JPS6119783Y2 - - Google Patents

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JPS6119783Y2
JPS6119783Y2 JP4534282U JP4534282U JPS6119783Y2 JP S6119783 Y2 JPS6119783 Y2 JP S6119783Y2 JP 4534282 U JP4534282 U JP 4534282U JP 4534282 U JP4534282 U JP 4534282U JP S6119783 Y2 JPS6119783 Y2 JP S6119783Y2
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dilution
acid
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diluted
absorption
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は濃酸特に濃硫酸、濃クロム酸、濃硝酸
のように希釈にあたつて多量の発熱をともなう酸
類を連続的に希釈する酸希釈装置の改良に関す
る。
一般に濃酸を希釈する装置として、従来から第
1図に示したようなオープン槽方式が用いられて
いた。この方式はまず槽1に一定量の希釈水を入
れておき、濃酸導入管4より少量の濃酸7を断続
的に供給し、その間撹拌機6により混合液8を撹
拌すると同時に浸漬冷却管5に冷却水10を通過
させ希釈の際に発生する希釈熱を吸収する。この
操作を繰返して、混合液8の酸濃度が目標とする
一定値に達するとバルブ3を開いて出口管2から
希釈酸9を取出す。しかしながらこの方式には次
のような欠点があつた。すなわち、 (1) 操作時に多量の酸ミストが飛散し、人体に有
害であると同時に腐食により装置の寿命が縮ま
る。
(2) 酸ミスト飛散により濃酸が損失する。
(3) 急激な醸ミストの飛散および大量の発熱を防
止するため希釈操作は少量ずつ行なわなければ
ならず、また冷却効率が低いため1回の作業時
間が非常に長くなる。
(4) 一般に濃酸は比重が大きいため供給時に槽1
の底部にたまる傾向があり、局部的に希釈が進
行し急激な発熱を伴うための装置の寿命を縮め
る。
(5) 操作がバツチ式であり希釈酸の連続製造には
不適である。
そこで先に考案者は上記欠点を解消した第2図
に示す連続式酸希釈装置を提案した。本装置にお
いては希釈水11が希釈水導入管13から流入
し、希釈水分布器15、吸収室17中の充てん層
18、目皿19によりシヤワー状に希釈室20へ
供給される。
同時に濃酸導入管12により濃酸7が希釈室2
0に供給される。希釈室20における希釈酸9の
液面9aは、オーバーフロー方式の出口管24お
よびせき25により一定の高さに制御されてい
る。濃酸7が液面9aに連続的に流下または噴射
すると液面9a下において局部的に多量の希釈熱
が発生し沸とう現象が起こる。この沸とう現象は
撹拌作用として働き急速な酸希釈を促進する。こ
の際発生した酸ミスト26はシヤワー状に降下す
る希釈水11および目皿19と充てん槽18を通
過する過程で全て希釈水11に吸収され再び希釈
室20に還元される。
一方希釈室20内で希釈された酸9は多量の希
釈熱を保有しているが、希釈室20の下部に直結
する冷却部21を通過する過程でジヤケツト22
中を流れる冷却水10により冷却され出口管24
およびせき25を通つて外部に取出される。
上記希釈装置は連続運転が可能で酸ミストの発
生を防止し第1図に示す従来の装置の欠点を全て
解決したものであるがなお次のような問題点を有
することが分つた。すなわち希釈濃度によつては
希釈された酸の流量に対し、発生する希釈熱の割
合が非常に高くなる領域がある。例えば流酸の場
合、常温の98%濃硫酸と常温水を混合希釈すると
きに最終希釈水濃度が50〜70%の領域では生成す
る希釈酸の量に対し発熱量の割合が最も高くな
り、希釈酸全体は沸点に到達し一部は蒸発する状
態となる。このような条件下においては前記希釈
室20中における希釈酸の沸とうは濃酸流下部分
にとどまらず全域に拡大され酸ミストが急激に増
加するためにこれが供給される希釈水の流入量だ
けでは吸収しきれず、ガス出口ノズル16から酸
ミスト26の一部が装置外に飛散し好ましくな
い。このような酸ミスト26の発生防止方法とし
ては次のような方法が考えられる。すなわち (1) 希釈室の上方に設けた吸収室の吸収性能を高
める。
(2) 希釈室の上方に設けた吸収性能を高める。
(2) 希釈室の外側を冷却用ジヤケツトで覆い、冷
却水を通して冷却し、希釈室内で発生する希釈
熱の一部を取り去る。
(3) 冷却器で冷却された希釈酸の一部を再度希釈
室内に戻し、希釈室内の希釈酸の平均温度を下
げる。(強制循環冷却方式)などである。
次に上記の各方法につき検討すると、まず(1)の
方法については一般に酸ミストの発生の急増は希
釈酸濃度が高い領域すなわち濃度の供給量に対
し、希釈水の供給量が非常に少ない場合に起こり
やすいので酸ミストを希釈水に完全に吸収させる
ことは困難であり、したがつて吸収室の吸収性能
を高めることには限界があり不適当である。
また(2)の方法は一見経済的なようであるが、希
釈室の壁に十分な伝熱面積がとれずまた壁自体を
薄くすることには限度があるので熱通過率を高く
することができないという欠点がある。
次に(3)の方法は冷却された希釈酸の一部を再度
希釈室内に戻すため液温が下り、したがつて酸ミ
ストの発生自体が抑制されるので少ない希釈水の
供給量でも酸ミストを完全に吸収でき有効であ
る。
本考案は(3)の方法による酸希釈装置を提供する
ものである。
本考案は希釈水が流通する吸収室カバーおよび
吸収室と該吸収室からの希釈水がシヤワー状に供
給される希釈室と、該希釈室の液面上に濃酸を流
入する濃酸導入管と、上記希釈室で希釈された酸
の冷却器および上記希釈室の液面高さを一定に制
御するとともに希釈された酸を取出す出口管とか
らなる酸希釈装置において、希釈室の下部に直結
する冷却器の下端から循環ポンプを介して希釈
室、吸収室及び吸収室カバーに至る循環ポンプを
連結し、希釈され冷却器で冷却された酸の一部を
上記希釈室及び/又は吸収室もしくは吸収室カバ
ー経由で希釈室に循環する機構を有してなる酸希
釈装置に関する。
本考案の場合の冷却器は冷却部とジヤケツトか
ら構成され希釈室の下方に直結される。冷却器か
ら取出す希釈酸の温度は使用目的によつても異な
るが一般に扱いやすさならびに使用機器の材質選
定の容易さから50℃以下に設定する。
本考案では50℃以下に冷却された希釈酸を循環
ポンプにより希釈室に戻し、新しく生成する希釈
酸を冷却してその沸とうによる酸ミストの装置外
への飛散を防止する。
希釈室に戻す希釈酸の流量は希釈室内の液の平
均温度がそのときの希釈濃度に対する液の沸点以
下(一般には40〜100℃)になるように設定す
る。さらに冷却した希釈液を希釈室に戻すには直
接希釈室内の液面上の空間部に導入するか又は吸
収室もしくは吸収室上部の吸収室カバーに導入
し、供給直後の希釈水と共に希釈室へシヤワー状
に降下させる。
この内直接希釈室に戻す方法は希釈室内の液温
が確実に下ることが予想される場合および酸ミス
トの発生防止に支障のない場合であり、使用条件
により酸ミストの発生量が多くなる可能性のある
場合や酸ミストの吸収を完全にしたい場合には吸
収室もしくは吸収室カバーへ導入する。
この場合希釈酸と希釈水とが直接混合すること
により希釈熱の発生が起こるが、酸はすでに希釈
されており、また希釈酸の量は希釈水の量に対し
多いので酸の濃度変化は非常に小さく希釈室にお
ける液温の変化は無視できる程度となる。
また、希釈酸循環のためには渦巻式の循環ポン
プ、循環パイプ、バルブ、必要に応じて流量計な
どが使用されるがこれらの材料は硬質塩化ビニー
ルでよい。
これに対し使用温度が高く耐食性を要求される
希釈室と耐食性を要求される希釈室と耐食性なら
びに伝熱性を要求される冷却部には不浸透黒鉛を
使用することが好ましい。
次に図面に基づき本考案の一実施例につき説明
する。第3図において、吸収室カバー14に希釈
水導入管13、数個の希釈水分布器15,15…
が設けられ希釈水11は希釈水分布器15,15
…によりオーバーフローし吸収室17中に分散落
下する。吸収室17中には多数のラシヒリングが
充てんされた充てん層18が多数の孔を目皿19
の上に支えられる。該目皿19の下側の空間部に
は濃酸導入管12が挿入されている。20は吸収
室17の下側に取付けられた不浸透黒鉛製の希釈
室である。該希釈室20中には所定濃度の希釈酸
9が一定の液面高さ9aになるようにプールされ
る。一方濃酸導入管12から供給された濃硫酸7
は上記液面9a上に流下または噴射される。本実
施例の場合には先端部12aで口径をしぼつて1
〜2Kg/cm2Gなる圧力で噴射するようにした。こ
のようにすると濃硫酸7が液面9aに衝突する際
周囲の空気泡を巻込むため撹拌効果が増大し、瞬
間的に濃硫酸7が溶け込むことにより衝突点の液
面付近で局部的な沸とう現象が促進され、したが
つて希釈が速やかにかつ均一に進行するので好都
合である。
希釈室20の内部において液面9aと目皿19
との間に不浸透黒鉛製の棚32が設けられ該棚3
2の中央部にオーバーフロー形の不浸透黒鉛製の
希釈酸分布器31が取付けられている。希釈酸9
は棚32上にプールされ希釈酸分布器31の上端
部よりオーバーフローし液面9aに流下する。
液面9aから硫酸ミスト26が発生し上昇して
目皿19さらには充てん層18を通過し、希釈水
分布器15,15…までに到る。
充分撹拌された希釈酸9は希釈室20の下部に
直結された不浸透黒鉛製冷却部21,21…を通
過しジヤケツト22内を流動する冷却水10によ
り冷却され不浸透黒鉛製の液室23に到る。液室
23からの希釈酸9は2方向に分かれ、一方は出
口管24を通りせき25をオーバーフローして流
出する。他方希釈酸9の一部は循環パイプ28を
通り循環ポンプ27に到り該循環ポンプ27の出
口側に立設する循環パイプ28内に押し上げられ
る。立設する循環パイプ28の上方にはそれぞれ
開閉バルブ30,30a,30bを介して希釈室
20、吸収室17、吸収室カバー14の内部へ連
結する分岐パイプ28a,28b,28cが設け
られる。29は希釈酸9の循環流量を増減するバ
ルブである。
次に希釈酸の循環方法について述べると、通常
の運転の場合はバルブ30aおよび30bを閉じ
バルブ30のみを開けて分岐パイプ28aから希
釈酸9を直接希釈室20へ戻して希釈熱による液
温の上昇を抑制する。また運転中に酸ミスト26
がガス出口ノズル16から検出されるような場合
にはバルブ30aも開き希釈酸9を吸収室17中
に入れ下方へ流下せしめ上昇する酸ミスト26に
向流接触させ酸分を吸収し希釈室20へ戻す。こ
の場合希釈水11と希釈酸9とは充てん層18内
で接触しここでも希釈熱を発生するが希釈酸9が
すでに50〜70%位(H2SO4の場合)に希釈されて
おり、また希釈水11の量に対し、希釈酸の量が
かなり多いため温度上昇は無視できる程度とな
る。
また出口管24から取出された希釈酸の濃度が
所定値よりも小さいような場合には、吸収室カバ
ー14への希釈水11の供給を中止し、バルブ3
0,30aを閉じ30bのみを開いて希釈酸9を
吸収室カバー14に流入し流下させることによつ
て濃度調整を完全に実行することができる。
本考案によれば、50℃以下に冷却した希釈酸の
一部を、上記したように直接希釈室内へ又は吸収
室もしくは吸収室カバーを経由して希釈室内へ戻
すようにしたので、希釈室内の液面の上昇が抑え
られ、酸ミストの装置外への飛散が防止される。
副次的な効果として希釈室及び吸収室の使用材
料の熱劣化が防止される。又冷却した希釈酸を吸
収室カバーに流入し希釈室に戻すことにより希釈
酸の酸濃度を容易に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のバツチ式濃酸希釈装置を示す概
略図、第2図は従来の連続式濃酸希釈装置を示す
縦断面図、第3図は本考案の一実施例になる連続
式濃酸希釈装置を示す縦断面図である。 符号の説明、1……槽、2……出口管、3……
バルブ、4……濃酸導入管、5……浸漬式冷却
管、6……撹拌機、7……濃度、8……混合液、
9……希釈酸、9a……液面、10……冷却水、
11……希釈水、12……濃酸導入管、12a…
…先端部、13……希釈水導入管、14……吸収
室カバー、15……希釈水分布器、16……ガス
出口ノズル、17……吸収室、18……充てん
層、19……目皿、20……希釈室、21……冷
却部、22……ジヤケツト、23……液室、24
……出口管、25……せき、26……酸ミスト、
27……循環ポンプ、28……循環パイプ、28
a,28b,28c……分岐パイプ、29……バ
ルブ、30,30a,30b,……開閉バルブ、
31……希釈酸分布器、32……棚。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 希釈水が流通する吸収室カバーおよび吸収室と
    該吸収室からの希釈水がシヤワー状に供給される
    希釈室と、該希釈室の液面上に濃酸を流入する濃
    酸導入管と、上記希釈室で希釈された酸の冷却器
    と、上記希釈室の液面高さを一定に制御するとと
    もに希釈された酸を取出す出口管とからなる酸希
    釈装置において、希釈室の下部に直結する冷却器
    の下端から循環ポンプを介して希釈室、吸収室及
    び吸収室カバーに至る循環ポンプを連結し、希釈
    され冷却された酸の一部を上記希釈室及び/又は
    吸収室もしくは吸収室カバー経由で希釈室に循環
    する機構を有してなる酸希釈装置。
JP4534282U 1982-03-29 1982-03-29 酸希釈装置 Granted JPS58146527U (ja)

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JP4534282U JPS58146527U (ja) 1982-03-29 1982-03-29 酸希釈装置

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JP4534282U JPS58146527U (ja) 1982-03-29 1982-03-29 酸希釈装置

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JPS58146527U JPS58146527U (ja) 1983-10-01
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JP4534282U Granted JPS58146527U (ja) 1982-03-29 1982-03-29 酸希釈装置

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JPS58146527U (ja) 1983-10-01

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