JPS61169166A - Production of chromium target for sputtering - Google Patents
Production of chromium target for sputteringInfo
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- JPS61169166A JPS61169166A JP1052685A JP1052685A JPS61169166A JP S61169166 A JPS61169166 A JP S61169166A JP 1052685 A JP1052685 A JP 1052685A JP 1052685 A JP1052685 A JP 1052685A JP S61169166 A JPS61169166 A JP S61169166A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリング用クロムターゲットの製造
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a chromium target for sputtering.
一般にクロムターゲットを用いてスパッタリングを行な
う場合には、クロムターゲットに発生する多量の熱を逃
がすために、上記クロムターゲットを冷却用のバッキン
グプレートにろう付は接合するようにしている。この場
合、上記クロムターゲットの表面には不働態膜が形成さ
れているため、このクロムターゲットとろう材とのぬれ
性は皆無に近く、よって上記クロムターゲットを直接上
記バッキングプレートにろう付は接合する方法は極めて
困難であり実用化されていない。このため、従来は、上
記クロムターゲットの接合面に、溶射法、スパッタ法あ
るいはイオンプレート法により一旦金属を付着せしめた
後、このクロムターゲットを上記付着金属とぬれ性の良
いろう材を介してバッキングプレートにろう付は接合す
るようにしている。Generally, when sputtering is performed using a chromium target, the chromium target is joined to a cooling backing plate by brazing in order to release a large amount of heat generated in the chromium target. In this case, since a passive film is formed on the surface of the chromium target, there is almost no wettability between the chromium target and the brazing material, so the chromium target is directly joined to the backing plate by brazing. The method is extremely difficult and has not been put to practical use. For this reason, conventionally, metal is once attached to the bonding surface of the chromium target by thermal spraying, sputtering, or ion plate method, and then this chromium target is backed with a brazing material that has good wettability with the attached metal. The plates are joined by brazing.
しかしながら上記従来の製造方法においては、溶射法、
スパッタ法あるいはイオンプレート法により上記クロム
ターゲットの接合面に付着させた金属が、上記クロムタ
ーゲットの表面の不働態膜上に付着しているため、その
接合強度が弱いという欠点があった。このため、特に高
出力のスパッタにおいては、加熱された上記クロムター
ゲットの接合面から上記付着金属が剥離してしまうとい
う問題点があった。However, in the above conventional manufacturing methods, thermal spraying method,
Since the metal deposited on the joint surface of the chromium target by sputtering or ion plate method is deposited on the passive film on the surface of the chromium target, the joint strength is weak. Therefore, particularly in high-output sputtering, there is a problem in that the deposited metal peels off from the bonding surface of the heated chromium target.
このため、上記問題点を解決する方法として、予め上記
クロムターゲットの接合面の不働態膜を除去する各種の
方法が提案されているが、研摩加工や旋盤加工等の機械
的な除去方法や塩酸処理等の化学的な除去方法にあって
は、いずれも一時的に上記不働態膜を除去することがで
きても、除去した表面に直ちに再び不働態膜が形成され
てしまうため不適当であった。また、物理的な除去方法
として、逆スパツタ方法もあるが、クロムターゲット単
体では充分な冷却が行なえないためスパッタ出力を低く
せざるを得す、よっていたずらに時間を費やす欠点があ
った。Therefore, as a method to solve the above problem, various methods have been proposed in which the passive film on the bonding surface of the chromium target is removed in advance. Chemical removal methods such as treatment are unsuitable because even if the passive film can be temporarily removed, the passive film will immediately re-form on the surface from which it was removed. Ta. Further, as a physical removal method, there is a reverse sputtering method, but since the chromium target alone cannot be cooled sufficiently, the sputtering output has to be lowered, which has the drawback of wasting time unnecessarily.
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、クロムタ
ーゲットの接合面と、この接合面に付着させる金属との
接合強度を高めることができ、よってスパッタ中におけ
るクロムターゲットの剥離を防止することができるスパ
ッタリング用クロムターゲットを提供することを目的と
するものである。This invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and it is possible to increase the bonding strength between the bonding surface of a chromium target and the metal attached to this bonding surface, thereby preventing the chromium target from peeling off during sputtering. The purpose of this invention is to provide a chromium target for sputtering that can be used for sputtering.
この発明のスパッタリング用クロムターゲットの製造方
法は、クロムターゲットの接合面に電気分解を施し−て
表面の不働態膜を除去した後、引き続いて上記クロムタ
ーゲットの接合面にメッキ層を形成せしめ、しかる後上
記クロムターゲットを軟ろうな介してバッキングプレー
トに接合するものである。The method for manufacturing a chromium target for sputtering according to the present invention includes electrolyzing the bonding surface of the chromium target to remove the passive film on the surface, and then forming a plating layer on the bonding surface of the chromium target. After that, the chromium target is bonded to the backing plate using a soft solder.
以下、この発明の製造方法の一例について図を参照して
説明する。図はこの例の製造方法により製造されたスパ
ッタリング用クロムターゲットの拡大断面図を示すもの
である。An example of the manufacturing method of the present invention will be described below with reference to the drawings. The figure shows an enlarged sectional view of a chromium target for sputtering manufactured by the manufacturing method of this example.
図に示すように、このスパッタリング用クロムターゲッ
ト１は、クロム（Ｃｒ）からなるクロムターゲット２と
、このクロムターゲット２の接合面に形成されたメッキ
層３と、このメッキ層３と軟ろう４を介して接合一体化
されたバッキングプレート５とから構成されている。As shown in the figure, this chromium target 1 for sputtering includes a chromium target 2 made of chromium (Cr), a plating layer 3 formed on the joint surface of the chromium target 2, and a soft solder 4 formed between the plating layer 3 and the soft solder 4. It is composed of a backing plate 5 which is integrally joined through a backing plate 5.
このようなスパッタリング用クロムターゲット１を製造
するには、先ずクロムターゲート２の単体に電気分解槽
内で電気分解を施し、表面の不働態膜を除去する。そし
て上記不働態膜を除去した表面に、そのままの状態で引
き続き電気メッキを施し、メッキ層３を形成させる。こ
こで、このメッキ層を形成する金属としては、上記軟ろ
う４とのぬれ性に富むものとして、Ｚｎ、 Ｓｎ、
（：’ａ。To manufacture such a chromium target 1 for sputtering, first, a single chromium target 2 is subjected to electrolysis in an electrolysis tank to remove a passive film on the surface. The surface from which the passive film has been removed is then electroplated in that state to form a plating layer 3. Here, as metals forming this plating layer, Zn, Sn,
(:'a.
Ｉ ｎ、 Ｐ ｂ ＋ Ｃｕ Ｉ Ｎ ｉ ｓ Ｃｏ
ＨＦ ｅ ＋ Ａ ｕ、Ａｇ＋Ｐｔ、ＰａもしくはＰ
ｈ１またはこれらの合金とすることが望ましい。次に、
このようにしてメッキ層３が形成されたクロムターゲッ
ト２を、ｈ−Ｓｎ基合金からなる軟ろう４を介してバッ
キングプレート５に接合して一体化せしめる。I n, P b + Cu I N i s Co
HF e + A u, Ag + Pt, Pa or P
h1 or an alloy thereof is desirable. next,
The chromium target 2 on which the plating layer 3 has been formed in this way is bonded and integrated with the backing plate 5 via a soft solder 4 made of an h-Sn-based alloy.
しかして、このようなスパッタリング用クロムターゲッ
トの製造方法によれば、電気分解によりクロムターゲッ
ト２の接合面の不働態膜を除去した後、再び不働態膜が
形成される前にメッキ層３を形成することができるため
、クロムターゲット２とメッキ層３との間の接合性が極
めて強固になる。しかも、上記メッキ層３として、軟ろ
う４とのぬれ性に富む金属を用いている為、メッキ層３
とバッキングプレート５との間の接合性にも優れる。よ
って上記スパッタリング用クロムターゲット１は、スパ
ッタ中にクロムターゲット２が、バッキングプレート５
から剥離する恐れがない。According to this method of manufacturing a chromium target for sputtering, after the passive film on the joint surface of the chromium target 2 is removed by electrolysis, the plating layer 3 is formed before the passive film is formed again. Therefore, the bonding between the chromium target 2 and the plating layer 3 becomes extremely strong. Moreover, since the plating layer 3 is made of a metal that has high wettability with the soft solder 4, the plating layer 3
The bondability between the backing plate 5 and the backing plate 5 is also excellent. Therefore, in the sputtering chromium target 1, the chromium target 2 is attached to the backing plate 5 during sputtering.
There is no risk of it peeling off.
次に、この発明のスパッタリング用クロムターゲットの
製造方法の効果を確認するために行なつた実験例につい
て説明する。第１表および第２表は、それぞれこの発明
の製造方法に係るスパッタリング用クロムターゲットお
よび従来のスパッタリング用クロムターゲットのスパッ
タ中におけるバッキングプレートからのクロムターゲッ
トの剥離の有無を調べた結果を示すものである。ここで
、この発明に係るスパッタリング用クロムターゲットは
、以下のようにして製造した。Next, an experimental example conducted to confirm the effects of the method for manufacturing a chromium target for sputtering according to the present invention will be described. Tables 1 and 2 show the results of investigating the presence or absence of peeling of the chromium target from the backing plate during sputtering of the chromium target for sputtering according to the manufacturing method of the present invention and the conventional chromium target for sputtering, respectively. be. Here, the chromium target for sputtering according to the present invention was manufactured as follows.
先ず、クロムターゲット（２５４％Ｘ７ｔ）の接合面を
トリクレンで脱脂するとともに、その他の面をゴム系の
マスキング材等によってマスキングした。First, the joint surface of a chromium target (254% x 7t) was degreased with trichloride, and the other surfaces were masked with a rubber-based masking material or the like.
次に、ラッキング治具に上記クロムターゲットを取り付
け、塩酸液中で電気分解してクロムターゲットの接合面
に水素を発生させ、これを活性化させて不働態膜を除去
した。引き続き、上記クロムターゲットの接合面に再び
不働態膜が形成されないようにラッキング治具を取付け
たまま上記クロムターゲットに硫酸銅液中で電気メッキ
を施し、銅メッキ層を形成させた。次いで、マスキング
材を剥離した後上記クロムターゲットを錫を用いた軟ろ
うを介して銅製のバッキングプレート（２８０（×１０
ｔ）に接合した。Next, the chromium target was attached to a racking jig and electrolyzed in a hydrochloric acid solution to generate hydrogen at the joint surface of the chromium target, which was activated and the passive film was removed. Subsequently, the chromium target was electroplated in a copper sulfate solution to form a copper plating layer while the racking jig was attached to prevent the formation of a passive film on the joint surface of the chromium target again. Next, after peeling off the masking material, the chromium target was soldered to a copper backing plate (280 (×10
t).
また同様の方法で、上記硫酸鋼溶液の替りにそれぞれ、
塩化ニッケル溶液でＨ１メッキ層を、硫酸亜鉛溶液でＺ
ｎメッキ層を、硫酸第一錫溶液でＳｎメッキ層を、塩化
ニッケルと塩化錫の混合液でＮ ｉ −Ｓ ｎ合金メッ
キ層を、シアン化銀溶液でＡｇメッキ層を、シアン化銀
とシアン化銅との混合液でＡｇＣｕ合金メッキ層を、な
ど各種のメッキ層を形成した。In addition, in the same manner, instead of the above sulfuric acid steel solution,
H1 plating layer with nickel chloride solution and Z with zinc sulfate solution
The Sn plating layer was formed using a stannous sulfate solution, the Ni-Sn alloy plating layer was formed using a mixture of nickel chloride and tin chloride, the Ag plating layer was formed using a silver cyanide solution, and the silver plating layer was formed using a solution of silver cyanide and cyanide. Various plating layers such as an AgCu alloy plating layer were formed using a mixed solution with copper chloride.
第 ２ 表
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明のスパッタリング用クロム
ターゲットの製造方法は、クロムターゲットの接合面に
電気分解を施して表面の不働態膜を除去した後、引き続
いて上記クロムターゲットの接合面にメッキ層を形成せ
しめ、しかる後上記クロムターゲットを軟ろうを介して
バッキングプレートに接合するものである。よってこの
製造方法によれば、クロムターゲットの接合面と、この
接合面に付着させる金属との接合強度を高めることがで
き、よってスパッタ中におけるクロムターゲットの剥離
を確実に防止することができる。Table 2 [Effects of the Invention] As explained above, in the method for manufacturing a chromium target for sputtering of the present invention, after electrolyzing the joint surface of the chromium target to remove the passive film on the surface, the chromium A plating layer is formed on the bonding surface of the target, and then the chromium target is bonded to the backing plate via soft solder. Therefore, according to this manufacturing method, it is possible to increase the bonding strength between the bonding surface of the chromium target and the metal attached to this bonding surface, and it is therefore possible to reliably prevent the chromium target from peeling off during sputtering.
図は、この発明のスパッタリング用クロムターゲットの
製造方法により製造されるスパッタリング用クロムター
ゲットの一例を示す拡大断面図である。
１・・・・・・スパッタリング用クロムターゲット、２
・・・・・・クロムターゲット、３・・・・・・メッキ
層、４・・・・・・軟ろう、５・・・・・・バッキング
プレート。The figure is an enlarged sectional view showing an example of a chromium target for sputtering manufactured by the method for manufacturing a chromium target for sputtering of the present invention. 1... Chrome target for sputtering, 2
...Chrome target, 3 ... Plating layer, 4 ... Soft solder, 5 ... Backing plate.
Claims (2)
レートに接合してなるスパッタリング用クロムターゲッ
トの製造方法において、 上記クロムターゲットの接合面に電気分解を施して表面
の不働態膜を除去した後、引き続いて上記クロムターゲ
ットの接合面にメッキ層を形成せしめ、しかる後上記ク
ロムターゲットを軟ろうを介して上記バッキングプレー
トに接合することを特徴とするスパッタリング用クロム
ターゲットの製造方法。(1) In a method for manufacturing a chromium target for sputtering, in which a chromium target is bonded to a backing plate via a soft solder, the bonding surface of the chromium target is subjected to electrolysis to remove the passive film on the surface, and then A method for producing a chromium target for sputtering, characterized in that a plating layer is formed on the bonding surface of the chromium target, and then the chromium target is bonded to the backing plate via soft solder.
ｎ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ
、Ｐｔ、ＰｄもしくはＰｈまたはこれらの合金であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパッタリ
ング用クロムターゲットの製造方法。(2) The metal forming the plating layer is Sn, Cd, Z
n, In, Pb, Cu, Ni, Co, Fe, Au, Ag
The method for producing a chromium target for sputtering according to claim 1, wherein the target is Pt, Pd, Ph, or an alloy thereof.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052685A JPS61169166A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Production of chromium target for sputtering |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1052685A JPS61169166A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Production of chromium target for sputtering |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61169166A true JPS61169166A (en) | 1986-07-30 |
Family
ID=11752692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1052685A Pending JPS61169166A (en) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | Production of chromium target for sputtering |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61169166A (en) |
Cited By (5)
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-
1985
- 1985-01-23 JP JP1052685A patent/JPS61169166A/en active Pending
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