JPS6118793A - 第4級アンモニウム及びメチレンホスホン酸基を有する新規化合物 - Google Patents

第4級アンモニウム及びメチレンホスホン酸基を有する新規化合物

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JPS6118793A
JPS6118793A JP59137884A JP13788484A JPS6118793A JP S6118793 A JPS6118793 A JP S6118793A JP 59137884 A JP59137884 A JP 59137884A JP 13788484 A JP13788484 A JP 13788484A JP S6118793 A JPS6118793 A JP S6118793A
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iii
salt
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デビツド エイ ウイルソン
ウイルフレツド ダブリユー ウイルソン
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C02FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第4級アンモニウム及びメチレンホスホン酸基
を有する新規化合物に関する。
メチレンホスホン酸置換アルキレンポリアミンを化学量
論量より少ない量で金属イオン制御に用いることがBe
rsworthに対し1952年に付与された米国特許
第2.609,390号に示唆されている。その後、ア
ルキレンホスホネート誘導体を含有する水分散性重合体
状アミンキレート剤がスケール防止に1閾値量」効果を
有することが示された(米国特許第3,331,773
号参照)。ここで閾値量とは化学量論量より少ない量で
の使用を意味する。該ジアミンとポリアミンメチレンホ
スホネート誘導体はそれぞれ米国特許第3,336,2
21号及び第3,434,969号に開示されクレーム
されている。これら2件の特許に開示された生成物のあ
るものは市販されておシ、閾値量で用いるとスケール防
止剤として有効であるとされている。
キレート剤として有用であり閾値量で用いうるヘテロ環
状窒素含有化合物を開示した他の特許としては米国特許
第3.674,804号、第3,720,498号、第
3,743,603号、第3,859,211号及び第
3,954,761号がある。
米国特許第4,051,110号に開示されているポリ
アルキレンポリアミンのメチレンホスホネートは、ジー
又はポリアミンをシバライド又はエポキシノ・ライド(
たとえばエチレンジクロライド又はエピクロルヒドリン
)の如き鎖伸長剤と反応させ、次いで亜リン酸及びホル
ムアルデヒドと反応させることにより製造される。つま
り、たとえば、トリエチレンテトラミンをほぼ1対1モ
ル比でエピクロルヒドリンと反応させ、次いで生成物を
亜リン酸、及びホルムアルデヒドと塩酸存在下に反応さ
せる。生成するメチレンホスホネート化ポリアミンは少
量でスケール防止剤として有効であシ、20−50’p
pmの濃度で用いられる。
ある種の脂肪酸のホスホン酸誘導体は亜リン酸を酸無水
物又は酸クロライド(たとえば酢酸、プロピオン酸、吉
草酸)と反応させることによって製造できる。得られた
化合物は式 0RO II  1 11 (HO)2  P−C−P−(OH)2晶 ここでRは1から5の炭素原子を有する低級ア/L、キ
ル基である、を有する。これらの生成物の製造及び使用
の方法は米国特許第3,214,454号に開示されて
いる。つまりカルシウム沈澱を防止するだめの閾値量の
使用力1そこには開示されクレームされている。
ハロヒドリン(たとえばエピクロフレヒドリン)とアミ
ン(たとえばトリメチノげミン)との反応生成物のよう
な化合物は生物学的活性を有する第4級アンモニウムク
ロ/L、ヒドリン付加体を与える。勿論、クロ/1.ヒ
ドリン部分の塩素は他のアミンと反応してヒドロキシア
/L、キーL第4級アンモニウム化合物及びアミンの付
加体を与えうる。
ここにかかる官能基がメチレンホスホン酸基をも有する
シアミン又はポリアミンに付くと改良された閾値活性、
即ち消液からの金属イオンの沈澱を化学量論量より少な
い量で防止する能力を有する化合物を与えることを見出
した。
要約するに、本発明は閾値量での使用において金属イオ
ンの沈澱を防止する改良された性質を有する化合物に関
し、この化合物はアンモニア又はジアミン又はポリアミ
ンの誘導体で、アミン水素がメチレンホスホン酸基又は
その塩と2−ヒドロキシ−3(トリアルキルアンモニウ
ムノ)ライド)プロピル基の両者で置換されたものであ
る。これらの化合物は式 %式% ここで置換基A、  B、 C及びDはそれぞれ独立に
、氷菓;メチレンホスホン酸及びその塩;2−ヒドロキ
シ−3(トリアルキルアンモニウムノ・ライド)プロピ
ル基、但しここで各アルキル基1I−1:1から5の炭
素原子を有する;及び式%式%( ここでRは非置換又は不活性基を置換した1から6、好
ましくは1から3、より好ましくは1の炭素原子を有す
るアルキル基である、で示される基、又はその塩から選
ばれ;nは0から15であり;そして該置換基は少なく
とも1つのメチレンホスホン酸基又はその塙と少なくと
も1つの2−ヒドロキシ−3(トリアルキルアンモニウ
ムハライド)プロピル基を有する。
本発明の生成物の製造に用いる反応剤はアンモニア、ア
ルキレンアミン、重合体状アミン及び異なる分子量を有
するポリエチレンイミン(たとえばCordova C
hemicalCompanyが販売している化合物)
である。種々の、金属及びアルカリ金属塩、アンモニウ
ム及びアミン塩及びメチレンホスホン酸の部分塩及びそ
れらの混合物が本発明の第4級化した誘導体の製造に用
いられうる。しかしながら、アミンの4級化は好ましく
はホスホノメチル化及びいづれかのメチレンホスホン酸
塩の製造よシ先行させるべきである。
反応性アミノ水素を有するほとんどいかなるアミンも本
発明の生成物製造に用いうる。つま9、たとえば、ポリ
グリコールアミン、アミドアミン、オキシアルキル化ア
ミン、カルボキシメチル化アミン、メチレンスルホン化
及びヒドロキシプロピルスルホン化アミン、窒素へテロ
項化合物等が反応剤として用いられうる。あるアミノ水
素は未反応で残りうるが、好ましい生成物はアミン水素
が十分に置換された化合物である。次の例は本発明の化
合物の製造及び比較のために完全にホスホン化は化合物
の製造の代表例を示すものである。
例1 エチレンジアミン(EDA)(15F、0.25モル)
と3−クロロ−2−ヒドロキシプロピルトリメチルアン
モニウムクロライドの50%水溶液94r(0,25モ
ル)を、水冷還流コンデンサー、機械的攪拌機、温度制
御機付きの温度計及び添加ロートを備えた500−の丸
底反応フラスコに加えた。反応混合物を90℃に加熱し
、約1,5時間加温放置後冷却した。濃塩酸溶液約60
2と亜リン酸67.5F(0,82モル)を反応フラス
コに加え、加熱還流し1時間維持した。37%ホルムア
ルデヒド水溶液(67,1’、0.83モル)を添加ロ
ートに入れ2時間かけて滴加した。
反応混合物を更に3時間加熱還流し、次いで冷却した。
生成物は水素1つが2−ヒドロキシプロピルトリメチル
アンモニウムクロライド基で残りの水素がメチレンホス
ホン酸基で置換したEDAの誘導体であった。
例2(比較) エチレンアミンE−Zoo  (12,5F )と脱イ
オン水f2.5?を例1と同様の500−丸底反応フラ
スコに加えた。濃塩酸泪液約110yと亜リン酸31.
1y(0,38モル)を反応フラスコに加え、加熱還流
し、1時間維持した。
37%ホルムアルデヒド水溶液+26.11.0.33
モル)を添加ロートに入れ1時間かけて滴加した。反応
混合物を更に3時間加熱還流し、次いで冷却した。生成
物はすべてのアミン水素がメチレンホスホン酸基で置換
したE−100の誘導体であった。
米エチレンアミンE−100はザダウケミカルカンパニ
ーの製品でありペンタエチレンへキサミンと250−3
00の平均分子量を有する重質エチレンアミンとの混合
物である。
例3 エチレンアミンE−100(12,5F )と脱イオン
水12.5tを例2と同様の500tytl丸底反応フ
ラスコに加え90℃に刀日熱した。3−クロロ−2−ヒ
ドロプロピルトリメチルアンモニウムクロライド(12
,0?、0.032モル)の50%水溶液を添加o −
トに入れ約10分かけて滴加した。反応混合物を更に1
時間90℃で加熱し、次いで冷却した。濃塩酸溶液約1
101と亜リン酸28.5F(0,35モル)を反応フ
ラスコに加え、加熱還流して1時間維持した。37チホ
ルムアルデヒド水溶液(24,5r、0.30モル)を
添加ロートに入れ1時間かけて滴加した。生成物はアミ
ン水素の10%以下(〜10%)がヒドロキシプロピル
トリメチルアンモニウムクロライド基で置換され、残シ
がメチレンホスホン酸基で置換されたE−100誘導体
であった。
例46(比較) エチレンアミンE−100とエチレンジフロラ1ドから
製造した重合体状ポリアルキレンポリアミン(PAPA
)水溶液(36%の66.45’)を例1と同様の50
0−丸底反応フラスコに加えた。濃塩酸溶液の約401
と亜リン酸49、、l’(0,60モル)を反応フラス
コに加え加熱還流し1時間維持した。37%ホルムアル
デヒド水溶液(51,17,0,63モル)を添加ロー
トに入れ1時間かけて滴加した。反応混合物を更に1時
間半加熱還流し、次いで冷却した。生成物は全アミン水
素がメチレンホスホン酸で置換したPAPAであった。
例5 例4で用いた重合体状ポリアルキレンポリアミンを、例
3と同様にして、そのアミン水素を3−クロロ−2−ヒ
ドロキシプロピルトリメチルアンモニウムクロライドと
反応させることKより変性した。反応生成物を次いで亜
り・ン酸とホルムアルデヒドで塩酸の存在下にホスホノ
メチル化した。生成物はアぐン水素の10チ以下(〜1
0%)がヒドロキシトリメチルアンモニウムクロライド
基で置換され、残りがメチレンホスホン酸基で置換され
たPAPAであった。
例1−5の生成物を炭酸カルシウムについての次のスケ
ール防止試験により評価した: 0.02 M CaC
l2の50m1試料のいくつかを4オンスピンに入れる
1、これらの溶液に種々の濃度でスケール防止剤候補を
加える。0.04M重炭酸ナトリウム10.96M塩化
ナトリウム浴液の試料(各50m1>を次に攪拌下に加
える。混合物についての全硬度測定を、過剰の標準ED
TAを試料に加えエリオフロムブラックT (Erio
chrome Black T )指示薬の存在下に標
準yr g + +(4液で逆滴定することによって行
なう。
試料を80℃のオーブンに入れ、各ビンから定期的に1
0m1の試料を取り出し、4−55μmの孔径を有する
濾過機で濾過し、涙液の全硬度を滴定により測定する。
指示薬を入れないブランクについて同様の測定をする。
24時間加熱の前と後での硬度(可溶性カルシウムとし
て)を測定することにより相対的な防止効果がわかる。
可溶性カルシウムの量を最初に存在した量の%で表示し
/こものを防止チとする。
これらの試験の結果を表Iに示し、ホスホン化されてい
るが4級化されていないアミンと比較する。全生成物及
び比較実験は活性酸に基づき10ppmの濃度を用いて
行なった。
表1 添加剤      防止チ 来 ED A (CH2PO3H2)4 (比較>    
 41.8例1生成物             41
.8例2生成物(比較)          434例
3生成物             49.9例4生成
物(比較)          35.0例5生成物 
            381ブランク(添加剤なし
)(比較)    12”来 このホスホネートはスケ
ール防止用に市販されている化合物である。
糖これはブランクにおいて88%のカルシウムが沈澱し
たことを示している。
上記試験結果から、少なくとも1つの第4級基を有する
メチルホスホン酸誘導体はメチレンホスホン酸基のみを
有する化合物よりすぐれているか市販のスケール防止剤
であるEDAの誘導体も含め少なくともそれと同等にす
ぐれている。第4級基のみを有する化合物はいかなる閾
値効果も示さず、効果を示すためにはメチレンホスホン
酸基が存在しなければならないことが理解されるべきで
ある。
上記の例では第4級基を塩化物の形で用いているが、他
のハロゲン化物(たとえばBr−又はI−)も4級化誘
導体として用いうる。つまり、第4級塩はヒドロキシプ
ロピルトリエチルアンモニウムブロマイド、ヒドロキシ
プロピルトリプロピルアンモニウムアイオダイド等でも
よい。
手続補正省(方式) 昭11′]59年7月31日 特許庁長官 志 賀   学 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第137884号 2、発明の名称 第4級アンモニウム及びメチレンホスホン酸基會有する
新規化合物3、補正?する者 事件との19係  特許出願人 名称 ザ ダウ ケミカル カンパニー補正はない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで (a)nは0から15; (b)A、B、C及びDはそれぞれ独立に (i)水素; (ii)メチレンホスホン酸及びその塩; (iii)2−ヒドロキシ−3(トリアルキルアンモニ
    ウムハライド)プロピル基、但しここで各アルキル基は
    1から5の炭素原子を有する;及び (iv)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでRは非置換又は不活性基を置換した1から6の炭
    素原子を有するアルキル基である、で示される基、又は
    その塩 から選ばれ且つA、B、C及びDの少なくとも1つは(
    ii)であり、少なくとも1つは(iii)である;を
    有する化合物。 2、nが0又は1であり、A、B、C又はDの1つが(
    iii)であり、残りが(ii)である特許請求の範囲
    第1項記載の化合物。 3、nが0である特許請求の範囲第1項記載の化合物。 4、(ii)が該酸の塩の形で存在する特許請求の範囲
    第2項又は第3項記載の化合物。 5、アルカリ土類イオンを含有する水溶液に閾値量の式
    ▲数式、化学式、表等があります▼ ここで (a)nは0から15; (b)A、B、C及びDはそれぞれ独立に (i)水素; (ii)メチレンホスホン酸及びその塩; (iii)2−ヒドロキシ−3(トリアルキルアンモニ
    ウムハライド)プロピル基、但しここで各アルキル基は
    1から5の炭素原子を有する;及び (iv)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ ここでRは非置換又は不活性基を置換した1から6の炭
    素原子を有するアルキル基である、で示される基、又は
    その塩 から選ばれ且つA、B、C及びDの少なくとも1つは(
    ii)であり、少なくとも1つは(iii)である;を
    有する化合物を添加することを特徴とするアルカリ土類
    金属イオンを含有する水溶液のスケール形成防止法。 6、該化合物のnが0又は1であり、A、B、C又はD
    の1つが(iii)であり、残りが(ii)である特許
    請求の範囲第5項記載の方法。 7、該化合物のnが0である特許請求の範囲第5項記載
    の方法。 8、(ii)が該酸の塩の形で存在する特許請求の範囲
    第6項又は第7項記載の方法。 9、該塩がナトリウム塩である特許請求の範囲第8項記
    載の方法。
JP59137884A 1983-04-28 1984-07-05 第4級アンモニウム及びメチレンホスホン酸基を有する新規化合物 Pending JPS6118793A (ja)

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