JPS6116816A - 導電性有機高分子化合物及び／又は有機導電体の成形品の製造法及びそのための装置並びに成形品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［従来の技術］ 非高分子及び高分子の有機半導体の合成やこれ−らの化
学的、電気的、光電気的特性はよく研究されている。又
今日の技術状況や部分的に異なる技術的見解もかなり報
告されている〔ウニブナ−（ｃ、％ｌｅｇｎｅｒ）、　
Ａｎｇｅｗ、　Ｃｈｅｗ、　９３．３５２〜３７１（１
９８１）；　ハナック（Ｍ、　Ｈａｎｓａｃｋ）、　Ｎ
ａｔｕｒｗｊｓｓ、　Ｅ１９゜２８８〜２７５　（１９
８２）　；ヘーガー（Ａ、　Ｈｅｅｇｅｒ）等。

５ｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｅｔａｌｓ、　Ｂａｎｄ　８．
２４３〜２８３　（１９８３）；ゼーガー（Ｋ、　Ｓｅ
ｅｇｅｒ）、　Ａｎｇｅｗ、　Ｍａｌｅｒｏｍｏｌ、　
Ｃｈｅｗ。

１０９／１１０．２２７〜２５１　（１１ａ８２）を参
照）。

「導電性高分子化合物」はポリ共役系物質であり、これ
にはポリアセチレン（ＰＡＣ）、ポリ１，３，５．、、
−ｎ−置換ポリアセチレン。

アセチレン共重合体や１．３−テトラメチレン架橋ポリ
エン（例えば１．６−ヘプタジイン（Ｈｅｐｔａｄｉｉ
ｎ））の重合で得られたポリマーやポリアセチレンの同
様な誘導体）がある、更にこの種のものにはポリパラフ
ェニレン（ＰＰＰ）の各種変性体癌ポリピロール（Ｐ　
Ｐ　ｙ）の各種変性体やポリフタロシアニン（ＰＰｈｃ
）の各種変性体や他の高分子有機導電体、例えばポリア
ニリン、ポリぺり“ナフタリン等のようなものがある。

之等はそれ自体としても、又酸化性物質や還元性物質と
の錯体化（ドーピングされたｄｏｔｉｅｎｔ）高分子化
合物であってもよい。錯体化は一般に電気伝導度を数桁
上昇せしめ金属の電導度領域迄もたらすものである。

「有機導電体」とは特に錯塩や電荷移動錯体例えばテト
ラシアノキノジメタン（Ｔ　ＣＮ　Ｑ）塩等の非高分子
有機物質を意味する。

導電性高分子化合物は１部多結晶性粉末や箔状集合体や
一次粒子ブロックとして存在する。

例えばポリアセチレンは可溶性でも溶融性でもないので
、進歩がなかったが白州氏界面重合により、薄い高分子
箔に近似した性質をもつ自立的（ｆｒｅｉｔｒａｇｅｎ
ｄ）な非常に薄い箔を作製してから実質的に進歩した。

ポリアセチレンの形態学に関して、この箔について行わ
れた研究によりフィブリル説が提案された。フィブリル
説によるとポリアセチレンは長さ方向に延伸された＃１
ｉｒａが重なっていて結晶領域が繊雛方向に形成され、
錯体化後繊維軸に沿って電源が流れるといわれれる。

一般に電導度は高結晶度とポリ共役系（必要な場合は錯
体化した形でもよい）の配列により発生するというのが
通説である。しかしポリエンやポリフェニレンやポリピ
ロールの場合、分子鎖長方向か、又はこれに垂直の方向
の何れに沿って電子伝導（輸送）がおこるかは充分に解
明されていない。ヌ導電性高分子化合物の形態学につい
ても未だ解明されていない。本発明者はポリアセチレン
の一次粒子は１部は、フィブリル状２次粒子に凝集し、
１部は配向性のない箔状フィルムに凝集する球状の微細
粒子であることを証明した〔ヴエスリング　（Ｂ、　Ｗ
ｅｓｓｌｉｎｇ）、　Ｍａｋｒｏｍａｌ、　Ｃｈｅｗ、
　１８５（＋９８４）、　１２８５〜１２７５参照）〕
。この研究内容は本出願中で説明される。

物理的性質や加工性に関して導電性高分子化合物や有機
導電体の一般特性を、この文献により次に解説する。

一高結晶度である（例えば多結晶粉末にみられる）。針
状結晶（例えばＴＣＮＱ　、ハナック、　　１９８２参
照のこと）のものもあるし、肉眼で見える結晶形（例え
ばポリフタロシアニン）のものもある。ポリアセチレン
の場合は結晶子の大きさは明らかに１００Ａをこえるこ
とはない。

〔ホワイト他（Ｄ、　Ｗｈｉｔｅ　ｅｔ　ａ＋）、　Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ　２４゜８０！ｉ　（１９８３）） 一ポリ共役高分子化合物は、根本的には絶縁体であり、
ポリフタロシアニンの如き高分子架橋電荷移動錯体とは
異なるものである（／＼ナック前記引用文献２８９／２
７０頁参照） −光学的外観は一般に暗黒色である（平滑な表面で合成
が行われた時のみ光沢がある。これについてはガラス状
面は光沢があり、反対面は光沢のない自立性の箔を製造
する白州の方法を参照のこと）。ポリフタロシアニンは
光沢のない外観青色の粉末である。

一合成条件により肉眼でみえる大きな組織が得られた場
合は脆弱である（シス−ポリアセチレンはこの例外であ
る）、電荷移動錯体はその結晶構造のため、機械的加工
性の劣る脆弱な物質である（ハナック：上述引用文献２
８９／２７０頁参照）、同様な事実は錯体化の有無に拘
らずすべての導電性高分子化合物にあてはまる。

−導電性高分子化合物と有機導電体は一般に不活性、不
溶融性で成形不可能であり、大抵酸素、水分、高温に対
して不安定である０例えば非高分子又は高分子の電荷移
動錯体（ＴＣＮＱ又はＰＰｈｃ）では、融点を一般に考
察すると融点は分解点に近いので、分解を生ぜずに溶融
させることは全゛く不可能か又は非常に困難である。

各種導電性高分子化合物の場合、可溶性誘導体が存在す
る場合は、この導電性は数桁も不溶性の元の材料よりも
劣る。導電性高分子化合物及び有機導電体の熱成形は現
在まで成功していない、ポリピロール及びポリフタロシ
アニンの若干は酸化及び熱に対して比較的安定である（
ハナック：前記引用文献；カナザワ（Ｋ、Ｋａｎａｚａ
ｗａ）等、　　Ｊ、　　Ｃｈｅｗ、　　Ｓｏｃ、、　　
Ｃｈｅｗ、　　Ｇｏｍｓ、１９７１１１．８５４／８５
５参照）。

１９８２年ハナックにより示された見解は大抵の有機導
電体や導電性高分子化合物は最初高導電性の見地から製
造されるが、この場合、機械的性質、安定性、加工性は
低下するというもので、この見解は相変らず現在でもあ
てはまるものである。有機導電体及び導電性高分子化合
物の加工性にとって重要な物理的性質は次のように結論
される。

１、不溶解性 ２次分溶液から作った非高分子有機導電体は結晶化され
ていて、製造後は分解しないで部分的に溶解するもので
ある。−・方導電性高分子化合物の場合は、そのま〜で
も又は錯化したものでもこれを溶解する溶剤は全く見出
されていなかった。

マツモト（７，Ｍ６ｊｓｕ＋＊ｏｔｏ）等がＪ、　　Ｐ
ｏｌｙｍ、Ｓｃｉ。

（Ａ−２）　１０．２３（１９７２）に記載した実験で
は、γ線で重合させたポリアセチレンを用いたが、ＩＲ
−スペクトルが示すようにこの実験は化学的単一性を有
する従来のポリアセチレンでなく、種々置換された低分
子ポリエンの単一でない混合物を用いた実験であった。

加熱硫酸中にポリアセチレンを溶解〔ミャタ（Ｓ、　Ｍ
ｉｙａｔａ）等Ｐｏｌｙｍ、　Ｊ、　１５．５５７〜５
５８（１９８３）参照〕すると、酸化により強く化学変
化した物質を生成する〔プロン（Ａ、　Ｐｒｏｎ）。

Ｐｏｌｙｍｅｒ　２４．１２９４ｆｆ、　（１９８３）
参照〕。

更に他の導電性高分子化合物に対しても、今迄に溶剤を
紹介した文献はない。ポリフタロシアニンの場合、核置
換基、例えばｔｅｒｔ−ブチル基を導入して溶解度を上
昇することが試みられたが、この場合型導度は数桁も減
少した。イナベ（Ｔ。

Ｉｎａｂｅ）等はＪ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓａｃ、、　Ｃｈ
ｅａｐ、　Ｃｏ■、　１９８３゜１９８４−１９８５に
於てトリフルオルメタンスルホン酸中におけるポリフタ
ロシアニンの溶解性を記載しているが、この場合回収さ
れる原料物質の性質のデータは全く記載していない。

ｅ２２１１中にはポリアセチレン懸濁液が記載されてい
るが、これは粒子の３次、２次凝集を防止することなく
、ポリアセチレンの巨大粒子を含む懸濁液を作成したも
のである。

２、溶融特性 すべての導電性高分子化合物はそれ自体でも又錯化体の
形でも非溶融性である。示差熱分析によりポリフタロシ
アニンの溶融挙動が示されたが、溶融すると瞬時に分解
が生じることがわかった。

ポリアセチレンの動粘弾性研究〔チェノ（Ｓｈｏｗ−ａ
ｎ　Ｃｈｅｎ）等Ｍａｋｒｏｍｏ１．　Ｃｈｅｗ、　Ｒ
ａｐｉｄ　Ｇｏ＋ｕ＋、　４゜５０３−５０８　（＋９
８３））によると、−１００℃と３５０℃の間ではガラ
ス転移点も結晶の溶融も全く観察されていない。約３５
０℃以上ではポリアセチレンの分解が始まる。又唯−の
相転移は１５０℃以上で起こるが、これはシス／トラン
ス異性化が生じるためである。

時々溶融性の導電性高分子化合物が紹介されているが、
この電導度は充分なものではなく、対象となる導電性高
分子化合物より数桁低い電導度を示している。

３、安定性 導電性高分子化合物が安定でないことについては多くの
報告がある。ポリアセチレンは特に酸素の影響をうけ易
く、不活性雰囲気下で冷却した時でさえ、ポリアセチレ
ンの基本的性質が消失することが報告されている。例え
ばポリアセチレンはしばらくすると延伸不可能になる。

錯体化ポリアセチレンは不活性ガス雰囲気下に貯蔵した
場合、短時間でその優れた電気性質を殆んど完全に失な
う。このような現象は酸化崩壊やシス／トランス異性化
を生ずる架橋過程に原因す６（殊にルブナー（Ｎ、Ｒｕ
ｂｎｅｒ）等、Ｊ、　Ｐｏｌｙｍ、　Ｓｅｔ、、　Ｐｏ
ｌｙｍ、　Ｓｙｍｐ、ひ、　４５−Ｅ１９（１９８３）
参照〕。１．６−（ヘプタジイン）高分子化合物の不安
定性に関してはギブソ７（Ｈ，Ｇｉｂｓｏｎ）　　（Ｊ
、　Ａｍ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓｏｃ、　１０５　４４１７
−４４３１　（１９８３）参照〕が記載している。これ
は真空下で加熱した際、定義〒Ｓないが、もはや共役し
ない高分子化合物に変化する。これと匹敵する現象はポ
リアセチレンの場合にも生じる。

４、成形性 従来の成形法〔クンストシュトッフータッシェンブ−７
（Ｋｕｎｓｔｓｔｏｆ？−↑ａｓｃｈｅｎｂｕｃｂ）、
　５Ｂ頁以下参照〕により導電性高分子化合物又は有機
導電体からなる成形品を製造することは現在迄成功して
いない。これは直接高分子化合物が不溶融性で且つ不溶
解性であることと関係がある。更に有機溶剤中又は高粘
度ポリマー中では、２等物質の真の分散液を作成するこ
ともまた、現在名成功していない。

但し、ドリュイ（Ｍ、　Ｄｒｕｙ）等（Ｊ、　Ｐｏｌｙ
ｍ。

Ｓｃｉ、、　Ｐｏ１ｙ＋ｗ、　Ｐｈｙｓ、　Ｅｄ、　Ｌ
ＬＬ４２！３−４４１　（１９８０）参照〕は、限定し
た条件下に於て直接製造後延伸可能なシス−ポリアセチ
レンを作成したことを報告しているが、ある点ではこれ
は且つの例外とみなされる。そして延伸性や伸展性は専
らシイス異性体に限定され、トランス−異性体は酸素が
存在しなくても脆弱になるものである。マクダイアミド
（ＭａｃＤｉａｒｍｉｄ）とヘーガー（Ａ、　Ｈｅｅｇ
ｅｒ）（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　Ｎａｔｏ　Ａ
ＳＩ　ｏｎ　ＭｏｌｅｃｕｌａｒＭｅｔａｌｓ、　Ｌｅ
ｓ　Ａｒｃｓ、　＋９７９．総会報告を参照〕は、新ら
しく製造した箔はシスーポリアセチレン箔であっても、
トランス−ポリアセチレン箔であっても両者とも屈曲性
があって延伸容易であるが、この延伸性は繊維の部分的
配向のために生じていることを示した。この場合酸素が
存在すると加速的に脆弱になってくるが、酸素が存在し
ない場合でもシス異性体は合成後急速に延伸性が低下す
る。

酸素は酸化崩壊を起こすだけでなく、シス／トランス異
性化を生ずることとも関係している〔チェ７（Ｊ、　Ｃ
ｈｉｅｎ）等、　Ｊ、　Ｐｏ１ｙ＋ｗ、　Ｓｃｉ、　Ｐ
ｏｌｙｍ、　Ｐｈｙｓ。

Ｅｄ、　２１．７８７−７７０　（１９８３）参照〕。

ドリュイノ文献によれば、延伸時に予期しない容積増大
が生ずるが、この容積増大はフィブリル間引力が弱いこ
とにより説明できる。酸素が存在しない場合にも架橋過
程は生じ、シス／トランス異性化の場合も遊離基の存在
により架橋過程が生じてるということは、ストレス−ス
トレイン　カーブと時間的挙動から明らかにわかるもの
である。

これらの問題点を考慮すると、従来の成形法とル状ポリ
アセチレンの成形について記載しているが、この場合室
温と最高１００℃との間の温度でプレスしてから乾燥し
て成形品を作製している。

ＱＢ−特許 小林等（酔奉公開２０７２１９？参照）は同様に溶剤含
量の多い新らしく重合したシス−ポリアセチレンをプレ
スし、次にカレンダ処理する類似した方法を示している
。なお製品は乾燥処理後も約５％の溶剤を含有していた
。

（工久壬余白） 従来の成形法と異なる成形品の製造についてはチェ７　
（Ｃｈｉｅｎ　）等（Ｍａｋｒｏｍｏｌ、　Ｃｈｅｍ、
、　ＲａｐｉｄＧｏｗｎ、　４．５−１０　（１９８３
）参照〕はポリアセチレン粒子を特殊重合法で製造する
ことについて示している。

ホラカー（Ｊ、　Ｈｏｃｋｅｒ　）等（ＥＰ公開６２２
１１参照〕はポリアセチレンを含む他の高分子化合物か
ら成形品を製造することを記載しているが、この場合こ
の高分子化合物は肉眼でみえる大きさのポリアセチレン
粒子を含む溶剤中に溶解する。成形は溶剤を除去してか
ら行なう。必要な場合は懸濁液作成を加速するため旧ｔ
ｒａｔｕｒｒａｘ　　（商標）攪拌機を使用するが、粒
子の繊維構造は元のままにしておくことが重要である。

このようにして得られた成形品は僅かな導電性を示した
にすぎなかった。更にホラカーはＥＰ公開８４３３０に
於て。

従来の成形法を使用せずにポリアセチレンを含む樹脂か
ら成形品を作る実験を行っている。記載された実施例に
従うと、懸濁液状のポリアセチレンを蒸発容易な溶剤中
に加えることにより、（ドーピングをうけた）ポリアセ
チレン層をもつラミネートを作ることを試みている。一
つの高分子化合物、又は一つの無機支持体の何れかの上
にある上記の作製したポリアセチレン層に対しては１次
に保護層を塗布する。

ポリピロールの場合は温度１５０〜３００℃、圧力５０
−１５０バールでポリピロールをプレスする方法がＤＥ
特許公開３２２７９１４に記載されている。この実施例
によると、この方法は非導電性高分子フィルムとポリピ
ロールフィルム（電気化学的重合により直接得られたも
の）からなる多層ラミネートの製造に適している。特に
ポリピロールやこの共重合体は箔の形で、ポリエステル
鎖、ポリエチレン箔、ポリアクリルニトリル箔やポリウ
レタンホーム、ポリスチロールホーム上にプレスするの
が好ましい。導電性ポリピロール自体の成形は勿論存在
せず、ポリピロールは非導電性高分子フィルムの熱可塑
的流動性を利用して結合剤としての用途があるだけであ
る。連続ポリピロール相からなる均一な成形体、又はポ
リピロールのみからなる成形体はこの方法では製造する
ことができない。更に活性化した条件下でも、製造時間
は２〜１０分を必要とし、この際表面に薄い非導電性層
が形成され、又化学的崩壊を防ぐことができないという
欠点がある。

５、圧力の影響 導電性高分子化合物又は有機導電体の成形を開始する場
合、微細な多結晶粉末として生成する物質を少くとも短
時間で金型（ここで電気的性質や光電特性を試験する）
に入れるよう努めなければいけない。従って粉末を数バ
ールから３００バール圧力下で冷時プレスした場合、脆
弱なプレートク（Ｆ、　Ｂｅａｋ）　、　Ｂｅｒ、　　
Ｃ！ｃＩｅｕｔ、　Ｂｕｎｓｅｎｇｅｓ。

Ｐｈｙｓ、　Ｃｈｅｗ、　８８．５５８〜５１３７　（
１９８４）参照〕。

ポリピロールの場合、後で公開されたＥＰ公開１３２７
０９中には温度１５０〜３００℃、圧力５０〜２００　
／＜−ルに於いて微細などロール重合体から成形品が作
られ得ることを開示している。

この場合、通常の雰囲気下で成形される。尚このことは
上記ＥＰ公開の実施例には記載されていないし、又得ら
れた成形品の表面や、色、均一性、強度、導電性の詳細
な記載はない。恐らくこの方法では、導電性測定に使用
される粉末状有機導電体と同じ比較的脆弱なプレートが
得られただけであり、均一で強い表面光沢のある成形品
は得られなかったであろう。

シーリン（Ｖ　、Ｚｈｏｒｉｎ）　　（Ｊ、　Ａｐｐｌ
、　Ｓｃｉ、　２８゜２４８７−２４７２　（１９８３
）参照〕は、高圧成形が導電性高分子化合物の電気的性
質に及ぼす影響を記載し、高圧にすると試験体の電導面
は上昇するが、圧力を取去ると電導面は可逆的に再び低
下すると結論している。本発明者等は室温下標準大気圧
から２．５ＸＩＯ３ＭＰａの圧力範囲に於いては木質的
に形態学的変化は観察されないことを認めた。

又電導面が上昇するのはエネルギー帯が密に接近するこ
とに原因している。

［発明が解決しようとする問題点］ 総括及び課題提出 従って導電性高分子化合物及び有機導電体は両者とも以
下に示すある種の欠点を有している。即ち不溶解性であ
り、分散性が劣り、軟化領域、ガラス転移点、融点の何
れも存在せず、酸素、熱に対する安定性が劣り、又部分
的に架橋過程に対する安定性も劣るという一連の欠点が
あるため、今日迄導電性高分子化合物及び有機導電体が
技術的に使用される場合の妨げとなった。現在の見解に
よると之等の欠点は殊に導電性高分子化合物及び有機導
電体の比較的高い結晶度に原因しているものΣいわれて
いる。

ポリアセチレンや大抵の他の導電性高分子化合物を技術
的に利用することができないのは、電気的特性及び殊に
機械的特性が、特に錯体死後短時間に急速に減少するこ
とに原因するものである。

従って導電性高分子化合物を成形し、成形中及び成形後
、酸素、湿気、熱、内部架橋過程による崩壊（分解）に
対して安定化させることができれば非常な進歩をもたら
すものと考えられる。導電性高分子化合物はそのままで
あっても、又は物理的に僅か変形した形であっても、従
来の成形法で成形し、出来れば同時に安定化が行われる
方法を見出すことは殊に重要である。電気型導度の上昇
が成形品製造の際、同時に行われ、しかも得られた緒特
性が、使用中元のまま保持されれば、今日では決定的な
技術的進歩になるものと考えられる。

従って本発明の課題はＰＡｃ、ＰＰＰ。

Ｐｒｙ　、ＰＰｈｃやＴＣＮＱ−電荷移動錯体等の導電
性高分子化合物や有機導電体を、良好な機械特性及び高
電気型導度を有する均一な成形体に加工し、しかも同時
に種々の分解機構、殊に酸素の影響や架橋過程に対して
安定化させる方法を見出すことにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明 本発明の第１の対象は、木質的に溶剤、モノマー、オリ
ゴマーの何れをも含まない導電性高分子化合物及び／又
は有機導電体の試料を充分にガス抜きした後、水分及び
酸素のない状態で、４０℃以上であるが導電性高分子化
合物及び／又は有機導電体の分解温度をこえない温度で
、少くとも５００　／＜−ルの圧力下において、外観に
おいて元の試料と色が異なり、高光沢で、外観金属状の
表面をもつ連続相が形成されるように成形することを特
徴とする導電性有機高分子化合物及び／又は有機導電体
からなる成形体の製造法である。

この際導電性有機高分子化合物又は有機導電体の種々の
ものの混合物も使用可能である。又酸素による崩壊（分
解）が起らない限り、導電性高分子化合物又は有機導電
体は、新らしいものでも古いものでも本発明の対象とな
る。酸化崩壊が生じていないことはポリアセチレンの場
合、ＩＲ−スペクトルに於て、１７００ｃｍ−１のカル
ボニル帯から容易に識別可能である。

［作用及び効果］ 強光沢のある外観の金属状表面は、連続相生成の特徴を
表わしている。電子顕微鏡観察で傷のないポリアセチレ
ンの表面は約２０．０００倍の倍率で始めて詳細にみら
れるが、この場合球状の一次粒子は別々の粒子としては
もはや識別できない、この理由は一次粒子が表層（連続
マトリックス）によりかくされ見ることができないため
である。

ドーピング処理の有無に拘らずトランス−ポリアセチレ
ン（黒色）を使用すると、夫々均一な傷のない高光沢で
外観が金色−金属状で、成形プレス部品がうつっている
表面又は形が得られる。異性化温度以下でプレスすると
シス−ポリアセチレンは銀色−金属状光沢のある表面を
示すが、この温度以上（この場合トランス−異性体へ完
全に異性下していることがＩＲ−スペクトルより判明す
る）では金色の金属外観を示す、ポリフタロシアニンは
冷時プレス不可能であるが１本発明の方法では井−シア
ノ−（フタロシアニント）コバルト（３１１）　　［＃
Ｌ−Ｃｙａｎｏ−ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎａｔｏ）
ｋｏｂａｌｔ（■）］の暗青色は強゛度に光沢のある明
赤−紫色に変化する。又電気化学的に合成したポリピロ
ール−ドデシル　スルホネートは暗黒色から強い黒色金
属表面に変るが、この表面は日光にさらすと青味を示す
。

例えばポリアセチレンが熱可塑性がなく、酸化及び熱に
対し不安定で且つ架橋性があるにも拘らず加工可能なこ
とは驚くべきことである。本発明で製造した成形品の電
気型導度は数桁上昇する。

即ちポリアセチレンの場合は１０−９乃至ｔｏ−１２Ｓ
ｉｅＩｌｅｎＳ／Ｃ１１ノものが、−ト舅して１０−”
以上例えば１０−４ＳｉｅＩｌｅｎｓ／ｃｍになった。

コノ場合架橋は行われず又同等崩壊も観察されなかった
０例えば特に均一にドーピングされると云われているヨ
ード又はＦ　ｅ　ＣＪＬ３でドーピングしたポリアセチ
レンの場合、本発明によれば驚くべき加工性を示した。

驚くべきことに、このようにして得られた成形品はかな
りの機械強度と良好な弾性を示し、そのため種々の電気
部品の再加工を可能にした。夫々の電気特性と関係して
本発明の成形品は導体、半導体、光導電体として例えば
半導体リレーやサイリスター、バッテリーや太陽電池の
如き光電池等への応用がある。既述した良好な機械特性
は１例えばヨードや鉄（皿）１１！化物を用いて酸化性
錯体化を行った後においても低下しないことは驚くべき
ことであるが、この事実は従来の高分子化合物での経験
と全く反対なことである。

白州氏の提案した所謂自律性の箔は、酸化性錯体化をし
た場合完全に脆弱になった。

本発明で導電性高分子化合物又は有機導電体を成形する
場合、温度は４０℃以上、好ましくは１００℃以上で、
常に夫々の物質の分解温度以下に調節する。このことは
例えばポリアセチレンの場合は成形温度は３４０℃をこ
えてはいけないことを意味しており、ポリフタロシアニ
ンの場合は約２２０〜２５０℃が使用最高温度であるこ
とを意味している。

本発明の成形圧力は少くとも５００バール、好ましくは
１０００バール〜３００００バールである。

本発明のプレス時間は通常数秒、例えば１５〜３０秒で
ある。この場合、プレス圧力が高い程、又成形品が薄い
程、プレス時間は短かくできる。

通常粉末を圧力下で熱成型する場合の時間は５〜２００
秒である。ｔ’Ｐｙ、ＰＰＰ、ＰＰｈｃの場合はプレス
圧、プレス時間、プレス温度はＰＡｃよりも大にする。

物体の酸化の受は易さや、欠陥のない殊に気孔のない成
形品の製造を考慮すると、完全にガス抜きした試料を本
発明では使用する必要がある。宋発明の成形は湿分や酸
素を除去した状態、例えば不活性ガス雰囲気下に於て、
好ましくは窒素ガス（保護ガスとして）雰囲気で行なわ
れる。同じ目的が真空下で成形しても達成できるが、こ
の場合の圧力はｌＯＯミリバール以下であることが好ま
しい。

ドーピングされていないポリアセチレンの電気型導度は
約１０　＝　〜１０−１２Ｓｉｅ＋＊ｅｎｓ／ｃ＋ａ　
テあるが１本発明の圧縮成形法を使用すると電気電導面
接 １ま１０−’Ｓｉｅｍｅｎｓ／ａｍ以上に上昇する。更
に電気型導度を−１−昇するために高分子化合物を成形
前或は成形後に、錯体化するのが望ましい、錯体化は公
知のｐ−ドーピング用のドルピング剤、例えばヨード、
弗化アンチモン、５弗化供素、テトラフルオルホウ酸Ｈ
ＢＦ４．三酸化硫黄、過塩素酸塩、硫酸塩、鉄（ｍ）−
塩化物のような金属塩を用いるか、ｎ−ドーピング用の
ドーピング剤、例えばブチル−リチウム、ジフェニルへ
キシル−リチウム、ナフタリン−ナトリウムを用いて行
われる。成形体を成形する前に錯体化するのが特に好ま
しい。高分子化合物のドーピングを溶液中にドーピング
剤を加え、超音波を作用させて行えば、特に均一なドー
ピングが行なわれるが、この場合重合しているがドーピ
ングしてない導電性高分子化合物（例えばＰＡｃやＰＰ
ｈｃ）又はモノマー（例えばピロール）を添加するとよ
い。なおモノマーを添加した場合は重合とドーピングが
同時に進行する（併願のＤＥ特許出願　Ｎｏ、３４２２
３１６．９を参照）。均一なドーピングによって本発明
の再加工は著しく改良される。

本発明の好ましい実施例によると、安定性を上昇するた
め通常の酸化防止剤（例えばフェノール性酸化防止剤）
及び／又は架橋防止剤（例えば亜リン酸塩）を０．０１
〜０．５重量％添加する。

又滑剤等の通常の助剤を添加してもよい、更に酸素や水
分の影響をさけるため、成形品を酸素及び水分の透過を
防止するポリマー、例えばポリビニリデンフルオライド
等からなるコーティングを行ってもよい。このコーティ
ングは成形前に透過防１トボリマーを１乃至５重量％添
加するか、成形後に塗布してもよい。数ＩＬｍ厚さの透
過防止層があれば充分である。

本発明の詳細な説明するための完全な説明は与えられな
い０文献から公知のポリアセチレンの特性（高結晶度で
、溶融領域、軟化領域の何れも存在せず、不安定で、殊
にシス−トランス異性化や加熱負荷が行われた場合、架
橋し、ドーピングや長期貯蔵した際脆弱化すること）を
考慮すると。

真空加熱成形する際、必要に応じてドーピングした新し
い又は長期保存後のトランス−ポリアセチレンから均一
で高弾性で、安定で、光沢ある成形体を形成し乍ら架橋
を伴わずにシス／トランス異性化が行われること、及び
、機械的特性や安定性を本質的に低下することなく本発
明の成形品を後でドーピングできることは説明不可能で
ある。特に光学的に高光沢で外観金属状表面として認め
られ、又電子顕微鏡では集合体と一次粒子の相互流動し
ているものと認められる均一相の生成（別々の１次粒子
の溶解による）は予期できなかったものである。

導電性高分子化合物や有機導電体の場合に、結晶性固体
でなく、液晶又は高配向性液体が重要な役割を果すと仮
定した時のみ本発明の驚くべき効果は明らになる。令名
直接証明されていないが種々矛盾した現象、例えばポリ
アセチレンにみられる矛盾した現象は次の如く仮定する
と説明できる。

一新らしく作ったシス−ポリアセチレンの延伸性は不完
全な液晶配向から生ずる。

一ドーピングしてない箔が脆弱化するのは、球状−次粒
子内の液晶相が高配向性であるため生じたものであり、
従って粒子同志の接触は配向の進行に併い益々接触の傾
向が増大する。

一酸化崩壊による脆弱化は特に−次粒子間の衝突力が表
面酸化により上昇するため生じる。

−ドーピングした箔の脆弱化は、液晶中の再配向の上昇
よりも架橋現象が小さいことであり、又均一相残部の崩
壊による。これは再配向−を（例えば拡散により）生ず
るドーピングが不均質笑により加速される。

一加圧や加熱により液晶は再配向し、マクロな連続均一
相の領域が生成するという理由で、本発明では脆弱化は
加圧や加熱により防１卜される。

一均一相の生成は（高粘度）液体の真の流動により生ず
る。

一均一にドーピングした導電性高分子化合物、例えば均
一にヨードでドーピングしたＰＡｃから安定性及び電導
度の両者共良好な成形品を製造することは、均一原料の
流動性が不均一にドーピングされた高分子と比較して）
改良された時に可能である。極端に安定性が向上するこ
とはドーピングが均一に行われたという事実及び再配向
の機会を与えないほど成形品が均一（均一相）だという
事実の２つの事実に基づくものである。

一ゾリン（Ｚｈｏｒｉｎ）が観察した電導度と圧力との
可逆的関係は電導性接触部の数の増加に基づいたもので
あり、本発明の方法のように液晶の再配向やマクロな液
晶の配向→央領域の生成に基づくものではない。

一肉眼で観察される色変化は成形後、マクロな液配向が
大量に生ずることに基づく。

−著しく安定性が上昇したのは次の理由による。

（ａ）高い液晶の配向が外的影響なく低下することは本
発明の成形品ではみられない （ｂ）酸素や水分の影響をうけ易い内外表面積は１０桁
小さい。

（Ｃ）高配向液晶中では架橋反応性（容積増大を生ず）
が全くない。

以上３つの因子に基づいている。

非常に製造困難で、殊に薄いポリアセチレンのプレス箔
の場合は、しばしば偏光顕微鏡により、箔が液晶の特徴
を示す現象を観察できる。偏光顕微鏡の暗視野で透明で
あり、且つ結晶又は液晶の特徴である複屈折を示す薄片
を本発明の成形品からミクロトームで作ることができた
。液晶説は現状科学に反対する噌−の仮説であるが、前
述の解明の実験も現在で住仮定の性質をもつものである
。ヴエスリング、　（Ｗｅｓｓ　Ｉ　ｉｎｇ）の固有の
研究（Ｍａｋｒｏ＋ｗｏ１．　Ｃｈｅｌｌ、　１８５１
２Ｅ１５−１２７５　（１９８４）参照〕によるとポリ
アセチレン中では球状の一次粒子は非晶質外被に囲まれ
た結晶子からなるものとしているが、この研究により、
本発明の熱成形の際の圧縮工程は最も密度の高い球状充
填を生じるということが説明できる。しかしこの仮説は
他の現象１例えば色変化や安定性上昇の如き現象に対し
て矛盾のない説明を与えることは不可能である。

本発明では他の成形も可能であるが、熱成形はプレス成
形が好ましい、復復運動する圧縮ピストンにより外気を
遮断し、又真空にし原料入口でガス除去や保護ガスの雰
囲気状態にすることができれば、連続操業のために押出
機又は所謂ラム押出機が適切である。又均−な予備加熱
が必要である。

なお、製品の外層部は絶縁性又は帯電防１に性を有し、
且つ酸素及び／又は水蒸気の透過係数が低い高分子化合
物からなり、内層部は電導性ないし高電導性の高分子化
合物からなる製品を作ることができる。

本発明は第２に、上記方法の実施のための装置に関する
。この装置は請求の範囲第１１項に記載の特徴を有する
。なお請求の範囲（）内に記載した符号は理解を容易に
するためのものであり１図示。も、）誓限定す、趣旨ア
はいい。

本発明の装置は第１図に横断図として示される。第１図
は本発明の方法を実施するため特に優れた圧縮機である
。

この圧縮機はシリンダー孔５を有するシリンダーブロッ
クｌからなり、このシリンダー孔５には圧縮ピストン２
．３が入るようになっている。

シール部ｌＯは外気を遮断する。この実施例ではシリン
ダー孔５は下方に開口し、底部プレート１５により閉鎖
した小径孔７を有している。肩部６の上に移動可能なプ
レート４がのせられていて、圧縮ピストン１の抗支体な
いし対抗受台としての役割を果す。

圧縮ピストン１と抗支体４の間には圧縮カプセル１１．
１２が挿入されるようになっている。この圧縮カプセル
１１．１２には、小径孔７及び導入管９を通して不活性
ガスを充填したり、真空処理を行なうことができる。圧
縮カプセル１１゜１２は、圧縮ピストンの役目をする上
蓋１２と底蓋１１からなり、底蓋１１に試料をのせ、上
蓋１２で押付ける。本実施例〒は圧縮カプセルの底蓋１
１の上には支持プレート１３をのせる。支持プレー）１
３の上に試料をおく。温度調節を目的として、シリンダ
ーブロック１の中に温度センサー８が挿入される。

本発明の方法を実施するには、先ず圧縮カプセル１１．
１２の間に成形せんとする試料をはさむが、この場合、
不活性ガス存在下で行なうのが好ましい０次に圧縮ピス
トン２．３を上昇させ、圧縮カプセルをシリンダー孔５
の中に入れて、可動プレートの形の抗支体４の上におく
、圧縮ピストン２．３を下降せしめて、シリンダー孔５
を上方で閉鎖させた後、導入口９から真空処理を行なう
、試料の脱ガス化が完全に行われ、予め加熱したシリン
ダーブロックｌにより圧縮カプセルが所望温度に到達し
てから圧縮ピストン２，３を用いて一定圧力下で所望時
間の間、圧縮成形が行われる。圧縮ピストンを上方に上
げた後、圧縮カプセルをのせた可動プレート４は、適切
な工具を用いて小径孔７を通してもち上げ、次にプレス
から外す、同様にして上蓋１２を取り外した後、支持プ
レート１３と一緒になっている試料は工具を用いて、孔
１４から上方に押出して取出す。必要な場合、成形品（
試料）は支持プレート１３から分離することができる。

成形結果を改良するため、圧縮ピストンを回転可能に作
成し、抗支体（可動プレート）４は回転しないように固
定する。こうした場合圧縮成形の際、回転ピストンと固
定した抗支体４の間にある物体に剪断作用も同時に及ぼ
しうる。

更にこの装置の実施形態では、圧縮ピストンは同時に超
音波発生機としても働くように作成して、成形体の均一
化と稠密化を達成させる。

ｌ１００ＩＬ以上の厚さの厚い成形部品の場合は、先ず
上述した装置で予備成形を行ない、次に真空下で僅かな
圧力の超音波を作用させることにより、電子ｍ微鏡で解
像不可能な均一相を形成することが可能である。

本発明は第３に、前記方法により製造される成形品に関
する。その特許請求の範囲第１６項に記載の通りである
。

［実施例］ 以下実施例により本発明の詳細な説明するが。

本発明は実施例のみ限定されるものではない。

実」１例」ユ ルッティンガー（Ｌｕｔｔｉｎｇｅｒ）法〔ヴエスリン
グ（Ｂ、Ｗｅｇａｌｊｎｇ）、　　Ｎａｋｒｏｍｏｌ、
　　Ｃｈｅｗ、　　ＩＬ５　　１２８５−１２７５（１
９１１１’４）参照〕により製造したポリアセチレン粉
末試料（主としてシス−ポリアセチレンを含む）を第１
図のプレスを用いて温度８０℃、圧力１６０００バール
、３ミリバールの真空下に於て５秒間圧縮成形した。銀
色光沢の小板が成形されたが、コノ定温度は２　、３　
Ｘ　１０−”　Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｃｍであった。なお元
の試料の定温度はｔｏ−１０Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｃ＋ｗで
あった。

実ＪＪ２Ｌヱ 実施例１のポリアセチレン粉末試料を１５０’０で約１
時間エージング処理して純粋なトランス−ポリアセチレ
ンに移行させた。次に試料は１５０℃、３ミリバール真
空下に３０秒間、実施例１に記載したようにして圧縮成
形を行った。これにより高光沢で、平滑な表面を有する
金色に輝く小板が生成した。定温度は元の試料で１０−
９Ｓｉｅｍｅｎｓ／Ｃ１ｌ’ｔ’あったが、上昇しテ５
　Ｘ　１０−’　Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｃｍになった。完全
に平滑な表面を２０．０００倍の倍率で電子顕微鏡で観
察したところ、“弱い°°構造をもつことがわかった。

尚得られた成形品は弾性を有していた。

丈】１１】 ポリアセチレン試料は実施例２に記載したようにして、
１２，０００バールの圧力で、１００℃及び１５０℃の
両温度において、夫々時間を変えて処理した。この場合
ポリアセチレンは窒素気流下で圧縮カプセル中にはさみ
、次いでダイナミック真空下で成形した。生成した成形
品（直径１２ｍｍ、厚さ約１〜２ｍｍのシリンダープレ
ート）は硬く、安定であった。表面は金属光沢があり、
顕微鏡で圧縮ピストンの構造のあとを認めた。総括定温
度は全面に渡り、ｔ　、ｏｏｏバールの圧力下で測定し
た。得られた測定値は第１表の通りにまとめられる。

第１表 プレス時間　　　　定温度（Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｃｍ）（
ｓｅｅ）　　　　１００℃　　　　１５０°Ｃ２０１，
３Ｘ１０　　５．ｌＸ１０−’３９　　　２．３ＸＩＯ
５，７Ｘ１０−’６０　　　２．５Ｘ１０　　５．７Ｘ
ＩＯ−４１２０２，７Ｘ１０　　５．５ＸｌＯ−’２４
０　　４．４Ｘ１０−４７．６Ｘ１０−’測定精度の範
囲に於いて、一定温度ではプレス時間により定温度は僅
か増大する。又１５０℃でプレスしたポリアセチレンは
１００℃でプレスしたポリアセリレンに比べ約２倍の比
電導度を示した。

実傷口Ｌ４ 先ｆ　３００　ｍ　ｇのポリアセチレンを、ア、七トニ
トリル１００ｍ文中にＦｅＣｌ３５　ｇを含む溶液中に
懸濁せしめ、室温で２４時間放置した。次に溶液を吸引
し、固体を僅かのア七ト二トリルで洗浄した後真空乾燥
した。得られた酸化性錯体化された粉末状ポリアセチレ
ンは実施例３に従って、窒素ガス雰囲気下で冷圧縮カプ
セルに充填し、次に真空下１５０℃で、１２．０００バ
ールで加熱圧縮成形を行った。この場合、高光沢の金色
表面を有する固体成形品が得られた。比電導度は２　、
９　Ｘ　１０　　　Ｓｉｅｍｅｎｓ／ａｍであった。

シ１１ 実施例１と同様にして、ポリピロール−ドデシルスルホ
ネート試料を１９０℃、３ミリバールの真空下に４０秒
間プレスした。この場合安定な青黒色金属光沢のある成
形品が作られた。この成形品の定温度は２０　Ｓｉｅｍ
ｅｎｓ／ｃｍで、元の試料の定温度と匹敵する。その拡
散反射スペクトルを第３図■に示す。

適当な希釈剤中に懸濁させ、超音波を作用させ均一にな
った微粒ＰＰｙを同様に加工したところ、安定性、定温
度、色の何れも改良された。この場合の拡散反射スペク
トルを第３図■に示す。

支電１」 青色粉末のポリ−ｐ−シアノ（フタロシアニナト）コバ
ルト　（ｍ）の試料は実施例１に従い１５０℃で３ミリ
バール真空下で、２０秒間７’　ｌ／スした。生成した
成形品は明春−紫色の強い金属光沢を有し、加熱せずに
プレスした粉末状の試料（点状に紫色に光っている）と
は異なるものであった。

成形体の機械強度はポリアセチレンの場合よりも小であ
ったが、定温度は元の１０−２５ｉｅｍｅ□／。。

未満から上昇し、約１０−’Ｓｉｅｍｅｎｓ／ｃｍニナ
ー）　タ。

温度を１９０°Ｃとし、プレス時間を４０秒にすると機
械的性質が実質的に改良された。

１廠１１ 実施例２で作成したポリアセチレン成形品について定温
度を連続的に測定するため、２木の銅線を挿入した後、
室温下ヨード蒸気で飽和した窒素ガス雰囲気下においた
。４日以内に定温度は元ｃ７）　３　、６　Ｘ　１０−
５Ｓ０−５Ｓｉｅ／ｃｍから上昇し、１６Ｓｉｅｍｅｎ
ｓ／ａｍになった。機械的性質も低下しなかった。

均一にヨードでドーピングしたポリアセチレンを、室温
及び１５０℃で、上記と同様な方法で夫々圧縮成形した
ところ、赤−金色の金属光沢を有し、定温度０　、５Ｓ
ｉｅ■ｅｎａ／ｃ園で、何れも良好な機械的性質を有す
る成形品が得られた。１５０℃でプレスした試料のＲｅ
＋５ｉｓｓｉｏ　ｎスペクトルを第４図に示す。定温度
は数週間空気と接触させておいても実質的に低下せず１
色は長期間変わらなかった。

実】Ｕ殊１ 実施例３で得られた直径１．２ｃｍ、厚さ０．５ｍｍの
成形品を、アセトニトリル５０ｍＪＬ中にＦｅＣｌ３５
　ｇを含む溶液中に入れ、室温下で３日間放置した。定
温度は元は４．８Ｘ　１０’Ｓｉｅ■ｅｎｓ／Ｃｍテあ
ったものが、上昇しテ１．３Ｘ　１０−２１０−２Ｓｉ
ｅ／ＣＩｌになった。

実１日殊Ｊ 実施例１２の成形品を、ＣＣＪＪ　４５０　ｍ　ｌ中に
ヨード５ｇを含む溶液中に入れ室温で３日間放置した。

定温度は元は４　、５　Ｘ　１０　’Ｓｉｅｍｅｎｓ／
ｃａテあったが、上昇して２　Ｘ　１０　　Ｓｉｅｍｅ
ｎｓ／ｃｍになった。

実１」（１舌 ポリアセチレン箔〔ウアグナー（Ｇ、　Ｗａｇｎｅｒ）
が１９８１年発表した変換（Ａｂｗａｎｄｌｕｎｇ）法
を使用してルッティンガーが製造したもの〕及び実施例
２のトランス−ポリアセチレン成形品を夫々ヨードを用
いて、同一定温度（約１０　Ｓｉｅ＋ｗｅｎｓ／ｃｍ）
になる迄実施例７に記載の方法で錯化した。次にこれら
の成形品は窒素ガス中に貯蔵し、定温度を週−回測定し
た。本発明の成形品の定温度は第２図のグラフが示すよ
うに測定期間中実質的に変らなかった。

丈１」１１」 銅線を挿入し実施例２の方法で製造した薄い成形品は１
５０ワツトのハロゲンランプ光にあてた。銅線間で測定
した定温度は暗い場合４　、　Ｉ　Ｘ　１０−’Ｓｉｅ
ｍｅｎｓ／ｃｓテあったものが、光照射した場合は９　
、４　Ｘ’　１０　’Ｓｉｅ＋ｗｅｎｓ／ｃｍに上昇し
た。

欠溝」（１ヱ 導電性高分子化合物及び有機導電体の各種試料を室温及
び１５０℃で夫々プレスした。この場合、各試料は１２
，０００バールのプレス圧で３０秒処理した。この結果
を次の第２表にまとめて示す。

第２表 ダイナミック真空

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を実施するための圧縮成形機の１
例の横断図であり、第２図は本発明の実施例１０の定温
度を示す図、第３図は本発明の実施例４，５の拡散反射
スペクトルを示す図、第４図は本発明の実施例７の拡散
反射スペクトルを示す図。 出願人　ツィッパーリング　ケスラー　ラントコ−（ゲ
ーエムベーハー　ラント コー）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、本質的に溶剤、モノマー、オリゴマーの何れも含ま
   ない導電性高分子化合物及び／又は有機導電体の試料を
   充分にガス抜きした後、水分及び酸素のない状態で、 ４０℃以上であるが、導電性高分子化合物及び／又は有
   機導電体の分解温度をこえない温度で、 少くとも５００バールの圧力下において、 元の試料と色が異なり、高光沢で外観が金属状の表面を
   もつ連続相が形成されるように、成形することを特徴と
   する導電性有機高分子化合物及び／又は有機導電体から
   なる成形品の製造法。 ２、成形圧力が１，０００〜３０，０００バールである
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、導電性高分子化合物を成形前又は成形後に錯体化（
   ドーピング）し、しかも好ましくは均一に錯体化（ドー
   ピング）して、導電性高分子化合物の電導度を上昇させ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項および第２項
   のいずれかに記載の方法。 ４、成形は不活性ガス雰囲気下で行うか、又は１００ミ
   リバール以下の真空下に於て行うことを特徴とする特許
   請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載の方法。 ５、成形前に通常の酸化防止剤及び／又は架橋防止剤を
   ０．０１〜０．５重量％添加し、更に所望により通常の
   加工助剤を添加することを特徴とする特許請求の範囲第
   １〜４項のいずれかに記載の方法。 ６、成形前に酸素及び水分の透過防止ポリマーを０．５
   〜５重量％添加するか、又は成形後に透過防止ポリマー
   を塗布することを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項
   のいずれかに記載の方法。 ７、成形を圧縮成形機で行なうことを特徴とする特許請
   求の範囲第１〜６項のいずれかに記載の方法。 ８、連続圧縮成形するために押出機又はラム押出機を使
   用し、しかも圧縮成形用物体の供給及び圧縮は真空下に
   行われることとを特徴とする特許請求の範囲第１〜７項
   のいずれかに記載の方法。 ９、共押出し又は多成分用射出成形により多層の成形品
   、箔、プレートを製造することを特徴とする特許請求の
   範囲第１〜８項のいずれかに記載の方法。 １０、製品の外層部は絶縁性又は帯電防止性を有し、且
   つ酸素及び／又は水蒸気の透過係数が低い高分子化合物
   からなり、内層部は電導性ないし高電導性の高分子化合
   物からなる製品を作ることを特徴とする特許請求の範囲
   第９項記載の方法。 １１、圧縮ピストン（２、３）と抗支体（４）の間に挿
   入され、１つ小径孔（７）及び導入管（９）を通して不
   活性ガスで装填するか真空処理をうける圧縮カプセル（
   １１、１２）があることを特徴とする加熱プレスにより
   導電性有機高分子化合物及び／又は有機導電体から成る
   高圧成形品を製造するための装置。 １２、抗支体（４）は可動プレートからなり、可動プレ
   ートはシリンダー孔（５）の下方へ開口する小径孔（７
   ）の肩（６）の上にのっていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１１項記載の装置。 １３、圧縮カプセルの上蓋（１２）は圧縮カプセルの底
   蓋（１１）との組合せになっていて、圧縮ピストンの役
   目をなすことを特徴とする特許請求の範囲第１１項及び
   第１２項のいずれかに記載の装置。 １４、圧縮ピストンは回転可能に作製され、抗支体を形
   成している可動プレートは回転運動をしないように固定
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第１１項〜
   １３項のいずれかに記載の装置。 １５、圧縮ピストンは同時に超音波発振機となるように
   作成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１１
   〜１４項のいずれかに記載の装置。 １６、本質的に溶剤、モノマー、オリゴマーの何れも含
   まない導電性高分子化合物及び／又は有機導電体の試料
   を充分にガス抜きした後、水分及び酸素のない状態で、 ４０℃以上であるが、導電性高分子化合物及び／又は有
   機導電体の分解温度をこえない温度で、 少くとも５００バールの圧力下において、 元の試料と色が異なり、高光沢で外観が金属状の表面を
   もつ連続相が形成されるように、成形して成ることを特
   徴とする導電性有機高分子化合物及び／又は有機導電体
   からなる、電気部品成形品。