JPS61196531A - 電子線描画装置 - Google Patents
電子線描画装置Info
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- JPS61196531A JPS61196531A JP3640285A JP3640285A JPS61196531A JP S61196531 A JPS61196531 A JP S61196531A JP 3640285 A JP3640285 A JP 3640285A JP 3640285 A JP3640285 A JP 3640285A JP S61196531 A JPS61196531 A JP S61196531A
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- JP
- Japan
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- chip
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- corollary
- center
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- Pending
Links
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 title claims description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000013521 mastic Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、微小チップを多数描画する場合のデータ合成
による一括描画に関する。
による一括描画に関する。
従来、電子線の調向による描画範囲（以下フィールドと
云う）以下のチップについては、ｌテンプｌフィールド
のデータを作成し、ｌチップ毎にステージを移動しなが
ら汲畝チップを描画している。友とえは、１００鴫 に
０．３ ｍ のチップを描画する場合、１０万回のス
テージ移動を伴い、スループントの低下を生じ実用的で
なかつｆｃ。
云う）以下のチップについては、ｌテンプｌフィールド
のデータを作成し、ｌチップ毎にステージを移動しなが
ら汲畝チップを描画している。友とえは、１００鴫 に
０．３ ｍ のチップを描画する場合、１０万回のス
テージ移動を伴い、スループントの低下を生じ実用的で
なかつｆｃ。
本発明の目的は、複数チップのデータをマトリクス状に
配列し、１つのフィールド（ステージの移動を半なわず
に描画できる領域）としての複合データを作成し、あた
かも、一つのチップとして、複数チップを描画可能とす
る装置を提供することある。
配列し、１つのフィールド（ステージの移動を半なわず
に描画できる領域）としての複合データを作成し、あた
かも、一つのチップとして、複数チップを描画可能とす
る装置を提供することある。
第１図に示すように、電子線源、電子レンズおよび偏向
器等から構成される電子光学系１と、試料３を移動させ
るステージとからなる電子線描画装置で、偏向器２で描
画できる範囲（フィールド４）を描画後、試料３を移動
させ、再び描画を行う、いわゆるステップマントリピー
ト方式のものでは、微小テンプデータは、ｌチップｌフ
ィールドの描画データとなるため、試料を１チツプ毎に
移動させる必要がある。そのため移動回数が増加する欠
点があった。本発明では、複数データ乞配列し、複数デ
ータのアドレス情報を配列情報に従い修正し、複数チッ
プ分のデータを一つのフィールドデータとして合成する
機能を咀子線描画装置に付加する。同一チップのデータ
を複数配列する場合は、相対アドレスを用いる事により
、同一データの繰返しをさけ、データ量を増大させる事
なく合成する事ができる。
器等から構成される電子光学系１と、試料３を移動させ
るステージとからなる電子線描画装置で、偏向器２で描
画できる範囲（フィールド４）を描画後、試料３を移動
させ、再び描画を行う、いわゆるステップマントリピー
ト方式のものでは、微小テンプデータは、ｌチップｌフ
ィールドの描画データとなるため、試料を１チツプ毎に
移動させる必要がある。そのため移動回数が増加する欠
点があった。本発明では、複数データ乞配列し、複数デ
ータのアドレス情報を配列情報に従い修正し、複数チッ
プ分のデータを一つのフィールドデータとして合成する
機能を咀子線描画装置に付加する。同一チップのデータ
を複数配列する場合は、相対アドレスを用いる事により
、同一データの繰返しをさけ、データ量を増大させる事
なく合成する事ができる。
例としてマスク描画における実施例を示す。第２図に於
て、５ｅまマスク全体の描画域を示す。５は、電子線の
偏向制御で描画し得る範囲すなわちフィールド４を描画
した後、フィールド間をステージ移動によシ移動させ、
描画を繰かえすことで５全体が描画される。
て、５ｅまマスク全体の描画域を示す。５は、電子線の
偏向制御で描画し得る範囲すなわちフィールド４を描画
した後、フィールド間をステージ移動によシ移動させ、
描画を繰かえすことで５全体が描画される。
フィールド４の内部は、チンプロが複数個配列されてい
る。チップデータは元来、例えばチップ中心を原点とし
た座標系で衆現されている。その座標系をフィールド中
心を原点とする座標系に、配列情報を元に変換しデータ
を合成する事で、複数チップデータを１フイールドデー
タとしてまとめる事ができる。ｌフィールドデータとし
てまとまった場合は試料の移動を早わず、複数チップを
描画できる。
る。チップデータは元来、例えばチップ中心を原点とし
た座標系で衆現されている。その座標系をフィールド中
心を原点とする座標系に、配列情報を元に変換しデータ
を合成する事で、複数チップデータを１フイールドデー
タとしてまとめる事ができる。ｌフィールドデータとし
てまとまった場合は試料の移動を早わず、複数チップを
描画できる。
同一チップを配列する場合は、繰かえし配列する／こめ
、描画データが増大する無駄が生じる。この場合は、１
チツプ内を１つ又は複数個の領域にわけ、領域中心を原
点とする座標系でデータを表現（例として４つにわけた
場合を示す）すれば各領域毎、全く同じ図形データとし
て表現できる。
、描画データが増大する無駄が生じる。この場合は、１
チツプ内を１つ又は複数個の領域にわけ、領域中心を原
点とする座標系でデータを表現（例として４つにわけた
場合を示す）すれば各領域毎、全く同じ図形データとし
て表現できる。
（Ａ、Ｂ、Ｃ・・・それぞれ）。しかるのち、各領域中
心を、フィールド中心とする座標系で表現するデータ７
．８を作成すれば、同一データｔ−ａ数持つことなく、
データを表現できる。
心を、フィールド中心とする座標系で表現するデータ７
．８を作成すれば、同一データｔ−ａ数持つことなく、
データを表現できる。
０．３鴎 チップを３００Ｘ３００＝９００００ケ描画
する場合、六ツブ毎にステージを移動するとすれば、０
，３秒で１ステツプ移動するとしても、ａｏｏｏｏ秒の
移動時間がかかる。３關 フィールドを仮定し、１Ｏｘ
ｔＯ＝１００ケのチップｅｌフィールドとして配列した
とき、ステージ移動回数は９００回移動時間で３００秒
と１００分のｌに短縮できる。
する場合、六ツブ毎にステージを移動するとすれば、０
，３秒で１ステツプ移動するとしても、ａｏｏｏｏ秒の
移動時間がかかる。３關 フィールドを仮定し、１Ｏｘ
ｔＯ＝１００ケのチップｅｌフィールドとして配列した
とき、ステージ移動回数は９００回移動時間で３００秒
と１００分のｌに短縮できる。
第１図は描画装置及び描画手順を示す図、第２図はｌフ
ィールド内に複数チップデータを配列し一つに合成した
実施例を示す図である。 １・・・電子光学系、２・・・偏向器、３・・・試料、
４・・・フィールド、５・・・マスク描画域、６・・・
微小チップ、７、訃・・フィールド中心を原点とする領
域中心アドレス。
ィールド内に複数チップデータを配列し一つに合成した
実施例を示す図である。 １・・・電子光学系、２・・・偏向器、３・・・試料、
４・・・フィールド、５・・・マスク描画域、６・・・
微小チップ、７、訃・・フィールド中心を原点とする領
域中心アドレス。
Claims (1)
- １、ステージ移動と電子線制御を組合せたステップアン
ドリピート方式の電子線描画装置に於て、小チップの描
画を行う場合複数チップのデータを合成し複合データを
作成する機能を有しステージの移動を伴わずに複数チッ
プを描画する事を特徴とする電子線描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3640285A JPS61196531A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子線描画装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3640285A JPS61196531A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子線描画装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196531A true JPS61196531A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12468850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3640285A Pending JPS61196531A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 電子線描画装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196531A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292320A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-23 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JP2002184681A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3640285A patent/JPS61196531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292320A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-12-23 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JP2002184681A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-06-28 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画方法 |
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