JPS61168983A - 高出力半導体レ−ザ - Google Patents
高出力半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61168983A JPS61168983A JP942685A JP942685A JPS61168983A JP S61168983 A JPS61168983 A JP S61168983A JP 942685 A JP942685 A JP 942685A JP 942685 A JP942685 A JP 942685A JP S61168983 A JPS61168983 A JP S61168983A
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- Japan
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- active layer
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- light
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は発振モードの制御に有効な構造を有する高出力
半導体レーザに関するものである。
半導体レーザに関するものである。
（従来の技術）
半導体レーザの基本モード化は光フアイバー通信に於け
る広帯域、長距離伝送や、低歪アナログ変調等への半導
体レーザの実用化を可能とした。
る広帯域、長距離伝送や、低歪アナログ変調等への半導
体レーザの実用化を可能とした。
゛従来の半導体レーザとして、埋込み型半導体レーザが
あり、その構造についての問題点を説明する。
あり、その構造についての問題点を説明する。
第２図は従来の埋込み型半導体レーザの概略を示す断面
図である。この半導体レーザはｎ型ＧａＡｓ基板２の上
にｎ型Ｇａ ６，７Ａ１．６．３Ａｓ層３ 、ＧａＡｓ
活性層４．ｐ！Ｇａｏ、ｙＡｊ！ｏ、ｓＡｓ層５を成長
し、エラチンｆでｐ型Ｇａ０６７Ａｊｌ ６，３ＡＳ層
５の表面からストライプ状のメサ構造を形成するために
Ｇ ａ Ａ ｓ基板２に達するまでメサ以外の部分を取
り除く。次にそのエツチングした部分に高抵抗のＧ ａ
（１，７ＡＩ！ ６．３ Ａ ｓ層７を成長させ、こ
れら半導体層の両面に電極１゜６を取り付けて、埋め込
み型半導体レーザが製作される。
図である。この半導体レーザはｎ型ＧａＡｓ基板２の上
にｎ型Ｇａ ６，７Ａ１．６．３Ａｓ層３ 、ＧａＡｓ
活性層４．ｐ！Ｇａｏ、ｙＡｊ！ｏ、ｓＡｓ層５を成長
し、エラチンｆでｐ型Ｇａ０６７Ａｊｌ ６，３ＡＳ層
５の表面からストライプ状のメサ構造を形成するために
Ｇ ａ Ａ ｓ基板２に達するまでメサ以外の部分を取
り除く。次にそのエツチングした部分に高抵抗のＧ ａ
（１，７ＡＩ！ ６．３ Ａ ｓ層７を成長させ、こ
れら半導体層の両面に電極１゜６を取り付けて、埋め込
み型半導体レーザが製作される。
この半導体レーザは、活性層４を低屈折率の半導体で取
り囲み、注入キャリアの閉じ込めと、光の閉じ込めを同
時に行っている。その結果、安定した基本モード発振を
広い電流領域にわたって得られる特徴を有するが、この
埋め込み型半導体レーザは発振領域が小さいことにより
、次の嘩な欠点を有する。
り囲み、注入キャリアの閉じ込めと、光の閉じ込めを同
時に行っている。その結果、安定した基本モード発振を
広い電流領域にわたって得られる特徴を有するが、この
埋め込み型半導体レーザは発振領域が小さいことにより
、次の嘩な欠点を有する。
すなわち、光出力がある出力以上になると、光によって
半導体レーザの出力端面が破損してその発掘が止まると
いう問題がある。この問題は、安定な基本モード発振を
満足する発振領域寸法が０．１μｍ Ｘ ２．０μｍと
非常に微小面積のために数ｍＷの光出力で端面破損する
光密度レベルを越えることによシ生ずるものである。
半導体レーザの出力端面が破損してその発掘が止まると
いう問題がある。この問題は、安定な基本モード発振を
満足する発振領域寸法が０．１μｍ Ｘ ２．０μｍと
非常に微小面積のために数ｍＷの光出力で端面破損する
光密度レベルを越えることによシ生ずるものである。
（発明の目的）
本発明の目的はこのような問題点を除去し、より特性の
すぐれた高出力を得ることのできる高出力半導体レーザ
を提供することにある。
すぐれた高出力を得ることのできる高出力半導体レーザ
を提供することにある。
（発明の構成）
本発明の高出力半導体レーザの構成は、複数の活性層と
、これら活性層の間に挟まれこの活性層よシ禁止帯幅の
大きい材質からなる複数の光ガイド層ヒ、これら光ガイ
ド層を挟んだ前記活性層の上端および下端を挟み前記光
ガイド層より禁止帯幅の大きい材質からなるクラッド層
とからなる複数の発光領域をメサ領域に限定して形成し
た積層部と；この積層部のメサ領域側面を前記活性ノー
よシ禁止帯幅の大きい半導体で埋込んだ半導本埋込部と
を有し、前記活性層が前記光ガイド層を介して光学的に
結合されることを特徴とする。
、これら活性層の間に挟まれこの活性層よシ禁止帯幅の
大きい材質からなる複数の光ガイド層ヒ、これら光ガイ
ド層を挟んだ前記活性層の上端および下端を挟み前記光
ガイド層より禁止帯幅の大きい材質からなるクラッド層
とからなる複数の発光領域をメサ領域に限定して形成し
た積層部と；この積層部のメサ領域側面を前記活性ノー
よシ禁止帯幅の大きい半導体で埋込んだ半導本埋込部と
を有し、前記活性層が前記光ガイド層を介して光学的に
結合されることを特徴とする。
（実施例）
次に図面を参照し４がら本発明の詳細な説明する。
第１図は不発明の一実施例の断面図でりシ、レーザ光に
垂直な素子の主要断面を示すものでおる。
垂直な素子の主要断面を示すものでおる。
図において、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基体２上に以下の層が
順次成長きれる。すなわち、ｎｆｉＧａ６，７に１ｇ、
３ＡＳクラッド層３．ＧａＡｓ活性）ｉｊ ４． Ｇａ
Ｏ，ｇＡ４６．ＩＡｓツとガイド層１０．第２のＧ ａ
Ａ ｓ活性層４１．第２のＧａ ｏ、會ＡｉＯ，ＩＡ
Ｓ光ガイド層１１．−・・最後のＧ ａ Ａ ｓ活性層
＋３の上にｐ型Ｇａ ６．７Ａｎ ｇ、３Ａｓクジツド
ノー５が形成される。クラッド層５の表面からメサエッ
チングを行い活性層、ｎ型クラッド層１０の側面部を除
去し、基板表面を露出した後に再度高抵抗のＧａｏ、７
Ａｎ、、ＳＡＳ層７を形成させる。電極１゜６が半導体
基板２及びｐ型クラッド層５に接触するように設けて構
成される。
順次成長きれる。すなわち、ｎｆｉＧａ６，７に１ｇ、
３ＡＳクラッド層３．ＧａＡｓ活性）ｉｊ ４． Ｇａ
Ｏ，ｇＡ４６．ＩＡｓツとガイド層１０．第２のＧ ａ
Ａ ｓ活性層４１．第２のＧａ ｏ、會ＡｉＯ，ＩＡ
Ｓ光ガイド層１１．−・・最後のＧ ａ Ａ ｓ活性層
＋３の上にｐ型Ｇａ ６．７Ａｎ ｇ、３Ａｓクジツド
ノー５が形成される。クラッド層５の表面からメサエッ
チングを行い活性層、ｎ型クラッド層１０の側面部を除
去し、基板表面を露出した後に再度高抵抗のＧａｏ、７
Ａｎ、、ＳＡＳ層７を形成させる。電極１゜６が半導体
基板２及びｐ型クラッド層５に接触するように設けて構
成される。
本発明の構造によれば、活性層はその周囲を十分く大き
な禁制帯幅のＡＪ！ＧａＡｓ結晶で挟まれているため、
活性層に注入されたキャリアの閉じ込めと、光の閉じ込
めが同時に行なわれ、低しきい値、安定な基本横・モー
ド発振が得られる。更に、活性層が複数個、光ガイド層
を介して連続的に積層されているため、複数個の活性層
が同時に発振する。
な禁制帯幅のＡＪ！ＧａＡｓ結晶で挟まれているため、
活性層に注入されたキャリアの閉じ込めと、光の閉じ込
めが同時に行なわれ、低しきい値、安定な基本横・モー
ド発振が得られる。更に、活性層が複数個、光ガイド層
を介して連続的に積層されているため、複数個の活性層
が同時に発振する。
これら活性層は光ガイド層を介して隣りの活性層と光学
的に結合する様に設計されているため各々の活性層から
のレーザ光は互いに結合しあって位相のそろった発振光
となる。
的に結合する様に設計されているため各々の活性層から
のレーザ光は互いに結合しあって位相のそろった発振光
となる。
（発明の功果）
以上説明したように、本発明の構造によれば、発光領域
が全部の活性層が合わさった大きさに等しくなるため高
出力が簡単に得られる特徴を有する。
が全部の活性層が合わさった大きさに等しくなるため高
出力が簡単に得られる特徴を有する。
以上の実施例では、ＧａＡｓ−ＧａＡ４Ａｓを用いた場
合について述べたが、これをＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系
の半導体に適用しても同様な作用効果があることは明ら
かである。
合について述べたが、これをＩｎＰ−ＩｎＧａＡｓＰ系
の半導体に適用しても同様な作用効果があることは明ら
かである。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザの概略
的断面図、第２図は従来の埋込み半導体レーザの概略的
断面図である。図において１・・・・・・ｎ型電極、２
・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３・・・””
１１型Ｇ ａ Ａ Ａ Ａ ｓクラッド層、４．４１．
４２．４３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、５・・・・・
・ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｎ Ａ ｓクラッド層、６・・・・
・・ｐ型電極、７ ・−・−・・ＧａＡ４Ａｓ層、１１
，１２゜１３・・・・・・ＧａＡＡＡｓ光ガイド層、で
ある。 −１，− 代理人 弁理士 内 原 晋、′、：パ−，，−
的断面図、第２図は従来の埋込み半導体レーザの概略的
断面図である。図において１・・・・・・ｎ型電極、２
・・・・・・ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板、３・・・””
１１型Ｇ ａ Ａ Ａ Ａ ｓクラッド層、４．４１．
４２．４３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、５・・・・・
・ｎ型Ｇ ａ Ａ Ｎ Ａ ｓクラッド層、６・・・・
・・ｐ型電極、７ ・−・−・・ＧａＡ４Ａｓ層、１１
，１２゜１３・・・・・・ＧａＡＡＡｓ光ガイド層、で
ある。 −１，− 代理人 弁理士 内 原 晋、′、：パ−，，−
Claims (1)
- 複数の活性層と、これら活性層の間に挟まれこの活性層
より禁止帯幅の大きい材質からなる複数の光ガイド層と
、これら光ガイド層を挟んだ前記活性層の上端および下
端を挟み前記光ガイド層より禁止帯幅の大きい材質から
なるクラッド層とからなる複数の発光領域をメサ領域に
限定して形成した積層部と；この積層部のメサ領域側面
を前記活性層より禁止帯幅の大きい半導体で埋込んだ半
導体埋込部とを有し、前記活性層が前記光ガイド層を介
して光学的に結合されることを特徴とする高出力半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942685A JPS61168983A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 高出力半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP942685A JPS61168983A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 高出力半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168983A true JPS61168983A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11720010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP942685A Pending JPS61168983A (ja) | 1985-01-22 | 1985-01-22 | 高出力半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0280281A2 (en) * | 1987-02-27 | 1988-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Variable oscillation wavelength semiconductor laser device |
| JPH01143283A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
-
1985
- 1985-01-22 JP JP942685A patent/JPS61168983A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0280281A2 (en) * | 1987-02-27 | 1988-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Variable oscillation wavelength semiconductor laser device |
| US4982408A (en) * | 1987-02-27 | 1991-01-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Variable oscillation wavelength semiconduction laser device |
| JPH01143283A (ja) * | 1987-11-27 | 1989-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ素子 |
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