JPS61182217A - ウエハ接着方法 - Google Patents
ウエハ接着方法Info
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- JPS61182217A JPS61182217A JP2292685A JP2292685A JPS61182217A JP S61182217 A JPS61182217 A JP S61182217A JP 2292685 A JP2292685 A JP 2292685A JP 2292685 A JP2292685 A JP 2292685A JP S61182217 A JPS61182217 A JP S61182217A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子素子、電子−光素子、光素子等の製造に
好適するウェハ接着方法に関する。
好適するウェハ接着方法に関する。
（発明の技術的背景とその問題点〕
近年、化合物半導体の接合（例えばＰＮ接合）を利用し
て各種の半導体発光素子が開発されているが、化合物半
導体の中にはエピタキシャル成長では良好なＰＮ接合が
形成されないものもある。
て各種の半導体発光素子が開発されているが、化合物半
導体の中にはエピタキシャル成長では良好なＰＮ接合が
形成されないものもある。
さらに、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線
エピタキシャル法（ＭＢＥ法）等の特殊な方法を用いな
ければ、良好な接合が形成されない場合もある。そこで
、エピタキシャル成長ではなく、半導体ウェハ同志を単
に密着させるだけでＰＮ接合がｉｉれれば、素子形成技
術−新たｄ展望が開けると思われる。
エピタキシャル法（ＭＢＥ法）等の特殊な方法を用いな
ければ、良好な接合が形成されない場合もある。そこで
、エピタキシャル成長ではなく、半導体ウェハ同志を単
に密着させるだけでＰＮ接合がｉｉれれば、素子形成技
術−新たｄ展望が開けると思われる。
このような点に看目し、本発明者等は最近、清浄な鏡面
を有する２種のウェハを密着させることにより、ウェハ
同志が強固に接着されると共に良好なＰＮ接合が形成さ
れることを、実験により見出した。そして、かかる現象
を活用し、鏡面に仕上げた２種のシリコンウェハを密着
接合させ、ウェハ間の良好な電気伝導性を確保し、通常
の半導体素子形成のためのプラナ技術では容易に実現し
ない新規デバイスを既に提案している。
を有する２種のウェハを密着させることにより、ウェハ
同志が強固に接着されると共に良好なＰＮ接合が形成さ
れることを、実験により見出した。そして、かかる現象
を活用し、鏡面に仕上げた２種のシリコンウェハを密着
接合させ、ウェハ間の良好な電気伝導性を確保し、通常
の半導体素子形成のためのプラナ技術では容易に実現し
ない新規デバイスを既に提案している。
上記シリコンウェハの接合形成法を簡単に述べるならば
、以下の通りである。まず、２枚のシリコンウェハの被
接合面を表面粗さ５００ ［入コ以下に鏡面研磨し、研
磨表面を Ｈ２０２＋Ｈ２８０４→ＨＦ→希ＨＦによる前処理工程
を行った後、清浄な水で数分程度水洗し、室温でスピナ
処理による脱水処理を行う。次いで、クラス１以下の清
浄な大気雰囲気中のような鏡面間に異物が実質的に介在
しない状態で、ウェハを相互に密着させる。必要に応じ
て、さらに１０００〜２０００ ［’Ｃ］で加熱処理を
行う場合もある。
、以下の通りである。まず、２枚のシリコンウェハの被
接合面を表面粗さ５００ ［入コ以下に鏡面研磨し、研
磨表面を Ｈ２０２＋Ｈ２８０４→ＨＦ→希ＨＦによる前処理工程
を行った後、清浄な水で数分程度水洗し、室温でスピナ
処理による脱水処理を行う。次いで、クラス１以下の清
浄な大気雰囲気中のような鏡面間に異物が実質的に介在
しない状態で、ウェハを相互に密着させる。必要に応じ
て、さらに１０００〜２０００ ［’Ｃ］で加熱処理を
行う場合もある。
シリコンウェハを密着接合させる場合は、上述の方法で
電気的に極めて良好な接合ができる。しかしながら、近
年、高速半導体素子や光素子材料として注目されている
ＧａＡｓやＩｎＰ及びこれらをベースとした化合物半導
体混晶を被接着面としたウェハの場合には、上述の方法
で接合したウェハ間のある程度の電気伝導性は確保され
るものの、無視し得ない電気的バリヤが存在することが
見出され、良好な電子素子が形成し難い場合があること
が判った。
電気的に極めて良好な接合ができる。しかしながら、近
年、高速半導体素子や光素子材料として注目されている
ＧａＡｓやＩｎＰ及びこれらをベースとした化合物半導
体混晶を被接着面としたウェハの場合には、上述の方法
で接合したウェハ間のある程度の電気伝導性は確保され
るものの、無視し得ない電気的バリヤが存在することが
見出され、良好な電子素子が形成し難い場合があること
が判った。
本発明は上記の事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、■−ｖ族化合物半導体ウェハ等にも
適用することができ、良好なウェハ間の接合を可能とす
るウェハ接着方法を提供することにある。
的とするところは、■−ｖ族化合物半導体ウェハ等にも
適用することができ、良好なウェハ間の接合を可能とす
るウェハ接着方法を提供することにある。
本発明の骨子は、２枚のウェハを接着して接合する際の
雰囲気を適正化することにより、ウエノ＼の良好な接合
を得ることにある。
雰囲気を適正化することにより、ウエノ＼の良好な接合
を得ることにある。
即ち本発明は、２枚のウェハを直接接着してウェハ間の
接合を形成するウェハ接着方法において、前記ウェハの
接着すべき各表面を清浄化処理したのち、硫化水素、セ
レン化水素及びテルル化水素の少なくともいずれかを含
む雰囲気ガス中で上記清浄化処理したウェハの各清浄化
面を密着して接合し、しかるのち２００ ［℃］以上の
温度で熱処理するようにした方法である。
接合を形成するウェハ接着方法において、前記ウェハの
接着すべき各表面を清浄化処理したのち、硫化水素、セ
レン化水素及びテルル化水素の少なくともいずれかを含
む雰囲気ガス中で上記清浄化処理したウェハの各清浄化
面を密着して接合し、しかるのち２００ ［℃］以上の
温度で熱処理するようにした方法である。
本発明におけるウェハ接着の機構は、次の通りと考えら
れる。即ち、通常ウェハ前処理工程の後では、ウェハ表
向には空気中の酸素の影響で薄い自然酸化膜が形成され
、さらにこの酸化膜には水分子が吸着されている。この
状態で２枚のウェハを密着させると、それぞれのウェハ
に吸着した水分子の水素結合、即ちＯＨ基間の分子間力
にようて２枚のウェハは接着されることになる。この状
態では、相対するウェハ上のシリコン分子は酸素と水分
子を間に挟んで結合した状態になっている。
れる。即ち、通常ウェハ前処理工程の後では、ウェハ表
向には空気中の酸素の影響で薄い自然酸化膜が形成され
、さらにこの酸化膜には水分子が吸着されている。この
状態で２枚のウェハを密着させると、それぞれのウェハ
に吸着した水分子の水素結合、即ちＯＨ基間の分子間力
にようて２枚のウェハは接着されることになる。この状
態では、相対するウェハ上のシリコン分子は酸素と水分
子を間に挟んで結合した状態になっている。
この状態でも、自然酸化膜層及び水分子層が薄ければ、
ウェハ間の良好な電気伝導性を確保することができるが
、さらに高温処理を行い、ウェハ間の水分子層を薄くし
、表面酸素分子を結晶中に拡散せしめ、結晶中シリコン
原子の再配列現象を起こさせることによって、一層良好
な電気伝導性を実現できるようになる。
ウェハ間の良好な電気伝導性を確保することができるが
、さらに高温処理を行い、ウェハ間の水分子層を薄くし
、表面酸素分子を結晶中に拡散せしめ、結晶中シリコン
原子の再配列現象を起こさせることによって、一層良好
な電気伝導性を実現できるようになる。
以上のような機構から明らかなように、上述したウェハ
接着法では、ウェハ間に相当量の酸素原子が介在するか
、若しくは相当量の酸素原子が結晶中に取り込まれるこ
とになる。シリコン結晶の場合には、酸素原子はウェハ
間の電気伝導性にあまり影響を及ぼさないことが明らか
となっているが、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合物半導体結
晶の場合には、取り込まれた酸素原子は深い単位を形成
するために、電気的担体（キャリア）の捕獲中心として
働き、電気伝導性を著しく阻害することになる。
接着法では、ウェハ間に相当量の酸素原子が介在するか
、若しくは相当量の酸素原子が結晶中に取り込まれるこ
とになる。シリコン結晶の場合には、酸素原子はウェハ
間の電気伝導性にあまり影響を及ぼさないことが明らか
となっているが、ＧａＡｓやＩｎＰ等の化合物半導体結
晶の場合には、取り込まれた酸素原子は深い単位を形成
するために、電気的担体（キャリア）の捕獲中心として
働き、電気伝導性を著しく阻害することになる。
ウェハ間の接着に際し水分子の水素結合を用いる代りに
、酸素と同族の原子を含む水分子と類似の分子構造及び
化学的性質を有する硫化水素、セレン化水素、テルル化
水素等をウェハに吸着させても、同様に水素結合によっ
て２種のウェハを接着することができた。硫化水素、セ
レン化水素。
、酸素と同族の原子を含む水分子と類似の分子構造及び
化学的性質を有する硫化水素、セレン化水素、テルル化
水素等をウェハに吸着させても、同様に水素結合によっ
て２種のウェハを接着することができた。硫化水素、セ
レン化水素。
テルル化水素に含まれるＳ、Ｓｅ、Ｔｅ等の原子はＧａ
ＡＳやＩｎＰ等の化合物半導体中において浅いドナ一単
位を形成するために、これらの原子が結晶中に取り込ま
れても酸素原子の場合のように電気伝導性にそれ程悪影
響を及ぼさない。従って、ウェハの接着物質として、水
分より硫化水素。
ＡＳやＩｎＰ等の化合物半導体中において浅いドナ一単
位を形成するために、これらの原子が結晶中に取り込ま
れても酸素原子の場合のように電気伝導性にそれ程悪影
響を及ぼさない。従って、ウェハの接着物質として、水
分より硫化水素。
セレン化水素、テルル化水素の方が優れていると言える
。
。
ウェハ間に介在する酸素の鯖は、ウェハ表面の自然酸化
膜を排除し、表面に硫化物、セレン化物。
膜を排除し、表面に硫化物、セレン化物。
テルル化物を形成すれば、更に少なくすることができる
。接合したウェハ間の良好な電気伝導性を得るには、表
面処理工程後のウェハ表面を硫化物。
。接合したウェハ間の良好な電気伝導性を得るには、表
面処理工程後のウェハ表面を硫化物。
セレン化物、テルル化物で覆うようにすることが望まし
い。
い。
本発明によれば、シリコンウェハの接着の場合と同様に
、Ｉ［Ｉ−Ｖ族化合物半導体の場合にもウェハ接着法を
用いて、良好な電気伝導性を得ることができ、良好な接
合を形成することができる。このため、新規構造の電子
素子、電子−光素子、光素子を構成できるようになった
。
、Ｉ［Ｉ−Ｖ族化合物半導体の場合にもウェハ接着法を
用いて、良好な電気伝導性を得ることができ、良好な接
合を形成することができる。このため、新規構造の電子
素子、電子−光素子、光素子を構成できるようになった
。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例方法に係わる
ウェハ接着工程を示す側面図である。ウェハとしては、
ＧａＡｓ結晶を用いた。ＧａＡｓ結晶としてはＺｎをド
ープしたキャリア濃度１×１０１８ ［ｃ「３］のＰ型
ＧａＡｓと、Ｓｌをドープしたキャリア濃度ｌＸｌ０１
Ｂ ［ｃｍ’ ］のＮ型Ｎ型Ａｓを用いた。
ウェハ接着工程を示す側面図である。ウェハとしては、
ＧａＡｓ結晶を用いた。ＧａＡｓ結晶としてはＺｎをド
ープしたキャリア濃度１×１０１８ ［ｃ「３］のＰ型
ＧａＡｓと、Ｓｌをドープしたキャリア濃度ｌＸｌ０１
Ｂ ［ｃｍ’ ］のＮ型Ｎ型Ａｓを用いた。
まず、第１図（ａ）に示す如くＰ型ＧａＡｓウェハ１１
の表面１１ａを表面粗さ５００１人１以下に鏡面研磨し
た。一方、第１図（ｂ）に示す如くＮ型ＧａＡ３ウェハ
１２の表面１２ａも表面粗さ５００［人〕以下に鏡面研
磨した。続いて、それぞれのウェハ１１．１２の有機溶
剤で付着した油性成分を除去後、濃塩酸液中で煮沸し表
面酸化膜を除去した。
の表面１１ａを表面粗さ５００１人１以下に鏡面研磨し
た。一方、第１図（ｂ）に示す如くＮ型ＧａＡ３ウェハ
１２の表面１２ａも表面粗さ５００［人〕以下に鏡面研
磨した。続いて、それぞれのウェハ１１．１２の有機溶
剤で付着した油性成分を除去後、濃塩酸液中で煮沸し表
面酸化膜を除去した。
次いで、第２図に示す如き処理装置を用い、ウェハ１１
．１２を水素雰囲気ガス中で６００［℃］に加熱して表
面酸化膜を揮発せしめた。その後、連続して硫化水素ガ
ス、セレン化水素ガス或いはテルル化水素ガスを導入し
て表面に硫化物、セレン化物或いはテルル化物を形成せ
しめると同時に、硫化水素分子、セレン化水素分子或い
はテルル化水素分子を表面に吸着せしめた。なお、第２
図中２１は反応炉、２２はガス導入口、２３はガス排気
口、２４．２５は試料台、２６．２７はヒータをそれぞ
れ示している。
．１２を水素雰囲気ガス中で６００［℃］に加熱して表
面酸化膜を揮発せしめた。その後、連続して硫化水素ガ
ス、セレン化水素ガス或いはテルル化水素ガスを導入し
て表面に硫化物、セレン化物或いはテルル化物を形成せ
しめると同時に、硫化水素分子、セレン化水素分子或い
はテルル化水素分子を表面に吸着せしめた。なお、第２
図中２１は反応炉、２２はガス導入口、２３はガス排気
口、２４．２５は試料台、２６．２７はヒータをそれぞ
れ示している。
次いで、上記処理を施したＰ型及びＮ型のＧａＡＳつＩ
ＡＩＩ、１２を第１図（Ｃ）に示す如く密着接合せしめ
、７５０［’Ｃ］で６０分間熱処理した。なお、この処
理も、前記第２図に示す処理装置を用い上記と同様の雰
囲気中で行った。
ＡＩＩ、１２を第１図（Ｃ）に示す如く密着接合せしめ
、７５０［’Ｃ］で６０分間熱処理した。なお、この処
理も、前記第２図に示す処理装置を用い上記と同様の雰
囲気中で行った。
以上の処理を行ったウェハ１１，１２のＰ側及びＮ側に
、第１図（ｄ）に示す如くそれぞれオーム性電極１３．
１４としてＡｕＺｎ、ＡＵＧｅ合金を蒸着し、チップ分
割後、電流−電圧特性を測定した所、いずれのガスを用
いた場合でも、通常のＧａＡＳウェハ上にＮ型ＧａＡＳ
層とＰ型ＧａＡｓ層とを１ビタキシヤル成長成長したＰ
Ｎ接合を有する整流素子と同等差異がないことが見出さ
れ、良好なＰＮ接合が形成されているのが確認された。
、第１図（ｄ）に示す如くそれぞれオーム性電極１３．
１４としてＡｕＺｎ、ＡＵＧｅ合金を蒸着し、チップ分
割後、電流−電圧特性を測定した所、いずれのガスを用
いた場合でも、通常のＧａＡＳウェハ上にＮ型ＧａＡＳ
層とＰ型ＧａＡｓ層とを１ビタキシヤル成長成長したＰ
Ｎ接合を有する整流素子と同等差異がないことが見出さ
れ、良好なＰＮ接合が形成されているのが確認された。
このように本実施例方法によれば、ＧａＡｓのＰＮ接合
をエピタキシャル成長でなくウェハ接着により容易に実
現することができ、且つ良好なＰＮ接合を形成すること
ができる。しかも、エピタキシャル成長の場合と異なり
、ＰＮ間の不純物相互拡散が生じる等の不都合もなく、
接合条件の自由度が大きい。このため、従来困難であっ
た化合物半導体のＰＮ接合も容易に形成することができ
、この接合を利用した新規素子の製造も可能となり、そ
の効果は絶大である。
をエピタキシャル成長でなくウェハ接着により容易に実
現することができ、且つ良好なＰＮ接合を形成すること
ができる。しかも、エピタキシャル成長の場合と異なり
、ＰＮ間の不純物相互拡散が生じる等の不都合もなく、
接合条件の自由度が大きい。このため、従来困難であっ
た化合物半導体のＰＮ接合も容易に形成することができ
、この接合を利用した新規素子の製造も可能となり、そ
の効果は絶大である。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前゛記前記ウェハ表面を清浄化する処理は
、硫化水素、セレン化水素或いはテルル化水素雰囲気中
に限るものではなく、これらの少なくともいずれかを含
むガス中であればよく、さらに大気中であってもよい。
い。例えば、前゛記前記ウェハ表面を清浄化する処理は
、硫化水素、セレン化水素或いはテルル化水素雰囲気中
に限るものではなく、これらの少なくともいずれかを含
むガス中であればよく、さらに大気中であってもよい。
また、前記密着接合後の熱処理は７５０［’Ｃ］に限る
ものではなく、２００ ［’Ｃ］以上の熱処理であれば
よい。また、ＧａＡＳに限らず他の■−ｖ族化合物半導
体であるＩｎＰウェハ、或いはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体であるＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のウェハに適用することも
可能である。さらに、同種のウェハの接合に限ることな
く、ＧａＡｓと８１との接着等の異種ウェハ間の接着に
適用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
ものではなく、２００ ［’Ｃ］以上の熱処理であれば
よい。また、ＧａＡＳに限らず他の■−ｖ族化合物半導
体であるＩｎＰウェハ、或いはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体であるＺｎＳ、Ｚｎ５ｅ等のウェハに適用することも
可能である。さらに、同種のウェハの接合に限ることな
く、ＧａＡｓと８１との接着等の異種ウェハ間の接着に
適用することも可能である。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例方法に係わる
ウェハ接着工程を示す側面図、第２図は上記実施例に使
用した処理装置の概略構成を示す断面図である。 １１ ・Ｐ型ＧａＡＳウェハ、 １２ ・Ｎ型ＧａＡＳウェハ、１３．１４・・・オーム
性電極、２１・・・反応炉、２２・・・ガス導入口、２
３・・・ガス排気口、２４．２５・・・試料台、２６．
２７・・・ヒータ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 区 −１） ｐ ｕ ζノ ν
〜ノ和８ ″ 糎
ウェハ接着工程を示す側面図、第２図は上記実施例に使
用した処理装置の概略構成を示す断面図である。 １１ ・Ｐ型ＧａＡＳウェハ、 １２ ・Ｎ型ＧａＡＳウェハ、１３．１４・・・オーム
性電極、２１・・・反応炉、２２・・・ガス導入口、２
３・・・ガス排気口、２４．２５・・・試料台、２６．
２７・・・ヒータ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 区 −１） ｐ ｕ ζノ ν
〜ノ和８ ″ 糎
Claims (5)
- （１）２枚のウェハを直接接着してウェハ間の接合を形
成するウェハ接着方法において、前記ウェハの接着すべ
き各表面を清浄化処理する工程と、次いで硫化水素、セ
レン化水素及びテルル化水素の少なくともいずれかを含
む雰囲気ガス中で上記清浄化処理したウェハの各清浄化
面を密着して接合する工程と、次いで２００［℃］以上
の温度で熱処理する工程とを含むことを特徴とするウェ
ハ接着方法。 - （２）前記清浄化処理する工程は、前記硫化水素、セレ
ン化水素及びテルル化水素の少なくともいずれかを含む
雰囲気ガス中で、或いは大気中で行われることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のウェハ接着方法。 - （３）前記ウェハの接着すべき各表面は、前記清浄化処
理する工程の前に表面粗さ５００［Å］以下に鏡面研磨
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウ
ェハ接着方法。 - （４）前記ウェハとして、III−Ｖ族化合物半導体を用
いたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェ
ハ接着方法。 - （５）前記III−Ｖ族化合物半導体として、ＧａＡｓを
用いたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載のウ
ェハ接着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292685A JPS61182217A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | ウエハ接着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2292685A JPS61182217A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | ウエハ接着方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182217A true JPS61182217A (ja) | 1986-08-14 |
Family
ID=12096235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2292685A Pending JPS61182217A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | ウエハ接着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182217A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246238A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating a bonded substrate |
| WO2003028075A1 (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Method of improving a surface of a substrate for wafer bonding |
| JP2010212732A (ja) | 2010-06-01 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法 |
| US7811841B2 (en) | 2004-09-14 | 2010-10-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite device, method for manufacturing the semiconductor composite device, LED head that employs the semiconductor composite device, and image forming apparatus that employs the LED head |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP2292685A patent/JPS61182217A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1246238A2 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-02 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating a bonded substrate |
| EP1246238A3 (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-26 | Hewlett-Packard Company | Method of fabricating a bonded substrate |
| WO2003028075A1 (en) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Method of improving a surface of a substrate for wafer bonding |
| US6875268B2 (en) | 2001-09-26 | 2005-04-05 | Hrl Laboratories, Llc | Method of improving a surface of a substrate for bonding |
| US7811841B2 (en) | 2004-09-14 | 2010-10-12 | Oki Data Corporation | Semiconductor composite device, method for manufacturing the semiconductor composite device, LED head that employs the semiconductor composite device, and image forming apparatus that employs the LED head |
| JP2010212732A (ja) | 2010-06-01 | 2010-09-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置の製造方法 |
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