF信号を受信する時は、前述の如く、スイッ
チングFET8をOFFとしている。これは、可変同調
フィルタ19がUHF信号に対し常に低インピーダンス
であるため、バッファFET2のゲートはVHF信号に
対し常に低インピーダンスとなり、従って、UHF信号
を受信する時は、VHF信号を受信する時の様に、バッ
ファFET2のゲートを大容量のコンデンサで接地しな
くても、良好な不平衡−平衡変換を行うことができるか
らである。
However, when receiving the UHF signal, the switching FET 8 is turned off as described above. This is because the variable tuning filter 19 always has a low impedance to the UHF signal, so the gate of the buffer FET 2 always has a low impedance to the VHF signal. This is because good unbalanced-balanced conversion can be performed even without grounding the gate of the buffer FET 2 with a large-capacity capacitor.

以上述べたように、本実施例によれば、UHFミクサ回
路とVHFミクサ回路(ハイパーバンドミクサ回路を含
む)との一体化が図れるので、回路規模を小さくでき、
消費電力も小さくなり、しかも、受信する周波数帯域に
よってミクサ動作を選択するためのスイッチング回路(
スイッチングFET8.抵抗22.コンデンサ23から
成る回路)を簡略化することができる。
As described above, according to this embodiment, since the UHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) can be integrated, the circuit scale can be reduced.
Power consumption is also reduced, and a switching circuit (
Switching FET8. Resistance 22. The circuit consisting of the capacitor 23) can be simplified.

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合に
、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上昇
により特性が不安定になるということもな(、従って、
IC化に適した構成と言える。
In addition, since the circuit scale can be reduced, when integrated into an IC, the amount of heat generated will increase and the characteristics will not become unstable due to an increase in chip temperature (therefore,
This can be said to be a configuration suitable for IC implementation.

さらにまた、本実施例によれば、UHF信号の入力部分
がFET3のソース入力となっており、このFET3の
ソースから見た入力インピーダンスは低くなっているの
で、このFET3の前段に挿入される、不要波抑圧フィ
ルタ、即ち、可変同調フィルタ18との整合状態は良好
となり、従って、この可変同調フィルタ18の不要波抑
圧度は大幅に向上する。
Furthermore, according to this embodiment, the input portion of the UHF signal is the source input of the FET 3, and since the input impedance seen from the source of the FET 3 is low, the The matching state with the unnecessary wave suppression filter, that is, the variable tuning filter 18, becomes good, and therefore the degree of unnecessary wave suppression of this variable tuning filter 18 is greatly improved.

また、VHF信号を受信している時には、バッファFE
T2に入力されたVHF信号は、バッファFETIによ
って阻止されるため、入力端子10より外に漏れ出て、
該入力端子10に接続されるUHF回路(図示せず)に
悪影響を与えたりすることがない。また、同様に、UH
F信号を受信している時には、バッファFETIに入力
されたUHF信号は、バッファFET2によって阻止さ
れるため、入力端子11より外に漏れ出て、該入力端子
11に接続されるVHF回路(図示せず)に影響を与え
たりすることがない。即ち、本実施例によれば、上記の
如く、UHFミクサ回路とVHFミクサ回路(ハイパー
バンドミクサ回路を含む)とを一体化しても、UHF回
路とVHF回路との間の結合は小さくすること(即ち、
両者の回路間の信号の漏れ込みを無くすこと)ができる
Also, when receiving a VHF signal, the buffer FE
The VHF signal input to T2 is blocked by the buffer FETI, so it leaks out from the input terminal 10,
The UHF circuit (not shown) connected to the input terminal 10 will not be adversely affected. Similarly, UH
When receiving the F signal, the UHF signal input to the buffer FETI is blocked by the buffer FET2, so it leaks out from the input terminal 11 and is connected to the VHF circuit (not shown) connected to the input terminal 11. ). That is, according to this embodiment, even if the UHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) are integrated as described above, the coupling between the UHF circuit and the VHF circuit can be reduced ( That is,
It is possible to eliminate signal leakage between both circuits).

第2図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

本実施例が、第1図の実施例と異なる点は、第2図に示
す様に、スイッチングFET8のソースを大きな抵抗値
を持つ抵抗29でドレインに接続した点である。
This embodiment differs from the embodiment shown in FIG. 1 in that, as shown in FIG. 2, the source of the switching FET 8 is connected to the drain through a resistor 29 having a large resistance value.

第1図の実施例では、スイッチングFET8のソースは
直流的にフロートしていたが、本実施例のように、スイ
ッチングFET8のソースを直流的にドレインと同一の
電位とすることにより、スイッチングFET8のスイッ
チング特性の向上が図れる。尚、本実施例は、その他の
部分は第1図の実施例と同様の構成であるので、第1図
の実施例と同様の特性、効果が得られることは明らかで
ある。
In the embodiment shown in FIG. 1, the source of the switching FET 8 was floated in a direct current manner, but in this embodiment, by setting the source of the switching FET 8 to the same potential as the drain in a direct current manner, the switching FET 8 Switching characteristics can be improved. It should be noted that this embodiment has the same structure as the embodiment shown in FIG. 1 in other parts, so it is clear that the same characteristics and effects as the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.

第3図は本発明の第3の実施例を、第4図は本発明の第
4の実施例をそれぞれ示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the invention.

これら実施例は、スイッチング手段として、FET(第
1図、第2図のスイッチングFET8)の代りに、ダイ
オード(第3図、第4図のスイッチングダイオード31
)を用いたものであり、スイッチング回路の簡略化がよ
り図れる。
In these embodiments, a diode (switching diode 31 in FIGS. 3 and 4) is used as a switching means instead of an FET (switching FET 8 in FIGS. 1 and 2).
), the switching circuit can be further simplified.

第3図の実施例では、バッファFETIのゲートにスイ
ッチングダイオード31のカソードを接続し、アノード
を大容量のコンデンサ32で接地する。そして、そのア
ノードに、入力端子12より抵抗22を介してスイッチ
ング電圧を印加する。
In the embodiment shown in FIG. 3, the cathode of a switching diode 31 is connected to the gate of the buffer FETI, and the anode is grounded by a capacitor 32 of large capacity. Then, a switching voltage is applied to the anode from the input terminal 12 via the resistor 22.

UHF信号を受信する時は、入力端子12にLowレベ
ルのスイッチング電圧を印加し、スイッチングダイオー
ド31を0FFL、VHF信号を受信する時は、入力端
子12にHighレベルのスイッチング電圧を印加し、
スイッチングダイオード31をONにする。
When receiving a UHF signal, a low-level switching voltage is applied to the input terminal 12 and the switching diode 31 is set to 0FFL, and when receiving a VHF signal, a high-level switching voltage is applied to the input terminal 12.
Turn on the switching diode 31.

一方、第4図の実施例では、バッファFETIのゲート
にスイッチングダイオード31のアノードを接続し、カ
ソードを大容量のコンデンサ32で接地する。そして、
そのカソードに、入力端子12より抵抗22を介してス
イッチング電圧を印加する。UHF信号を受信する時は
、入力端子12にHighレヘルのスイッチング電圧を
印加し、スイッチングダイオード31を0FFL、VH
F信号を受信する時は、入力端子12にLoivレベル
のスイッチング電圧を印加し、スイッチングダイオード
31をONする。
On the other hand, in the embodiment shown in FIG. 4, the anode of a switching diode 31 is connected to the gate of the buffer FETI, and the cathode is grounded by a capacitor 32 of large capacity. and,
A switching voltage is applied to the cathode from the input terminal 12 via the resistor 22. When receiving a UHF signal, apply a high level switching voltage to the input terminal 12, and set the switching diode 31 to 0FFL, VH.
When receiving the F signal, a Loiv level switching voltage is applied to the input terminal 12 and the switching diode 31 is turned on.

これら実施例のその他の動作は、第1図の実施例と同一
であり、従って、これら実施例においても、第1図の実
施例と同様の特性、効果が得られることは明らかである
The other operations of these embodiments are the same as those of the embodiment shown in FIG. 1, and it is therefore clear that similar characteristics and effects to those of the embodiment shown in FIG. 1 can be obtained in these embodiments as well.

第5図は本発明の第5の実施例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

本実施例では、第5図に示す様に、FET4゜5.6.
7でダブルバランス形ミクサを構成し、FET4,5の
ソース同志を接続し、その接続したソースにバッファF
ETI及び36のドレインを接続し、また、FET6,
7のソース同志を接続し、その接続したソースにバッフ
ァFET2のドレインを接続し、バッファFETI、3
6.2のソースには、FF、T9から成る定電流源を接
続している。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, FET4°5.6.
7 constitutes a double-balanced mixer, the sources of FETs 4 and 5 are connected together, and the buffer F is connected to the connected source.
Connect the drains of ETI and 36, and also connect the drains of FET6,
7 are connected together, and the drain of buffer FET2 is connected to the connected sources, and buffer FET1, 3 is connected.
A constant current source consisting of an FF and T9 is connected to the source of 6.2.

また、バッファFETIのゲートには、ゲート接地形の
FET3のドレインを接続し、そのドレインには、抵抗
43.34の抵抗分割により入力端子41からのバイア
ス電圧が印加されている。
Further, the gate of the buffer FETI is connected to the drain of the FET3 whose gate is grounded, and a bias voltage from the input terminal 41 is applied to the drain by resistance division of the resistors 43 and 34.

また、バッファFET3’6のゲートには、抵抗44.
35の抵抗分割により入力端子42からのバイアス電圧
が印加されている。更にまた、バッファFET2のゲー
トには、抵抗37.38の抵抗分割により入力端子37
からのバイアス電圧が印加されており、しかも、そのゲ
ートは大容量のコンデンサ40で接地されている(尚、
この接地は、バッファFET2のゲートに不要な高周波
成分が誘起されるのを防ぐためのものであり、場合によ
っては接地しなくても、実用上皮しつかえない。)。
Further, a resistor 44. is connected to the gate of the buffer FET3'6.
A bias voltage from an input terminal 42 is applied by resistor division of 35. Furthermore, the input terminal 37 is connected to the gate of the buffer FET2 by resistance division of the resistors 37 and 38.
, and its gate is grounded through a large capacitor 40 (in addition,
This grounding is to prevent unnecessary high frequency components from being induced in the gate of the buffer FET 2, and in some cases, it may not be necessary to ground for practical use. ).

尚、ここで、バッファFETI、2.36の各ゲート幅
はそれぞれ等しいものとし、また、それぞれのゲートに
印加されているバイアス電圧も等しいものとする。
Here, it is assumed that the gate widths of the buffers FETI and 2.36 are the same, and the bias voltages applied to the respective gates are also the same.

では、本実施例の動作について説明する。Now, the operation of this embodiment will be explained.

先ず、UHF信号を受信する時は、UHF信号が入力端
子10より可変同調フィルタ18を介してFET3のソ
ースに入力されると共に、入力端子41に入力されるバ
イアス電圧をH4ghレベルにして、バッファFETI
をONL、入力端子42に入力されるバイアス電圧をL
owレベルにして、バッファFET36をOFFする。
First, when receiving a UHF signal, the UHF signal is input from the input terminal 10 to the source of the FET 3 via the variable tuning filter 18, and the bias voltage input to the input terminal 41 is set to H4gh level, and the buffer FETI
is ONL, and the bias voltage input to the input terminal 42 is L.
OW level and turns off the buffer FET36.

一方、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端
子11より可変同調フィルタ19を介してバッファFE
T36のゲートに人力されると共に、入力端子41に入
力されるバイアス電圧をLowレベルにして、バッファ
F、ET1を0FFL、入力端子42に入力されるバイ
アス電圧をHighレベルにして、バッファFET36
をONする。
On the other hand, when receiving a VHF signal, the VHF signal is sent from the input terminal 11 to the buffer FE via the variable tuning filter 19.
The bias voltage input to the gate of T36 and the input terminal 41 is set to Low level, the buffer F and ET1 are set to 0FFL, and the bias voltage input to the input terminal 42 is set to High level.
Turn on.

以上の様な動作によって、本実施例においても、信号の
不平衡−平衡変換が行われるが、その動作原理は、第1
図の実施例にて述べたのと同一である。
Through the operations described above, unbalanced-balanced signal conversion is performed in this embodiment as well, but the operating principle is the first
This is the same as described in the embodiment shown in the figure.

本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHFミクサ回
路(ハイパーバンドミクサ回路を含む)との一体化が図
れるので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さくな
ると共に、受信する周波数帯域によってミクサ動作を選
択するためのスイッチング回路を簡略化することができ
、スイッチング動作を行っても、ミクサ回路の直流バイ
アスが変化しない。
According to this embodiment, since the UHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) can be integrated, the circuit scale can be reduced, power consumption can be reduced, and the mixer operates depending on the receiving frequency band. The switching circuit for selecting can be simplified, and the DC bias of the mixer circuit does not change even if the switching operation is performed.

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合に
、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上昇
により特性が不安定になるということもなく、従って、
IC化に適した構成と言える。
In addition, since the circuit scale can be reduced, when integrated into an IC, the amount of heat generated does not increase and the characteristics do not become unstable due to a rise in chip temperature, which is the case with conventional methods.
This can be said to be a configuration suitable for IC implementation.

さらにまた、本実施例によれば、UHF信号の入力部分
がFET3のソース入力となっているので、このFET
3の前段に挿入される可変同調フィルタ18との整合状
態は良好となり、従って、この可変同調フィルタ18の
不要波抑圧度は大幅に向上する。
Furthermore, according to this embodiment, since the input portion of the UHF signal is the source input of FET3, this FET
The matching state with the variable tuning filter 18 inserted before the filter 3 becomes good, and therefore the degree of unnecessary wave suppression of this variable tuning filter 18 is greatly improved.

第6図は、本発明の第6の実施例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

本実施例啼、第6図に示す様に、第5図の実施例の変形
であり、ダブルバランス形ミクサを構成するFET4,
5,6.7と、バッファFETI。
As shown in FIG. 6, this embodiment is a modification of the embodiment shown in FIG.
5, 6.7 and buffer FETI.

2.36.45と、ゲート接地形のFET、3とから主
として成る。その他、第6図において、46゜47.4
B、49,60,61,62.63はそれぞれ抵抗であ
る。
2.36.45 and FET 3 with a gate ground plane. In addition, in Figure 6, 46°47.4
B, 49, 60, 61, 62.63 are resistances, respectively.

本実施例では、先ず、UH,F信号を受信する時は、U
HF信号が入力端子10より可変同調フィルタ18を介
してFET3のソースに入力されると共に、入力端子4
1に入力されるバイアス電圧をHighレベルにして、
バッファFET1.45をONL、、入力端子42に入
力されるバイアス電圧をLowレベルにして、バッファ
FET2,36をOFFし、また、入力端子12に入力
されるスイッチング電圧をLowレベルにして、スイッ
チングFET8をOFFする。
In this embodiment, first, when receiving UH and F signals,
The HF signal is input from the input terminal 10 to the source of the FET 3 via the variable tuning filter 18, and at the same time, the HF signal is input from the input terminal 4 to the source of the FET 3.
Set the bias voltage input to 1 to High level,
Buffer FET 1.45 is set to ONL, the bias voltage input to input terminal 42 is set to Low level, buffer FETs 2 and 36 are turned off, and the switching voltage input to input terminal 12 is set to Low level, switching FET 8 is set to ONL. Turn off.

一方、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端
子11より可変同調フィルタ19を介してバッファFE
T2のゲートに入力されると共に、入力端子41に入力
されるバイアス電圧をLowレベルにして、バッファF
ETI、45を0FFL、入力端子42に入力されるバ
イアス電圧をHighレベルにして、バッファFET2
,36をONL、また、入力端子12に入力されるスイ
ッチング電圧をHighレベルにして、スイッチングF
ET8をON(オン)し、バッファFET36のゲート
を大容量のコンデンサ23で接地する。
On the other hand, when receiving a VHF signal, the VHF signal is sent from the input terminal 11 to the buffer FE via the variable tuning filter 19.
The bias voltage input to the gate of T2 and the input terminal 41 is set to Low level, and the buffer F
ETI, 45 is set to 0FFL, the bias voltage input to the input terminal 42 is set to High level, and the buffer FET2 is set to 0FFL.
, 36 are ONL, and the switching voltage input to the input terminal 12 is set to High level, so that the switching F
ET8 is turned ON, and the gate of the buffer FET 36 is grounded with a large capacity capacitor 23.

以上の様な動作によって、本実施例においても、信号の
不平衡−平衡変換が行われる。
By the above-described operation, unbalanced-balanced signal conversion is performed also in this embodiment.

また、抵抗60,61.62.63は、ミクサ回路にお
ける歪発生を防止するための抵抗である。
Further, resistors 60, 61, 62, and 63 are resistors for preventing distortion from occurring in the mixer circuit.

即ち、抵抗60と61は同じ抵抗値とし、抵抗62と6
3は同じ抵抗値に設定する。そしてUHF信号に対する
歪発生が、VHF信号に対するそれよりも大きいときは
、抵抗60.61の抵抗値を抵抗62.63の抵抗値よ
りも大きく選び、歪発生の状態がVHF信号の方が大き
ければ、抵抗60.61の抵抗値を抵抗62.63の抵
抗値より小さく選ぶものとする。このようにすると、受
信する周波数帯域に応じて良好な歪特性が得られ、しか
も、受信する周波数帯域を変えるためにスイッチング動
作を行ってもミクサ回路の直流バイアスが変化しない良
好なタプルバランス形のミクサ回路が得られる。
That is, resistors 60 and 61 have the same resistance value, and resistors 62 and 6
3 is set to the same resistance value. When the distortion generated for the UHF signal is larger than that for the VHF signal, the resistance value of the resistor 60.61 is selected to be larger than the resistance value of the resistor 62.63. , the resistance value of resistor 60.61 is selected to be smaller than the resistance value of resistor 62.63. In this way, good distortion characteristics can be obtained depending on the frequency band to be received, and the DC bias of the mixer circuit will not change even if a switching operation is performed to change the frequency band to be received. A mixer circuit is obtained.

尚、本実施例における特性、効果は第5図の実施例と同
様のものが得られることは明らかである。
It is clear that the characteristics and effects of this embodiment are similar to those of the embodiment of FIG. 5.

第7図は本発明の第7の実施例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

本実施例は、第7図に示す様に、バッファFET1のゲ
ートに、ゲート接地形のFET3のドレインと、ソース
接地形のF E、T 50のドレインとを直結した構成
となっており、そして、更にバッファF、ET2のゲー
トが大容量のコンデンサ40で高周波的に接地されてい
る。その他、第7図において、51,52.53はそれ
ぞれ抵抗である。
In this embodiment, as shown in FIG. 7, the gate of the buffer FET 1 is directly connected to the drain of FET 3, which is a grounded gate plane, and the drains of FET and T 50, which are grounded source planes. Furthermore, the gates of the buffers F and ET2 are grounded at high frequency with a large capacity capacitor 40. Additionally, in FIG. 7, 51, 52, and 53 are resistors, respectively.

本実施例において、UHF信号を受信する時は、UHF
信号が入力端子10より可変同調フィルタ18を介して
FET3のソースに入力されると共に、入力端子41に
入力される電圧をopen (オープン)もしくはFE
T3がONする電圧にし、また、入力端子42に入力さ
れるバイアス電圧をLowレベルにして、FET50を
OFFする。
In this embodiment, when receiving a UHF signal,
A signal is input from the input terminal 10 to the source of the FET 3 via the variable tuning filter 18, and the voltage input to the input terminal 41 is set to open or FE.
The voltage is set to turn on T3, and the bias voltage input to the input terminal 42 is set to low level, and the FET 50 is turned off.

また、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端
子11より可変同調フィルタ19を介してFET50の
ゲートに入力されると共に、入力端子41.42に入力
される電圧により、FET3を0FFL、FET50を
ONする。
When receiving a VHF signal, the VHF signal is input from the input terminal 11 to the gate of the FET 50 via the variable tuning filter 19, and the voltage input to the input terminals 41 and 42 causes the FET 3 to be set to 0FFL and the FET 50 Turn on.

ここで、FET3及びFET50のドレイン電流は同一
に設定して、スイッチング動作を行ってもバッファFE
T1のゲート電圧が変化しないようにしておく。
Here, even if the drain currents of FET3 and FET50 are set to be the same and the switching operation is performed, the buffer FE
Make sure that the gate voltage of T1 does not change.

以上により、本実施例によれば、UHFミクサ回路とV
HFミクサ回′路(ハイパーバンドミクサ回路を含む)
との一体化が図れるので、回路規模を小さくでき、消費
電力も小さくなると共に、受信する周波数帯域によって
ミクサ動作を選択するためのスイッチング回路を簡略化
することができ、スイッチング動作を行っても、ミクサ
回路の直流バイアスが変化しない。また、回路規模を小
さくできるので、IC化に適した構成と言える。
As described above, according to this embodiment, the UHF mixer circuit and the V
HF mixer circuit (including hyperband mixer circuit)
Since it can be integrated with the mixer, the circuit size can be reduced, power consumption can be reduced, and the switching circuit for selecting mixer operation depending on the frequency band to be received can be simplified. The DC bias of the mixer circuit does not change. Furthermore, since the circuit scale can be reduced, it can be said that the configuration is suitable for IC implementation.

また、本実施例によれば、UHF信号の入力部分がFE
T3のソース入力となっているので、このFET3の前
段に挿入される可変同調フィルタ18との整合状態は良
好となり、従って、この可変同調フィルタ18の不要波
抑圧度は大幅に向上する。
Further, according to this embodiment, the input portion of the UHF signal is
Since it is the source input of T3, the matching state with the variable tuning filter 18 inserted in the previous stage of this FET 3 is good, and therefore, the unnecessary wave suppression degree of this variable tuning filter 18 is greatly improved.

第8図は本°発明の第8の実施例を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of the present invention.

本実施例では、第8図に示す様に、FET4゜5.6.
7でダブルバランス形ミクサを構成し、このダブルバラ
ンス形ミクサにバッファFETI。
In this embodiment, as shown in FIG. 8, FET 4°5.6.
7 constitutes a double-balanced mixer, and this double-balanced mixer is equipped with a buffer FETI.

2を接続した構成となっている。その他、第8図におい
て、54,55,56.57はそれぞれ抵抗である。
It has a configuration in which 2 are connected. Additionally, in FIG. 8, 54, 55, 56, and 57 are resistors, respectively.

本実施例では、UHF信号を受信するiは、UHF信号
が入力端子10より可変同調フィルタ18を介してバッ
ファFETIのソースに入力されると共に、入力端子4
1.42に入力される電圧により、バッファFET1を
ONL、バッファFET2をOFFする。これにより、
ダブルバランス形ミクサを構成するFETのうち、FE
T’4゜5を用いたシングルバランス形のミクサ動作が
行われる。
In this embodiment, i receiving the UHF signal is inputted from the input terminal 10 to the source of the buffer FETI via the variable tuning filter 18, and at the input terminal 4.
The voltage input to 1.42 turns the buffer FET1 ON and the buffer FET2 OFF. This results in
Among the FETs that make up the double-balanced mixer, FE
A single balanced mixer operation using T'4°5 is performed.

また、VHF信号を受信する時は、VHFHF信号 炉1力端子11より可変同調フィルタ19を介してバッ
ファFET2のゲートに入力されるを共に、入力端子4
1.42に入力される電圧により、バッファFETIを
0FFL、バッファFET2をONする。これにより、
ダブルバランス形ミクサを構成するF’ETのうち、F
ET6.7を用いたシングルバランス形のミクサ動作が
行われる。
In addition, when receiving a VHF signal, the VHF signal input from the input terminal 11 of the VHF signal generator 1 to the gate of the buffer FET 2 via the variable tuning filter 19 is also input to the input terminal 4.
1.42, the buffer FETI is set to 0FFL and the buffer FET2 is turned on. This results in
Of the F'ETs that make up the double-balanced mixer, F
A single balanced mixer operation using ET6.7 is performed.

本実施例によれば、UHFミクサ回路とVHFミクサ回
路(ハイパーバンドミクサ回路を含む)との一体化が図
れるので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さくな
ると共に、受信する周波数帯域によってミクサ動作を選
択するためのスイッチング回路を簡略化することができ
る。
According to this embodiment, since the UHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) can be integrated, the circuit scale can be reduced, power consumption can be reduced, and the mixer operates depending on the receiving frequency band. The switching circuit for selecting can be simplified.

また、本実施例によれば、UHF信号の入力部分がバッ
ファFETIのソース入力となっているので、このバッ
ファFETIの前段に挿入される可変同調フィルタ18
との整合状態は良好となり、従って、この可変同調フィ
ルタ18の不要波抑圧度は大幅に向上する。
Further, according to this embodiment, since the input portion of the UHF signal is the source input of the buffer FETI, the variable tuning filter 18 inserted before the buffer FETI
Therefore, the degree of unnecessary wave suppression of this variable tuning filter 18 is greatly improved.

第9図は本発明の第9の実施例を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a ninth embodiment of the present invention.

本実施例は、FET4,5でシングルバランス形ミクサ
を構成し、このシングルバランス形ミクサにバッファF
ET1を接続した構成となっている。その他、58は抵
抗、59.70はそれぞれスイッチである。
In this embodiment, a single-balanced mixer is configured with FETs 4 and 5, and a buffer FET is added to the single-balanced mixer.
It has a configuration in which ET1 is connected. In addition, 58 is a resistor, and 59.70 are switches.

本実施例では、UHF信号を受信する時は、UHF信号
が入力端子10より可変同調フィルタ18を介してバッ
ファFETIのソースに入力されると共に、スイッチ5
9をOFF (開放)し、スイッチ70をON(短絡)
する。
In this embodiment, when receiving a UHF signal, the UHF signal is input from the input terminal 10 through the variable tuning filter 18 to the source of the buffer FETI, and the switch 5
Turn off (open) switch 9 and turn on switch 70 (short circuit)
do.

また、VHF信号を受信する時は、VHF信号が入力端
子11より可変同調フィルタ19を介してバッファFE
TIのゲートに入力されると共に、スイッチ59をON
(短絡)し、スイッチ70をOFF (開放)する。
When receiving a VHF signal, the VHF signal is sent from the input terminal 11 to the buffer FE via the variable tuning filter 19.
It is input to the gate of TI, and the switch 59 is turned on.
(short circuit) and turn off the switch 70 (open).

本実施例によれば、tJHFミクサ回路とVHFミクサ
回路(ハイパーバンドミクサ回路を含む)との一体化が
図れるので、回路規模を小さくでき、消費電力も小さく
なると共に、IC化に適したミフサ回路が得られる。
According to this embodiment, since the tJHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) can be integrated, the circuit scale can be reduced, power consumption can be reduced, and the mixer circuit is suitable for IC implementation. is obtained.

また、UHF信号の入力部分がバッファFET1のソー
ス入力となっているので、このFETIの前段に挿入さ
れる可変同調フィルタ18との整合状態は良好となり、
従って、この可変同調フィルタ18の不要波抑圧度は大
幅に向上する。
In addition, since the input part of the UHF signal is the source input of the buffer FET 1, the matching state with the variable tuning filter 18 inserted before this FETI is good.
Therefore, the degree of unnecessary wave suppression of this variable tuning filter 18 is greatly improved.

〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、UHFミクサ回路
とVHFミクサ回路(ハイパーバンドミクサ回路を含む
)との一体化が図れることになるので、回路規模を小さ
くでき、消費電力も小さくなり、しかも、受信する周波
数帯域によってミクサ動作を選択するためのスイッチン
グ回路を簡略化することができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the UHF mixer circuit and the VHF mixer circuit (including the hyperband mixer circuit) can be integrated, so the circuit scale can be reduced and the consumption can be reduced. Power is also reduced, and the switching circuit for selecting mixer operation depending on the receiving frequency band can be simplified.

また、回路規模を小さくできるので、IC化した場合に
、従来の様に、発熱量が大きくなり、チップ温度の上昇
により特性が不安定になるということもなく、従って、
IC化に適する。
In addition, since the circuit scale can be reduced, when integrated into an IC, the amount of heat generated does not increase and the characteristics do not become unstable due to a rise in chip temperature, which is the case with conventional methods.
Suitable for IC implementation.

さらにまた、UHF信号の入力部分はFETのソース入
力となっており、このFETのソースから見た入力イン
ピーダンスは低くなっているので、該FETの前段に挿
入される不要波抑圧フィルタとの整合状態は良好となり
、従って、この不要波抑圧フィルタの不要波抑圧度は大
幅に向上する。
Furthermore, the input part of the UHF signal is the source input of the FET, and the input impedance seen from the source of this FET is low, so it is in a matching state with the unnecessary wave suppression filter inserted before the FET. becomes good, and therefore, the degree of unnecessary wave suppression of this unnecessary wave suppression filter is greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例を示す回路図、第2図は
本発明の第2の実施例を示す回路図、第3図は本発明の
第3の実施例を示す回路図、第4図は本発明の第4の実
施例を示す回路図、第5図は本発明の第5の実施例を示
す回路図、第6図は本発明の第6の実施例を示す回路図
、第7図は本発明の第7の実施例を示す回路図、第8図
は本発明の第8の実施例を示す回路図、第9図は本発明
の第9の実施例を示す回路図、である。 符号の説明 1.2・・・バッファFET、3〜7,9・・・FET
。 8・・・スイッチングFET、18.19・・・可変同
調フィルタ、31・・・スイッチングダイオード。 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 第7図 第9図
Fig. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the invention, Fig. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention, and Fig. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the invention. , FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the invention, FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the invention, and FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the invention. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the invention, FIG. 8 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of the invention, and FIG. 9 is a circuit diagram showing a ninth embodiment of the invention. This is a circuit diagram. Explanation of symbols 1.2... Buffer FET, 3 to 7, 9... FET
. 8... Switching FET, 18.19... Variable tuning filter, 31... Switching diode. Agent Patent Attorney Akio NamikiFigure 7Figure 9

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、高い周波数帯域を持つ第1のバンドと低い周波数帯
域を持つ第2のバンドとから成る広帯域信号を受信する
受信機用のミクサ回路であって、ダブルバランス形ミク
サとバッファFETと定電流源とから成る前記ミクサ回
路において、 前記バッファFETを構成する第1のFET(1)と第
2のFET(2)のうち、第1のFET(1)のゲート
に、ゲート接地、ソース入力、ドレイン出力形の第3の
FET(3)のドレインを接続し、前記第1のバンドを
前記第3のFET(3)のソースに入力し、前記第2の
バンドを前記第2のFET(2)のゲートに入力するこ
とを特徴とするミクサ回路。 2、請求項1に記載のミクサ回路において、前記ダブル
バランス形ミクサは、第4乃至第7のFET(4〜7)
より構成され、前記第4のFET(4)と第5のFET
(5)のソース同志を接続して第1の端子とし、前記第
6のFET(6)と第7のFET(7)のソース同志を
接続して第2の端子とし、前記第1の端子に前記第1の
FET(1)のドレインを接続し、前記第2の端子に前
記第2のFET(2)のドレインを接続し、前記第1の
FET(1)と第2のFET(2)のソース同志を接続
して第3の端子とし、該第3の端子に前記定電流源を接
続し、前記第3のFET(3)のドレインにスイッチン
グ手段を接続すると共に、該第3のFET(3)のドレ
インに電源より第1の抵抗(21)でバイアス電圧を供
給し、前記第1のFET(1)のゲートと第2のFET
(2)のゲートは相対的に高い抵抗値を有する第2の抵
抗(20)で接続して同一の直流バイアスを与え、前記
第1のバンドは前記第3のFET(3)のソースに、第
1の可変同調フィルタ(18)を介して後に入力され、
前記第2のバンドは前記第2のFET(2)のゲートに
、第2の可変同調フィルタ(19)を介して後に入力さ
れることを特徴とするミクサ回路。 3、請求項2に記載のミクサ回路において、前記スイッ
チング手段は、そのドレインを前記第3のFET(3)
のドレインに接続した第8のFET(8)から成り、該
第8のFET(8)のソースを相対的に大きな容量を有
するコンデンサ(23)で接地すると共に、該第8のF
ET(8)のゲートには相対的に高い抵抗値を有する第
3の抵抗(22)を介してスイッチング電圧を印加する
ようにしたことを特徴とするミクサ回路。 4、請求項3に記載のミクサ回路において、前記コンデ
ンサ(23)で接地されている前記第8のFET(8)
のソースを、相対的に高い抵抗値を有する第4の抵抗(
29)で該第8のFET(8)のドレインに接続したこ
とを特徴とするミクサ回路。 5、請求項2に記載のミクサ回路において、前記スイッ
チング手段は、そのカソードを前記第3のFET(3)
のドレインに接続したダイオード(31)から成り、該
ダイオード(31)のアノードを相対的に大きな容量を
有するコンデンサ(32)で接地すると共に、該アノー
ドにスイッチング電圧を印加するようにしたことを特徴
とするミクサ回路。 6、請求項2に記載のミクサ回路において、前記スイッ
チング手段は、そのアノードを前記第3のFET(3)
のドレインに接続したダイオード(31)から成り、該
ダイオード(31)のカソードを相対的に大きな容量を
有するコンデンサ(32)で接地すると共に、該カソー
ドにスイッチング電圧を印加するようにしたことを特徴
とするミクサ回路。 7、請求項1に記載のミクサ回路において、前記ダブル
バランス形ミクサは、第4乃至第7のFET(4〜7)
より構成され、前記第4のFET(4)と第5のFET
(5)のソース同志を接続して第1の端子とし、前記第
6のFET(6)と第7のFET(7)のソース同志を
接続して第2の端子とし、前記第1の端子に前記第1の
FET(1)のドレインと前記第2のFET(36)の
ドレインとを接続し、前記第2の端子に第8のFET(
2)のドレインを接続し、前記第1のFET(1)と第
2のFET(36)と第8のバッファFET(2)のソ
ース同志を接続して第3の端子とし、該第3の端子に前
記定電流源を接続し、前記第8のFET(2)のゲート
を高周波的に接地し、前記第1、第2及び第8のFET
(1、36、2)の各ゲート幅を等しくすると共に、前
記第1のFET(1)のゲートには抵抗分割により第1
の電圧を供給し、前記第2のFET(36)のゲートに
は抵抗分割により第2の電圧を供給して、前記第1及び
第2の電圧を変化させることにより、前記第1のバンド
を受信する時は、前記第1のFET(1)をオン、第2
のFET(36)をオフさせ、前記第2のバンドを受信
する時は、前記第1のFET(1)をオフ、第2のFE
T(36)をオンさせるようにしたことを特徴とするミ
クサ回路。 8、請求項1に記載のミクサ回路において、前記ダブル
バランス形ミクサは、第4乃至第7のFET(4〜7)
より構成され、前記第4のFET(4)と第5のFET
(5)のソース同志を接続して第1の端子とし、前記第
6のFET(6)と第7のFET(7)のソース同志を
接続して第2の端子とし、前記第1の端子に前記第1の
FET(1)のドレインを接続し、前記第2の端子に第
8のFET(2)のドレインを接続し、前記第1のFE
T(1)と第8のFET(2)のソース同志を接続して
第3の端子とし、該第3の端子に前記定電流源を接続し
、前記第8のFET(2)のゲートを高周波的に接地し
、前記第1のFET(1)のゲートに前記第2のFET
(50)のドレインを接続し、該第2のFET(50)
のソースを第1の抵抗(51)を介して接地し、前記第
3のFET(3)のドレインに電源より第2の抵抗(5
3)でバイアス電圧を供給し、前記第1のFET(1)
のゲートより前記第8のFET(2)のゲートに、相対
的に高い抵抗値を有する第3の抵抗(20)を介してバ
イアス電圧を供給し、前記第1のバンドは前記第3のF
ET(3)のソースに、第1の可変同調フィルタ(18
)を介して後に入力され、前記第2のバンドは前記第2
のFET(50)のゲートに、第2の可変同調フィルタ
(19)を介して後に入力され、前記第3のFET(3
)のドレイン電流と前記第2のFET(50)のドレイ
ン電流とを等しくし、前記第3のFET(3)のソース
には第1の電圧を供給し、前記第2のFET(50)の
ゲートには第2の電圧を供給して、前記第1及び第2の
電圧を変化させることにより、前記第1のバンドを受信
する時は、前記第3のFET(3)をオン、第2のFE
T(50)をオフさせ、前記第2のバンドを受信する時
は、前記第3のFET(3)をオフ、第2のFET(5
0)をオンさせるようにしたことを特徴とするミクサ回
路。 9、高い周波数帯域を持つ第1のバンドと低い周波数帯
域を持つ第2のバンドとから成る広帯域信号を受信する
受信機用のミクサ回路において、 第1乃至第4のFET(4〜7)によりダブルバランス
形ミクサを構成し、前記第1のFET(4)と第2のF
ET(5)のソース同志を接続して第1の端子とし、前
記第3のFET(6)と第4のFET(7)のソース同
志を接続して第2の端子とし、前記第1の端子にバッフ
ァFETとしての第5のFET(1)のドレインを接続
し、前記第2の端子にバッファFETとしての第6のF
ET(2)のドレインを接続し、前記第5のFET(1
)のソースを第1の抵抗(55)を介して接地し、前記
第6のFET(2)のソースを第2の抵抗(56)を介
して接地し、前記第1のバンドを受信する時は、該第1
のバンドを第1の可変同調フィルタ(18)を介して前
記第5のFET(1)のソースに入力し、該第5のFE
T(1)をオン、前記第6のFET(2)をオフさせ、
前記第2のバンドを受信する時は、該第2のバンドを第
2の可変同調フィルタ(19)を介して前記第6のFE
T(2)のゲートに入力し、前記第5のFET(1)を
オフ、前記第6のFET(2)をオンさせるようにした
ことを特徴とするミクサ回路。 10、高い周波数帯域を持つ第1のバンドと低い周波数
帯域を持つ第2のバンドとから成る広帯域信号を受信す
る受信機用のミクサ回路において、 第1のFET(4)と第2のFET(5)とによりシン
グルバランス形ミクサを構成し、前記第1のFET(4
)と第2のFET(5)のソース同志を接続して第1の
端子とし、該第1の端子に第3のFET(1)のドレイ
ンを接続し、該第3のFET(1)のソースを抵抗(5
8)を介して接地し、前記第1のバンドを第1の可変同
調フィルタ(18)を介して前記第3のFET(1)の
ソースに入力し、前記第2のバンドを第2の可変同調フ
ィルタ(19)を介して前記第3のFET(1)のゲー
トに入力するようにしたことを特徴とするミクサ回路。
[Claims] 1. A mixer circuit for a receiver that receives a wideband signal consisting of a first band having a high frequency band and a second band having a low frequency band, the mixer circuit comprising a double-balanced mixer and a second band having a low frequency band. In the mixer circuit consisting of a buffer FET and a constant current source, a gate is connected to the gate of the first FET (1) of the first FET (1) and the second FET (2) constituting the buffer FET. The drain of a third FET (3) of ground, source input, drain output type is connected, the first band is input to the source of the third FET (3), and the second band is input to the source of the third FET (3). A mixer circuit characterized in that the input is input to the gate of FET (2). 2. In the mixer circuit according to claim 1, the double-balanced mixer includes fourth to seventh FETs (4 to 7).
The fourth FET (4) and the fifth FET
The sources of (5) are connected together to form a first terminal, the sources of the sixth FET (6) and seventh FET (7) are connected to form a second terminal, and the first terminal is The drain of the first FET (1) is connected to the second terminal, the drain of the second FET (2) is connected to the second terminal, and the first FET (1) and the second FET (2 ) are connected to form a third terminal, the constant current source is connected to the third terminal, a switching means is connected to the drain of the third FET (3), and the third terminal is connected to the third terminal. A bias voltage is supplied from the power supply to the drain of the FET (3) through the first resistor (21), and the gate of the first FET (1) and the second FET are connected to each other.
The gate of (2) is connected with a second resistor (20) having a relatively high resistance value to give the same DC bias, and the first band is connected to the source of the third FET (3). later inputted via a first variable tuned filter (18);
A mixer circuit characterized in that the second band is later input to the gate of the second FET (2) via a second variable tuning filter (19). 3. The mixer circuit according to claim 2, wherein the switching means has a drain connected to the third FET (3).
The source of the eighth FET (8) is grounded by a capacitor (23) having a relatively large capacity, and the source of the eighth FET (8) is connected to the drain of the eighth FET (8).
A mixer circuit characterized in that a switching voltage is applied to the gate of the ET (8) via a third resistor (22) having a relatively high resistance value. 4. The mixer circuit according to claim 3, wherein the eighth FET (8) is grounded by the capacitor (23).
The source of is connected to a fourth resistor (
29) is connected to the drain of the eighth FET (8). 5. The mixer circuit according to claim 2, wherein the switching means has a cathode connected to the third FET (3).
The anode of the diode (31) is grounded with a capacitor (32) having a relatively large capacity, and a switching voltage is applied to the anode. mixer circuit. 6. The mixer circuit according to claim 2, wherein the switching means connects its anode to the third FET (3).
It consists of a diode (31) connected to the drain of the diode (31), the cathode of the diode (31) is grounded by a capacitor (32) having a relatively large capacity, and a switching voltage is applied to the cathode. mixer circuit. 7. In the mixer circuit according to claim 1, the double-balanced mixer includes fourth to seventh FETs (4 to 7).
The fourth FET (4) and the fifth FET
The sources of (5) are connected together to form a first terminal, the sources of the sixth FET (6) and seventh FET (7) are connected to form a second terminal, and the first terminal is The drain of the first FET (1) and the drain of the second FET (36) are connected to the second terminal, and the eighth FET (36) is connected to the second terminal.
2), and connect the sources of the first FET (1), the second FET (36), and the eighth buffer FET (2) to form a third terminal. The constant current source is connected to the terminal, the gate of the eighth FET (2) is grounded at high frequency, and the first, second and eighth FETs
(1, 36, 2) are made equal in width, and the gate of the first FET (1) is connected to the first FET by resistor division.
The first band is changed by supplying a voltage of When receiving, turn on the first FET (1) and turn on the second FET (1).
FET (36) is turned off and when receiving the second band, the first FET (1) is turned off and the second FET (36) is turned off.
A mixer circuit characterized in that T(36) is turned on. 8. In the mixer circuit according to claim 1, the double-balanced mixer includes fourth to seventh FETs (4 to 7).
The fourth FET (4) and the fifth FET
The sources of (5) are connected together to form a first terminal, the sources of the sixth FET (6) and seventh FET (7) are connected to form a second terminal, and the first terminal is The drain of the first FET (1) is connected to the second terminal, and the drain of the eighth FET (2) is connected to the second terminal.
The sources of T(1) and the eighth FET (2) are connected to form a third terminal, the constant current source is connected to the third terminal, and the gate of the eighth FET (2) is connected to the third terminal. The second FET (1) is connected to the gate of the first FET (1) and grounded in terms of high frequency.
(50), and connect the drain of the second FET (50).
The source of the FET is grounded through the first resistor (51), and the drain of the third FET (3) is connected to the second resistor (5
3) supplies a bias voltage to the first FET (1).
A bias voltage is supplied from the gate of the eighth FET (2) to the gate of the eighth FET (2) through a third resistor (20) having a relatively high resistance value, and the first band is connected to the third FET (2).
A first variable tuning filter (18
), and the second band is input later through the second band
is later input to the gate of the FET (50) via the second variable tuning filter (19), and the gate of the third FET (3
) and the drain current of the second FET (50) are made equal, the first voltage is supplied to the source of the third FET (3), and the drain current of the second FET (50) is made equal to the drain current of the second FET (50). By supplying a second voltage to the gate and changing the first and second voltages, when receiving the first band, the third FET (3) is turned on and the second FET (3) is turned on. FE of
When T (50) is turned off and the second band is received, the third FET (3) is turned off and the second FET (50) is turned off and the second FET (50) is turned off.
0) is turned on. 9. In a mixer circuit for a receiver that receives a wideband signal consisting of a first band with a high frequency band and a second band with a low frequency band, the first to fourth FETs (4 to 7) A double-balanced mixer is configured, and the first FET (4) and the second FET (4)
The sources of the ET (5) are connected together to form a first terminal, the sources of the third FET (6) and the fourth FET (7) are connected to form a second terminal, and the sources of the third FET (6) and the fourth FET (7) are connected to form a second terminal. The drain of a fifth FET (1) as a buffer FET is connected to the terminal, and the sixth FET (1) as a buffer FET is connected to the second terminal.
The drain of ET (2) is connected, and the fifth FET (1
) is grounded via the first resistor (55), and the source of the sixth FET (2) is grounded via the second resistor (56), when receiving the first band. is the first
is input to the source of the fifth FET (1) via the first variable tuning filter (18), and the fifth FET
Turn on T(1) and turn off the sixth FET(2),
When receiving the second band, the second band is transmitted to the sixth FE through a second variable tuning filter (19).
A mixer circuit characterized in that an input signal is input to a gate of T(2) to turn off the fifth FET (1) and turn on the sixth FET (2). 10. In a mixer circuit for a receiver that receives a wideband signal consisting of a first band with a high frequency band and a second band with a low frequency band, the first FET (4) and the second FET ( 5) constitutes a single balanced mixer, and the first FET (4
) and the sources of the second FET (5) are connected to form the first terminal, the drain of the third FET (1) is connected to the first terminal, and the source of the third FET (1) is connected to the first terminal. Resist the source (5
8), the first band is input to the source of the third FET (1) via the first variable tuned filter (18), and the second band is input to the source of the third FET (1) via the first variable tuned filter (18). A mixer circuit characterized in that the input is input to the gate of the third FET (1) via a tuned filter (19).
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004179648A (en) * 2002-11-15 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor differential circuit, oscillation device, amplifying device, switching device, mixer, circuit device, and method for arranging the circuit
JP2007014036A (en) * 1997-11-14 2007-01-18 Zarlink Semiconductor Ltd Low voltage amplifier
US9553568B2 (en) 2015-02-13 2017-01-24 Mitsubishi Electric Corporation Frequency multiplier

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