JPS61187700A - 分子線エピタキシ−装置用シヤツタ−装置 - Google Patents
分子線エピタキシ−装置用シヤツタ−装置Info
- Publication number
- JPS61187700A JPS61187700A JP2896085A JP2896085A JPS61187700A JP S61187700 A JPS61187700 A JP S61187700A JP 2896085 A JP2896085 A JP 2896085A JP 2896085 A JP2896085 A JP 2896085A JP S61187700 A JPS61187700 A JP S61187700A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- molecular beam
- molecular
- beam source
- source cell
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、分子線エピタキシー装置における分子線源
セルのシャッター装置に関する。
セルのシャッター装置に関する。
第３図は分子線エピタキシー装置における分子線源セル
と基板との相対配置の一例を示す概略図であり、第４図
は分子線源セル及びシャッター回りをやや詳細に示す断
面図である。真空容器８内において、基板２に向けてこ
の例では複数の分子線源セル４が配置されている。各分
子線源セル４は、結晶成長のための材料を収納するるつ
ぼ１０、当該材料を加熱して分子線を発生させるための
ヒータ１１及び熱シールド１２等から成る。また、各分
子線源セル４の開口部１３の前方には、例えばタンタル
、モリブデン等の薄い板から成るシャッター６が設けら
れており、このシャッター６を機構部１４によって矢印
Ｒのように回転させて開口部１３の前方を開閉すること
により、結晶成長の際に各分子線源セル４を選択的に使
用する。尚、符号１６は、液体窒素を入れることによっ
て余分な分子を除去しお互いのセル温度の干渉を防ぐ等
を行うシュラウドである。
と基板との相対配置の一例を示す概略図であり、第４図
は分子線源セル及びシャッター回りをやや詳細に示す断
面図である。真空容器８内において、基板２に向けてこ
の例では複数の分子線源セル４が配置されている。各分
子線源セル４は、結晶成長のための材料を収納するるつ
ぼ１０、当該材料を加熱して分子線を発生させるための
ヒータ１１及び熱シールド１２等から成る。また、各分
子線源セル４の開口部１３の前方には、例えばタンタル
、モリブデン等の薄い板から成るシャッター６が設けら
れており、このシャッター６を機構部１４によって矢印
Ｒのように回転させて開口部１３の前方を開閉すること
により、結晶成長の際に各分子線源セル４を選択的に使
用する。尚、符号１６は、液体窒素を入れることによっ
て余分な分子を除去しお互いのセル温度の干渉を防ぐ等
を行うシュラウドである。
第５図は、従来のシャッター装置を示す概略断面図であ
る。この、シャッター装置は、シャッター６とそれを回
転させるための機構部１４から成る。
る。この、シャッター装置は、シャッター６とそれを回
転させるための機構部１４から成る。
機構部１４においては、シャッター６が取り付けられた
回転軸１８がロータリーカップ２０内で曲げられており
、その端部はロータリーカップ２０の偏心させた位置に
設けられた穴に入れられている。また、真空側ＶＳと大
気側ＡＳとを絶縁（真空シール）するために、ベローズ
２２が回転軸１８を覆うように取り付けられている。そ
して、シャ・７ター６の開閉は、ロータリーカップ２０
を例えば遠隔操作で回転させて回転軸１８を回転させる
ことにより行う。
回転軸１８がロータリーカップ２０内で曲げられており
、その端部はロータリーカップ２０の偏心させた位置に
設けられた穴に入れられている。また、真空側ＶＳと大
気側ＡＳとを絶縁（真空シール）するために、ベローズ
２２が回転軸１８を覆うように取り付けられている。そ
して、シャ・７ター６の開閉は、ロータリーカップ２０
を例えば遠隔操作で回転させて回転軸１８を回転させる
ことにより行う。
上述のようなシャッター装置においては、シャッター６
は矢印Ｒのように回転させられるのみである。この場合
、シャッター６が開口部１３の近くに取り付けられてい
て両者間の距離Ｌ（第４図参照）が小さい場合には、シ
ャッター６を閉じている時の分子線源セル４内の蒸気圧
が高くなり過ぎて、結晶成長の際にシャッター６を開い
た瞬間に多量の分子線が一度に出て時間経過と共に減少
するようなことが起こり、これによって結晶成長の制御
が困難になるという問題が生じる。逆に、シャッター６
が開口部１３から離れて取り付けられていて両者間の距
離りが大きい場合には、常に分子線が分子線源セル４か
ら漏れ出て他のセルが汚染されるという問題が生じる。
は矢印Ｒのように回転させられるのみである。この場合
、シャッター６が開口部１３の近くに取り付けられてい
て両者間の距離Ｌ（第４図参照）が小さい場合には、シ
ャッター６を閉じている時の分子線源セル４内の蒸気圧
が高くなり過ぎて、結晶成長の際にシャッター６を開い
た瞬間に多量の分子線が一度に出て時間経過と共に減少
するようなことが起こり、これによって結晶成長の制御
が困難になるという問題が生じる。逆に、シャッター６
が開口部１３から離れて取り付けられていて両者間の距
離りが大きい場合には、常に分子線が分子線源セル４か
ら漏れ出て他のセルが汚染されるという問題が生じる。
従ってこの発明は、分子線源セルからの分子線の漏れ等
を防止することができると共に、シャッターを開いた時
の分子線放出量を一定にすることができるシャッター装
置を提供することを目的とする。
を防止することができると共に、シャッターを開いた時
の分子線放出量を一定にすることができるシャッター装
置を提供することを目的とする。
この発明のシャッター装置は、真空側に設けられたシャ
ッターを大気側から回転及び直進させる機構を備えてい
る。
ッターを大気側から回転及び直進させる機構を備えてい
る。
シャ・ツタ−を直進させることによって、シャッターと
分子線源セルの開口部との間の距離を、結晶成長時以外
は小さくし、結晶成長直前に大きくすることができる。
分子線源セルの開口部との間の距離を、結晶成長時以外
は小さくし、結晶成長直前に大きくすることができる。
これによって、分子線源セルからの分子線の漏れ等が防
止されると共に、シャッターを開いた時の分子線放出量
が一定にされる。
止されると共に、シャッターを開いた時の分子線放出量
が一定にされる。
第１図は、この発明の一実施例に係るシャッター装置を
示す概略断面図である。真空容器８に連通ずるように、
例えばフランジ等を用いて有底の筒２８が真空容器８に
取り付けられており、これによって真空側ＶＳと大気側
ＡＳとを絶縁している。筒２８は、例えばステンレス等
の非磁性体から成る。そして、筒２８の内側には、一端
に磁石２６が取り付けられた軸２４が入れられており、
軸２４の他端には前述したシャッター６が取り付けられ
ている。一方、筒２８の外側にも、例えばドーナツ形を
した磁石３０が設けられており、これと内側の磁石２６
とは磁気的に結合されている。
示す概略断面図である。真空容器８に連通ずるように、
例えばフランジ等を用いて有底の筒２８が真空容器８に
取り付けられており、これによって真空側ＶＳと大気側
ＡＳとを絶縁している。筒２８は、例えばステンレス等
の非磁性体から成る。そして、筒２８の内側には、一端
に磁石２６が取り付けられた軸２４が入れられており、
軸２４の他端には前述したシャッター６が取り付けられ
ている。一方、筒２８の外側にも、例えばドーナツ形を
した磁石３０が設けられており、これと内側の磁石２６
とは磁気的に結合されている。
もっとも、磁石２６．３０のいずれか一方は単なる磁性
体であっても良い。
体であっても良い。
上述のような構成により、大気側ＡＳの磁石３０を回転
させることによって真空側ＶＳＯ軸２４及びそれに取り
付けられたシャッター６を矢印Ｒのように回転させるこ
とができ、これによって前述した分子線源セル４の開口
部１３を開閉することができる。更に、磁石３０を筒２
８に沿って前後に移動させることにより、軸２４及びそ
れに取り付けられたシャッター６を矢印Ｓのように前後
に直進させることができ、これによって前述したシャッ
ター６と開口部１３との間の距離りを変えることができ
る。この場合磁石３０は、例えば、電磁的あるいは空気
的な手段により遠隔操作しても良い。
させることによって真空側ＶＳＯ軸２４及びそれに取り
付けられたシャッター６を矢印Ｒのように回転させるこ
とができ、これによって前述した分子線源セル４の開口
部１３を開閉することができる。更に、磁石３０を筒２
８に沿って前後に移動させることにより、軸２４及びそ
れに取り付けられたシャッター６を矢印Ｓのように前後
に直進させることができ、これによって前述したシャッ
ター６と開口部１３との間の距離りを変えることができ
る。この場合磁石３０は、例えば、電磁的あるいは空気
的な手段により遠隔操作しても良い。
このシャッター装置の操作に当っては、結晶成長時以外
は距離りを小さくしてシャッター６を閉じてお（ことに
より、そこからの分子線の漏れを防止することができる
。また、結晶成長時はその直前に距離りを大きくして分
子線源セル４から適度に分子線を漏らして分子線源セル
４内の蒸気圧を下げておくことにより、シャッター６を
開いた際に分子線源セル４から放出される分子線量を一
定にすることができる。これによって、結晶成長レート
等の制御が容易になる。
は距離りを小さくしてシャッター６を閉じてお（ことに
より、そこからの分子線の漏れを防止することができる
。また、結晶成長時はその直前に距離りを大きくして分
子線源セル４から適度に分子線を漏らして分子線源セル
４内の蒸気圧を下げておくことにより、シャッター６を
開いた際に分子線源セル４から放出される分子線量を一
定にすることができる。これによって、結晶成長レート
等の制御が容易になる。
第２図は、この発明の他の実施例に係るシャッター装置
を示す概略断面図である。第１図のシャッター装置との
主な相違点は、筒２８と真空容器８との間にスライド機
構３２を設け、その部分をベローズ３４によって伸縮自
在に真空シールしていることである。そして、シャッタ
ー６の回転は、上述と同様に磁石３０を回転させること
によって行い、シャッター６の直進は、上述とは違って
スライド機構３２をそれに取り付けられた磁石３０と共
に前後にスライドさせることによって行う。
を示す概略断面図である。第１図のシャッター装置との
主な相違点は、筒２８と真空容器８との間にスライド機
構３２を設け、その部分をベローズ３４によって伸縮自
在に真空シールしていることである。そして、シャッタ
ー６の回転は、上述と同様に磁石３０を回転させること
によって行い、シャッター６の直進は、上述とは違って
スライド機構３２をそれに取り付けられた磁石３０と共
に前後にスライドさせることによって行う。
この場合、スライド機構３２の操作も、例えば遠隔操作
によって行っても良い。その他の点については、第１図
の場合と同様であるので説明を省略する。
によって行っても良い。その他の点については、第１図
の場合と同様であるので説明を省略する。
以上のようにこの発明によれば、シャッターを直進させ
ることによってシャッターと分子線源セルの開口部との
間の距離を、結晶成長直前外は小さくし、結晶成長直前
に大きくすることができる。
ることによってシャッターと分子線源セルの開口部との
間の距離を、結晶成長直前外は小さくし、結晶成長直前
に大きくすることができる。
これによって、分子線源セルからの分子線の漏れ等を防
止することができると共に、シャッターを開いた時の分
子線放出量を一定にすることができる。
止することができると共に、シャッターを開いた時の分
子線放出量を一定にすることができる。
第１図は、この発明の一実施例に係るシャッター装置を
示す概略断面図である。第２図は、この発明の他の実施
例に係るシャッター装置を示す概略断面である。第３図
は、分“子線エピタキシー装置における分子線源セルと
基板との相対配置の一例を示す概略図である。第４図は
、分子線源セル及びシャッター回りをやや詳細に示す断
面図である。第５図は、従来のシャッター装置を示す概
略断面図である。
示す概略断面図である。第２図は、この発明の他の実施
例に係るシャッター装置を示す概略断面である。第３図
は、分“子線エピタキシー装置における分子線源セルと
基板との相対配置の一例を示す概略図である。第４図は
、分子線源セル及びシャッター回りをやや詳細に示す断
面図である。第５図は、従来のシャッター装置を示す概
略断面図である。
Claims (1)
- （１）分子線エピタキシー装置における分子線源セルの
シャッター装置において、真空側に設けられたシャッタ
ーを大気側から回転及び直進させる機構を備えることを
特徴とするシャッター装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896085A JPS61187700A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 分子線エピタキシ−装置用シヤツタ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2896085A JPS61187700A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 分子線エピタキシ−装置用シヤツタ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61187700A true JPS61187700A (ja) | 1986-08-21 |
Family
ID=12262981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2896085A Pending JPS61187700A (ja) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | 分子線エピタキシ−装置用シヤツタ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61187700A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300285A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Nissin Electric Co Ltd | シャッター装置 |
| JP2008012646A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Tsukatani Hamono Seisakusho:Kk | フレキシブルダイ |
-
1985
- 1985-02-15 JP JP2896085A patent/JPS61187700A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04300285A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Nissin Electric Co Ltd | シャッター装置 |
| JP2008012646A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Tsukatani Hamono Seisakusho:Kk | フレキシブルダイ |
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