JPS6117371B2 - - Google Patents

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JPS6117371B2
JPS6117371B2 JP10599478A JP10599478A JPS6117371B2 JP S6117371 B2 JPS6117371 B2 JP S6117371B2 JP 10599478 A JP10599478 A JP 10599478A JP 10599478 A JP10599478 A JP 10599478A JP S6117371 B2 JPS6117371 B2 JP S6117371B2
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JP
Japan
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transistors
pair
voltages
resistors
phase
Prior art date
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JP10599478A
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Japanese (ja)
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JPS5533366A (en
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Toshiji Nishimura
Seisuke Yamanaka
Toshuki Shimada
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、例えばNTCエンコーダに使用し
て好適な移相回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a phase shift circuit suitable for use in, for example, an NTC encoder.

第1図の回路によれば、入力信号は、トランジ
スタQaのベース・エミツタ間と、コンデンサCa
との直列回路に供給されるので、トランジスタ
Qaのエミツタには、このエミツタ抵抗reとコン
デンサCaとにより決まる位相の移相出力を得る
ことができる。そして、その場合、エミツタ抵抗
eは、エミツタ電流IEに対して re〔Ω〕〓26/IE〔mA〕 の関係にあるので、定電流源Qbを変化させて電
流IEを変化させれば、抵抗reが変化し、従つて
この回路は可変移相回路として働く。
According to the circuit shown in Figure 1, the input signal is connected between the base and emitter of the transistor Qa and the capacitor Ca.
Since the transistor is supplied to the series circuit with
At the emitter of Qa, it is possible to obtain a phase-shifted output with a phase determined by the emitter resistor r e and the capacitor Ca. In that case, the emitter resistance r e has a relationship with the emitter current I E as r e [Ω] 〓26/I E [mA], so the current I E can be changed by changing the constant current source Qb. , the resistance r e changes and the circuit therefore works as a variable phase shift circuit.

ところが、この移相回路では、エミツタ電流I
Eは、入力信号によつても変化するので、信号レ
ベルが大きいときには、信号自身によつて抵抗r
eが変化し、この結果、高調波歪みを生じてしま
う。従つて、この移相回路の出力レベルは小さく
なつてしまう。
However, in this phase shift circuit, the emitter current I
Since E also changes depending on the input signal, when the signal level is large, the resistance r
e changes, resulting in harmonic distortion. Therefore, the output level of this phase shift circuit becomes small.

また移相出力が不平衡出力なので、例えば
NTSCエンコーダにおいて、この移相回路を使用
して赤の色差信号用の副搬送波信号と、青の色差
信号用の副搬送波信号とを得る場合には、この移
相回路の移相出力を、一度ICの外部に取り出し
てコンデンサで直流分をカツトし、再びIC内に
取り入れて平衡変調回路に供給しなければなら
ず、ICのピン数が増えてIC化に適さない。
Also, since the phase-shifted output is an unbalanced output, for example
In an NTSC encoder, when using this phase shift circuit to obtain a subcarrier signal for a red color difference signal and a subcarrier signal for a blue color difference signal, the phase shift output of this phase shift circuit is The DC component must be taken out of the IC, cut off with a capacitor, and then brought back into the IC to be supplied to the balanced modulation circuit, which increases the number of pins on the IC and makes it unsuitable for integration into an IC.

この発明は、このような点にかんがみ、高調波
歪みが少なく、従つて、出力レベルの大きい移相
出力が得られると共に、IC化に適した移相回路
を提供しようとするものである。
In view of these points, it is an object of the present invention to provide a phase shift circuit that has little harmonic distortion, can obtain a phase shift output with a large output level, and is suitable for IC implementation.

以下その一例について説明しよう。 Let's explain one example below.

今、第2図の回路において、電圧V、−Vの角
周波数をωとすると、電圧V1,V2は、 V1=−V/1+j2ωCR V2=V/1+j2ω
CR となる。従つて電圧V1+V/2、V2−V/2を
求めると、 V1+V/2=−1/2・1−j2ωCR/1+j2ω
CRV……(i) V2−V/2=1/2・1−j2ωCR/1+j2ωC
RV……(ii) となり、ベクトル図は第3図のようになる。すな
わち、電圧V1+V/2、V2−V/2は、レベル
が時定数CRに関係なく一定であり、位相が−
2tan-12ωCRとなることがわかる。しかも、両電
圧は互いに逆相である。
Now, in the circuit shown in Fig. 2, if the angular frequency of the voltages V and -V is ω, then the voltages V 1 and V 2 are as follows: V 1 =-V/1+j2ωCR V 2 =V/1+j2ω
It becomes CR. Therefore, when calculating the voltages V 1 +V/2 and V 2 -V/2, V 1 +V/2=-1/2・1-j2ωCR/1+j2ω
CRV……(i) V 2 −V/2=1/2・1−j2ωCR/1+j2ωC
RV...(ii) The vector diagram becomes as shown in Figure 3. In other words, the voltages V 1 +V/2 and V 2 -V/2 have a constant level regardless of the time constant CR, and a phase of -
It can be seen that 2tan -1 2ωCR. Moreover, both voltages are in opposite phases to each other.

この発明は、この(i),(ii)式の関係を利用して移
相回路を構成するものである。
This invention constructs a phase shift circuit by utilizing the relationship of equations (i) and (ii).

第4図において、トランジスタQ1,Q2のエミ
ツタが、定電流用のトランジスタQ12のコレクタ
に接続され、トランジスタQ1,Q2のコレクタが
抵抗器R1,R3及びR2,R4に接続されて差動アン
プが構成されると共に、トランジスタQ1,Q2
ベースに信号源10から互いに逆相の副搬送波信
号(電圧)Vが供給される。また、トランジスタ
Q3,Q4のエミツタが定電流源用のトランジスタ
Q13,Q14のコレクタに接続されてトランジスタ
Q3,Q4はエミツタフオロワとされると共に、そ
のベースがトランジスタQ1,Q2のコレクタに接
続され、エミツタ間にコンデンサC1が接続され
る。この場合、トランジスタQ3,Q4のエミツタ
抵抗reが、第2図の抵抗器Rに対応し、コンデ
ンサC1がコンデンサCに対応するものである。
In FIG. 4, the emitters of transistors Q 1 and Q 2 are connected to the collectors of constant current transistor Q 12 , and the collectors of transistors Q 1 and Q 2 are connected to resistors R 1 and R 3 and R 2 and R 4 . are connected to constitute a differential amplifier, and subcarrier signals (voltages) V having mutually opposite phases are supplied from a signal source 10 to the bases of transistors Q 1 and Q 2 . Also, transistor
The emitters of Q 3 and Q 4 are constant current source transistors.
Transistors connected to the collectors of Q 13 and Q 14
Q 3 and Q 4 are used as emitter followers, and their bases are connected to the collectors of transistors Q 1 and Q 2 , and a capacitor C 1 is connected between their emitters. In this case, the emitter resistances r e of the transistors Q 3 and Q 4 correspond to the resistor R in FIG. 2, and the capacitor C 1 corresponds to the capacitor C.

さらに、トランジスタQ5,Q6のエミツタに抵
抗器R5,R6が接続されてトランジスタQ5,Q6
エミツタフオロワとされると共に、そのベースが
抵抗器R1,R3の接続点及び抵抗器R2,R4の接続
点に接続され、抵抗器R5,R6がトランジスタ
Q7,Q8のコレクタに接続される。このトランジ
スタQ7,Q8のエミツタは、抵抗器R7,R8を通じ
て定電流源用のトランジスタQ11に接続される。
そして、トランジスタQ5,Q6のエミツタに出力
端子T11,T12が接続され、トランジスタQ7,Q8
のコレクタに出力端子T21,T22が接続される。
Furthermore, resistors R 5 and R 6 are connected to the emitters of transistors Q 5 and Q 6 , making transistors Q 5 and Q 6 emitter followers, and their bases are connected to the connection point of resistors R 1 and R 3 and the resistor. The resistors R 5 and R 6 are connected to the connection point of the transistors R 2 and R 4 , and the resistors R 5 and R 6 are
Connected to the collectors of Q 7 and Q 8 . The emitters of these transistors Q 7 and Q 8 are connected to a constant current source transistor Q 11 through resistors R 7 and R 8 .
Output terminals T 11 and T 12 are connected to the emitters of transistors Q 5 and Q 6 , and output terminals T 11 and T 12 are connected to the emitters of transistors Q 5 and Q 6.
Output terminals T 21 and T 22 are connected to the collector of.

また、トランジスタQ11,Q12にトランジスタ
Q10が接続されてカレントミラー回路が構成さ
れ、トランジスタQ11,Q12に一定のコレクタ電
流が流される。さらに、トランジスタQ13,Q14
とQ15とによつてカレントミラー回路が構成され
ると共に、トランジスタQ15が制御端子T1に接続
される。なお、 R1:R3=R7:R5 R1=R2、R3=R4、R5=R6、R7=R8 とされるもので、例えば抵抗器R1〜R4、R5〜R8
はそれぞれ互いに等しくされる。
In addition, transistors Q 11 and Q 12 are
Q 10 is connected to form a current mirror circuit, and a constant collector current is passed through transistors Q 11 and Q 12 . Furthermore, transistors Q 13 , Q 14
A current mirror circuit is configured by Q15 and Q15 , and the transistor Q15 is connected to the control terminal T1 . In addition, R1 : R3 = R7 : R5 R1= R2 , R3 = R4 , R5 = R6 , R7 = R8 , for example, resistors R1 to R4 , R5 ~ R8
are each made equal to each other.

このような構成によれば、信号源10からの副
搬送波信号VがトランジスタQ1,Q2に供給され
てそのコレクタには互いに逆相の信号電圧−V,
Vが得られ、トランジスタQ3,Q4のベースに供
給される。そして、トランジスタQ3,Q4のエミ
ツタ抵抗reが、第2図の抵抗器Rに対応し、コ
ンデンサC1がコンデンサCに対応するので、ト
ランジスタQ3,Q4のエミツタには、電圧V1,V2
が得られ、これがトランジスタQ7,Q8のベース
に供給されてそのコレクタには電圧−V1,−V2
得られる。
According to such a configuration, the subcarrier signal V from the signal source 10 is supplied to the transistors Q 1 and Q 2 , and the signal voltages −V,
V is obtained and supplied to the bases of transistors Q 3 and Q 4 . Since the emitter resistance r e of the transistors Q 3 and Q 4 corresponds to the resistor R in FIG. 2, and the capacitor C 1 corresponds to the capacitor C, the voltage V 1 , V2
is obtained, which is supplied to the bases of transistors Q 7 and Q 8 , and voltages -V 1 and -V 2 are obtained at their collectors.

また信号VがトランジスタQ1,Q2に供給され
ることにより、抵抗器R1,R3の接続点及び抵抗
器R2,R4の接続点には、電圧−V/2,V/2が得ら
れ、これがトランジスタQ5,Q6を通じて抵抗器
R5,R6に供給される。
Furthermore, since the signal V is supplied to the transistors Q 1 and Q 2 , the voltages −V/2 and V/ 2 are applied to the connection point of the resistors R 1 and R 3 and the connection point of the resistors R 2 and R 4 . is obtained, which connects the resistor through transistors Q 5 and Q 6
Supplied to R 5 and R 6 .

従つて、抵抗器R5においては、電圧−V1と−
V/2とが加算されるので、端子T21には電圧−(V1
+V/2)が取り出される。また、抵抗器R6において 電圧−V2とV/2とが加算されるので、端子T22
は電圧−(V2−V/2)が取り出される。
Therefore, in resistor R 5 the voltages −V 1 and −
V/2 is added, so the voltage −( V 1
+V/2) is taken out. Further, since the voltages -V2 and V/2 are added at the resistor R6 , the voltage -( V2 -V/2) is taken out at the terminal T22 .

さらに、電圧−V/2,V/2がトランジスタQ5
Q6を通じて端子T11,T12に取り出される。
Furthermore, the voltages −V/2 and V/2 are applied to the transistor Q 5 ,
It is taken out to terminals T 11 and T 12 through Q 6 .

そして、この場合、端子T1に制御電圧が供給
されると、そのレベルに対応してトランジスタ
Q13,Q14のコレクタ電流が変化するので、これ
によりトランジスタQ3,Q4のエミツタ電流が変
化してそのエミツタ抵抗reが変化する。従つ
て、端子T21,T22の電圧−(V1+V/2),−(V2−V
/2) は互いに逆相で、かつ、制御電圧のレベルに対応
した位相を有する電圧となる。
In this case, when a control voltage is supplied to terminal T1 , the transistor
Since the collector currents of Q 13 and Q 14 change, the emitter currents of transistors Q 3 and Q 4 change, and their emitter resistances r e change. Therefore, the voltages at terminals T 21 and T 22 -(V 1 +V/2), -(V 2 -V
/2) are voltages that are in opposite phases to each other and have a phase corresponding to the level of the control voltage.

こうして、この発明によれば、バランス型の移
相出力を得ることができる。そして、その場合、
トランジスタQ3,Q4のエミツタ抵抗reが変動す
ると、トランジスタQ3,Q4のエミツタに得られ
る電圧V1,V2には、歪み成分、特に第2高調波
を生じるが、これは、その電圧V1,V2中に互い
に逆相に生じるので、たとえ生じてもトランジス
タQ7,Q8で差動増幅されることにより、トラン
ジスタQ7,Q8のコレクタには現われない。従つ
て、出力電圧−(V1+V/2),−(V2−V/2)には
歪みが ほとんど含まれないので、その移相出力を大きな
レベルで得ることができる。
Thus, according to the present invention, a balanced phase-shifted output can be obtained. And in that case,
When the emitter resistances r e of the transistors Q 3 and Q 4 vary, distortion components, especially second harmonics , are generated in the voltages V 1 and V 2 obtained at the emitters of the transistors Q 3 and Q 4 . Since the voltages V 1 and V 2 occur in opposite phases to each other, even if they occur, they are differentially amplified by the transistors Q 7 and Q 8 and do not appear at the collectors of the transistors Q 7 and Q 8 . Therefore, since the output voltages -(V 1 +V/2) and -(V 2 -V/2) contain almost no distortion, the phase-shifted output can be obtained at a large level.

また、バランス型の移相出力であるため、次段
の平衡変調回路への信号処理が簡単になり、IC
化にも適している。さらに、差動構成なので、ダ
イミツクレンジを大きくできる。
In addition, since it is a balanced phase-shifted output, signal processing to the next stage balanced modulation circuit is easy, and the IC
It is also suitable for Furthermore, since it is a differential configuration, the dynamic range can be increased.

上述の例においては、電圧合成により移相出力
を得た場合であるが、電流合成により移相出力を
得ることもできる。
In the above example, the phase-shifted output is obtained by voltage synthesis, but it is also possible to obtain the phase-shifted output by current synthesis.

第5図はその一例を示すもので、トランジスタ
Q5のコレクタ電流と、トランジスタQ8のコレク
タ電流とが抵抗器R5によつて電流合成されると
共に電圧変換されて端子T21に移相出力電圧−
(V1+V/2)が取り出され、同様にして端子T22に移 相出力電圧−(V2−V/2)が取り出される。また、 トランジスタQ25,Q26により端子T11,T12に電
圧−Vが取り出される。
Figure 5 shows an example of this.
The collector current of Q 5 and the collector current of transistor Q 8 are current-combined by resistor R 5 and are converted into a voltage to provide a phase-shifted output voltage - to terminal T 21 .
(V 1 +V/2) is taken out, and similarly, a phase-shifted output voltage -(V 2 -V/2) is taken out to the terminal T 22 . Further, the voltage -V is taken out to the terminals T11 and T12 by the transistors Q25 and Q26 .

なお、上述において、トランジスタQ1,Q2
エミツタ抵抗器を接続してもよい。
Note that in the above description, emitter resistors may be connected to the transistors Q 1 and Q 2 .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図〜第3図はこの発明を説明するための
図、第4図及び第5図はこの発明の一例の接続図
である。 10は信号源、T1は制御端子、T11〜T22は出
力端子である。
1 to 3 are diagrams for explaining this invention, and FIGS. 4 and 5 are connection diagrams of an example of this invention. 10 is a signal source, T1 is a control terminal, and T11 to T22 are output terminals.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 第1の可変抵抗素子と、コンデンサと、第2
の可変抵抗素子とを直列接続し、この直列回路の
両端に互いに逆相の入力信号を供給し、上記コン
デンサの両端に差動アンプの一対の入力端をそれ
ぞれ接続し、この差動アンプの一対の出力端に1
対の抵抗のそれぞれを接続し、これら一対の抵抗
によつて上記差動アンプの一対の出力信号と上記
入力信号の1/2のレベル信号とを加算し、上記差
動アンプの一対の出力端から上記第1及び第2の
可変抵抗素子の値に対応した位相の一対の位相出
力を得るようにした移相回路。
1 A first variable resistance element, a capacitor, and a second
are connected in series with a variable resistance element, and input signals of mutually opposite phases are supplied to both ends of this series circuit, and a pair of input terminals of a differential amplifier are connected to both ends of the capacitor, respectively. 1 at the output end of
Each of the pair of resistors is connected, and the pair of output signals of the differential amplifier and a level signal of 1/2 of the input signal are added by the pair of resistors, and the output terminal of the pair of differential amplifiers is A phase shift circuit configured to obtain a pair of phase outputs having phases corresponding to the values of the first and second variable resistance elements.
JP10599478A 1978-08-30 1978-08-30 Phase shifter circuit Granted JPS5533366A (en)

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JP10599478A JPS5533366A (en) 1978-08-30 1978-08-30 Phase shifter circuit

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Publication Number Publication Date
JPS5533366A JPS5533366A (en) 1980-03-08
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62196227A (en) * 1986-02-22 1987-08-29 Daifuku Co Ltd Conveying equipment utilizing linear motor
JPH0192123A (en) * 1987-10-02 1989-04-11 Toshiba Corp Magnetically floating and conveying device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62196227A (en) * 1986-02-22 1987-08-29 Daifuku Co Ltd Conveying equipment utilizing linear motor
JPH0192123A (en) * 1987-10-02 1989-04-11 Toshiba Corp Magnetically floating and conveying device

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