JPS6116585A - 光共振空洞を持つ面ポンプ型長方形厚板レーザ装置 - Google Patents

光共振空洞を持つ面ポンプ型長方形厚板レーザ装置

Info

Publication number
JPS6116585A
JPS6116585A JP60130969A JP13096985A JPS6116585A JP S6116585 A JPS6116585 A JP S6116585A JP 60130969 A JP60130969 A JP 60130969A JP 13096985 A JP13096985 A JP 13096985A JP S6116585 A JPS6116585 A JP S6116585A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plane
laser device
mirror
plank
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60130969A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0231513B2 (ja
Inventor
ミユング・キ・チヤン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPS6116585A publication Critical patent/JPS6116585A/ja
Publication of JPH0231513B2 publication Critical patent/JPH0231513B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0606Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08081Unstable resonators
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/20Lasers with a special output beam profile or cross-section, e.g. non-Gaussian
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018Mode suppression
    • H01S3/0804Transverse or lateral modes
    • H01S3/0805Transverse or lateral modes by apertures, e.g. pin-holes or knife-edges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08072Thermal lensing or thermally induced birefringence; Compensation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08095Zig-zag travelling beam through the active medium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1123Q-switching
    • H01S3/115Q-switching using intracavity electro-optic devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明はレーザ媒質が長方形の断面を持つ厚板(スラブ
)であるレーザ装置に関するものであり、また長方形厚
板とともに使うために光空洞を最適化したレーザ装置に
関するものである。
従来技術の説明 活性媒質として方形厚板を使用した従来のレ−ザは面ポ
ンプ型であり、ポンピング源は2つの横方向面に隣接し
て配置された適当なスペクトルを有するフラッシュラン
プである。従来の面ポンプ型レーザでは、レーザは光空
洞の中に段けられ、厚板の端面はレーザ・ビームの出入
面となる。通常、レーザ厚板は側面から見たとき平行四
辺形または台形状に切断され、面の角度はブルースター
(B rewster )角で切断することによりrP
J偏光の光を最小限の損失で完全に受は入れるようにに
されている。ビームは厚板の軸上に導入され、入射ビー
ムは下側横方向に向って回折され、次いで上側横方向面
に向って反射されるという様に続いて、他方の端面から
通常は同じ線の延長上にあって、それと一致して出て来
る。
面ポンプ型厚板レーザの出力はレーザ厚板の体積その熱
消散特性によって制限される。出力パワーを増大させる
ためには、レーザ厚板の体積を大きくすることはできる
。しかし、断面が正方形のままであれば、熱が通過しな
ければならない材料の厚さが大きくなるので熱消散性能
が悪化する。
これに対し、熱が通過しなけばならない厚さを増大する
ことなしに厚板の体積を増大させた長方形の断面では熱
消散性能が向上する。原理的には、幅寸法を著しく増大
することかでき、そして厚板の大きい方の横方向面に付
加的なフラッシュランプと付加的な冷却を加えることに
より、出力ビームがそれに比例して増加できる。断面が
長方形の厚板を選択した場合、光共振器とレーザ厚板と
の間を効率よく結合し、同時に良好な出力ビーム品質を
維持しな(プればならない。
発明の要約 したがって、本発明の1つの目的は出力パワーを向上し
た面ポンプ型厚板レーザ装置を提供することである。
本発明のもう1つの目的は出力効率を向上した面ポンプ
型厚板レーザ装置を提供することである。
本発明の更にもう1つの目的は改良された光共振器をそ
なえた長方形の厚板を使用する面ポンプ型厚板レーザ装
置を提供することである。
本発明の更にもう1つの目的は高性能でビーム品質を向
上した光共振器をそなえる長方形の厚板を使用した面ポ
ンプ型厚板レーザ装置を提供することである。
本発明の上記の目的およびその他の目的は、長方形断面
の利得媒質の厚板、光ポンピング手段、および新規な共
振形光空洞を含む新規なレーザ装置により達成される。
光軸を通過する、厚板の大きい方の横方向面に平行な平
面が装置の「S」平面を規定し、そして厚板の小さい方
の横方向面に平行で、光軸を通って伸びている平面が装
置の[Pコ平面を規定する。光ポンピング手段は厚板の
大きい方の横方向面に結合することによりビームを励起
することができる。
新規な共振形光空洞は、「S」平面において有限の曲率
半径(R+’ )を有する第1の凸面円柱・鏡、おJ:
びこの第1の鏡から距離したけ隔たった曲率半径がR2
の第2の凹面球面鏡を有する。
rPJ平面内にあるビームの寸法(dimension
 )において安定な共振ビームを形成し、「S」平面内
にあるビームの寸法において不安定な共振ビームを形成
するように変数R1,’R2およびLが選択される。レ
イジング(lasincl)のために充分な利得を得る
ように、また最大エネルギ抽出のために厚板中の実効活
性エネルギ抽出体積を増大するように設計が最適化され
る。
装置には更に、第2の鏡と厚板との間にアパーチャ(a
perture)が設けられ、その縁はS平面に平行な
平面内に配置されることにより、P平面内にあるビーム
要素に対するビーム品質を向上する。
好ましい実施例ではアパーチャばP平面内にあるビーム
要素に対し1より大きく4より小さいフレネル数を与え
、装置(すなわち厚板)はL=1メートルの場合に13
.5X3.5ミリメートルのビーム寸法に対応する、P
平面内にあるビーム要素に対し10より大きいフレネル
数を与える。
レーザ出力ビームは空洞内に設置された複屈折素子と偏
光子から、または部分反射性端部鏡を使うことによって
得ることができる。装置ば長パルス・モードまたはQス
イッチ短パルス・モードで妥当なビーム品質で動作する
ことができる。長パルス・モードでは1パルス当り1ジ
ユ一ル程度の出力が得られ、Qスイッチ・モードでは、
Nd:YAGを使ったときは0.65ジユ一ル以上の出
力、Ndニガラスを使ったときは1ジユ一ル以上の出力
が得られた。
本発明の新規な特徴は特許請求の範囲に示しである。し
かし、以下の説明と図面により本発明自体と本発明の上
記以外の目的と利点が明らかとなろう。
好ましい実施例の説明 第1A図および第1B図に示すように本発明の一実施例
によるレーザ装置は、厚板の形の利得媒質を含む安定/
不安定光共振器を有し、装置はポッケルスセルによりQ
スイッチ・モードで動作する。
このレーザ装置は発振器または増幅器として動作させる
ことができるが、装置は長方形断面の利得媒質の厚板1
0、厚板の大きい方の横方向面に隣接して配置された光
ポンピング手段11、光空洞の一端を形成する第1の凸
面円柱鏡12)光空洞の他端を形成覆る第2の凹面球面
鏡13、ならびに光共振器をQスイッチングしてQスイ
ッチ・モードで動作さ氾るためのポッケルスセル14お
よび偏光子15を含んでいる。偏光子15はレーザ装置
の出力ビームが得られる点でもある。
第1A図および第1B図に示すようにレーザ装置の光学
素子は光軸(Z軸)に沿って配置される。
図の左から右・\の順番で、ポッケルスセル14が2番
目にあり、偏光子15が次にあり、厚板10がそれに続
き、凸面円柱鏡12が最後にある。この5つの素子は以
下に更に詳しく説明するように間隔を置いて配置される
。垂直限界のある随意選択によるアパーチャ30を素子
13と14との間に設けることができる。空洞の長さL
1凸面内柱鏡12の半径R1、および凹面球面鏡13の
半径R2が光共振器を規定する。この光共振器では、ビ
ームの垂直寸法において安定な動作が達成され、ビーム
は1寸法において装置の7パーチヤを超えて広がること
が防止される。そして水平寸法において不安定な動作が
達成され、ビームはS寸法において装置のアパーチャを
超えて広がることが許される。
第1A図および第1B図のP軸およびS軸は、Z軸のま
わりの厚板10の回転配置方向(rotational
 0rientation)によって設定されるが、こ
のP軸とS軸はビームの垂直寸法と水平寸法の両方を規
定し、これにより光学装置の非偏光感応部材の回転配置
方向を定めるだけでなく、レーザ装置の偏光感応部材の
回転配置方向を定める偏光成分をも規定する。厚板10
の大きい方の横方向(第1A図および第1B図の上側の
面および下側の面)がSZ平面を規定する。SZ平面は
上側の面と下側の面に平行であって、装置の光軸を通る
平面と定義される。厚板の小さい方の横方向面がPZ平
面を定める。PZ平面はこれらの面に平行であ、つて、
装置の光軸を通る平面と定義される。したがってレーザ
装置の光軸に沿って進むビーム又は光線の説明に便利な
ように、P偏光はPZ平面に平行であり、S偏光はSZ
平面に平行であると見なすことができる。
次に再び第1A図と第1B図のレーザ装置の動作を考え
ると、光ポンピング手段11がレーザ厚板の活性媒質に
1分布反転」を生じさせ、高エネルギ状態の電子の数が
低エネルギ状態の電子より多くなると考えることができ
る。ポンピングの結果、励起された高エネルギ状態と低
エネルギ状態との間の電子の遷移による自然放出として
厚板の中で放射が始まる。この放射は波長が正確で、潜
在的にコヒーレントな性質を持つ。
装置の光軸に平行に厚板の端面16および17を出る光
線が光字洞内で利用される。厚板中を通るこれらの光線
の内部径路は第1A図に示しである。側面から見たとき
図示のように厚板は平行四辺形であり、端面は装置の光
軸に対して「ブルースター角」を形成するように設定さ
れている。このように切断した効果として、厚板10の
左側の面に入るP偏光のすべての光は反射損失なしに厚
板に入る。更に、S偏光の光のかなりのパーセント(た
とえば20%)は反射されて失なわれる。
装置の光軸に沿って進み、左側の面16の中点で厚板1
0に入る光線の径路を第1A図に示す。入射する光線は
く第1A図および第1B図の配位とした揚台)最初厚板
の下側の面に向って下向きに反射され、次に上向きに反
射され、続いて下向き上向きというように繰り返し反射
され、最後に下向きの反射が生じる。厚板の右側の而1
7の中心で光線が厚板を出て、再び装置の光軸に沿って
進む。(右から左に進む帰りの光線は同じ径路をたどる
。) 厚板10の端面の偏光選択動作の観点から、厚板は光共
振器を進むP偏光の光線に光学的に結合されたものと考
えることができる。周知のように、光空洞または光共振
器は通常その間に活性(レイジング)厚板が設置された
2つの反射鏡から構成され、これにより光は活性物質を
繰り返し通過、して、励起状態からエネルギを抽出する
ことができる。注意深く実行すれば、厚板内で作られた
光線は単一波長のコヒーレントな光ビームを形成する。
第1図の構成で厚板10の右側の面を励起した光線は装
置の光軸に沿って右側に進み、100%反射性の被覆物
をそなえた凸面円柱鏡12に達し、左向きに反射されて
厚板の右側の面に達する。垂直偏光のマーク21はこの
径路の光線がP偏光であごととをあることを表わす(こ
れらのマークに小さな円を重ねて描いてないのはS偏光
の光線があまりないことを表わす)。円柱鏡12の装置
の軸に対する配置方向は、PZ平面に平行な平面内にあ
る円柱鏡の軌跡が直線となり、SZ平面に平行な平面内
にある円柱鏡の軌跡が半径R1の円となるようになされ
ている。円柱鏡12から左向きに反射された光線はP偏
光(21)のままであり、厚板10にその右側の面から
入る。第1A図に示す内部径路をlCどった光線は厚板
の左側の面を出るが、これは偏光マーク22で示すよう
にP偏光のままである。光線は左側に進み、誘電体偏光
子15に入射する。偏光子15は平坦な板であり、これ
は入射平面(入射光線とこの光線の偏光子面への投影に
よって定められる平面)に平行に偏光された光を(たと
えば99%)通し、入射平面に直角に偏光された光を(
たとえば99%)反射する。入射平面が光学装置のPZ
平面に平行になるように、装置の光軸に対して偏光子を
回転して位置を定める。したがって、右側から偏光子に
入ったほぼ純粋なP偏光22の光線は偏光子15を左側
に通過し、ポッケルスセル14に達する。垂直マーク2
3はP偏光を表わす。
ポッケルスセルはPZ平面、SZ平面に対し予め定めら
れた回転関係で装置の光軸に中心が定められている。r
PZJ平面、「SZ」平面は以後それぞれrPJ平面、
「S」平面と呼ぶことにする。ポッケルスセルはレーザ
装置の中の電子的に制御される光「シャッタJを形成し
ており、電B;制御による結晶成分の電気光学的効果を
使用して光シャッタをオンまたはオフにする。第1A図
および第1B図に示す′状態では、ポッケルスセルが電
気的に作動されていて、ポッケルスセルに向って左に進
む光線(23)(その偏光は垂直な線で表わされる)の
偏光を、球面鏡13で反射された後にポッケルスセルを
右方に出て偏光子15に向って進む光線(25)(その
偏向は円で表わされる)に対して正味90°回転させる
。ポッケルスセルがこの活性状態にあるとき、偏光子1
5に当る光のほとんどずべて(たとえば99%)が記号
26で示すように共振器から放u1される。光の放出に
よって、共振空洞の光学的なrQJが低下し、「Qスイ
ッチング」はオフ状態となる。
Qスイッチング動作は外部電界の影響によってポッケル
スセルに現われる複屈折、すなわち電界が除去されたど
きに消滅する性質ににって左右される。複屈折拐わlは
高速(fast)伝搬軸と低速(slow)伝搬軸に対
応する直交偏光の光に対して2つの屈折率を示す。好ま
しい配位では、複屈折材料の電気光学軸とポッケルスセ
ルの中心を通る法線によって定められる平面はレーザ装
置のP平面に対して約45°に配位される。換言すれば
、1、 複屈折材料の高速軸と低速軸は右から入射する光線23
のP偏光に対して約45°に配位されている。ポッケル
スセルを通過する際、光線の2つの直交成分は同じ径路
を通るが、P平面上のP偏光のトレース(trace 
)はS平面上のP8光のトレ−スより前に、Z軸に沿っ
て右に90’移相される。2つの相互に移相された成分
の組合わせによりほぼ円偏光のビームが得られる。円偏
光の光線は同じ円偏光で左向ぎに進み、凹面球面鏡13
に当る。球面鏡13の中心は装置の光軸に置かれ、球面
鏡13は光軸と直角に配置される。球面鏡13は円偏光
(24)を乱すことなくそれに入射する光線を反射する
。反射波が右に進むとぎ円偏光は維持され、ポッケルス
セル14に戻る。二度目にポッケルスセルに入ったとき
、光線はまた複屈折動作を受ける。P平面に投影された
偏光光線の成分はS平面に投影された偏光光線の成分よ
り前に90°移相されてセルを再び通過する。このため
移相は180°と2倍になり、2つの成分のベクトルの
再組合わせに基づいた合成ベクトルは、偏光円25で表
わされるように水平P平面に対し90°回転している。
ポッケルスセルの動作によって生じたこれらの光線25
は誘電体偏光子15に入射する。偏光子15ばS8先の
光26の殆んどすべてを出力光学系に放出し、レーザ動
作が防止される。
ポッケルスセルが作動されないものとづれば、レーザ装
置はレイジングを行なうが出力を生じない。すなわち、
印加電圧がゼロに低下されたとすれば、ポッケルスセル
は不活性状態に戻り、この状態ではポッケルスセルに右
から入ったP偏光の光(23)はポッケルスセルの左側
からP偏光のまま出でいく。次にこの光は球面鏡13か
ら反射され(まだP偏光のままである)光空洞を逆に進
み、ポッケルスはルに左から再び入り、右から出て、P
偏光23のまま偏光子15の左側の面に当る。偏光子1
5は右向きの光線のすべて(99%)を通して厚板に送
り、あたかもポッケルスセルが存在しないかのにうにレ
イジング動作が継続する。
ポッケルスセルをこのように設定すると、出力に放出さ
れるS@光の光は実質的に何もない。この状態では、レ
ーザは最大のパワーで動作するが、発生出力は無視でき
る程小さい。
2回の通過に対して90’の位相回転を生ずる電圧とゼ
ロ電圧との中間の電圧がポッケルスセルに印加されたと
き、通常のレーザ出力が生じる。
これにより出力偏光が生じ、空洞内に特定のパーセント
の帰還が設定され、特定のパルセンi〜の光が出力に放
出される。ポッケルスセルの代表的な設定状態では、偏
光子15に入射する放射の40%が出力に放出され、6
0%が共振器内の次の要素へ通される。これはポッケル
スセルを一回通過するたびに約45°の移相(2回の通
過で90゜の移相)生じ、偏光子の入力にほぼ円偏光を
生じさせる。
通常のQスイッチ動作では、ポンピング手段11は毎秒
数回(たとえば10回)点灯するフラッジ−1ランプで
ある。各フラッシュによって約70マイクロ秒後に光ピ
ークが生じ、全体の持続時間は約100マイクロ秒とな
る。厚板の蓄積エネ°ルギはフラッシュランプの点火か
ら約120マイクロ秒後にピーク値になる。ポンピング
により厚板内に最大エネルギ蓄積が達成されるまでQス
イッチはオフ状態に維持され、次いでQスイッチが作動
されてレイジング動作を行う。Qスイッチの作動から約
50ナノ秒後に、20ナノ秒乃至30ナノ秒のレーザ・
パルスが生じる。レーザ・ビームの強度が最大強度に対
して小さなパーセントの値に低下するまでQスイッチは
オンの状態にとどまる。小さなパーセント値に低下した
後、Qスイッチはそれ以後レイジングを行なわせないよ
うに動作する。レーザ出力を単一の出力パルスに集中さ
ゼるため、Qスイッチのタイミングは1つのレーザ・パ
ルスではなく2つのレーザ・パルスを形成しないように
セラ1〜される。
第1A図および第1B図の装置の随意選択的な部品とし
て、ポッケルスセル14と凹面球面鏡13との間の位置
に例示されたアパーチャ30が設けられる。アパーチャ
30は球面鏡13によって平行化された平行ビームを、
厚板を介して他の鏡に戻すかまたは出力として放出する
前に遮る。図示されたようにアパーチp30はその中心
が光学系の軸上に設置され、またその上下の境界がS平
面に平行となり、光ビームの小さな安定軸を定めるよう
に回転配置される。アパーチャは普通、光ビームの不安
定な大きな軸に影響を与える可能性のある、P平面に平
行な限界(制限物)はない。
垂直開口はP平面で測って最適なビーム品質が得られる
ように設定され、そして垂直開口の大きさは平行化され
たビームが出力として通されるとき、または厚板に戻る
ときのそのビームの垂直寸法を設定する。代表的なこの
寸法は厚板の垂直寸法のほぼ半分に相当する3、511
1111(ミリメートル)である。アパーチャはP平面
に存在するかも知れない高次のモードを低減し、その平
面内に実質的にガウスTEMooビームを設定する。高
次モードの除去は位相と振幅の両方に影響する複合的な
方法で出力ビームの波面の品質を改善する傾向がある。
共振器の不安定軸に沿って横方向のアパーチャ(本明細
書では示唆されていない)を設けると、出力ビームに付
加的な縞(すなわち、フレネル回折効果)を生じて出力
ビームの品質を低下させるという悪影響を生じる。
これまで説明した本発明の実際の例では、厚板は長さ1
39.37mm、幅約15m+n、厚さ約8mmのNd
 :YAG厚板レーザであり、その端部はブルースター
角で切断されている。厚板は長さくL)が1メートルの
光空洞の中に配置される。凹面球面鏡13の曲率半径(
R2)は6メートルであり、凸面円柱鏡12の曲率半径
(R1)は4メートルである。
先具振器空洞はレーザ・厚板内の自然放出によって生ず
るレーザ・ビームを限定する。前)ホした通り、光空洞
は垂直方向に安定であり、これはビームが装置のアパー
チ17を超えて垂直方向に(すなわち2寸法が)広がる
ことが防止されるということを意味する。1光空洞は水
平方向に不安定であり、これはビームが水平方向に(す
なわちS寸法が)広がることができ、装置のアパーチャ
を超える要素が失なわれるとい)ことを意味する。
ビーム形成は次のようにして視覚化することができる(
共焦点動作を想定する)。厚板から凹面鏡に進むビーム
要素は、たとえ発散していたとしても、反射されてほぼ
平行化された状態になって厚板に向って逆向きに進む。
この平行化されたビームは逆向きに厚板を通って(更に
増強された)後、円柱銀に当る。ここで、ビームの垂直
寸法は一定に保たれるが、ビームの水平寸法は広がる。
したがって、垂直方向に平行化され、水平方向に広がる
ビームは円柱銀から厚板を経て(更に増強され)、再び
球面鏡13に当る。このビームは球面鏡で再び平行化さ
れ、厚板を介して円柱銀に戻され、更に水平方向に拡大
される。このプロセスによって徐々に、ビームの横方向
の限界が光学系の自然アパーチ11を超えて広がって、
失なわれる。
しかし、ビームの垂直限界はほぼ一定の大きざにとどま
る。
光共振器の安定軸はP平面に入る。これは垂直軸上にあ
って、P平面内にあるビーム要素を形成する光線が装置
のアーパーチャからはみ出ること°がないことを意味す
る。共振器の安定度は安定(P)軸に対してmGpによ
って規定される。安定であるためにはGp≦1である。
P平面内で安定軸上にあるビーム要素に対し、共振器は
平坦な鏡(12)と半径R2P=6メートルの鏡(13
)で構成される。これは安定度計数Gp≦1であること
を示す。Gpは次のように定義される。
Gp−(1−L/R+ p )  (1−1−/R2P
 )こ)で、R+p=oo(P平面では平坦であるため
)R2P=6メートル、および L=1メートル。
式に数値を代入すると、 Gp= (1)(1−1/6)=0.833したがって
、安定であることがわかる。
光共振器の不安定軸はS平面内に入る。これは水平軸上
にあってS平面内にあるビーム要素を形成する光線が装
置のアパーチャからはみ出ることを意味する。ビームの
はみ出しの結果として若干損失が生じるが、ビームの品
質も向上する、1共振器の安定度は不安定(S)軸に対
して倒Gsによって定められる。ここで安定であるため
にはGs>1である。S平面内で不安定軸上にあるビー
ム要素に対し、共振器は半径R+ s =4メートルの
凸面鏡(12)、半径R25=6メートルの凹面鏡(1
3)で構成される。これは安定度係数Gs>1であるこ
とを示す。Gs次のように定められる。
Gs −(1−L/R+ s >  (1−L/R2S
 )= (1+1/4)(1−1/6) −(5/ 4.)・(5/6)=25/24−1.04
2前述したように、共振器は不安定軸中に共焦点がある
。詳しくは F+ s +F2 s =L ここで、F+s=3m(メートル)、F2S=−2m 
、L=1mであり、共焦点は空洞の外側に置かれる。共
焦点構成の1つの利点は偏光子15によって出力に放出
される凹面球面鏡からの光線がほぼ平行化されていて、
付加的な再集束が必要でないということである。
光空洞の倍率(M>は次のように凹面鏡の曲率半径と凸
面鏡の曲率半径との比である。
M=Rz/R+=6メートル/4メートル=1.5 光空洞のアパーチャの大ぎさの尺度は「フレネル数」で
る。これはレーザ波長において使用可能なアパーチャ両
端間のフレネル縞の数に等しい。
13.5x13.5mmのビームの大きさは次(7)7
レネル数に相当する。
Nfz=a+2/λL −2,88(安定垂直軸で測定して) −42,82(不安定水平軸で測定して)こ)で、al
はアパーチャの大きさの半分、λは放射の波長である。
第1A図および第1B図の装置が発生するビームは断面
が長方形であり、外見上、水平方向に拡大されたTEM
ooモードに似ている。出力ビームはQスイッチ動作で
は0.65ジュール以−ヒの高エネルギのビームである
。ビームにより掃引される厚板の全体積は、空洞内のビ
ームの大ぎさ13.5x3.5ミリメートルに基づいて
、約6立法センナメートルと見積られる。この装置のQ
スイッチ抽出効率は通常の値が30%乃至40%である
のに対して50%以上である。
安定/不安定設計による蓄積エネルギの使用効率の向上
は第3図から明らかである。第3図に示ず結果は実験的
に得られた。従来の共振器は不安定共焦点構成であり、
Nd:YAG厚板レーザを用い、倍率は2)凹面球面鏡
の半径は4メートル、凸面球面鏡の半径は2メートルで
あった。本発明による安定/不安定共振器では半径2メ
ートルの凸面球面鏡のかわりに半径2メートルの凸面用
柱鏡を使用した。共振器空洞の長さは1メートルであり
、アパーチャはビームの大きさが13.5X4、mmと
なるように設計された。第3図は、長パルス・モード動
作を行ったとき、40乃至100ジユールの範囲のポン
ピングに対し、従来の不安定共振器が0.08乃至0.
65ジユールの出力エネルギを発生ずることを示してい
る。同様の条件下で、安定/不安定共振器は0.15乃
至0.95ジユールの出力エネルギを発生し、著しい改
善を示している。倍率が低下するにつれて出力エネルギ
の使用効率が更に若干向上するのが普通である。これは
ビームの発散で若干損失を生じるので、倍率を1.5以
下に下げたときの出力エネルギの向上はこれらの他の要
因と調和させなければならない。
第4図には、第1A図および第1B図の実施例のジュー
ル単位の出ツノエネルギと立法センナメートル(C:m
3)当りのジュール(J)単位の蓄積エネルギとの関係
が示しである。前に説明した通りの倍率は1.5であり
、装置は長パルス・モードとQスイッチ・モードの両方
で動作させた。長パルス・モードでは、39%、58%
、および70%に対応する出力反射率が得られるように
別々のポッケルスセルのバイアス電圧が用いられた。後
の方の値が最高のエネルギ出力を生じる。Qスイッチ・
モードでは、40%の反射率に対応する設定値が用いら
れ、動作の上限で、60ジユールのポンピング・エネル
ギからレーザ厚板内に1立方センチメートル当り0.2
ジユールの蓄積エネルギが得られた。前述の通り、出力
エネルギは約0゜67ジユールであった。
安定/不安定共振器の設計により、良好なビーム品質を
維持しつつ、長方形の厚板を使用した同等の設計に比べ
てより大きな出力が得られる。1つの軸におけるビーム
の寸法が厚板の厚さと同等の単一の横(transVe
rse)ビームを発生することができた。これは部分的
に、厚板を伝搬する光線が横方向主面相互の間をくり返
し反射されるようになっている厚板のジオメトリイ(形
状)の特性である。厚板の上側および下側の横方向面の
間で相次いで反射してビームが伝搬する際、熱的レンズ
効果が打消される。共振器の1つの軸に沿った倍率(お
よび不安定動作)の使用を含む空洞の光学的設計もこの
出力の増大に役立っている。
倍率を使ってビームをレーザ厚板の主面に平行に拡大す
ることにより、ビームの断面積がかなり増大し、出力パ
ワーを著しく増大することが可能となるが、これを相殺
するような効率とビーム品質の損失が生ずる可・能性も
ある。したがって、倍率の増大は特定の用途に対して最
適化するような妥協点を見つけなければならない。本明
1iII@で開示された2つの設計では、不安定軸で倍
率1.5および2が使用された。
第2図は倍率を増加したときの「振幅減衰係数」すなわ
ち固有値(γ)の増加の計算値を示す。空洞を通る1回
のパス当りの回折損失は(1−1γ12)である。し/
jがって1に近いγは低損失状態を表わし、Oに近いγ
は非常に高い回折損失を表わす。第2図は安定/不安定
共振器と従来の不安定共振器との比較を示す。倍率は1
乃至3.5の範囲でプロットされている。(4ミリメー
トル幅の安定共振器に対する基本モード(’domin
ant mode )の振幅減衰係数は殆んど1であり
、倍率にほぼ無関係になる)。4ミリメートル幅の不安
定共振器に対する基本モードの振幅減衰係数は倍率の増
加とともに急激に低下することが図かられかる。たとえ
ば倍率が2であるとすれば、従来の不安定共振器の振幅
減衰係数は約0.79となる。
倍率1.5とすれば、従来の不安定共振器の振幅減衰係
数はずっと改善され0,88となる。同時に、安定/不
安定共振器ではこれらの値は高く(良く)なる。すなわ
ち、倍率2の場合、振幅減衰係数は約0.86であり、
倍率1.5の場合は0.92となる。
安定度係数は変数rGJによって定められる。
その独立変数は反射鏡の位置と曲率である。倍率が1.
5の例では、rGJの値は1.25であり、1より大き
いので不安定を表わす。安定度係数の意味するところは
、多重反射のビームの個々の光線が光学系の境界を超え
て反射され、失なわれるということである。
F−に回折理論は光空洞を説明し、安定軸または不安定
軸に沿っての最初の光学的設計の手引きとなる。空洞は
同時に複数のモードを持続するものど考えることができ
る。固有関数(e;genrunctlon)として知
られているこれらのモードは外見、並びに位相および振
幅について良く知られている。
これらのモードは3つの文字T E M (T ran
sverse E 1ectro  Magngtic
 Waveを表わす)にモ・−ド順位の添字を付けたも
ので表わされる(たとえ開 ば、TEMo o 、TEMo + 、TE3ft o
等)。
固有関数の2つの独立パラメータは前に説明したフレネ
ル数とG数である。複合ビームの中のこれらのモードの
相互関係は固有値(γ)によって表わされる。これは(
前述した)振幅減衰係数を表わす複素量である。この固
有値は与えられたモードの振幅と位相を光共振器のパラ
メータの関数として表わす。
通常のビームでTEMooモードを希望する場合、二次
モードからある程度の寄与を期待することができる。個
々のモードは異なる振幅と位相を有しているので、異な
るモードがビームに寄与する場合にはビーム品質のため
に個々のモードの位相と振幅のを両方を制御しなければ
ならない。理想的には、パワー損失式1−(γ)2の中
でγとして現われる固有値は基本モードでは1に近くな
ければならず、望ましくない高次モードではゼロに近く
なければならない。したがって、安定な光空洞の中で形
成されるビームの古典的なステートメントは複数の積(
γ。 U、)で表わされる。
ここで、γは固有値、Uは固有関数、添字nは問題のモ
ード順位を表わす。
良好に設計されたレーザ装置では、複合ビームがぽは一
定の振幅とほぼ一定の位相面を持つこと −が要求され
る。古典的な共振器の安定軸に沿って、固有値の大きさ
は固有モードの鹸位の増大によりその移相が変わるにつ
れて小さくなり、複素平面に渦巻形の軌跡を形成し、そ
の中心に移動してゆく。フレネル数が減少するにつれて
、固有値の大ぎざの減少速度が大きくなる。したがって
、モードの選択度が大きくなる。フレネル数が大きい場
合、固有値は複素平面の中の単位円に向って移動し、モ
ード選択度が低下する。このようにして、設計者は効率
とパワーをより高く′?l−るためにより大きいフレネ
ル数を使いたいと思うが、通常もつと小さなフレネル数
に拘束され、望ましくない高次モードを抑圧するために
アパーチャを用いるように拘束される。本発明の実施例
では、ビーム品質をあまり劣化させることなく設計者は
安定軸に沿って4程度のフレネル数を使用することがで
きた。
不安定モードについては、固有モードと固有値γの両方
の概念とも不完全である。モードの説明は正確ではない
。というのは、有限回数(Qスイッチ動作の場合は10
程度)の反則の後、かなりの数の光線が反射されてシス
テムの外に出されて失なわれるからである。したがって
m「γ」は回折損失とビームの1はみ出し」の混合を表
わしている。しかし、モード構造は数値積分が可能であ
り、固有値のフレネル数に対する従属関係の整然とした
パターンがないということを示す。したがって、より大
きなフレネル数がモード抑圧に不満足であると考えられ
るかも知れないが、前に述べたように倍率を注意深く使
えば得られるフレネル数は43に達する。
本発明による安定/不安定共振器は第1A図および第1
B図に示すQスイッチ短パルス・モードまたは長パルス
・モードで動作させて良好な品質のビームを作ることが
できる。Qスイッチ動作では、安定共振器は実際上、望
ましくない高次モードを抑圧するのに好都合なモードを
設定するために必要な時間によって左右される。本発明
による安定/不安定共振器では、妥当なビーム品質を有
しながらパワーを向上することはQスイッチ短パルス・
モードで実用できた。長パルス・モードでは、この改良
は設計の軸外ビームのはみ出しにより特に著しいものと
なる。
本発明はNd :YAGならびにNdガラス厚厚板レー
ザ科料使用された。高利得と中利得の両方のレーザ材料
で動作することを想定して設計されている。代表的な高
利得材料を使えば、損失が過大になる前に1より大きく
約3までの倍率が可能となる。低利得材料はど低い倍率
を必要とする。
第1C図は最初の実施例の変形を示し、第1A図および
第1B図のポッケルスセル14のかわりに四分の一波長
板31を用いてレーザ装置の長パルス動作を達成してい
る。四分の一波長板31はP、S座標軸に対して所望の
角度回転されていC1(凹面球面鏡13から反射された
)ビームの所、留置を出ノ〕に反則させ、ビームの所望
用を厚板に透過させて空洞の中を再循環させる。
これまで説明してきた構成では、出力ビームは光空洞の
中に設置されたポッケルスセルまたは四分の一波長板ど
相合わせた誘電体偏光子から得られる。四分の一波長板
は空洞内のビームをさえぎって、その一部を空洞の外に
放出して出力ビームとし、また一部を空洞内の次の素子
に透過して空洞内で再循環させる。誘電体偏光子が凹面
球面鏡13から反射したビームを取出す場合、平行化さ
れたビームが取出され、これは出力光学系を簡単にする
。勿論、円U補正を導入すれば球面鏡からビームを取出
ずことができ、あるいは、両端の反射鏡として反射率が
100%より小ざな表面を用いると、1!12.13の
1つを透過したものを出力ビームとして取出すことがで
きる。この最後の場合、一方の端部の鏡の反射率と透過
率とにより空洞内にとどまる光エネルギ量と放出されて
出力ビームとなる光エネルギ量がきまる。
これまで説明してきた構成では、光学系の主座標は厚板
10に対して定められている。通常、その一方の端面の
中心点で厚板に入り厚板の他方の端部の中心点から出て
ゆくビームがレーザ装置の光軸を定める。通常、入射光
線の延長はほぼ田川光線と一致づるので、システムの光
軸は第一近似で直線である。光学系の軸は必らずしも直
線である必要はなく、光軸に直交する配置方向が維持さ
れていれば曲げたり折り畳んだ線でもよい。偏光選択の
ためブルースター角の両端をそなえた厚板を使用するこ
とによりPまたはS偏光が定められる。これを使って、
空洞からの出力ビームと空洞の中を再循環するビームと
の間でエネルギを配分する。説明のため、厚板の横方向
面は平らであり、大きい方の横方向面は互いに平行で、
小さい方の横方向面も互いに平行であり、大きい方の横
方向面は小さい方の横方向面に対し90°の平面内にあ
るものとする。前に述べたようにこれらの横方向面がP
平面とS平面を定めている。実際の偏光の設定は比較的
近似的なものであるので、これらの必要条件に幾分子l
yの不正確さがあるが、これ゛はレーザ装置の機能をあ
まり損なうことはないので許容できる。
厚板レーザの両端にブルースター角を使うことにより、
ビームが厚板に非常に効率よく入ることができ、ビーム
損失が僅かであり、レーザ・ビームの偏光が容易になる
。ブルースター角の構成により、厚板は高出力パワーレ
ベルで動作することができ、Qスイッチ動作で有用な偏
光子を設【プることができ、偏光子自体は高いパワー容
量を有する。
【図面の簡単な説明】
第1A図および第1B図は本発明の第1の実施例による
レーザ装置の中に面ポンプ型厚板レーザを含む安定/不
安定共振器を示すもので、第1A図は主要構成部品の側
面図であり、第1B図は主要構成部品の斜視図である。 第1C図は本発明の第2の実施例を示すもので、レーザ
装置の長パルス・モード動作を達成するために第1A図
および第1B図のポッケルスセルのかわりに設けられる
四分の一波長板の斜視図である。第2図は第1A図およ
び第1B図の安定/不安定共振器の基本モードの振幅減
衰係数(γ)を従来の不安定共振器と対比して、倍率の
関数として示したグラフである。第3図は安定/不安定
共振器の出力エネルギを、従来の不安定共振器と対比し
て、ポンプ・エネルギの関数として示したグラフである
。第4図は第1A図および第1B図の実施例でポッケル
スセルのバイアス電圧の設定値を種々に変えたときの出
力エネルギを蓄積エネルギの関数として示したグラフで
あり、長パルス・モードどQスイッチ・モードの動作の
比較を示すグラフである。 10・・・厚 板、 11・・・光ポンピング手段、 12・・・凸面円柱鏡、 13・・・凹面球面鏡、 14・・・ポッケルスセル、 15・・・偏光子、 16.17・・・厚板の左側の端面と右側の端面、30
・・・アパーチャ、 31・・・四分の一波長板。

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザ装置において、 両方の端面を通るコヒーレントな電磁放射ビームを発生
    するための利得媒質の厚板であって、一方の上記端面の
    中間点で入り他方の上記端面の中間点で出る光線が上記
    装置の光軸を定め、上記厚板の断面が長方形であり、上
    記厚板の大きい方の横方向面に平行で上記光軸を通る平
    面が「S」平面を定め、上記厚板の小さい方の横方向面
    に平行で上記光軸を通る平面が「P」平面を定めるよう
    な厚板、 上記厚板の大きい方の横方向面に結合されて上記ビーム
    を励起する光ポンピング手段、 上記厚板をその中に含んでいて、上記光軸と整列してい
    て上記厚板を介して上記ビームの光線を複数回通過させ
    る共振形光空洞であって、イ)上記光軸と光学的に整列
    した、上記「S」平面内に有限の曲率半径R_1を有す
    る第1の凸面円柱鏡、およびロ)上記第1の鏡から距離
    Lの所に上記光軸と光学的に整列して配置され、無限大
    を含めた値をとる曲率半径R_2を有する第2の凹面球
    面鏡を含む共振光空洞、を有し、 上記変数R_1、R_2およびLの値を選定することに
    より、上記「P」平面内の上記ビームの寸法において安
    定な共振ビームを形成し、上記「S」平面内の上記ビー
    ムの寸法において不安定な共振ビームを形成して、レイ
    ジングのために充分な利得を得ると共に、最大エネルギ
    抽出のために上記厚板内の実効活性エネルギ抽出体積を
    増大したレーザ装置。
  2. (2)特許請求の範囲第(1)項記載のレーザ装置にお
    いて、 G=(1−L/R_1)(1−L/R_2)で表わされ
    る安定度基準Gが安定な共振ビーム形成のためのP平面
    内にあるビーム要素に対してG≦1であり、不安定な共
    振ビーム形成のためのS平面内にあるビーム要素に対し
    てはG>1であるレーザ装置。
  3. (3)特許請求の範囲第(2)項記載のレーザ装置にお
    いて、上記第1の凸面鏡の半径R_1がR_1=−2L
    /(M−1)であり、上記第2の凹面鏡の半径R_2が
    R_2=2LM/(M−1)であり、R_1とR_2の
    組み合わせにより倍率MがM=R_2/R_1であり、
    倍率Mは上記P平面内にあるビーム要素に対してはM>
    1の値を持ら、出力パワーと出力ビームの品質とを最適
    化するように選定されているレーザ装置。
  4. (4)特許請求の範囲第(3)項記載のレーザ装置にお
    いて、上記第1の鏡の焦点距離をF_1、上記第2の鏡
    の焦点距離をF_2としたとき、上記第1および第2の
    鏡を上記S平面で測定してL=F_2+(−F_1) で表わされる距離Lを置いて共焦点を持つように配置す
    ることにより、上記第2の鏡で反射されて上記第1の鏡
    に向う上記S平面内のビーム要素を平行化するレーザ装
    置。
  5. (5)特許請求の範囲第(4)項記載のレーザ装置にお
    いて、通常の高利得厚板材料の場合、上記S平面内にあ
    るビーム要素に対して倍率Mが1より大きく且つ約3ま
    での範囲内にあるレーザ装置。
  6. (6)特許請求の範囲第(4)項記載のレーザ装置にお
    いて、上記第2の反射鏡と上記厚板との間に上記光軸に
    整列してアパーチャが設けられ、その縁は上記S平面に
    平行な平面内に配置され、かつ上記アパーチャは上記P
    平面内にあるビーム要素に対してビーム品質を向上する
    ように調整されているレーザ装置。
  7. (7)特許請求の範囲第(6)項記載のレーザ装置にお
    いて、上記アパーチャは上記P平面内にあるビーム要素
    に対して1より大きく4より小さいフレネル数を与え、
    上記装置は上記S平面内にあるビーム要素に対して10
    より大きなフレネル数を与えるレーザ装置。
  8. (8)特許請求の範囲第(7)項記載のレーザ装置にお
    いて、上記厚板の端面が厚板の大きい方の横方向面に対
    してブルースター角で傾斜しているレーザ装置。
  9. (9)特許請求の範囲第(2)項記載のレーザ装置にお
    いて、両端にある上記第1および第2の鏡の内の一方の
    鏡が部分反射特性をそなえていて、この鏡から出力ビー
    ムが取出されるレーザ装置。
  10. (10)特許請求の範囲第(2)項記載のレーザ装置に
    おいて、両端にある上記第1および第2の鏡の内の一方
    の鏡と上記厚板との間に上記光軸と整列して複屈折部材
    および偏光子が配置されており、上記偏光子は上記複屈
    折部材と上記厚板との間に配置されていて、S平面偏光
    の光線成分を出力ビームとして放出し、かつP平面偏光
    の光線成分を上記厚板に向けて透過し、上記複屈折部材
    は放出光と透過光との比を調節して出力パワーを最適化
    するレーザ装置。
  11. (11)特許請求の範囲第(10)項記載のレーザ装置
    において、上記複屈折部材が四分の一波長板であり、そ
    の回転配置方向が上記出力パワーを最適化するように調
    整されているレーザ装置。
  12. (12)特許請求の範囲第(9)項記載のレーザ装置に
    おいて、上記複屈折部材がQスイッチ短パルス動作用の
    ポッケルスセルであるレーザ装置。
  13. (13)特許請求の範囲第(12)項記載のレーザ装置
    において、上記ポッケルスセルがビームの2回の通過に
    対して90°の偏光回転を与えてレーザの発振を防ぐ第
    1の状態と、ビームの2回の通過に対して90°の偏光
    回転より小さい角度2θの第2の偏光回転を与える第2
    の状態との間で調整可能であり、上記偏光角2θが放出
    光と透過光との比が所望の比になるように選択されてい
    るレーザ装置。
JP60130969A 1984-06-18 1985-06-18 光共振空洞を持つ面ポンプ型長方形厚板レーザ装置 Granted JPS6116585A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/621,676 US4559627A (en) 1984-06-18 1984-06-18 Face pumped rectangular slab laser apparatus having an improved optical resonator cavity
US621676 1984-06-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6116585A true JPS6116585A (ja) 1986-01-24
JPH0231513B2 JPH0231513B2 (ja) 1990-07-13

Family

ID=24491167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60130969A Granted JPS6116585A (ja) 1984-06-18 1985-06-18 光共振空洞を持つ面ポンプ型長方形厚板レーザ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4559627A (ja)
EP (1) EP0185050B1 (ja)
JP (1) JPS6116585A (ja)
DE (1) DE3582659D1 (ja)
WO (1) WO1986000475A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01270375A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
WO1990009690A1 (en) * 1989-02-16 1990-08-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solid state laser
JPH05145149A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp パルスレーザ装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1986002783A1 (en) * 1984-10-25 1986-05-09 Candela Corporation Long pulse tunable dye laser
IT1181610B (it) * 1985-03-18 1987-09-30 Selenia Ind Elettroniche Risonatore ottico per laser di potenza,utilizzante un "q-switch" passivo o qualsivoglia altro elemento ottico a bassa soglia di danneggiamento
US4660205A (en) * 1985-05-13 1987-04-21 Allied Corporation Multi-resonator switching laser
US4719639B1 (en) * 1987-01-08 1994-06-28 Boreal Laser Inc Carbon dioxide slab laser
US4860302A (en) * 1987-08-13 1989-08-22 Avco Research Laboratory, Inc. Scanning beam laser pumped laser
DE3729053A1 (de) * 1987-08-31 1989-03-16 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Hochleistungs-bandleiterlaser
DE3828952A1 (de) * 1988-08-26 1990-03-15 Deutsche Forsch Luft Raumfahrt Wellenleiter-lasersystem
JP2760116B2 (ja) * 1989-12-18 1998-05-28 三菱電機株式会社 固体レーザ装置
US4995050A (en) * 1989-11-17 1991-02-19 Spectra Diode Laboratories, Inc. Diode laser with external lens cavity
US5260964A (en) * 1992-06-26 1993-11-09 Institut National D'optique Graded reflectivity mirror resonators for lasers with a gain medium having a non-circular cross-section
US5353297A (en) * 1993-07-12 1994-10-04 Coherent, Inc. Gas slab laser with folded resonator structure
US5557630A (en) * 1995-01-13 1996-09-17 Scaggs; Michael J. Unstable laser resonator
JP2003509871A (ja) * 1999-09-15 2003-03-11 イエダ リサーチ アンド デベロツプメント カンパニー リミテツド 直交偏光モードを有する光共振器
US20070278193A1 (en) * 2006-06-05 2007-12-06 Cymer, Inc. Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications
US8803027B2 (en) * 2006-06-05 2014-08-12 Cymer, Llc Device and method to create a low divergence, high power laser beam for material processing applications
CN102870293A (zh) * 2010-03-26 2013-01-09 劳伦斯·利弗莫尔国家安全有限责任公司 用于高功率激光系统的多程放大器架构
US9966723B2 (en) * 2015-05-14 2018-05-08 Jgm Associates, Inc. High pulse energy and high beam quality mini laser
US10323934B1 (en) * 2018-04-02 2019-06-18 Northrop Grumman Systems Corporation Optical protractor to measure roll angle on a static surface and rotating surface
CN113054518B (zh) * 2021-06-01 2021-08-10 四川光天下激光科技有限公司 一种曲面板条激光放大器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3633126A (en) * 1969-04-17 1972-01-04 Gen Electric Multiple internal reflection face-pumped laser
US4214216A (en) * 1978-10-02 1980-07-22 General Electric Company Face-pumped laser with diffraction-limited output beam

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01270375A (ja) * 1988-04-22 1989-10-27 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ装置
WO1990009690A1 (en) * 1989-02-16 1990-08-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solid state laser
JPH05145149A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Mitsubishi Electric Corp パルスレーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0185050A4 (ja) 1988-04-18
WO1986000475A1 (en) 1986-01-16
DE3582659D1 (de) 1991-05-29
EP0185050A1 (ja) 1986-06-25
JPH0231513B2 (ja) 1990-07-13
EP0185050B1 (en) 1991-04-24
US4559627A (en) 1985-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6116585A (ja) 光共振空洞を持つ面ポンプ型長方形厚板レーザ装置
US5946337A (en) Hybrid laser resonator with special line narrowing
US4575849A (en) Optical filter polarizer combination and laser apparatus incorporating this combination
EP1687875B1 (en) Slab laser with improved and homogenized beam quality
KR100195769B1 (ko) 고체 레이저 장치
EP1662623A1 (en) Laser oscillator incorporating transverse mode rotation in the laser resonator
WO1986001345A1 (en) Optical transmission filter
JPH07508139A (ja) 同調可能な固体レーザ
JP3082865B2 (ja) レーザ光発生装置
US4292602A (en) Laser resonator
KR100272196B1 (ko) 레이저 광 발생장치
US4731788A (en) Low divergence laser apparatus
US4642809A (en) Slab active lasing medium
US4643534A (en) Optical transmission filter for far field beam correction
US4276519A (en) High yield diffraction limited laser oscillator
KR100451116B1 (ko) 파장가변레이저에서의파장선택가능레이저오실레이터
JP2956279B2 (ja) Qスィッチ制御レーザ装置
CN111384659B (zh) 激光器的谐振组件、激光器以及谐振组件的调试方法
CA1218737A (en) Face pumped rectangular slab laser apparatus having an improved optical resonator cavity
CN115513759B (zh) 激光器
JPH07131101A (ja) レーザ光発生装置
US6320894B1 (en) High energy Q-switched 0.9 μm laser
GB1590621A (en) Laser
Schlecht et al. Development Of A Narrow Linewidth Ti: Al2O3 Laser Oscillator For Remote Sensing Applications
Klimek et al. Single mode, diffraction-limited operation of a zig-zag dye laser