JPS61214810A - Current mirror circuit - Google Patents

Current mirror circuit

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Publication number
JPS61214810A
JPS61214810A JP5653085A JP5653085A JPS61214810A JP S61214810 A JPS61214810 A JP S61214810A JP 5653085 A JP5653085 A JP 5653085A JP 5653085 A JP5653085 A JP 5653085A JP S61214810 A JPS61214810 A JP S61214810A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
collector
current
mirror circuit
current mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP5653085A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takahiro Kusano
草野 孝博
Hideyuki Hagino
萩野 秀幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5653085A priority Critical patent/JPS61214810A/en
Publication of JPS61214810A publication Critical patent/JPS61214810A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To shorten the rise time and the fall time of an output waveform to obtain a current mirror circuit superior in quick responsiveness by connecting a constant current source to the input terminal. CONSTITUTION:A constant current source I1 is connected to the collector of an input-side transistor TRQ11. The current of the constant current source I1 is so set that the TR Q11 is not cur off even if an input current IIN is zero. The variation of the collector potential of the TR Q11 is reduced by this setting. Consequently, the rise time and the fall time of the output waveform due to respective base area charging capacities and parasitic capacities of TRs Q11 and Q12 are shortened. Thus, the current mirror circuit superior is quick responsiveness is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明はカレントミラー回路に関する。[Detailed description of the invention] [Technical field of invention] The present invention relates to a current mirror circuit.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

第4図は「特公昭46−8008J(ウェスティング・
ハウス社〕に記載されているカレントミラー回路を示す
ものである。なお、以下の説明では、素子とその特性は
同じ符号で表わす。
Figure 4 shows “Special Public Service 1973-8008J (Westing)
This figure shows a current mirror circuit described in [House Corporation]. Note that in the following description, elements and their characteristics are represented by the same reference numerals.

この第4図のカレントミラー回路は、第1゜第2の2つ
のトランジスタQ!、Qsのエミッタを第1の基準電位
端(電圧V1)に接続し、第1のトランジスタQlのコ
レクタを第1.第2のトランジスタQユ、Q2のペース
に接続し、第1のトランジスタQsのコレクタに入力端
子INを設け、ここに入力電流”INを流し、第2のト
ランジスタQ8のコレクタに出力端子OUTを設け、こ
こに入力電施工、に対応し九出力電流I。。7を得るも
のである。
The current mirror circuit shown in FIG. 4 consists of two transistors, the first and second transistors Q! , Qs are connected to the first reference potential terminal (voltage V1), and the collector of the first transistor Ql is connected to the first reference potential terminal (voltage V1). A second transistor QU is connected to the pace of Q2, an input terminal IN is provided at the collector of the first transistor Qs, an input current "IN is passed therethrough, and an output terminal OUT is provided at the collector of the second transistor Q8. , here, corresponding to the input electric current, nine output currents I..7 are obtained.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

しかしながら、上記構成の場合、次のような問題があっ
た。
However, the above configuration has the following problems.

すなわち、今、トランジスタQ1に第5図(a)に示す
よりなノ9ルス状の入力電流IIN%つまり、トランジ
スタQlをオン、オフさせるような入力電流I□、を流
すとし、この場合のトランジスタQ1のコレクタ電位V
の変化を考える。まず、トランジスタQ1がオフの場合
、つまり、入力電流I4が0の場合のコレクタ電位V。
That is, now suppose that an input current IIN% of a loop shape as shown in FIG. Collector potential V of Q1
Consider changes in First, the collector potential V when the transistor Q1 is off, that is, when the input current I4 is 0.

、2は、=v1          ・・・ (1)と
なる。次に、トランジスタQ1がオンの場合、つまシ、
入力電流I工、が工0の場合のコレクタ電位V。、は、 となる。この様子も第5図(b)に示しである。ここで
、IllはトランジスタQ1のペース・エミッタ間逆方
向飽和電流である。また、7丁は、但し、q:電荷素置 に:ボルツマン定数 T:絶対温度 で与えられる。
, 2 becomes =v1... (1). Next, when transistor Q1 is on, the
Collector potential V when input current I is zero. , becomes . This situation is also shown in FIG. 5(b). Here, Ill is the pace-emitter reverse saturation current of the transistor Q1. In addition, 7 is given by q: charge element: Boltzmann's constant T: absolute temperature.

式(1) 、 (2)によシトランジスタQtのオン、
オフ時に、コレクタ電位Vが次式(4)で示されるΔV
cだけ変化することがわかる。
According to equations (1) and (2), transistor Qt is turned on,
When off, the collector potential V is ΔV expressed by the following formula (4)
It can be seen that only c changes.

しかし、実際のトランジスタ回路には、代表的なものを
挙げても、第4図に点線接続で示すようなペース領域、
充電容量Cb1eCb2と寄生容量C,が存在する。こ
のため、トランジスタQ1のオフからオンへの切シ換わ
シ時には、第6図に示すように、容量coの放電と、容
量ci、c2の充電が起こり、逆にオンからオフへの切
り換わり時には、第7図に示すように、容量C0の充電
と、容量C1yC!の放電が起こる。
However, in actual transistor circuits, typical examples include the pace region shown by the dotted line connections in Figure 4,
There are charging capacitances Cb1eCb2 and parasitic capacitances C. Therefore, when the transistor Q1 is switched from off to on, the capacitor co is discharged and the capacitors ci and c2 are charged, as shown in FIG. Sometimes, as shown in FIG. 7, the capacitance C0 is charged and the capacitance C1yC! A discharge occurs.

その結果、トランジスタQlのコレクタ電位Vは入力電
流!、の変化に即座には追随せず、その立ち上が少時間
to及び立ち下がり時間tlは、第5図(、)に示すよ
うに無視できないようなものとなる。また、このように
、トランジスタQ1のコレクタ電位Vが入力電流v4の
変化に追随できないことにより、トランジスタQ2のコ
レクタに流れる出力電流I。U?も第5図(d)に示す
ように、入力電流IXNの変化に追随することができな
くなる。
As a result, the collector potential V of the transistor Ql is equal to the input current! , does not immediately follow the changes in , and its short rise time to and fall time tl become non-negligible as shown in FIG. 5(,). Further, as described above, since the collector potential V of the transistor Q1 cannot follow the change in the input current v4, the output current I flows to the collector of the transistor Q2. U? As shown in FIG. 5(d), it is no longer possible to follow the change in the input current IXN.

なお、t6et1 は容量Cb1 ”b2 #COを充
、放電するための時間であるから、そのときのドライブ
電流をIとすると、一般的には、 ΔQ=ΔVCX C= I t−(5)C= Cb1+
Cb2+Co      −(6)が成シ立つ。よって
、 となシ、ドライブ電流が大きい程、ΔVcが小さい程、
立ち上がり時間、立ち下がり時間が短くなる傾向にある
Note that t6et1 is the time for charging and discharging the capacitance Cb1 ``b2 #CO, so if the drive current at that time is I, generally, ΔQ=ΔVCX C= I t-(5)C= Cb1+
Cb2+Co-(6) holds true. Therefore, the larger the drive current and the smaller ΔVc,
The rise time and fall time tend to be shorter.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、高
速応答性の優れたカレントミラー回路を提供することを
目的とする。
The present invention was made in order to cope with the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a current mirror circuit with excellent high-speed response.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は、例えば第1図の実施例で説明するならば、
入力側のトランジスタQllのコレクタに定電流源11
を接続し、入力電流IXNがOのときでも、トランジス
タQ11がカットオフしないようにすることによシ、ト
ランジスタQ1!のコレクタ電位の変動を小さくし、出
力波形の立ち上が少時間及び立ち下がυ時間を短くする
ものである。
If this invention is explained using the embodiment shown in FIG. 1, for example,
A constant current source 11 is connected to the collector of the transistor Qll on the input side.
By connecting the transistor Q1! so that the transistor Q11 does not cut off even when the input current IXN is O, the transistor Q1! This is to reduce fluctuations in the collector potential of the output waveform and shorten the rise time and fall time of the output waveform.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図である
FIG. 1 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.

第1図において、第1.第2のトランジスタQst #
 Qlxのエミッタは第1の基準電位端(基準電圧Vl
)に接続されている。第1のトランジスタQstのコレ
クタは第1.第2のトランジスタQ1t e Qtzの
ペースに接続されている。第1のトランジスタQ1tの
コレクタは定電流源工iの一端に接続されている。この
定電流源I、の他端は第2の基準電位点(基準電圧Vz
)に接続されている。入力電流IよけトランジスタQl
のコレクタに流れ、出力電流I。U’rはトランジスタ
Q2のコレクタに流れる。
In FIG. 1, 1. Second transistor Qst #
The emitter of Qlx is connected to the first reference potential end (reference voltage Vl
)It is connected to the. The collector of the first transistor Qst is connected to the first transistor Qst. It is connected to the pace of the second transistor Q1te Qtz. The collector of the first transistor Q1t is connected to one end of the constant current source i. The other end of this constant current source I is connected to the second reference potential point (reference voltage Vz
)It is connected to the. Input current I shielding transistor Ql
flows into the collector of the output current I. U'r flows to the collector of transistor Q2.

上記構成において、トランジスタQllのコレクタに、
先の第5図(、)に示すよりなノ9ルス状の入力電流”
INを流すとすると、トランジスタQllのコレクタ電
位Vは次のようになる。
In the above configuration, at the collector of the transistor Qll,
The input current shown in Figure 5 (,) above has a more linear shape.
If IN is allowed to flow, the collector potential V of the transistor Qll will be as follows.

まず、入力電流I4がOの場合のコレクタ電位V。、2
は、 となる。次に、入力電流I4が工◎のときのコレクタ電
位V。Nは、 となる。
First, the collector potential V when the input current I4 is O. ,2
becomes . Next, the collector potential V when the input current I4 is ◎. N is as follows.

式(8) 、 (9)よシ、オy→オフの切シ換え時に
、トランジスタQ11のコレクタ電位Vは次式で示され
るΔvc′だけ変化する。
According to equations (8) and (9), when switching from y to off, the collector potential V of transistor Q11 changes by Δvc' expressed by the following equation.

ここで、この式<10と先の式(4)において、が成立
つように、定電流源Ilの電施工1を設定すれば、第1
図のトランジスタQllのコレクタ電位Vの変動Δvc
′を第4図のトランジスタQ1のコレクタ電位Vの変動
Δvcに対し、かなシ小さくすることができる。
Here, if the electric construction 1 of the constant current source Il is set so that this equation < 10 and the previous equation (4) hold true, then the first
Fluctuation Δvc in collector potential V of transistor Qll in the figure
' can be made much smaller than the fluctuation Δvc of the collector potential V of the transistor Q1 shown in FIG.

1ΔVc’l(lΔVCI         、、−(
Llところで、電施工1が式αカを満足するためには、
電施工1が電流I8  よりかなシ大きいことが要求さ
れる。また、出力電流Iotrt (第2図参照)に対
する電流11の影響を無視できるためには、電施工1は
電施工◎に対しかなり小さい事が要求される。よって、
電流■1の条件は次のようになる。
1ΔVc'l(lΔVCI,,-(
By the way, in order for electrical construction 1 to satisfy formula α,
Electrical construction 1 is required to be much larger than current I8. Further, in order to be able to ignore the influence of the current 11 on the output current Iotrt (see FIG. 2), the electrical construction 1 is required to be considerably smaller than the electrical construction ◎. Therefore,
The conditions for current ■1 are as follows.

In < If < IO・・・ (至)例えば、Is
 e Io + Itをそれぞれ、l5=2X10  
(A) Io−100(μA) = t o  (A)II =
Io / 100 z 10  (A)として、Δvc
、Δvc′ を計算すると、これらはそれぞれ、 ΔVc = 26.94XVT ΔVc’=4.615xVテ となる。Δvc′はΔVcの5.84分の1に抑えられ
る。
In < If < IO... (To) For example, Is
e Io + It, respectively, l5=2X10
(A) Io-100 (μA) = t o (A) II =
Io / 100 z 10 (A), Δvc
, Δvc' are calculated as follows. ΔVc = 26.94XVT ΔVc' = 4.615xVte, respectively. Δvc' is suppressed to 1/5.84 of ΔVc.

このように、Δvc′が小さくなった結果として、第2
図に示すように、容量Cb1 # Cbi coに起因
する出力波形の立ち上が少時間to′、立ち下がり時間
11/が短くなシ、高速応答性のカレントミラー回路が
得られる。
In this way, as a result of Δvc' becoming smaller, the second
As shown in the figure, it is possible to obtain a current mirror circuit with short rise time to' and fall time 11/ of the output waveform due to the capacitance Cb1 #Cbi co and which has a short response time.

以上詳述したようにこの実施例は、トランジスタQll
のコレクタに定電流源工1を接続し、入力電流IINが
Oのときでも、トランジスタQttがカットオフしない
ようにしたものである。これにより、トランジスタQl
lのコレクタ電位Vの変動Δvc′を小さくすることが
でき、容量Cb1゜Cb21COに起因する立ち上が少
時間及び立ち下がり時間を短くすることができる。
As detailed above, in this embodiment, the transistor Qll
A constant current source 1 is connected to the collector of the transistor Qtt to prevent the transistor Qtt from being cut off even when the input current IIN is O. As a result, transistor Ql
It is possible to reduce the fluctuation Δvc' in the collector potential V of l, and it is possible to shorten the short rise time and fall time caused by the capacitance Cb1°Cb21CO.

このように、この実施例によれば、高速応答性の優れた
カレントミラー回路が得られるので、これを例えに掛算
回路の出力回路として用いれば、2次歪みの小さい掛算
出力を得ることができるという効果がある。
In this way, according to this embodiment, a current mirror circuit with excellent high-speed response is obtained, so if this is used as an output circuit of a multiplication circuit, a multiplication output with small second-order distortion can be obtained. There is an effect.

第3図はこの発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the invention.

この実施例は、トランジスタQ11゜Q12の各エミッ
タと第1の基準電位点間に、それぞれ抵抗R1□、R1
2を挿入したものである。そして、この抵抗R11l 
Rtzの抵抗比によって、入力電流!INと出力電流1
.U丁の比を決定できるようにしたものである。このよ
うな構成によれば、両電流11wrlaurの比を1:
1以外の値に選ぶととができるが、このような場合であ
っても、先の実施例と同じような効果が得られる。
In this embodiment, resistors R1□ and R1 are connected between the emitters of transistors Q11 and Q12 and the first reference potential point, respectively.
2 was inserted. And this resistance R11l
The input current depends on the Rtz resistance ratio! IN and output current 1
.. This allows the ratio of U-cho to be determined. According to such a configuration, the ratio of both currents 11wrlaur is 1:
If a value other than 1 is selected, the same effect as in the previous embodiment can be obtained even in such a case.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

このようにこの発明によれば、高速応答性の優れたカレ
ントミラー回路を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a current mirror circuit with excellent high-speed response.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明の第1の実施例を示す回路図、第2図
は第1図の出力波形を示す図、第3図はこの発明の他の
実施例を示す回路図、第4図は従来のカレントミラー回
路を示す回路図、   ゛第5図は第4図のオン、オフ
動作を説明するだめの信号波形図、第6図及び第7図は
第4図の問題を説明するだめの回路図である。 Qlt * Qtz・・・トランジスタ、If・・・定
電流源、R1□、R12・・・抵抗。 第1 因 第2図 tQ’            tl’第3図 第4図
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of this invention, FIG. 2 is a diagram showing the output waveform of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of this invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing a conventional current mirror circuit; ゛Figure 5 is a signal waveform diagram to explain the on/off operation in Figure 4; Figures 6 and 7 are to explain the problem in Figure 4. FIG. Qlt * Qtz...transistor, If...constant current source, R1□, R12...resistance. 1st cause Figure 2 tQ'tl' Figure 3 Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 入力端に定電流源が接続されていることを特徴とするカ
レントミラー回路。
A current mirror circuit characterized by a constant current source connected to the input end.
JP5653085A 1985-03-20 1985-03-20 Current mirror circuit Pending JPS61214810A (en)

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JP5653085A JPS61214810A (en) 1985-03-20 1985-03-20 Current mirror circuit

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007181032A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transconductor, integrator and filter circuit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007181032A (en) * 2005-12-28 2007-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Transconductor, integrator and filter circuit

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