JPS61175624A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS61175624A JPS61175624A JP60016743A JP1674385A JPS61175624A JP S61175624 A JPS61175624 A JP S61175624A JP 60016743 A JP60016743 A JP 60016743A JP 1674385 A JP1674385 A JP 1674385A JP S61175624 A JPS61175624 A JP S61175624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- liquid crystal
- crystal display
- display device
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は各画素に非線形素子を設け、多重化を可能にし
、且つ製造工種を大幅に減少させｔ液晶表示装置に関す
る。
、且つ製造工種を大幅に減少させｔ液晶表示装置に関す
る。
液晶表示装置は大形表示装置を実現する定めに各画素に
非線形制御装置を設ける。従来の前記非線形制御装ｆｆ
Ｋけ薄膜トランジスタｒＴｙＴ）に代茅される３端子素
子とバリスタ、金属−絶縁体−金属（Ｍ工Ｍ）、２つの
ｌイオードを逆方向につないだパックトウバダクダイオ
ード（以下ＢＴＢＤと称する）等の２端子素子等がある
。
非線形制御装置を設ける。従来の前記非線形制御装ｆｆ
Ｋけ薄膜トランジスタｒＴｙＴ）に代茅される３端子素
子とバリスタ、金属−絶縁体−金属（Ｍ工Ｍ）、２つの
ｌイオードを逆方向につないだパックトウバダクダイオ
ード（以下ＢＴＢＤと称する）等の２端子素子等がある
。
しかし前述の従来技術では、３端子素子の場合製造プロ
セスｈｔ長く難しい即ちＴＰＴ１ｆｔ！１作するために
は６〜８回の７オトリソグラフイエ程を通＋友めには各
層の制御Ｖｃは細心の注意を必要とし歩留りを向上させ
製造コストを下げるのが難しいという問題点を有する。
セスｈｔ長く難しい即ちＴＰＴ１ｆｔ！１作するために
は６〜８回の７オトリソグラフイエ程を通＋友めには各
層の制御Ｖｃは細心の注意を必要とし歩留りを向上させ
製造コストを下げるのが難しいという問題点を有する。
ま友バリスタ％Ｍ工Ｍは非線形素子の容量が大きく、こ
れを通じてのりｐストークが問題となり、付加容量の設
置や素子構造に特別の工夫が必要である。また半導体層
として非晶質シリコン（以下α−５ｆｆｌと称する）を
用いｅＢＴＢＤけα−８ｊがプラズマ放電分解忙よって
形成できる為忙低温で大面積にｈ＋って薄膜形成可能な
ため、安価なガラスを基板とし念大形ディスプレイ用の
スイッチング素子として好的である。
れを通じてのりｐストークが問題となり、付加容量の設
置や素子構造に特別の工夫が必要である。また半導体層
として非晶質シリコン（以下α−５ｆｆｌと称する）を
用いｅＢＴＢＤけα−８ｊがプラズマ放電分解忙よって
形成できる為忙低温で大面積にｈ＋って薄膜形成可能な
ため、安価なガラスを基板とし念大形ディスプレイ用の
スイッチング素子として好的である。
ｔａ２図は従来のＢＴＢＤを含む画素部の断面図である
。絶縁基体２０１上に共通電筆となるｎ型α−ＦＪｉ層
２０２、ｉ型ａ−ｓｆｉ層０３を積層し、ａ−ｓ＜の上
面にシ１ットキー形成するプラチナ、金等の金属電極２
０４を設置し非線形素子を形成中る。しかしこの従来技
術においてもフォトリングラフィの技術が４回必要であ
り大幅な製造コストの減少は難しいという問題点を有し
ている。そこで、第゛２図に示す素子構造を有する非線
形素子を形成し、フォトリソグラフィの工穆を２回で行
ない、Ｉｌ造工穆を大幅に減少させる素子構造がある。
。絶縁基体２０１上に共通電筆となるｎ型α−ＦＪｉ層
２０２、ｉ型ａ−ｓｆｉ層０３を積層し、ａ−ｓ＜の上
面にシ１ットキー形成するプラチナ、金等の金属電極２
０４を設置し非線形素子を形成中る。しかしこの従来技
術においてもフォトリングラフィの技術が４回必要であ
り大幅な製造コストの減少は難しいという問題点を有し
ている。そこで、第゛２図に示す素子構造を有する非線
形素子を形成し、フォトリソグラフィの工穆を２回で行
ない、Ｉｌ造工穆を大幅に減少させる素子構造がある。
しかしこの素子Ｋかいても閾値電圧が高く液晶を駆動さ
せる九めの印加電圧ｈｔ高いという問題点がある。また
素子の電気的非線形特性が悪いことがあり、低闇値の素
子を安定忙製造にけ問題点を有している。
せる九めの印加電圧ｈｔ高いという問題点がある。また
素子の電気的非線形特性が悪いことがあり、低闇値の素
子を安定忙製造にけ問題点を有している。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的と干るところは安価なガラス基板を用い、製造１
穆を大幅に減少させ、且つ駆動用の電圧の低い液晶表示
装置を提供するところｋある。
の目的と干るところは安価なガラス基板を用い、製造１
穆を大幅に減少させ、且つ駆動用の電圧の低い液晶表示
装置を提供するところｋある。
ｒ問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は前記非線形装置がＢＴＢＤであり
、絶縁基体２０１上され比重ＴＯＫよる行電極とセル電
接の間ＩＣＰ型α−ｓｊ層とイ型α−８ｉ層とｎ型ａ−
ｓｉ層とα−ｓｊ ： Ｇｅ層を順次積層し、前記Ｐ層
・α−８ｉ層の層厚が１００〜３００Ａであり、周期律
Ｎａ１ｌ−ｂ族元素のＢｉ元素に対する割合がＩ Ｘ
１０−’ 〜５ Ｘ １０″″Ｓであり、前記ｔ！Ｊａ
−Ｂｉ層の層厚が５００〜２０００ Ａであることを特
徴とする。
、絶縁基体２０１上され比重ＴＯＫよる行電極とセル電
接の間ＩＣＰ型α−ｓｊ層とイ型α−８ｉ層とｎ型ａ−
ｓｉ層とα−ｓｊ ： Ｇｅ層を順次積層し、前記Ｐ層
・α−８ｉ層の層厚が１００〜３００Ａであり、周期律
Ｎａ１ｌ−ｂ族元素のＢｉ元素に対する割合がＩ Ｘ
１０−’ 〜５ Ｘ １０″″Ｓであり、前記ｔ！Ｊａ
−Ｂｉ層の層厚が５００〜２０００ Ａであることを特
徴とする。
本発明の上記の構成によれば、非線形素子を形成するま
でに工ＴＯと、ａ−Ｓ＜部の２回の７オトリソグラフイ
エ程を必要とするの入であり製造１穆が極めて短く簡単
である。更忙、上記非線素子のｉ層の層厚により、ｉ層
に加わる電界強度が大きくなり、低い閾値電圧で液晶駆
動が可能となりＰ層の層厚及び添加不純物量により、素
子の横方向のリーフ電流をおさえ、高い０Ｎ１０ＦＩＰ
比を持つスイッチング素子の形成が可能となる。更にα
−８Ｇ Ｇｅ層は導電率が高く且つ光吸収係数が大であ
るので遮光層として働きＢＴＢＤの誤動作を押える。
でに工ＴＯと、ａ−Ｓ＜部の２回の７オトリソグラフイ
エ程を必要とするの入であり製造１穆が極めて短く簡単
である。更忙、上記非線素子のｉ層の層厚により、ｉ層
に加わる電界強度が大きくなり、低い閾値電圧で液晶駆
動が可能となりＰ層の層厚及び添加不純物量により、素
子の横方向のリーフ電流をおさえ、高い０Ｎ１０ＦＩＰ
比を持つスイッチング素子の形成が可能となる。更にα
−８Ｇ Ｇｅ層は導電率が高く且つ光吸収係数が大であ
るので遮光層として働きＢＴＢＤの誤動作を押える。
第１図は本発明の実施例における液晶表示装置の１画素
の断面図であって、１０１けガラス等の絶縁性基体１０
２け工Ｔｏから成るセル電極１０３け工ＴＯからなる行
電極、１０４は臭素等の周期律表第１−ｂ族元素を混入
し７’ｔＰ型α−ｓ＜、１ｏｓは不純物の混入のないｉ
型α−ｓｉ層、１０６はモノシランガス（８ｓＨ＋）、
ゲルマンガス（ＧｌｌＨ４）を混合してプラズマＯＶＤ
法等により形成されたα−Ｂｉ ： Ｇｇ合金層である
。α−ｓｉ ： Ｇｇ ＊は半金属的性質を持ち且つ可
視光をほとんど吸収するので電極及び遮光層としての役
割を担う。第５図は本実施例における非線形素子の電流
電圧特性を両対数スケールで示したものである。３０１
けｉ型α−Ｂｉ層の層厚を、１０００ＡＫｌ、て形成し
た非線形素子の電流電圧特性を、３ｏ２け７層の層厚を
２０００λとした場合の電流電圧特性を示す。ｉ層層厚
により閾値電圧の低減め一可卵である。ｆａ４図は本実
施例にシける非線形素子の閾値電圧とｉ型α−Ｂｉｉ層
層厚関係を示す。
の断面図であって、１０１けガラス等の絶縁性基体１０
２け工Ｔｏから成るセル電極１０３け工ＴＯからなる行
電極、１０４は臭素等の周期律表第１−ｂ族元素を混入
し７’ｔＰ型α−ｓ＜、１ｏｓは不純物の混入のないｉ
型α−ｓｉ層、１０６はモノシランガス（８ｓＨ＋）、
ゲルマンガス（ＧｌｌＨ４）を混合してプラズマＯＶＤ
法等により形成されたα−Ｂｉ ： Ｇｇ合金層である
。α−ｓｉ ： Ｇｇ ＊は半金属的性質を持ち且つ可
視光をほとんど吸収するので電極及び遮光層としての役
割を担う。第５図は本実施例における非線形素子の電流
電圧特性を両対数スケールで示したものである。３０１
けｉ型α−Ｂｉ層の層厚を、１０００ＡＫｌ、て形成し
た非線形素子の電流電圧特性を、３ｏ２け７層の層厚を
２０００λとした場合の電流電圧特性を示す。ｉ層層厚
により閾値電圧の低減め一可卵である。ｆａ４図は本実
施例にシける非線形素子の閾値電圧とｉ型α−Ｂｉｉ層
層厚関係を示す。
ｉ層層厚の減少により閾値電圧が低減する。ｉＭ層厚２
ｏｏｏＸ以上では、液晶駆動の印加電圧が３０Ｖ近くと
なり使用で角ず、逆に５００λ以下では絶縁破壊の電圧
ｊＣ低くこれも使用できない。従って実用可能なｉ層層
厚け５００λ乃至２０００λであり、更に好適には８０
０λ乃至（ｐ００λである。第５図は本実施例における
非線形素子の電流電圧特性を両対数スケールで示し、５
０１けＰ型α−ｓｉ層中の臭素元素のＢｉに対する割合
が５ Ｘ １０−’且つ層厚が、２００λの非線形素子
の電流電圧特性であＩｌｌ、５０２ばＰ型ｎ−Ｂ１層中
の臭素元素のＳｉに対する割合が５ Ｘ １０−３且つ
層厚が２００λの場合、５０３けＰ型α−８ｉ層中の臭
素元素のｓｉに対する割合が５ Ｘ １０−’層厚が５
００大の場合の電流電圧特性を示す。図から明らかなよ
うＫＰ型α−ｓｊ層中の臭素元素に対する８ｉの割合が
５Ｘ１０−’以上では充分なＯＮ１０ ＦＦ比をとれず
、ＩＸＩＱ’−’以下で屯同様にＯＮ１０ ＦＦ 比を
とれない。従ってＰ型α−ｓｊ層中の臭素元素のＳｉに
対する割合けＩ Ｘ １０−４乃至５×１０匂であり、
好適にけ５Ｘ１０−４乃至Ｉ Ｘ １０−’であっｔ０
更にＰ型α−８ｉ層の層厚け５００λ以上では充分な０
Ｎ１０ＦＦ比をとれず、５０Ｘ以下では充分な特性の制
御ができない。従ってＰ型α−Ｂｉ層の層厚けｓｏＸ
乃至５００λであり、好適にけ１００ス乃至３００ス
である。
ｏｏｏＸ以上では、液晶駆動の印加電圧が３０Ｖ近くと
なり使用で角ず、逆に５００λ以下では絶縁破壊の電圧
ｊＣ低くこれも使用できない。従って実用可能なｉ層層
厚け５００λ乃至２０００λであり、更に好適には８０
０λ乃至（ｐ００λである。第５図は本実施例における
非線形素子の電流電圧特性を両対数スケールで示し、５
０１けＰ型α−ｓｉ層中の臭素元素のＢｉに対する割合
が５ Ｘ １０−’且つ層厚が、２００λの非線形素子
の電流電圧特性であＩｌｌ、５０２ばＰ型ｎ−Ｂ１層中
の臭素元素のＳｉに対する割合が５ Ｘ １０−３且つ
層厚が２００λの場合、５０３けＰ型α−８ｉ層中の臭
素元素のｓｉに対する割合が５ Ｘ １０−’層厚が５
００大の場合の電流電圧特性を示す。図から明らかなよ
うＫＰ型α−ｓｊ層中の臭素元素に対する８ｉの割合が
５Ｘ１０−’以上では充分なＯＮ１０ ＦＦ比をとれず
、ＩＸＩＱ’−’以下で屯同様にＯＮ１０ ＦＦ 比を
とれない。従ってＰ型α−ｓｊ層中の臭素元素のＳｉに
対する割合けＩ Ｘ １０−４乃至５×１０匂であり、
好適にけ５Ｘ１０−４乃至Ｉ Ｘ １０−’であっｔ０
更にＰ型α−８ｉ層の層厚け５００λ以上では充分な０
Ｎ１０ＦＦ比をとれず、５０Ｘ以下では充分な特性の制
御ができない。従ってＰ型α−Ｂｉ層の層厚けｓｏＸ
乃至５００λであり、好適にけ１００ス乃至３００ス
である。
箪６図に該ＢＴＢＤＫよるマトリックス液晶ディスプレ
イの回路構成図である。６０１けマトリ９クス配置され
たデータ線、６０２け走査線である。
イの回路構成図である。６０１けマトリ９クス配置され
たデータ線、６０２け走査線である。
６０３け液晶表示素子、６０４けＢＴＢＤを示す。該液
晶表示素子と＃ＢＴＢＤけ直列に接続されて単位画素が
形成されている。データ線にかかる電圧パルスの振幅Ｖ
ｄと走査線にかかる電圧パルスの振幅ＶＳの差（Ｖｄ−
ｖｓ）が液晶に加わる正味電圧となり。
晶表示素子と＃ＢＴＢＤけ直列に接続されて単位画素が
形成されている。データ線にかかる電圧パルスの振幅Ｖ
ｄと走査線にかかる電圧パルスの振幅ＶＳの差（Ｖｄ−
ｖｓ）が液晶に加わる正味電圧となり。
これが非線形素子の限界電圧ｖｔｈより低ければ液晶表
示素子には電圧が印加されず、正味電圧ｈｔ非線形素子
の限界電圧と液晶の閾値電圧より高ければ液晶表示素＋
Ｋ電圧が印加され、画素の液晶の光学状Ｉｍを変更する
ことができる。更！／Ｃ＃ＢＴＢＤけ正負電圧に対して
対称的なスイッチング特性を有するために、正負電圧を
交互に印加して動作させることが可能で、液晶の寿命を
延ばすことが可能である。
示素子には電圧が印加されず、正味電圧ｈｔ非線形素子
の限界電圧と液晶の閾値電圧より高ければ液晶表示素＋
Ｋ電圧が印加され、画素の液晶の光学状Ｉｍを変更する
ことができる。更！／Ｃ＃ＢＴＢＤけ正負電圧に対して
対称的なスイッチング特性を有するために、正負電圧を
交互に印加して動作させることが可能で、液晶の寿命を
延ばすことが可能である。
第７図に本発明による液晶表示素子の製造方法を説明す
る。ガラス等の絶縁基体７０１上に工Ｔ。
る。ガラス等の絶縁基体７０１上に工Ｔ。
をスパッタリング等の方法忙より薄膜形成を行なう（２
＄７−ｂ図）。画素電極及び行電極のパターンをフォト
エツチングの工程により形成する（第７図−０図）。し
かる後に、該基板を真空容器中の基板支持台の上に設置
し、Ｐ層ａ−Ｓ＜、Ｓ層α−ｓｉ、 ｎ Ｍａ−Ｂｉ
、 ａ−８ｆＧｇ層を同一真空容器中で連続形成する
（第７−ｄ図）。
＄７−ｂ図）。画素電極及び行電極のパターンをフォト
エツチングの工程により形成する（第７図−０図）。し
かる後に、該基板を真空容器中の基板支持台の上に設置
し、Ｐ層ａ−Ｓ＜、Ｓ層α−ｓｉ、 ｎ Ｍａ−Ｂｉ
、 ａ−８ｆＧｇ層を同一真空容器中で連続形成する
（第７−ｄ図）。
次忙フォトリングラフィの工１１によりα−Ｆ３ｉ Ｇ
ｇ。
ｇ。
α−８ｉ膜ｈｉ一度にパターン形成されセル電極が得ら
れる（第７−８図）。
れる（第７−８図）。
本実施例によって得られ之非線形素子は第３図に示す如
く十分なスイッチング特性を有し、多重化の可能な大面
積の液晶表示装置を前記駆動方法により均一でコントラ
スト比の高い画像表示が可能であっ之。本與施例ＶＣカ
いては、スイッチング素子のパターン形成までにフォト
リングラフィの工程が２回必要とするだけであり、従来
の液晶表示装置忙比較して工程数が３〜４回減少する几
めに大幅な歩留りの向上を期待できる。ま念工Ｔ。
く十分なスイッチング特性を有し、多重化の可能な大面
積の液晶表示装置を前記駆動方法により均一でコントラ
スト比の高い画像表示が可能であっ之。本與施例ＶＣカ
いては、スイッチング素子のパターン形成までにフォト
リングラフィの工程が２回必要とするだけであり、従来
の液晶表示装置忙比較して工程数が３〜４回減少する几
めに大幅な歩留りの向上を期待できる。ま念工Ｔ。
の形成以後、最終の電極層の形成までが同一の真空槽内
で形成可能なため、従来のＴＩＦＴのような精密な界面
制御を必要としないのでこの点でも歩留妙の向上を期待
できる。
で形成可能なため、従来のＴＩＦＴのような精密な界面
制御を必要としないのでこの点でも歩留妙の向上を期待
できる。
以上述べｔように本発明によればセル電極を行電極の間
にＢＴＢＤｔｌ−形成し之ことにより、従来の液晶表示
装置の製造方法を比較して工程数を減少させることがで
き、その結果、大幅忙歩留りが向上し、信頼性が高く且
つ安価な液晶表示装置の製造が可能となるという効果を
有する。
にＢＴＢＤｔｌ−形成し之ことにより、従来の液晶表示
装置の製造方法を比較して工程数を減少させることがで
き、その結果、大幅忙歩留りが向上し、信頼性が高く且
つ安価な液晶表示装置の製造が可能となるという効果を
有する。
第１図は本発明による液晶表示装置の画素部の主要断面
図。 第２図は従来のＢＴＢＤ非線形素子を用い次液晶表示装
置の画素部の主要断面図。 第３図は本発明によるＢＴＢＤの電流電圧特性を表わす
特性図。 填４図は本発明によるＢＴＢＤのｉ型α−ｓｉ層層厚と
閾値電圧の関係を表わす特性図。 第５図は、本発明によるＢＴＢＤの電流電圧特性のα−
８ｉ （１層）のＰ濃度の相違による特性図。 第６図は本発明によるマトリックス駆動液晶ディスプレ
イの回路構成図。 第７図（ロ））〜（ｇ）は誘発明忙よる画素部製造工種
を示し九図。 １０１ 、２０１・・・・・・絶縁性基体１０２ 、２
０６・・・・・・セル電極１０３・・・・・・行電極 １０４・・・・・・α−８ｊ（１層） １０５ 、２０３・・・・・・α−ｓｉ （ｉ層）１０
６ 、２０５−−・−α−８ｉＣｎ層）１０７・・・・
・・α−Ｂｉ ０ｇ層 １０８ 、２０７・・・・・・対向電極１０９、．２０
８・・・・・・対向基体２０４・・・・・・シ百ットキ
ー電極 １０９ 、２０８・・・・・・対向基体２０４・・・・
・・シ１ット千−電極 ３０１ ・・・・・・α−Ｂｉ （ｉ層） 層厚１００
０ Ａのときの電流電圧特性 ３０２・・・・・・α−Ｅｌｉ （ｉ層） 層厚２００
０ Ａのときの電流電圧特性 ４０１・・・・・・α−Ｂｉ （ｉ層）層厚と閾値電圧
の関係５０１・・・・・・α−５ｉ（ｐ層） ２００
ｐ、中の臭素濃度が５ Ｘ １０”−’ のときの電流
電圧特性５０２・・・・・・α−ｅＶＣｐ層） ２００
Ａ中の臭素濃度が５Ｘ１０−’ のときの電流電圧
特性５０３・・・・・・αコＳイ（１層）５０（ｌ中の
臭素濃度が５ Ｘ １０”’ のときの電流電圧特性
６０１・・・・・・データ線 ６０２・川・・データ線 ６０３・・・・・・液晶表示素子 ６０４・・・・・・バダクトゥバックｌイオード７０１
・・・・・・絶縁性基体 ７０２・・・・・・工Ｔ０ ７０３・・・・・・α−５ｉＣＰ層） ７０４・・・・・・α−Ｓイ（ｉ層） ７０５・・・・・・α−Ｂｉ（ｎ層） ７０６・・・・・・α−ｓｉ ａｔｔ層以 上
図。 第２図は従来のＢＴＢＤ非線形素子を用い次液晶表示装
置の画素部の主要断面図。 第３図は本発明によるＢＴＢＤの電流電圧特性を表わす
特性図。 填４図は本発明によるＢＴＢＤのｉ型α−ｓｉ層層厚と
閾値電圧の関係を表わす特性図。 第５図は、本発明によるＢＴＢＤの電流電圧特性のα−
８ｉ （１層）のＰ濃度の相違による特性図。 第６図は本発明によるマトリックス駆動液晶ディスプレ
イの回路構成図。 第７図（ロ））〜（ｇ）は誘発明忙よる画素部製造工種
を示し九図。 １０１ 、２０１・・・・・・絶縁性基体１０２ 、２
０６・・・・・・セル電極１０３・・・・・・行電極 １０４・・・・・・α−８ｊ（１層） １０５ 、２０３・・・・・・α−ｓｉ （ｉ層）１０
６ 、２０５−−・−α−８ｉＣｎ層）１０７・・・・
・・α−Ｂｉ ０ｇ層 １０８ 、２０７・・・・・・対向電極１０９、．２０
８・・・・・・対向基体２０４・・・・・・シ百ットキ
ー電極 １０９ 、２０８・・・・・・対向基体２０４・・・・
・・シ１ット千−電極 ３０１ ・・・・・・α−Ｂｉ （ｉ層） 層厚１００
０ Ａのときの電流電圧特性 ３０２・・・・・・α−Ｅｌｉ （ｉ層） 層厚２００
０ Ａのときの電流電圧特性 ４０１・・・・・・α−Ｂｉ （ｉ層）層厚と閾値電圧
の関係５０１・・・・・・α−５ｉ（ｐ層） ２００
ｐ、中の臭素濃度が５ Ｘ １０”−’ のときの電流
電圧特性５０２・・・・・・α−ｅＶＣｐ層） ２００
Ａ中の臭素濃度が５Ｘ１０−’ のときの電流電圧
特性５０３・・・・・・αコＳイ（１層）５０（ｌ中の
臭素濃度が５ Ｘ １０”’ のときの電流電圧特性
６０１・・・・・・データ線 ６０２・川・・データ線 ６０３・・・・・・液晶表示素子 ６０４・・・・・・バダクトゥバックｌイオード７０１
・・・・・・絶縁性基体 ７０２・・・・・・工Ｔ０ ７０３・・・・・・α−５ｉＣＰ層） ７０４・・・・・・α−Ｓイ（ｉ層） ７０５・・・・・・α−Ｂｉ（ｎ層） ７０６・・・・・・α−ｓｉ ａｔｔ層以 上
Claims (6)
- （１）マトリックス状に配列された電極間に液晶を設け
、対向する前記セル電極の一方には行電極とセル電極の
間に電気的非線形手段を有し、各対向セル電極間に前記
非線形手段の持つ限界電圧と前記液晶の持つ閾値電圧の
和より大きな電圧を印加することによって液晶の光学状
態を変更させ駆動し得る液晶表示装置において、前記非
線形手段が前記行電極とセル電極の間に周期律表第II−
ｂ族元素を含む非晶質硅素（ｐ層）と不純物を含まない
非晶質硅素層（ｉ層）、周期律表第Ｖ−ｂ族元素を含む
非晶質硅素（ｎ層）を順次積層して成ることを特徴とす
る液晶表示装置。 - （２）前記ｐ層中の周期律表第II−ｂ族元素の硅素元素
に対する割合が１×１０＾−＾４乃至５×１０＾−＾３
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液
晶表示装置。 - （３）前記ｉ層の層厚が５００Å乃至２０００Åである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
装置。 - （４）前記ｐ層の層厚が５０Å乃至５００Åであること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置
。 - （５）前記非線形手段の上に不透明且つ導電性の電極が
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の液晶表示装置。 - （６）前記不透明且つ導電性の電極が硅素及びゲルマニ
ウム元素を主成分とする非晶質材料であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016743A JPS61175624A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016743A JPS61175624A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61175624A true JPS61175624A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11924746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016743A Pending JPS61175624A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61175624A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260673A2 (en) * | 1986-09-17 | 1988-03-23 | Konica Corporation | Active matrix element and method of manufacturing the same |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
| US5119218A (en) * | 1988-09-28 | 1992-06-02 | Ube Industries, Ltd. | Liquid crystal display device having varistor elements |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60016743A patent/JPS61175624A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0260673A2 (en) * | 1986-09-17 | 1988-03-23 | Konica Corporation | Active matrix element and method of manufacturing the same |
| EP0260673A3 (en) * | 1986-09-17 | 1989-10-11 | Konica Corporation | Active matrix element and method of manufacturing the same |
| US4907040A (en) * | 1986-09-17 | 1990-03-06 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Thin film Schottky barrier device |
| US5119218A (en) * | 1988-09-28 | 1992-06-02 | Ube Industries, Ltd. | Liquid crystal display device having varistor elements |
| US5107355A (en) * | 1989-02-13 | 1992-04-21 | Konica Corporation | Liquid crystal display device having layered bus line structure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1242783A (en) | Displays and subassemblies having improved pixel electrodes | |
| CA1262954A (en) | Displays and subassemblies having optimized capacitance | |
| US4642620A (en) | Matrix display device | |
| CN103268045A (zh) | Tft阵列基板及其制作方法、液晶显示设备 | |
| JPH0617957B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| US4810637A (en) | Non-linear control element for a flat electrooptical display screen and a method of fabrication of said control element | |
| US4842372A (en) | Electro-optical device having an amorphous silicon resistive element with carbon | |
| US5508765A (en) | Matrix-addressed type display device | |
| JPS61175624A (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0150728A2 (en) | Liquid crystal displays operated by amorphous silicon alloy diodes | |
| US4738513A (en) | Liquid crystal display including a non-linear resistance element | |
| JPH0230019B2 (ja) | ||
| JPS61175623A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS5821863A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2583794B2 (ja) | 電気光学装置およびその製造方法 | |
| KR940001900B1 (ko) | 비선형 저항소자 | |
| JPS63292114A (ja) | アクティブマトリックス型液晶表示装置 | |
| US5048930A (en) | Electro-optical device | |
| JPH0230020B2 (ja) | ||
| Yaniv et al. | Amorphous silicon alloy technology for active matrix displays | |
| JPS6148816A (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0306338A1 (en) | Electro-optical device | |
| JPH0534720A (ja) | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 | |
| JPS58161379A (ja) | 薄膜太陽電池 | |
| JPS6161197A (ja) | 固体表示装置 |