JPS61202434A - 板状ワ−ク処理装置 - Google Patents

板状ワ−ク処理装置

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JPS61202434A
JPS61202434A JP4289785A JP4289785A JPS61202434A JP S61202434 A JPS61202434 A JP S61202434A JP 4289785 A JP4289785 A JP 4289785A JP 4289785 A JP4289785 A JP 4289785A JP S61202434 A JPS61202434 A JP S61202434A
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JP
Japan
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processing
liquid
plate
work
tank
Prior art date
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Pending
Application number
JP4289785A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Minetani
峰谷 昌幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP4289785A priority Critical patent/JPS61202434A/ja
Publication of JPS61202434A publication Critical patent/JPS61202434A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、例えば半導体製造工程においてフォトマスク
、クエへ等の板状ワークを処理液で現像、エツチング、
洗浄等のウェット処理を行う板状ワーク処理装置に関し
、特に安定で均一な処理が行えると共に処理液の無駄を
少くすることができる板状ワーク処理装置に関する。
従来の技術 従来の板状ワークのウェット処理装置としては、第2図
に示すスプレ一方式と、第3図釦示すディップ方式とが
あった。第2図のスプレ一方式は、処理槽本体1の中心
部に設げられた吸着ヘッド2にウェハ等の板状ワーク3
を真空吸着により保持し、上記処理槽本体1の上方圧設
げられたスプレーノズル4から板状ワーク30表面に向
けて所定の処理液を吹き付けていた。
この場合、板状ワーク3は、一枚ずつ搬送経路上を搬送
されてきたものを付は替えて、一枚一枚処理していた。
第3図のディップ方式は、処理槽5の中〈所定の処理液
6を一定量注入すると共に、かご1等の内部に複数の板
状ワーク8.8・・・を整列させ、これらのワーク8を
上記かご7と一緒に矢印人のように処理液6の中に浸し
ていた。この場合、板状ワーク8は、例えば10枚ずつ
のように複数枚を同時に処理していた。
発明が解決しようとする問題点 しかし、第2図のスプレ一方式においては、スプレーノ
ズル4から吹き付けられる処理液スプレーの粒度及び分
布を板状ワーク3の全面にわたって均一にできないこと
があり、処理の安定性、均一性が低下するものであった
。また、処理液をスプレーすることにより、板状ワーク
3に吹き付けられる処理液の温度が変化するので、処理
液の温度管理が難しいと共に、処理の安定性、均一性の
低下の要因となるものであった。サラに、スプレーノズ
ル4からの処理液の吹き付げにより、板状ワーク3の裏
面側にも処理液の飛沫が飛び、板状ワーク3の裏面が汚
れ、後工程における処理に影響を与えることがあった。
また、上記のように、処理液の吹き付けによりその飛沫
がある程度の範囲に飛び散るので、も埋液の無駄が生ず
るものであった。
次に、第3図のディップ方式においては、処理液6に一
度に複数枚の板状ワーク8を浸すと共に、複数組の板状
ワーク8に対して同一処理液6のまま処理するので、上
記処理液6の疲労′、汚れ等が発生し、該処理液6の状
態管理が難しいものであった。また、処理回数が重なっ
てくると、次第に処理時間を長くしなければならず、作
業性も低下するものであった。これらの事情に対処して
、1回の処理ごとに上記処理液6を全部交換することも
考えられるが、大量の処理液を必要とすると共忙不経済
である。さらに、処理槽5が大容蓋であるため、板状ワ
ーク8に対する処理条件の変更に対しては当該処理槽5
では柔軟に対応できず、他の処理槽をい(つか用意しな
ければならなかった。
そこで、本発明は、上記従来のスプレ一方式及びディッ
プ方式の処理装置の問題点を除去して、安定で均一な処
理が行えると共に処理液の無駄を少くすることができる
板状ワーク処理装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記の問題点を解決する本発明の手段は、中心部に板状
ワークを保持する処理槽本体を有し、上記板状ワークに
対して所定の処理液で所要の処理を施す板状ワーク処理
装置において、上記処理槽本体の内部にて板状ワークの
保持部の周りに該板状ワークの一枚を浸漬可能な深さを
有する皿形の浸漬槽を設けると共に、この浸漬槽には上
記板状ワークの処理液を一回の処理毎に注入、排出する
注入部及び排出部を設けたことを特徴とする板状ワーク
処理装置によってなされる。
実施例 以下、本発明の実施例を添付図面に基いて詳細に説明す
る。
第1図は本発明による板状ワーク処理装置の実施例を示
す断面図である。この板状ワーク処理装置は、処理槽本
体10と、浸漬槽11と、注入部12と、排出部13と
を有して成る。上記処理槽本体10は、この処理装置の
主体部をなすもので、上部が開口した箱状に形成されて
いる。そして、この処理槽本体10の中心部には、板状
ワーク14の保持部である吸着ヘッド15が設けられて
いる。この吸着ヘッド15は、フォトマスク、ウェハ等
の板状ワーク14を真空吸着てより保持するもので、上
記処理槽本体10の底部中心に穿設された穴から上方に
突出した取付軸16の上端に設げられており、該処4漕
本体10の下方に設げられた上下機構17によって矢印
B、Cのように上昇または下降され、上記上下機構17
内に投げられたモータ18によってその取付軸16が矢
印りのように回転されるようKなっている。
上記処理槽本体10の内部にて吸着ヘッド150周りに
は、浸漬槽11が設げられている。
この浸漬槽11は、上記板状ワーク14に対して所定の
処理液で所要の処理を施すもので、その縁部19が板状
ワーク14の一枚を全面にわたって処理液20中釦浸漬
できるだけの深さを有する皿形に形成されている。この
浸漬槽11の中心部には、上記吸着ヘッド15が矢印C
方向へ下降した位置で入り込む孔21が形成されており
、この孔21の周囲の縁22は上記浸漬槽11の底面よ
りやや高くされている。そして、上記縁22の部分には
、液流出防止ノズル23がその縁22の上面に噴出口を
現わして設けられている。この液流出防止ノズル23は
、上記縁22の上面と吸着ヘッド15に保持された板状
ワーク14の下面との間のすき間から孔21側へ処理液
20が流れ出すのを防止するもので、例えば窒素(N2
)ガスまたは空気をバルブ24から供給して上記すき間
の部分にエアカーテンを形成するよさになっている。な
お、バルブ24から供給するものは窒素ガスまたは空気
に限られず、適宜の液体であってもよい。また、上記l
&22の上面と板状ワーク14の下面とのすぎ間を、処
理液20が流出しない程度に小さくするようにその加工
精度をコントロールした場合は、上記液流出防止ノズル
23は設けなくともよい。
上記浸漬槽11の底部には、注入部12及び排出部13
が設けられている。この注入部12は、上記浸漬槽11
の内部に処理液20を一杯になるように注入するもので
、該浸漬槽11の底面に注入口を埋め込み、その配管経
路上に設けられた注入パルプ25を開くことにより、矢
印Eのように所定の処理液を注入するようになっている
。また、排出部13は、上記浸漬槽11の内部に注入さ
れた処理液20を一回の処理が終ったら外部へ排出する
もので、該浸漬槽11の底面に排出口を埋め込み、その
配管経路上に設けられた排出パルプ26を開(ことによ
り、矢印Fのようだ処理液を排出するようになっている
次に、このように構成された板状ワーク処理装置の動作
だついて説明する。まず、上下機構17により吸着ヘッ
ド15を矢印B方向へ上昇させ、ハンドリング位置にて
板状ワーク14を上記吸着ヘッド15に真空吸着により
保持する(鎖線図示参照)。次に、上下機構17により
上記吸着ヘッド15を矢印C方向へ下降させ、浸漬槽1
1の中心部に形成された孔21に入り込ませ、上記板状
ワーク14を浸漬槽11内にセットする。次に、注入パ
ルプ25を開き、所定の処理液を注入部12から上記浸
漬槽11内へ注入する。これと同時釦、バルブ24を開
き、例えば蟹素ガスを液流出防止ノズル23から噴出す
る。すると、この窒素ガスによって、上記液流出防止ノ
ズル23と板状ワーク14の下面とのすき間の部分にエ
アカーテンが形成され、上記注入される処理液が浸漬槽
11の中心部の孔21から流れ出すのを防ぐことができ
る。
この状態で上記注入部12から処理液を注入し続けると
、処理液20は浸漬槽11内へたまり始め、板状ワーク
14の裏面及び表面を覆い尽してその縁部19の高さま
で至る。そして、この縁部19から処理液20があふれ
出したら、注入パルプ25を閉じて処理液の注入を終る
このとき、上記縁部19から周囲へあふれ出した処理液
20は、処理槽本体10で受ける。このようにし【、板
状ワーク14の全体が処理液20中に浸漬された状態に
なったら、モータ18を作動して吸着ヘッド15を回転
させ、上記板状ワーク14を処理液20中で回転させる
これにより、処理液20がかく拌され、板状ワーク14
に対する処理が一様に行われる。そして、一定時間処理
を行ったら、上記モータ18を停止し、排出パルプ26
を開いて上記浸漬槽11内の処理液20を排出部13か
ら外部へ全部排出し、所要の処理を終了する。次に、上
下機構17により吸着ヘッド15を矢印B方向へ上昇さ
せ、ハンドリング位置にて処理後の板状ワーク14を次
工程への搬送経路上にのせると共に、これから処理すべ
き板状ワーク14を吸着ヘッド15に保持する。以下、
前述の動作を繰り返して、次々に板状ワーク14に対す
るウェット処理を行う。
発明の効果 本発明は以上説明したように、処理槽本体10の内部に
皿形の浸漬槽11を設けると共に上記浸漬槽11には板
状ワーク14の一回の処理毎に処理液20を注入、排出
するようにしたので、毎回新鮮な処理液で板状ワーク1
4を処理できる。従って、従来のディップ式のようK。
処理液の疲労、汚れ等による処理条件の劣化を防止する
ことができる。また、板状ワーク14の全体を処理液2
0の中釦浸清するので、従来のスプレ一方式のようなス
プレーの粒度及び分布の不均一や処理液の温度変化も無
(、処理条件を安定させることができる。これらのこと
から、板状ワーク14に対する処理の安定性、均一性を
向上することができる。さらに、従来のスプレ一方式の
よう〈処理液の飛沫がある範囲に飛び散ることがなく、
また処理液の交換は板状ワーク14の一枚分だけでよい
ので、処理液の無駄を少くすることができる。また、板
状ワーク14に対する処理条件の変更に対しては、浸漬
槽11内へ注入する処理液の種類を変えて対応したり、
或いは処理槽本体10の上方にスプレーノズルを設けて
スプレ一方式と併用することもでき、従来に比し柔軟に
対応できると共に、少いスペースで処理工程を自動化す
るのが容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による板状ワーク処理装置の実施例を示
す断面図、第2図及び第3図は従来の板状ワーク処理装
置を示す説明図である。 10・・・処理槽本体、 11・・・浸漬槽、 12・・・注入部、 13・・・排出部、 14・・・板状ワーク、 15・・・吸着ヘッド(保持部)、 19・・・浸漬槽の縁部、 20・・・処理液、 25・・・注入パルプ、 26・・・排出パルプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 中心部に板状ワークを保持する処理槽本体を有し、上記
    板状ワークに対して所定の処理液で所要の処理を施す板
    状ワーク処理装置において、上記処理槽本体の内部にて
    板状ワークの保持部の周りに該板状ワークの一枚を浸漬
    可能な深さを有する皿形の浸漬槽を設けると共に、この
    浸漬槽には上記板状ワークの処理液を一回の処理毎に注
    入、排出する注入部及び排出部を設けたことを特徴とす
    る板状ワーク処理装置。
JP4289785A 1985-03-06 1985-03-06 板状ワ−ク処理装置 Pending JPS61202434A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62117324A (ja) * 1985-11-18 1987-05-28 Toshiba Corp 自動現像装置
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JP2010238782A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

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