JPS61194660A - 光記録媒体の製造法 - Google Patents
光記録媒体の製造法Info
- Publication number
- JPS61194660A JPS61194660A JP60032725A JP3272585A JPS61194660A JP S61194660 A JPS61194660 A JP S61194660A JP 60032725 A JP60032725 A JP 60032725A JP 3272585 A JP3272585 A JP 3272585A JP S61194660 A JPS61194660 A JP S61194660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- optical recording
- dye
- anthraquinone
- substrate surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
この発明は、近赤外波長にあるレーザ光の照射により受
光部の相変態または形状変化を誘い光照射による信号記
録痕跡を残す光記録媒体を塔載したテープ、カード、デ
ィスクなどの製法に関する＠ 〔発明の背景〕 光記録媒体には、既に実用域にあるかまたは実用域に到
達間近かのテルル化物、セレン化物などのカルコゲン化
金篇およびテルビウム・鉄・コバルトやガドリニウム・
テルビウム・鉄による非晶質の光・熱磁性媒体がある。
光部の相変態または形状変化を誘い光照射による信号記
録痕跡を残す光記録媒体を塔載したテープ、カード、デ
ィスクなどの製法に関する＠ 〔発明の背景〕 光記録媒体には、既に実用域にあるかまたは実用域に到
達間近かのテルル化物、セレン化物などのカルコゲン化
金篇およびテルビウム・鉄・コバルトやガドリニウム・
テルビウム・鉄による非晶質の光・熱磁性媒体がある。
また、これらに加えて約５年前から染料単独かもしくは
染料に他の有機物またはテルルなどの既知の光記録材料
を加えるかまたはそれらによる複合構成体が光記録媒体
として取上けられている。
染料に他の有機物またはテルルなどの既知の光記録材料
を加えるかまたはそれらによる複合構成体が光記録媒体
として取上けられている。
そのなかで、有機物の染料は、光感応体として電子写真
やプリンタ類に応用している例はふるくからあり、その
数は多い。但しカルコゲン化金属、光・熱磁性体に見る
ような光記録媒体への導入を自相した開発は約５年前に
始まる。
やプリンタ類に応用している例はふるくからあり、その
数は多い。但しカルコゲン化金属、光・熱磁性体に見る
ような光記録媒体への導入を自相した開発は約５年前に
始まる。
その故に最適材料・構成の選択とそれを実現する工法に
ついては解決すべき課題は多い。
ついては解決すべき課題は多い。
即ち、現状で見出されている染料の分光吸収帯域はアル
ゴンレーザ光またはヘリウム・ネオンレーザ光の波長域
にめって、半導体レーザ光の波長（７８０〜８５０ｒＬ
ｍ）よりも短波長側にある。
ゴンレーザ光またはヘリウム・ネオンレーザ光の波長域
にめって、半導体レーザ光の波長（７８０〜８５０ｒＬ
ｍ）よりも短波長側にある。
そこで信号の記録または胱出しは、上記したアルゴンレ
ーザ光またはヘリウム・ネオンレーザ光によるか、また
は該染料とテルルあるイハソの他の金属類により複合化
した構成によっている・こＮで染料は、半導体レーザ光
吸収よりもその促進および染料以外の該構成体の光吸収
→熱変換による温度上昇によって分光吸収性を惹きおこ
す機能を果す。
ーザ光またはヘリウム・ネオンレーザ光によるか、また
は該染料とテルルあるイハソの他の金属類により複合化
した構成によっている・こＮで染料は、半導体レーザ光
吸収よりもその促進および染料以外の該構成体の光吸収
→熱変換による温度上昇によって分光吸収性を惹きおこ
す機能を果す。
上記したように、染料を用いた従来の光記録媒体では、
汎用されている半導体レーザの使用が聞書され、また半
導体レーザ使用下では染料と他材料との複合構成になり
、こメでは染料は光記録媒体の中で光吸収よりも染料以
外の材料の光吸収の促進剤となりそれ自身の分光吸収性
の寄与は少ない。
汎用されている半導体レーザの使用が聞書され、また半
導体レーザ使用下では染料と他材料との複合構成になり
、こメでは染料は光記録媒体の中で光吸収よりも染料以
外の材料の光吸収の促進剤となりそれ自身の分光吸収性
の寄与は少ない。
この発明では、汎用されている半導体レーザ光波長域に
高い分光吸収帯をもち、レーザ光の照射によりそれ自身
が光吸収・熱変換し、受光部の温度変化にともなって光
学的特性を変える染料単独か、または該染料と光学的特
性変換の促進効果をもつ他の材料との複合構成による光
記録媒体の製造法の提示を目指す。
高い分光吸収帯をもち、レーザ光の照射によりそれ自身
が光吸収・熱変換し、受光部の温度変化にともなって光
学的特性を変える染料単独か、または該染料と光学的特
性変換の促進効果をもつ他の材料との複合構成による光
記録媒体の製造法の提示を目指す。
上記目的を達成するため、本発明においては汎用されて
いる半導体レーザ光波長域に分光吸収帯をもち、かつレ
ーザ光の照射により、それ自身が受光・熱変換して光記
録に対応する特性変化を惹起する染料としてアントラキ
ノン誘導体又はアントラキノン誘導体を主成分とするも
のを選択し、かつ、この染料は、昇華性でありレーザ光
照射による温度上昇で到達する温度よりも低い温度で昇
華することに着目し、真空蒸着または高周波イオンプレ
ーテングなどの物理的気相蒸着法にふって基板面に成膜
化することを特徴とする。
いる半導体レーザ光波長域に分光吸収帯をもち、かつレ
ーザ光の照射により、それ自身が受光・熱変換して光記
録に対応する特性変化を惹起する染料としてアントラキ
ノン誘導体又はアントラキノン誘導体を主成分とするも
のを選択し、かつ、この染料は、昇華性でありレーザ光
照射による温度上昇で到達する温度よりも低い温度で昇
華することに着目し、真空蒸着または高周波イオンプレ
ーテングなどの物理的気相蒸着法にふって基板面に成膜
化することを特徴とする。
すなわち、この発明は、ビディオディスクの信号記録、
読出しに汎用されている半導体レーザの光波長域に分光
吸収帯の頂上値をもち。
読出しに汎用されている半導体レーザの光波長域に分光
吸収帯の頂上値をもち。
１０−’Ｔｏｒｒ以下の減圧下で２５０〜３００℃の温
度範ンプレーテングで成膜する。
度範ンプレーテングで成膜する。
アントラキノン誘導体の分子構造は第１図に示す通りで
あり、図において端末のＮＲのＲには水素ｆたはアルキ
ル基があけられる。また、この発明で用いた分光吸収頂
上値が８４０ｎｍＫある試料の窒素ガス圧力１Ｙｉにお
ける示差熱分析曲線は第２図に見る通りである。この図
において１゛３点は含有する不純物の溶解点を、Ｔｐｒ
の緩かな山は未分解・昇華域を、’ｆＡの山は分解・蒸
発域をそれぞれ示している。こ又で、４００℃近傍にお
いて、第１図の構造をもつこの発明の化合物は、熱分解
をおこし、分子構造が変化して光吸収帯域が８４旧１か
ら６５０ｙＬｍに変るので、この温度域における成膜は
避けなけれはならない。
あり、図において端末のＮＲのＲには水素ｆたはアルキ
ル基があけられる。また、この発明で用いた分光吸収頂
上値が８４０ｎｍＫある試料の窒素ガス圧力１Ｙｉにお
ける示差熱分析曲線は第２図に見る通りである。この図
において１゛３点は含有する不純物の溶解点を、Ｔｐｒ
の緩かな山は未分解・昇華域を、’ｆＡの山は分解・蒸
発域をそれぞれ示している。こ又で、４００℃近傍にお
いて、第１図の構造をもつこの発明の化合物は、熱分解
をおこし、分子構造が変化して光吸収帯域が８４旧１か
ら６５０ｙＬｍに変るので、この温度域における成膜は
避けなけれはならない。
染料の分子構造の変化の一態様を第３図に示す。
なお、未分解で原構造を保持しているｒｒ温度域で昇華
すれば、原特性を保持した状態で成膜することが出来る
、 この発明でを工、上記した染料を真空槽内に装填して真
空槽内の圧力を１０−４〜１０”−７Ｔｏｒｒに減圧し
、次いで染料な加熱し温度２５０〜３２０℃で蒸発させ
て基板面上に成膜する真空無法な採用する。また、真空
槽内を１０１〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒに減圧したところで、
真空槽内が１０′″８〜１０′″’Ｔｏｒｒの圧力にな
るように外部からアルゴンガスまたはヘリウムガスを通
じ、これを高周波電界下で励起してガスプラズマを発生
させ、こへで真空蒸着法と同方法で染料を蒸発して、プ
ラズマ内を通過した蒸発粒子を基板面上に成膜する高周
波イオンプレーテング法もある。
すれば、原特性を保持した状態で成膜することが出来る
、 この発明でを工、上記した染料を真空槽内に装填して真
空槽内の圧力を１０−４〜１０”−７Ｔｏｒｒに減圧し
、次いで染料な加熱し温度２５０〜３２０℃で蒸発させ
て基板面上に成膜する真空無法な採用する。また、真空
槽内を１０１〜１Ｏ−７Ｔｏｒｒに減圧したところで、
真空槽内が１０′″８〜１０′″’Ｔｏｒｒの圧力にな
るように外部からアルゴンガスまたはヘリウムガスを通
じ、これを高周波電界下で励起してガスプラズマを発生
させ、こへで真空蒸着法と同方法で染料を蒸発して、プ
ラズマ内を通過した蒸発粒子を基板面上に成膜する高周
波イオンプレーテング法もある。
上記した真空蒸着による成膜と高周波イオンプレーテン
グによる成膜また夫々の膜質を比べると、でき上った膜
の分子構造１分子量に差は検出できなかった。但し、膜
と基板との付着力はセロテープはく離試験結果では真空
蒸着よりも高周波イオンプレーテング品の方が約２倍強
く良い。
グによる成膜また夫々の膜質を比べると、でき上った膜
の分子構造１分子量に差は検出できなかった。但し、膜
と基板との付着力はセロテープはく離試験結果では真空
蒸着よりも高周波イオンプレーテング品の方が約２倍強
く良い。
以下、実施例により詳細を示す。
実施例を
第４図にはこの実施例で成膜に用いた高周波イオンプレ
ーテング装置の要点を模式的に示した。
ーテング装置の要点を模式的に示した。
先づ蒸発源となるアントラキノン鰐導体染料なルツボに
とり、これを所定位置に装着し、真空槽で覆い槽内を排
気する。到達真空度（ｐｏ ）＋”Ｓ ２ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒであった。こ〜で前記Ｐ０の圧力を保ちつ
つ、排気系を駆動しながら、ガス導入弁からヘリウムガ
スを真空槽内に通じ圧力（Ｐ、）を５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒに保つ。ｐｌ−ｐ、＝ｐ。
とり、これを所定位置に装着し、真空槽で覆い槽内を排
気する。到達真空度（ｐｏ ）＋”Ｓ ２ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒであった。こ〜で前記Ｐ０の圧力を保ちつ
つ、排気系を駆動しながら、ガス導入弁からヘリウムガ
スを真空槽内に通じ圧力（Ｐ、）を５ Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒに保つ。ｐｌ−ｐ、＝ｐ。
は導入ガス圧力となる。次いで高周波発振コイルを１５
．５６ＭＨｚ 、 ３０７Ｐ’の電気入力で動作してヘ
リウムガスとの間に放電を起しく該ヘリウムガスを励起
して）プラズマを発生させ、これを安定に保つ。こへで
蒸発源を温度２８０℃で加熱し、染料を蒸発させ、蒸発
粒子は上記したプラズマ内を通過しアクリル柄脂射出成
形基板、ガラス基板の面上に析出した。析出速度は約５
Ａ ７秒でめり、この例でに１０分間蒸発して厚さ約
α３μｍの膜を得た。
．５６ＭＨｚ 、 ３０７Ｐ’の電気入力で動作してヘ
リウムガスとの間に放電を起しく該ヘリウムガスを励起
して）プラズマを発生させ、これを安定に保つ。こへで
蒸発源を温度２８０℃で加熱し、染料を蒸発させ、蒸発
粒子は上記したプラズマ内を通過しアクリル柄脂射出成
形基板、ガラス基板の面上に析出した。析出速度は約５
Ａ ７秒でめり、この例でに１０分間蒸発して厚さ約
α３μｍの膜を得た。
得られた膜の分光吸収特性は、第５図に示す通りであっ
た。こ瓦で９は尿試料の蒸溜前の染料膜の分光吸収性を
、１０は上記で得た高周波イオンプレーテング膜の分光
吸収性であって、？に比べて全域にわたって低い方に移
っているが尿試料で波長８４０ルｍｌｃあった吸収の頂
上は残っている。この状況は、アクリル樹脂基板、ガラ
ス基板にそれぞれ成膜したものの間では相違点は見出せ
なかった。鼾だ、ガラス基板面への成膜品を４５０℃で
５分間 空気中で加熱したものの分光吸収性を第５図内
に１１で示している。これからは波長８４０ルｍ近傍に
おける吸収帯、その痕跡も見出せない。これは温度４５
０℃の加熱によって先に示したように膜の分子構造が変
ったことによる。
た。こ瓦で９は尿試料の蒸溜前の染料膜の分光吸収性を
、１０は上記で得た高周波イオンプレーテング膜の分光
吸収性であって、？に比べて全域にわたって低い方に移
っているが尿試料で波長８４０ルｍｌｃあった吸収の頂
上は残っている。この状況は、アクリル樹脂基板、ガラ
ス基板にそれぞれ成膜したものの間では相違点は見出せ
なかった。鼾だ、ガラス基板面への成膜品を４５０℃で
５分間 空気中で加熱したものの分光吸収性を第５図内
に１１で示している。これからは波長８４０ルｍ近傍に
おける吸収帯、その痕跡も見出せない。これは温度４５
０℃の加熱によって先に示したように膜の分子構造が変
ったことによる。
而して、第５図の状況を光記録媒体としてみると、出力
波形８４０ ｎｍの半導体レーザ光の照射により記録、
読出しのできることが首肯できるであろう。
波形８４０ ｎｍの半導体レーザ光の照射により記録、
読出しのできることが首肯できるであろう。
実施例２
実施例１で使用した装置から高周波励起プラズマ発生に
関連する部分を除いて、通常の真空装置として用い、高
周波プラズマ発生条件を除き、これ以外の条件は実施例
１と同条件でアントラキノン誘導体膜をアクリル・樹脂
基板、ガラス基板面上にそれぞれ成膜した。
関連する部分を除いて、通常の真空装置として用い、高
周波プラズマ発生条件を除き、これ以外の条件は実施例
１と同条件でアントラキノン誘導体膜をアクリル・樹脂
基板、ガラス基板面上にそれぞれ成膜した。
得られた膜の厚さは約α２５μ扉であった。また、得ら
れた膜の分光吸収値は尿試料の吸収率の約−の吸収率を
もって分光波長８４０ ｎｍに残っていた。なお、こへ
で成膜品の分光吸収帯が尿試料と同じ８４０７Ｌｍ Ｋ
残留する率は、先に示している第１図の分子構造から第
３図のそれに変った時の五員環に連なる硫黄の童に関係
し、加熱による分解がなげれば硫黄量は尿試料と同量残
存し分光吸収帯の移動はない。
れた膜の分光吸収値は尿試料の吸収率の約−の吸収率を
もって分光波長８４０ ｎｍに残っていた。なお、こへ
で成膜品の分光吸収帯が尿試料と同じ８４０７Ｌｍ Ｋ
残留する率は、先に示している第１図の分子構造から第
３図のそれに変った時の五員環に連なる硫黄の童に関係
し、加熱による分解がなげれば硫黄量は尿試料と同量残
存し分光吸収帯の移動はない。
また、ガラス基板面に成膜したものを温度５００℃で５
分間空気中で加熱した。この加熱品では波長８４０ ｒ
Ｌ７７Ｌにおける分光吸収は認められなかった。
分間空気中で加熱した。この加熱品では波長８４０ ｒ
Ｌ７７Ｌにおける分光吸収は認められなかった。
実施例３
厚さ５０μｍの二軸延伸ポリエステルフィルムの延伸方
向と延伸軸に直光する方向に、夫々” ’／ｃｍ の張
力を加え、これを成膜基板として実施例２と同条件でア
ントラキノン誘導体を成膜した。膜厚は約１２μｍであ
った。
向と延伸軸に直光する方向に、夫々” ’／ｃｍ の張
力を加え、これを成膜基板として実施例２と同条件でア
ントラキノン誘導体を成膜した。膜厚は約１２μｍであ
った。
得られた膜の分光吸収値は、実施例２アクリル樹脂基板
と同等であり、第５図提示品並みで８４０ ｎｍ域に残
していた。
と同等であり、第５図提示品並みで８４０ ｎｍ域に残
していた。
この発明は、加熱変化を起こしゃすい有機物の真空蒸着
膜、高周波イオンプレーテング膜をガラスまたはアクリ
ル軸脂基板面上に形成するに当って、示差熱分析結果に
もとづいて、前記した簡易な成膜法により、当該有機物
、すなわち、アントラキノン誘導体中の硫黄残量を目印
にして、その分子構造の変化を促すことなく、該基板面
上に成膜して光記録・読出しの機能をもり膜を得ること
かでざる。
膜、高周波イオンプレーテング膜をガラスまたはアクリ
ル軸脂基板面上に形成するに当って、示差熱分析結果に
もとづいて、前記した簡易な成膜法により、当該有機物
、すなわち、アントラキノン誘導体中の硫黄残量を目印
にして、その分子構造の変化を促すことなく、該基板面
上に成膜して光記録・読出しの機能をもり膜を得ること
かでざる。
父、この半導体レーザ出力阪長減に高吸収帯をもつ材料
は、未分解・昇華温度が低いことがら熱収縮性をもつ延
伸フィルムにも、該フィルムの熱固定温度以下の温度で
蒸発源を昇華するので成膜は容易である％徴をもつ。
は、未分解・昇華温度が低いことがら熱収縮性をもつ延
伸フィルムにも、該フィルムの熱固定温度以下の温度で
蒸発源を昇華するので成膜は容易である％徴をもつ。
第１図はこの発明で用いた染料の分子構造を示す図、４
１ｇ５図は該染料が熱分解して吸収帯が変った時の分子
撰造図、第２図はこの発明で用いたアントラキノン誘導
体染料の示差熱分析線図、第４図はこの発１３１１（実
施例１）で用いた高周鼓イオングレーテング装置の模式
図、第５図はこの発明で用いた染料、その薄膜およびこ
れをＭＪｓＰｌ処理時の、夫々の分光吸収脣性を示す図
である。 第４図Ｋｊ６いて、１は真窒檜、２は排気ポンプ系、５
は蒸発隊、４は真窒計、５はガス導入＄ １ 図 符 Ｆ″ｌ （亦〕 第 ３ 図 ＯｊＪＨ２ 第 ４ 図
１ｇ５図は該染料が熱分解して吸収帯が変った時の分子
撰造図、第２図はこの発明で用いたアントラキノン誘導
体染料の示差熱分析線図、第４図はこの発１３１１（実
施例１）で用いた高周鼓イオングレーテング装置の模式
図、第５図はこの発明で用いた染料、その薄膜およびこ
れをＭＪｓＰｌ処理時の、夫々の分光吸収脣性を示す図
である。 第４図Ｋｊ６いて、１は真窒檜、２は排気ポンプ系、５
は蒸発隊、４は真窒計、５はガス導入＄ １ 図 符 Ｆ″ｌ （亦〕 第 ３ 図 ＯｊＪＨ２ 第 ４ 図
Claims (1)
- １、透明な合成樹脂基板の一面に、半導体レーザ光の照
射を受けて、相変態または形状変化などの受光痕跡を残
す光記録媒体の製造法において、該光記録材料は光波長
が７００ｎｍから９００ｎｍの範囲内に分光吸収性をも
つアントラキノン誘導体またはアントラキノン誘導体を
主成分とし、これを物理的気相蒸着法により該基板面に
成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032725A JPS61194660A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032725A JPS61194660A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194660A true JPS61194660A (ja) | 1986-08-29 |
Family
ID=12366816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032725A Pending JPS61194660A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 光記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07324753A (ja) * | 1995-03-09 | 1995-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスコンロ |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60032725A patent/JPS61194660A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07324753A (ja) * | 1995-03-09 | 1995-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスコンロ |
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