JPS61167851A - 単結晶の評価方法 - Google Patents
単結晶の評価方法Info
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- JPS61167851A JPS61167851A JP973985A JP973985A JPS61167851A JP S61167851 A JPS61167851 A JP S61167851A JP 973985 A JP973985 A JP 973985A JP 973985 A JP973985 A JP 973985A JP S61167851 A JPS61167851 A JP S61167851A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- cleavage plane
- wafer
- crystal
- sample
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/20—Investigating the presence of flaws
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、単結晶の特性を評価する方法に関するもので
、特に評価用サンプルを簡単に作成する方法に関するも
のである。
、特に評価用サンプルを簡単に作成する方法に関するも
のである。
（背景技術）
従来、例えば半導体、電気光学結晶等の単結晶の特性を
評価するには、第２図に例を示すような方法により評価
用サンプルを作成していた。図において、単結晶インゴ
ット１は先ずウェハ２に切断（スライス）され、切断さ
れたウェハ２はミラーウェハ３に研磨（ラフピングポリ
ッシュ）された後、洗浄槽（例、有機溶剤等）４にて洗
浄され、さらにエツチング１ｌｉｉｌｌ（例、酸等）５
にて工、チングされて評価用サンプル６が作成されてい
た。
評価するには、第２図に例を示すような方法により評価
用サンプルを作成していた。図において、単結晶インゴ
ット１は先ずウェハ２に切断（スライス）され、切断さ
れたウェハ２はミラーウェハ３に研磨（ラフピングポリ
ッシュ）された後、洗浄槽（例、有機溶剤等）４にて洗
浄され、さらにエツチング１ｌｉｉｌｌ（例、酸等）５
にて工、チングされて評価用サンプル６が作成されてい
た。
しかしこの方法では、結晶の切断→研磨→洗浄→エツチ
ングと多くの工程を経て評価用サンプルが作られるため
、多大の労力と時間を要し、従って単結晶の良、不良品
の判定に時間がかかる欠点があった。
ングと多くの工程を経て評価用サンプルが作られるため
、多大の労力と時間を要し、従って単結晶の良、不良品
の判定に時間がかかる欠点があった。
（発明の開示）
本発明は、上述の欠点を解消するため成されたもので、
単結晶評価用サンプルを簡単かつ短時間に作成して、結
晶の特性を短時間で評価し得る方法を提供せんとするも
のである。
単結晶評価用サンプルを簡単かつ短時間に作成して、結
晶の特性を短時間で評価し得る方法を提供せんとするも
のである。
本発明は、単結晶の劈開面にて割り、その劈開面にて結
晶の特性を評価することを特徴とする単結晶の評価方法
である。
晶の特性を評価することを特徴とする単結晶の評価方法
である。
本発明方法を適用される単結晶は、劈開面を持つ単結晶
で、例えば周期律表の■−ｖ族化合物（例、ＧａＡｓ、
ＧａＰ＋ ＩｎＰ等＞ 、ＩＩ−Ｖｌ族化合物（例、
Ｚ ｎ Ｓ ＊ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ＋ Ｃｄ Ｓ等）
、ＳＩ＋ Ｇｅ等の半導体、酸化物、炭化物、窒化物、
硼化物などより成るものである。
で、例えば周期律表の■−ｖ族化合物（例、ＧａＡｓ、
ＧａＰ＋ ＩｎＰ等＞ 、ＩＩ−Ｖｌ族化合物（例、
Ｚ ｎ Ｓ ＊ Ｚ ｎ Ｓ ｅ ＋ Ｃｄ Ｓ等）
、ＳＩ＋ Ｇｅ等の半導体、酸化物、炭化物、窒化物、
硼化物などより成るものである。
以下、本発明を図面を用いて実施例により説明す適当な
厚さく例０．５〜２．０■−）のウェハ皇２に切断（ス
ライス）される。
厚さく例０．５〜２．０■−）のウェハ皇２に切断（ス
ライス）される。
以下ＧａＡｓ、 Ｓｉ等の閃亜鉛鉱型の結晶構造を存す
るものを例にとって説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
るものを例にとって説明するが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。
今切断されたウェハ１２の面を（００１）面とする。
このウェハＩ２の表面に、＜＋Ｔｏ＞方向の傷１３をス
クライバ−（ダイヤモンドカッター）にて付けた後、ピ
ンセットにてはさみ、短ざく状に割ると、５ｇ開面１５
の（１１０）面で簡単に割れ、評価用サンプル目が作成
される。
クライバ−（ダイヤモンドカッター）にて付けた後、ピ
ンセットにてはさみ、短ざく状に割ると、５ｇ開面１５
の（１１０）面で簡単に割れ、評価用サンプル目が作成
される。
この場合、割れた面は劈開面＋５の（１１０）面であり
、鏡面で、結晶を割うてできた面であるので、表面の汚
れは全（ない。従ってこの劈開面＋５にて、そのまま電
気的特性等を調べることができる。又このサンプル１４
をＫＯＨ等でエツチングすれば、転位密度の測定もでき
る。
、鏡面で、結晶を割うてできた面であるので、表面の汚
れは全（ない。従ってこの劈開面＋５にて、そのまま電
気的特性等を調べることができる。又このサンプル１４
をＫＯＨ等でエツチングすれば、転位密度の測定もでき
る。
なお、本発明方法は、単結晶の切断後のウエノ１があれ
ばこれを劈開面にて割り、直ちに評価用サンプルが作成
できる。
ばこれを劈開面にて割り、直ちに評価用サンプルが作成
できる。
このように本発明は、単結晶のり開面にて割るだけでそ
のまま結晶の特性を評価し得るので、従来のように複雑
で面倒な工程を必要とせず、簡単にかつ短時間で実施す
ることができる。
のまま結晶の特性を評価し得るので、従来のように複雑
で面倒な工程を必要とせず、簡単にかつ短時間で実施す
ることができる。
（実施例）
アンドープの半絶縁性ＧａＡｓ化合物単結晶を用いて本
発明方法により結晶の評価を行なった。
発明方法により結晶の評価を行なった。
単結晶インゴットは直径５０−■、重量１ ｋｇで、先
ず厚さ１ｍの（００１）面ウェハ１２に切断した。
ず厚さ１ｍの（００１）面ウェハ１２に切断した。
このウェハ１２の表面に、ダイヤモンドカッターにより
＜１１０＞方向に５■１間隔に傷Ｉ３を付け、短ざく状
に割り、鏡面の劈開面＋５を出し、評価用サンプル１４
を作成した。
＜１１０＞方向に５■１間隔に傷Ｉ３を付け、短ざく状
に割り、鏡面の劈開面＋５を出し、評価用サンプル１４
を作成した。
この嘴開面１５にて第３図に示す方法によりリーク電流
を測定した。図において、評価用サンプル鳳４を台に固
定し、その劈開面１５に２本のプローブ１Ｇ、Ｉｆｔを
立て、電源１７により１００ＯＶの電圧を印加し、表面
を流れるリーク電流（もれ電流）を電流計１８により測
定した。
を測定した。図において、評価用サンプル鳳４を台に固
定し、その劈開面１５に２本のプローブ１Ｇ、Ｉｆｔを
立て、電源１７により１００ＯＶの電圧を印加し、表面
を流れるリーク電流（もれ電流）を電流計１８により測
定した。
２種の単結晶（Ａ）、（Ｂ）より作成した評価用サンプ
ルについて調査したサンプルの測定位置とリーク電流値
の関係は第４図に示す通りである。
ルについて調査したサンプルの測定位置とリーク電流値
の関係は第４図に示す通りである。
図において、（Ａ）は良品で、ばらつきも少なく、かつ
ｌμＡ以下と小さい。一方（Ｂ）は不良品で、電ａｔ値
が１００／ｊＡ以上と大きく、かつばらつきが大きい。
ｌμＡ以下と小さい。一方（Ｂ）は不良品で、電ａｔ値
が１００／ｊＡ以上と大きく、かつばらつきが大きい。
このリーク電流は結晶の比抵抗に対応するので、このリ
ーク電流の大小で、半絶縁性の良否が直ちに判定するこ
とができ、結晶切断から判定まで約６０分間かかったに
過ぎない。
ーク電流の大小で、半絶縁性の良否が直ちに判定するこ
とができ、結晶切断から判定まで約６０分間かかったに
過ぎない。
又この評価用サンプルをＫＯＨでエツチングすることに
より、エッチビット密度をすぐに測定できた。
より、エッチビット密度をすぐに測定できた。
（発明の効果）
１・、述のように構成された本発明の単結晶の評価方法
は次のような効果がある。
は次のような効果がある。
樽単結晶の劈開面にて割るだけで汚れのない表面を出し
、そのままの劈開面にて結晶の特性を評価し得るので、
従来のようなウェハの研磨、洗浄、エツチングの面倒な
工程を必要とせず、簡単にかつ短時間で評価用サンプル
を作成し得るので、結晶の特性の評価の労力と時間を大
幅に低減し得る。
、そのままの劈開面にて結晶の特性を評価し得るので、
従来のようなウェハの研磨、洗浄、エツチングの面倒な
工程を必要とせず、簡単にかつ短時間で評価用サンプル
を作成し得るので、結晶の特性の評価の労力と時間を大
幅に低減し得る。
（ロ）従来のような各工程での汚染の心配がなく、結晶
内部から割られた面を利用するから、サンプルの表面に
不純物の汚染がなく、きれいで、特別の注意を要しない
。
内部から割られた面を利用するから、サンプルの表面に
不純物の汚染がなく、きれいで、特別の注意を要しない
。
第１図は本発明方法の実施例の工程を説明するための図
である。 第２図は従来の単結晶の評価方法の工程の例を説明する
ための図１ある。 第３図は本発明の実施例におけるリーク電流の測定方法
を説明するための斜視図である。 第４図は本発明の実施例におけるサンプルの７１！１１
定位置とリーク電流値との関係を示す図である。 １．１１・・・単結晶インゴット、２．１２・・・ウェ
ハ、３・・・ミラーウェハ、４・・・洗浄槽、５・・・
エツチング装置、６．１４・・・評価用サンプル、１３
・・・傷、１５・・・劈開面、１８・・・プローブ、＋
７・・・電源、１８・・・電流計。 矛３図 千４図 彰７１シーＪ令塙かう＾；距已−１ｋ （、−阿）ｃｔ
ｔａ）＊ｒシ。
である。 第２図は従来の単結晶の評価方法の工程の例を説明する
ための図１ある。 第３図は本発明の実施例におけるリーク電流の測定方法
を説明するための斜視図である。 第４図は本発明の実施例におけるサンプルの７１！１１
定位置とリーク電流値との関係を示す図である。 １．１１・・・単結晶インゴット、２．１２・・・ウェ
ハ、３・・・ミラーウェハ、４・・・洗浄槽、５・・・
エツチング装置、６．１４・・・評価用サンプル、１３
・・・傷、１５・・・劈開面、１８・・・プローブ、＋
７・・・電源、１８・・・電流計。 矛３図 千４図 彰７１シーＪ令塙かう＾；距已−１ｋ （、−阿）ｃｔ
ｔａ）＊ｒシ。
Claims (1)
- （１）単結晶の劈開面にて割り、その劈開面にて結晶の
特性を評価することを特徴とする単結晶の評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP973985A JPS61167851A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 単結晶の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP973985A JPS61167851A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 単結晶の評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167851A true JPS61167851A (ja) | 1986-07-29 |
Family
ID=11728678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP973985A Pending JPS61167851A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 単結晶の評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61167851A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222434A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Nippon Mining Co Ltd | 鏡面研磨化合物半導体矩形ウエハの製造方法 |
| EP0610563A3 (en) * | 1992-11-30 | 1996-06-12 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor ingot machining method. |
| US6657724B1 (en) * | 1998-09-02 | 2003-12-02 | Renishaw Plc | Optical filter for raman spectroscopy |
| CN111638305A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法 |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP973985A patent/JPS61167851A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63222434A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Nippon Mining Co Ltd | 鏡面研磨化合物半導体矩形ウエハの製造方法 |
| EP0610563A3 (en) * | 1992-11-30 | 1996-06-12 | Shinetsu Handotai Kk | Semiconductor ingot machining method. |
| US6657724B1 (en) * | 1998-09-02 | 2003-12-02 | Renishaw Plc | Optical filter for raman spectroscopy |
| CN111638305A (zh) * | 2020-06-08 | 2020-09-08 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法 |
| CN111638305B (zh) * | 2020-06-08 | 2023-09-22 | 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司 | 一种用于确定单晶材料最优加工方向的方法 |
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