JPS6119036A - 荷電粒子加速器 - Google Patents

荷電粒子加速器

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JPS6119036A
JPS6119036A JP13930684A JP13930684A JPS6119036A JP S6119036 A JPS6119036 A JP S6119036A JP 13930684 A JP13930684 A JP 13930684A JP 13930684 A JP13930684 A JP 13930684A JP S6119036 A JPS6119036 A JP S6119036A
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JP
Japan
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ion
ions
energy
kinds
slit
Prior art date
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Pending
Application number
JP13930684A
Other languages
English (en)
Inventor
Motoyuki Hashimoto
素行 橋本
Eiichi Nishimura
栄一 西村
Kazumichi Suzuki
鈴木 一道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6119036A publication Critical patent/JPS6119036A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Particle Accelerators (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、高エネルギー荷電粒子を得るための荷電粒子
加速器に係り、特に半導体、磁性材料。
誘電材料、金属などに高エネルギー荷電粒子を打込みあ
るいは注入するためのイオン注入装置に関する。
〔発明の背景〕
イオン注入装置は半導体製品を製造する際や、金鴇表面
層の加工、改善の際利用される。その時に注入される荷
電粒子(以下、イオンという)は1種類だけではなく、
一般に2種類以上のイオンが注入される。このようなイ
オン注入装置においては、2種類以上の高エネルギーイ
オンを発生する必要があるが、従来装置にあっては異種
のイオンの切換えが速やかにできない不具合がある。真
空状態におかれたイオン源内に唯一種類だけのガスを供
給したうえで、そのガスのイオンを発生させていたから
である。すなわち、新たなイオンを得るためには、その
度にイオン源内を真空引きにより一旦真空にして、目的
とする新たなガスをボンベから供給しなければならなか
った。したがって、新たなイオンを得るまでに30〜6
0分といった多くの時間を要していたのが実情である。
この種の装置は、実験室レベルではどうにか使用できる
ものの、例えば半導体製造ライン等においては、イオン
切換えの時間がかがしすぎ、全く実用にはならなかった
なお、イオン源は一般に電子発生用フイラメン)、’を
子扉速用陽極、磁場発生部、イオン引き出し電極などか
らなる。磁場発生部はイオンとの衝突回数を多くすべく
電子の移動を螺旋状にし、その移動距離を大きくするた
めのものである。イオン源内に導入されたガスは電子と
の衝突によってイオン化され、プラズマ状態となり、引
き出し電極によって外部に引き出される。このようなイ
オン注入装置に関して述べである文献の例として、イオ
ン注入技術1975年工業調査会発行難波進編著第2章
がある。
゛〔発明の目的〕 本発明の目的は、2種類以上のイオンが、時分割9周期
的に速やかに、しかも望ましくはそれらイオン各々のエ
ネルギーが可変状態で得られる荷電粒子加速器を供給す
ることである。
〔発明の概要〕
本発明は、イオン発生手段内には目的とするイオンに応
じたガスを2種以上充填し、それらのガスを同時にイオ
ン化したうえでイオンを外部に引き出して、引き出され
たイオンのうち一定エネルギーのもののみを選択した後
、これら選択されたイオンを種類別に、時分割、サイク
リックに選択したうえで所定のエネルギーに加速するよ
うにしたことを特徴とする。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図によ沙説明す
る。
まず、本発明による荷電粒子加速器の原理的な構成につ
いて説明する。第1図はその構成を示したものである。
これによると、ボンベ2には目的とするイオンに応じて
2種類以上の例えばH鵞。
・He、Atなどが混合された状態で充填されており、
これらのガスはバルブを介して真空状態に保たれたイオ
ン源1に導入できるように力っている。
ガスの混合は、各々のガスボンベを用意し、イオン源内
で直接行わせてもよい。一方、イオン化される物質がガ
ス状ではな(Ni、peなどの固体である場合には、オ
ープン3でガス化したものをボンベ4からのキャリアガ
ス(H! * Heg A rなど)とともにイオン源
1内に導入する。その結果、イオン源1の中では2種類
以上の核種が同時にイオン化されるが、との際発生する
イオンはほとんど1価の正イオンのみでおる。一般にイ
オン源1内では負イオンの発生も可能であるが、その発
生量は少なく、通常負イオンは注入イオンとして用いら
れない。
イオン源1内で発生した2種類以上のイオンは引き出し
電圧V、を印加した引き出し電極5によねイオン源1の
外部に引き出された後、平行平板電極6により偏向され
る。ここで平行平板電極6間の間隔をdlそこに印加さ
れる電圧を■、長さをtとすると、平行平板電極6内で
以下の式が成立する。
ここで、mはイオンの質量、qはイオンの電荷である。
x = y = OでのX方向、y方向の初速度をそれ
ぞれvg、0とすると、x、yは次式で表わされる。
すなわち、イオンは平行平板電極6内(0≦X≦t)に
おいて放物線運動する。平行平板電極6を通過したイオ
ンは、 なる速度で直線運動する。従って、平行乎板電株6の中
心からLだけ離れた位置、すなわち、X=t/2+Lの
位置でのy方向の変位量d8は次のようになる。
また、m憂o”/2=qV、なる関係が成立すΣから変
位ftdsは以下のように表わすことができる。
すなわち% x==z/2+L、y−d@の位置にスリ
ット8を図のように設けると、イオンの質量とは無関係
に一定のエネルギーqvoをもったイオン7のみがスリ
ット8を通過できることになる。
ここで、vo>>Vと仮定すれば、スリット8を通過す
るイオンの速度はv(1と近似できる。
スリット8により選択されたエネルギーEo==1 /
 2 mVQ” == Q V 、をもつイオンは、エ
ネルギー調整器9によって加速または減速される。その
エネルギーをEとすると、イオンの速さVは次式%式% さて、エネルギー調整器9を通過したイオンd次に分析
マグネット10の内部に入り、一様々磁場の中で円運動
する。このとき、ローレンツ力と遠心力が平衡するので
、軌道半径をr1分分析マグネット磁密度をBとすると
、次の関係が成立する。
t m −=vQB         ・・・・・・(7)
式(6)および(7)から、軌道半径rは以下のように
求められる。
ここでイオンはほとんど正の1価イオンのみであって、
その電荷qが低子のそれに等しく、シかも分析マグネッ
ト10の磁束密度Bが一定であるとすれば、mとEによ
って軌道半径rが決定されることになる。このことは、
イオン質量mに応じてエネルギー調整器9出口のエネル
ギー、すなわち分析マグネット10の入射エネルギーE
を変化させると、スリット13を設けて目的とするイオ
ンのみを選択的に取り出し可能であることを意味する。
おるEの値では、イオン11は所定の軌道半径となって
スリット13を通過して取り出されるが、他の質量をも
つイオン12の軌道半径はこれより大きかったり、小さ
かったりしてスリット13を通過できない。
スリット13により選択的に取り出されたイオンは、加
速器14で所定エネルギーまで加速された後、ターゲッ
ト15に照射される。
従って、例えば2種類のイオンを交互に加速するには、
エネルギー調整器9出口でのエネルギーEを2通りに制
御すればよいことKなる。エネルユギー調整器電圧制御
装置17はそのためのもので、第2図に示すように発振
器16の出力Aに基づいて、エネルギー調整器9に対す
る電圧Bを2通りに制御する。電圧BがCであれば質量
が犬のイオンが、また電圧Bがdであれば質量が小のイ
オンがスリット13により交互に選択され、ターゲット
15に照射注入される。
この場合、注入イオンの切換えは、エネルギー調整器9
に対する電圧B1遡って発振器16の出力Aにより行わ
れるが、切換えに要する時間は電圧Bを切換える時間で
あるから秒のオーダであり、注入イオンを高速に切換え
可能である。また、発振器16のデユーティ比を可変に
すると、イオン注入量も可変制御できる。
ところで、本発明の望ましい態様では、加速器14での
加速電圧はイオンに応じて可変制御される。加速電圧制
御装置18は1発振器16の出力Aに基づき加速管14
の加速電圧Cを制御するようになっている。第2図に示
すように、加速電圧e。
fに応じてイオンが加速される結果、ターゲット15へ
のイオンの打ち込み深さはイオン毎に制御可能となる。
まだ、3種類以上のイオンを発生させる場合には、発振
器16は3種類以上の出力レベルを持ったものとして構
成される。
第3図は、4り発明による他の実施例を示すものである
。第1図と異々るのは、分析マグネット10に入射され
るイオンのエネルギーを調整する手段として、スリット
8の後にエネルギー調整器9を設けるかわりに、引き出
し電圧V、を可変にしてイオンエネルギーを調整可能と
した点である。
このとき、式(5)により定められる位置にあるスリッ
ト8をイオンが通過するには、次の関係式を満すように
平行平板電極6の電圧Vを引き出し電極電圧V、と同期
させて変化させる必要がある。
V/V、=一定       ・・・・・・(9)引き
出し電極および平行平板電極電圧制御系19はこのだめ
のもので、発振器16の出力に基づいて引き出し電極5
の電圧および平行平板電極6の電圧を式(9)の関係を
満すように制御する。
本実施例によると、スリット13を通過するイオンの質
量mと引き出し電圧■、との関係は以下の式で与えられ
る。
力お、本実施例においても、第1図実施例と同様に、発
振器16の出力に基づいて加速管14の加速電圧を制御
し、ターゲット15へのイオンの打ち込み深さをイオン
毎に制御可能であることはもちろんであり、また発振器
16のデユーティ比を変えてイオン注入量を可変制御で
きる。
〔発明の効果〕
本発明では、イオン発生手段から2種類以上のイオンを
同時に引き出した後、これらのイオンを種類別に時分割
、サイクリックに選択したうえで所定のエネルギーに加
速するので、イオン発生手段内において予め2種類以上
のイオンが得られており、しかも速やかにイオンを種類
別に選択しうるだめ、2種類以上のイオンが時分割的に
、しかも交互あるいはサイクリックに速やかに得られる
まだ、望ましい態様においては、イオンは最終段でその
種類別に応じた加速電圧で加速されるから、イオンの打
ち込み深さをイオン毎に制御可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による荷電粒子加速器の原理的な構成を
示す図、第2図は発振器の出力によって分析マグネット
入射エネルギー調整器と加速管を制御する例の説明図、
第3図は本発明の他の実施例の構成を示す図である。 1・・・イオン源、2・・・ボンベ、3・・・オーブン
、4・・・キャリアガスボンベ、5・・・引き出・し電
極、6・・・平行平板電極、8・・・スリット、9・・
・エネルギー調整器、10・・・分析マグネット、13
・・・スリット、14・・・加速管、15・・・ターゲ
ット、16・・・発振器、17・・・エネルギー調整電
圧制御装置、18・・・加速管電圧制御装置、19・・
・引き出し電極および平行平板電極電圧制御装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、混合ガスを組成する2種類以上のガスを同時にイオ
    ン化するイオン発生手段と、イオン発生手段からのイオ
    ンのうち所定のエネルギーをもつたもののみを選択する
    イオン選択手段と、イオン選択手段によつて選択された
    イオンのエネルギーを時分割、サイクリツクに変化させ
    るエネルギー変更手段と、この変更手段によりエネルギ
    ーが変化したイオンのうちから電荷と質量の比に応じイ
    オンを種別毎に選択するイオン種別選択手段と、イオン
    種別選択手段によつて選択されたイオンを加速するイオ
    ン加速手段と、上記イオンエネルギー変更手段を制御す
    るイオンエネルギー変更制御手段とからなることを特徴
    とする荷電粒子加速器。 2、特許請求の範囲第1項において、イオンエネルギー
    変更制御手段には、イオンエネルギー変更制御に同期し
    てイオン加速手段でのイオン加速電圧を可変に制御する
    手段が含まれることを特徴とする荷電粒子加速器。
JP13930684A 1984-07-05 1984-07-05 荷電粒子加速器 Pending JPS6119036A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA019817B1 (ru) * 2011-12-29 2014-06-30 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Национальный Исследовательский Томский Политехнический Университет" (Фгбоу Впо Ни Тпу) Ионный диод с магнитной самоизоляцией
WO2020209210A1 (ja) * 2019-04-10 2020-10-15 株式会社東芝 イオン生成装置、方法及びプログラム

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