JPS6117408B2 - - Google Patents
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- JPS6117408B2 JPS6117408B2 JP2180879A JP2180879A JPS6117408B2 JP S6117408 B2 JPS6117408 B2 JP S6117408B2 JP 2180879 A JP2180879 A JP 2180879A JP 2180879 A JP2180879 A JP 2180879A JP S6117408 B2 JPS6117408 B2 JP S6117408B2
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- transistors
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は初段に異極性の電界効果トランジス
タ(以下FETと称呼する)を用いた全段プツシ
ユプル構成の増幅器に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amplifier having a push-pull configuration in all stages using field effect transistors (hereinafter referred to as FETs) of different polarities in the first stage.
この種のプツシユプル増幅器は増幅回路の相補
対称性によつて回路内で発生する歪成分等が相殺
され、その結果低歪の増幅器を得ることができる
という特徴を有している。 This type of push-pull amplifier is characterized in that the complementary symmetry of the amplifier circuit cancels out distortion components generated within the circuit, resulting in an amplifier with low distortion.
しかしながら初段にFETを用いた場合におい
てはFETのIDSSのばらつきによつて、そのFET
の出力点に直結される2段目以降の能動素子の動
作点にばらつきが生じ、そのためにプツシユプル
回路の上下の動作電流が異なつて、出力オフセツ
ト電圧を一定にすることが困難になるという不都
合を有している。 However, when a FET is used in the first stage, due to variations in the FET's I DSS , the FET
The operating points of the active elements in the second and subsequent stages that are directly connected to the output point of the push-pull circuit vary, which causes the operating currents of the upper and lower parts of the push-pull circuit to differ, making it difficult to keep the output offset voltage constant. have.
第1図に従来のものの一例を示すが、上記した
不都合を解消するためには、NチヤンネルFET
Q1のドレインとPチヤンネルFET Q2のドレイン
をそれぞれ半固定可変抵抗器VR1,VR2を介し
て、正負の電源+B、−Bに接続するよう構成さ
せる必要がある。そして2つの可変抵抗器VR1と
VR2のそれぞれを用いて2段目のドライバートラ
ンジスタQ3,Q4およびこれに直結される出力ト
ランジスタQ5,Q6の動作電流、および出力端
OUTのオフセツト電圧を調整するようにしてい
る。しかしながらこの様な従来のものにおいては
2つの可変抵抗器をそれぞれ調整する必要がある
ため、それぞれの調整が面倒であるだけでなく、
多量生産にあたつてはその調整作業としての工程
を置くことによる能率の低さが製品のコストを上
昇させる結果になる。 An example of the conventional one is shown in Fig. 1, but in order to eliminate the above-mentioned disadvantages, an
It is necessary to configure the drain of Q 1 and the drain of P-channel FET Q 2 to be connected to positive and negative power supplies +B and -B via semi-fixed variable resistors VR 1 and VR 2 , respectively. and two variable resistors VR 1 and
The operating current of the second-stage driver transistors Q 3 , Q 4 and the output transistors Q 5 , Q 6 directly connected thereto, and the output terminal using each of VR 2
I am trying to adjust the OUT offset voltage. However, in such conventional devices, it is necessary to adjust each of the two variable resistors, which not only makes each adjustment troublesome, but also
In mass production, low efficiency due to the addition of adjustment processes results in increased product costs.
この発明は切段にFETを用いた全段プツシユ
プル増幅器における上記した様な不都合を解消
し、無調整によつて所定の動作特性を得ることが
出来る増幅器を提供しようとするものであり、以
下第2図に示すこの発明の実施例に基づいて説明
する。Q1およびQ2はそれぞれのゲートが互に結
合されて入力端INに接続され、それぞれのソー
スが互に結合されたNチヤンネルおよびPチヤン
ネルのFETであり、NチヤンネルFET Q1のド
レインは抵抗R1を介して正電源+Bに、又Pチ
ヤンネルFET Q2のドレインは抵抗R2を介して負
電源−Bにそれぞれ接続されている。 The present invention aims to eliminate the above-mentioned disadvantages in all-stage push-pull amplifiers using FETs in the switching stages, and to provide an amplifier that can obtain predetermined operating characteristics without adjustment. An explanation will be given based on an embodiment of the invention shown in FIG. Q 1 and Q 2 are N-channel and P-channel FETs whose respective gates are connected to each other and connected to the input terminal IN, and whose respective sources are mutually connected. The drain of N-channel FET Q 1 is connected to a resistor. The drain of the P-channel FET Q 2 is connected to the positive power supply +B via R 1 and to the negative power supply -B via the resistor R 2 .
上記NチヤンネルFET Q1のドレインはPNP型
ドライバートランジスタQ3のベースに、又Pチ
ヤンネルFET Q2のドレインはNPN型ドライバー
トランジスタQ4のベースにそれぞれ接続され、
さらに各ドライバートランジスタQ3,Q4のコレ
クタはNPNおよびPNP型の出力トランジスタ
Q5,Q6に直結され、それぞれのエミツタ抵抗
R3,R4を介して出力端OUTに出力信号をもたら
すよう構成されている。なおトランジスタQ3お
よびQ4のそれぞれのコレクタ間に接続された抵
抗R5とダイオードDの直列回路はプツシユプル
出力段のアイドル電流を決定するための周知のバ
イアス回路であり、又出力端OUTと初段FETの
ソースとの間に結合された抵抗R6および該ソー
スとアース間に接続された抵抗R7は負帰還回路
を構成するものである。 The drain of the N-channel FET Q 1 is connected to the base of the PNP driver transistor Q 3 , and the drain of the P-channel FET Q 2 is connected to the base of the NPN driver transistor Q 4 .
Furthermore, the collectors of each driver transistor Q 3 and Q 4 are NPN and PNP type output transistors.
Directly connected to Q 5 and Q 6 , each emitter resistance
It is configured to provide an output signal to the output terminal OUT via R 3 and R 4 . Note that the series circuit of resistor R5 and diode D connected between the respective collectors of transistors Q3 and Q4 is a well-known bias circuit for determining the idle current of the push-pull output stage. A resistor R 6 coupled to the source of the FET and a resistor R 7 coupled between the source and ground constitute a negative feedback circuit.
次にトランジスタQ7,Q8は互にベースが接続
され、且つ一方のトランジスタQ8のベース・コ
レクタ間が短絡されることによりカレントミラー
回路を構成すると共に互に定電流回路を構成して
いる。又同様にトランジスタQ9,Q10も互にベー
スが接続され、且つ一方のトランジスタQ10のベ
ース・コレクタ間が短絡されることによりカレン
トミラー回路を構成すると共に互に定電流回路を
構成している。そしてトランジスタQ8およびQ10
のコレクタは共に抵抗R8,R9を介して出力端
OUTに結合されており、さらにトランジスタQ7
とトランジスタQ9は共に上記ドライバートラン
ジスタQ3,Q4に対してカスコード接続されてい
る。 Next, the bases of transistors Q 7 and Q 8 are connected to each other, and the base and collector of one transistor Q 8 are shorted, thereby forming a current mirror circuit and mutually forming a constant current circuit. . Similarly, the bases of transistors Q 9 and Q 10 are connected to each other, and the base and collector of one transistor Q 10 are shorted to form a current mirror circuit, and they also form a constant current circuit. There is. and transistors Q 8 and Q 10
Both collectors are connected to the output terminal via resistors R 8 and R 9 .
OUT and further transistor Q 7
and transistor Q9 are both connected in cascode to the driver transistors Q3 and Q4 .
以上の構成において入力端INに信号が印加さ
れると、その入力信号はFET Q1,Q2とドライバ
ートランジスタQ3,Q4および出力トランジスタ
Q5,Q6から成るプツシユプル増幅回路により増
幅され、出力端OUTにもたらされる。一方、出
力端OUTにはカレントミラー回路の一部を構成
するトランジスタQ8,Q10のコレクタが抵抗R8,
R9を介して接続されているため、出力端OUTの
オフセツト電圧が例えば正方向に移動したと仮定
するとトランジスタQ8のコレクタ電流はトラン
ジスタQ10のコレクタ電流に比較して小さくな
り、従つてトランジスタQ7のコレクタ電流もト
ランジスタQ9のコレクタ電流に比較して小さく
なる。この結果出力トランジスタQ5のベース電
位は下降し、出力端OUTのオフセツト電圧も下
降されることになる。従つて出力オフセツト電圧
は略アース電位に落ち着くことになる。 In the above configuration, when a signal is applied to the input terminal IN, the input signal is applied to the FETs Q 1 and Q 2 , the driver transistors Q 3 and Q 4 , and the output transistor.
It is amplified by a push-pull amplifier circuit consisting of Q 5 and Q 6 and provided to the output terminal OUT. On the other hand, at the output terminal OUT, the collectors of transistors Q 8 and Q 10 forming part of the current mirror circuit are connected to resistors R 8 and
Since it is connected through R9 , assuming that the offset voltage at the output terminal OUT moves, for example, in the positive direction, the collector current of transistor Q8 becomes smaller compared to the collector current of transistor Q10, and therefore the collector current of transistor Q8 becomes smaller than that of transistor Q10 . The collector current of Q7 is also small compared to the collector current of transistor Q9 . As a result, the base potential of the output transistor Q5 is lowered, and the offset voltage at the output terminal OUT is also lowered. Therefore, the output offset voltage will settle to approximately ground potential.
又、仮に出力端のオフセツト電圧が負方向に移
動した場合には上述と逆の作用により出力オフセ
ツト電圧は上昇され、その結果出力オフセツト電
圧は略アース電位に落ちつくことになる。 If the offset voltage at the output end moves in the negative direction, the output offset voltage will rise due to the opposite effect to that described above, and as a result, the output offset voltage will settle to approximately the ground potential.
この発明は以上のように成されているので、切
段にFETを使用しているにもかかわらずFETの
IDSSのばらつきによつて生ずる2段目以降の動
作電流のばらつきを押さえることが可能であり、
従つて出力オフセツト電圧を常に略アース電位に
保つことができる。しかも回路を調整することな
く、上記した効果をもたらすことが可能であるた
め、多量生産にあたつては生産能率を高めること
が出来、コストの低減にも寄与することができ
る。 Since this invention is constructed as described above, even though FETs are used in the cutting stage, it is possible to suppress variations in the operating current in the second and subsequent stages that occur due to variations in the I DSS of the FETs. and
Therefore, the output offset voltage can always be kept at approximately ground potential. Moreover, since the above effects can be achieved without adjusting the circuit, production efficiency can be increased in mass production, and it can also contribute to cost reduction.
第1図は従来例を示した増幅器の結線図、第2
図はこの発明の一実施例を示した結線図である。
Q1,Q2……電界効果トランジスタ、Q3〜Q6…
…プツシユプル増幅用トランジスタ、Q7〜Q10…
…電流源トランジスタ。
Figure 1 is a wiring diagram of an amplifier showing a conventional example;
The figure is a wiring diagram showing an embodiment of the present invention. Q 1 , Q 2 ... field effect transistor, Q 3 ~ Q 6 ...
…Push-pull amplification transistor, Q 7 to Q 10 …
...Current source transistor.
Claims (1)
い、それぞれの電界効果トランジスタの各ゲート
に同一入力信号を加え、その電界効果トランジス
タの出力をプツシユプル増幅して出力端にもたら
すプツシユプル増幅器において、前記それぞれの
電界効果トランジスタのドレインに第1および第
2のドライバートランジスタを接続し、かつ該第
1および第2のドライバートランジスタと+電源
および−電源との間にカレントミラー回路を構成
すると共に互いに定電流回路を構成するそれぞれ
一対の第3および第4のトランジスタ対を接続
し、また第3および第4のトランジスタ対の一端
を前記第1および第2のドライバートランジスタ
に対してカスケード接続すると共に第3および第
4のトランジスタ対の別の一端をそれぞれ出力端
に接続したことを特徴とするプツシユプル増幅
器。1. In a push-pull amplifier that uses field-effect transistors of different polarities in the first stage, applies the same input signal to each gate of each field-effect transistor, push-pull amplifies the output of the field-effect transistor, and brings it to the output terminal. First and second driver transistors are connected to the drain of the effect transistor, and a current mirror circuit is configured between the first and second driver transistors and a + power source and a − power source, and a constant current circuit is configured with each other. and one end of the third and fourth transistor pairs are connected in cascade to the first and second driver transistors, and one end of each of the third and fourth transistor pairs is connected to the first and second driver transistors. A push-pull amplifier characterized in that one end of a pair of transistors is connected to an output end.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180879A JPS55115706A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Push pull amplifier |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2180879A JPS55115706A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Push pull amplifier |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55115706A JPS55115706A (en) | 1980-09-05 |
JPS6117408B2 true JPS6117408B2 (en) | 1986-05-07 |
Family
ID=12065345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2180879A Granted JPS55115706A (en) | 1979-02-28 | 1979-02-28 | Push pull amplifier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55115706A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250287B2 (en) * | 1985-08-30 | 1990-11-01 | Honda Motor Co Ltd | |
JPH0545761Y2 (en) * | 1986-04-22 | 1993-11-26 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0786858B1 (en) * | 1996-01-26 | 2002-10-23 | STMicroelectronics S.r.l. | An amplifier with a low offset |
US6166603A (en) * | 1998-12-02 | 2000-12-26 | Maxim Integrated Products, Inc. | Class-ab output stages with improved distortion performance |
-
1979
- 1979-02-28 JP JP2180879A patent/JPS55115706A/en active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0250287B2 (en) * | 1985-08-30 | 1990-11-01 | Honda Motor Co Ltd | |
JPH0545761Y2 (en) * | 1986-04-22 | 1993-11-26 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55115706A (en) | 1980-09-05 |
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