JPS61163717A - Integrated circuit device - Google Patents

Integrated circuit device

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JPS61163717A
JPS61163717A JP60004060A JP406085A JPS61163717A JP S61163717 A JPS61163717 A JP S61163717A JP 60004060 A JP60004060 A JP 60004060A JP 406085 A JP406085 A JP 406085A JP S61163717 A JPS61163717 A JP S61163717A
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JP
Japan
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emitter
transistor
output
circuit
integrated circuit
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JP60004060A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Nabeta
鍋田 芳則
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To execute a test without deteriorating the performance of an integrated circuit by providing an output control transistor for controlling an output of an emitter coupling logical circuit. CONSTITUTION:When executing an in-circuit test, 'H', and the same voltage as a base voltage applied to a constant-current source TR13 are applied to a control signal input terminal 17 and a driving signal terminal 18, respectively. In this case, even if an 'H' signal is applied to a logical input terminal of the base of an input TR11, a potential difference between the base and the emitter of the TR11 becomes smaller than that of output control TRs 14, 15, and the TR11 does not become on. In the same way, a reference TR12 does not become on either. Also, even in a circuit of the TR13, an operation is switched to that by a constant-current source TR16 for the time of a test. Accordingly, at the time of a test, the TRs 11, 12, 13 and 9, 10 for constituting the logical circuit concerned are all set to an off-state, and a relation to other connected logical circuit is detached.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、エミッタ結合論理回路を用いて構成した半
導体集積回路装置に関し、特に集積回路の性能を劣化さ
せずにテストを行えるように構成した集積回路装置に関
するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device configured using an emitter-coupled logic circuit, and in particular to a semiconductor integrated circuit device configured to allow testing without deteriorating the performance of the integrated circuit. The present invention relates to integrated circuit devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

半導体集積回路を用いて構成した集積回路装置における
プリント回路基板のテストは、実装した個々の部品、組
合せた部品を小単位でテストするインサーキットテスト
と、プリント回路基板全体の回路構成をテストするため
に、プリント回路基板の入出力コネクタからデータを供
給してテストヲ行うファンクションテストとがある。製
置を構成する回路規模が大きくなると、ファンクション
テストを故障検出率ioo%で行うためのデータパター
ンの作成が非常だ困難なものとなるので。
Testing of printed circuit boards in integrated circuit devices configured using semiconductor integrated circuits includes in-circuit testing, which tests individual mounted components and combined components in small units, and testing of the circuit configuration of the entire printed circuit board. Another type of test is a function test in which a test is performed by supplying data from an input/output connector on a printed circuit board. As the scale of the circuits that make up the equipment increases, it becomes extremely difficult to create data patterns for performing functional tests with a failure detection rate of IOOO%.

テスト性向上のためにインサーキットテストでは、実装
したプリント回路基板上におけるLSI(大規模集積回
路)、IC(集積回路)などの個々の電子部品の各入力
端子へ、外部のテスト装置のテスト端子から直接データ
を与えて各出力端子のデータを観測する。この時、テス
トする各々のLSIに任意のデータを与えるkは、テス
ト対象の特定のLSIの入力端子に接続されている他の
LSIの出力の影響をなくすために、テスト対象の特定
のLSIの入力端子に接続されている他のLSIの出力
の論理レベルを@Low″にしなければならない。
In order to improve testability, in-circuit testing involves connecting input terminals of individual electronic components such as LSIs (Large-Scale Integrated Circuits) and ICs (Integrated Circuits) on the mounted printed circuit board to the test terminals of external test equipment. Observe the data at each output terminal by giving data directly from the . At this time, k, which gives arbitrary data to each LSI to be tested, is determined by the specific LSI to be tested in order to eliminate the influence of the outputs of other LSIs connected to the input terminals of the The logic level of the output of other LSIs connected to the input terminal must be set to @Low''.

従来、エミッタ結合論理(ECL)回路などから構成さ
れるLSIの場合、その出力論理レベルを外部からの信
号で強制的に”Low”レベルとする方法として、次の
2つの方法が知られている。
Conventionally, in the case of LSIs composed of emitter-coupled logic (ECL) circuits, the following two methods are known for forcibly setting the output logic level to "Low" level using an external signal. .

第1の方法は、バックドライブ法というもので、第一図
に示すように、テスト対象のLSI(Fa)の入力端子
と接続される他のLSI(u?)の出力の論理レベルが
”Hl、ph”のものkついて、テスト端子(コt)へ
強制的に電流を流し出すことにより、その論理レベルを
@Low”″とする方法である。
The first method is the backdrive method, and as shown in Figure 1, the logic level of the output of the other LSI (u?) connected to the input terminal of the LSI under test (Fa) is "Hl". , ph", and by forcing a current to flow to the test terminal, the logic level thereof is set to Low".

第一の方法は、第3図に示すように、テスト対象のLS
I(J/)の入力端子と接続される他のLSI(J2)
の出力側に抑止グー) (,7弘)を入れておき、抑止
ゲート(jl)の抑止ゲート制菌端子(3りをコントロ
ールすることにより、論理レベルを”Low”として、
テスト端子(33)から任意のテストデータを与えるこ
とを可能とする方法である。
The first method is to use the LS to be tested, as shown in Figure 3.
Other LSI (J2) connected to the input terminal of I (J/)
Insert the deterrent gate sterilization terminal (3) on the output side of the detergent gate (jl), and set the logic level to "Low" by controlling the deterrent gate sterilization terminal (3).
This method allows arbitrary test data to be given from the test terminal (33).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第一図で示したバックドライブ法においては。 In the backdrive method shown in Figure 1.

テスト対象のLSI(コロ)の入力端子と接続される他
のLSI(コク)の出力電流として、一時的にせよ過大
な電流が流れ、素子破壊、性能劣化につながるという問
題点があった。すなわち、この問題点について第一図お
よび第5図を用いて、さらに詳細に説明すると1次のよ
うになる。第一図はテスト対象LSIの入力端子と接続
される他のLSI(コク)の出力端子の回路を具体的に
示す図である。
There is a problem in that an excessive current flows, even temporarily, as the output current of another LSI connected to the input terminal of the LSI to be tested (corro), leading to element destruction and performance deterioration. That is, if this problem is explained in more detail using FIG. 1 and FIG. 5, it will be as follows. FIG. 1 is a diagram specifically showing the circuit of the output terminal of another LSI (large) connected to the input terminal of the LSI to be tested.

ここで、回路は公知のエミッタ結合−理回路で(IIh
)は出力トランジスタ、(ダ3)はテスト端子で、出力
トランジスタ(uA)が出力電流Iout  を流すこ
とにより、出力端に出力電圧Vout  を生じさせて
いる。この出力電圧V outはテスト端子(ダ3)か
ら印加される電圧に等しく、この電圧値に応じた出力電
流I outが出力トランジスタ(弘6)から流れ出て
いる。この出力トランジスタの出力電圧V outと出
力電流I outの関係をみると、第3図に示すように
なる。第3図において、(xi)はエミッタ結合論理回
路の論理1’ / Jに対応する特性曲線、(52)は
同じく論理「0」に対流する特性曲線である。この特性
曲線かられかるように、エミッタ論理回路の出力端にテ
スト端子(4I3)により強制的に、論理レベルが@H
1ph”の電圧v!!または論理レベルが@Low”の
電圧MLを印加した場合、論理回路の出力の論理状態に
よってI、〜Isの値の出力電、流I outが流れる
。このうち出力電流のIIの値は、出力許容電流値I 
marより数倍〜士数倍程度の大きな値となっている。
Here, the circuit is a known emitter-coupled logic circuit (IIh
) is an output transistor, (da 3) is a test terminal, and the output transistor (uA) causes an output current Iout to flow, thereby generating an output voltage Vout at the output terminal. This output voltage V out is equal to the voltage applied from the test terminal (D3), and an output current I out corresponding to this voltage value flows out from the output transistor (Hir6). The relationship between the output voltage V out and the output current I out of this output transistor is as shown in FIG. 3. In FIG. 3, (xi) is a characteristic curve corresponding to logic 1'/J of the emitter-coupled logic circuit, and (52) is a characteristic curve corresponding to logic "0". As can be seen from this characteristic curve, the test terminal (4I3) forces the logic level @H to the output terminal of the emitter logic circuit.
When a voltage v!! of 1ph'' or a voltage ML whose logic level is @Low'' is applied, an output current, current I out, having a value of I, to Is flows depending on the logic state of the output of the logic circuit. Among these, the value of output current II is the output allowable current value I
The value is several times larger than mar.

この過大NRIf Kよるストレスが素子破壊、性能劣
化の原因となる。
Stress caused by this excessive NRIf K causes element destruction and performance deterioration.

一方、第3図で示した抑止ゲートを設ける方法ノ場合、
バックドライブ法のような素子破壊、性能劣化につなが
るという問題点はないが、この場合には夫々の論理回路
の各出力端子毎に抑止ゲートが必要となり、集積回路袋
けとして素子数が大幅に増えると共k、各論理回路毎に
Iゲート分のディレーが加わり1回路装置全体としての
処理速度が低下してしまうという問題点があった。
On the other hand, in the case of the method of providing a deterrent gate as shown in Fig. 3,
Although it does not have the problem of leading to element destruction and performance deterioration like the back drive method, in this case, a suppression gate is required for each output terminal of each logic circuit, and the number of elements used to package the integrated circuit increases significantly. As the number of circuits increases, a delay corresponding to an I gate is added to each logic circuit, resulting in a problem in that the processing speed of the entire one-circuit device decreases.

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、エミッタ結合論理回路を用いて構成した半
導体集積論理回路装置において。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and relates to a semiconductor integrated logic circuit device configured using an emitter-coupled logic circuit.

集積回路装置の性能を劣化させずにテストを行えるよう
に構成した集積回路装置を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide an integrated circuit device configured so that a test can be performed without deteriorating the performance of the integrated circuit device.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るエミッタ結合論理回路を用いて構成した
半導体集積回路装置は、エミッタ結合論理回路の人力ト
ランジスタ、レファレンストランジスタの夫々のコレク
タと、入力トランジスタおよびレファレンストランジス
タの共通エミッタ抵抗との関に、それぞれコレクタおよ
びエミッタが接続された2つの出力制御トランジスタを
設け。
A semiconductor integrated circuit device constructed using the emitter-coupled logic circuit according to the present invention has the following characteristics in relation to the respective collectors of the human-powered transistor and the reference transistor of the emitter-coupled logic circuit, and the common emitter resistance of the input transistor and the reference transistor. Two output control transistors with collector and emitter connected are provided.

この出力制御トランジスタのベースに制御信号を与える
ことkよりエミッタ結合論理回路の相補出力を共に低レ
ベルとして、ラスト対象論理回路の入力端子に接続され
るエミッタ結合論理回路を部分的に半導体集積回路装置
から実質的に切離せるようにされたものである。
By applying a control signal to the base of this output control transistor, the complementary outputs of the emitter-coupled logic circuit are both set to a low level, and the emitter-coupled logic circuit connected to the input terminal of the last target logic circuit is partially connected to the semiconductor integrated circuit device. It is designed to be substantially separable from the

〔作 用〕[For production]

この発明においては、エミッタ結合論理回路の出力を制
御する出力制御トランジスタを設けるので、この出力制
御トランジスタにより論理回路の動作と関係なく、制御
信号入力によって強制的に論理回路の出力を論理レベル
の’Low”とすることができ、インサーキットテスト
時にテスト対象論理回路の入力に接続されている論理出
力を「0」状態とすることができる。また、この出力制
御トランジスタは、特別な出力の抑止ゲートとして設け
るものではないので、これにより論理回路装置の動作遅
れが生ずることはなく、集積回路にストレスを与えるも
のでもよい。
In this invention, since an output control transistor is provided to control the output of the emitter-coupled logic circuit, this output control transistor forces the output of the logic circuit to reach the logic level by inputting a control signal, regardless of the operation of the logic circuit. The logic output connected to the input of the logic circuit under test can be set to the "0" state during an in-circuit test. Further, since this output control transistor is not provided as a special output inhibiting gate, it does not cause a delay in the operation of the logic circuit device, and may not cause stress to the integrated circuit.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の実施例を第1図を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

fgt図は、この発明の集積回路装置を構成するために
用いられるエミッタ結合論理回路の回路構成図である。
The fgt diagram is a circuit configuration diagram of an emitter-coupled logic circuit used to configure the integrated circuit device of the present invention.

この第1図において、 (//)は入力トランジスタ、
(l2)はレファレンストランジスタ、(/3)は定電
流源トランジスタ、(lダ> 、 (/r)は出力制御
トランジスタ%(16)はテスト時用の定電流源トラン
ジスタ、(v)、(to)は出力トランジスタである。
In this Figure 1, (//) is an input transistor,
(l2) is a reference transistor, (/3) is a constant current source transistor, (lda>, (/r) is an output control transistor% (16) is a constant current source transistor for testing, (v), (to ) is the output transistor.

図示しないが、入力トランジスタ(l/)は論理入力端
子数に応じて複数個のトランジスタが並列に接続されて
いる。(lり)はaつの出力制御トランジスタ(ta)
、(is)の共通の制御信号入力端子、(11)はテス
ト時用の定電流源トランジスタ(/6)を駆動するため
の駆動信号端子、 (/?)は入力トランジスタC//
)およびレファレンストランジスタ(l2)の共通工ζ
ツタ抵抗。
Although not shown, a plurality of input transistors (l/) are connected in parallel according to the number of logic input terminals. (l) is a output control transistor (ta)
, (is) is a common control signal input terminal, (11) is a drive signal terminal for driving the constant current source transistor (/6) for testing, (/?) is the input transistor C//
) and reference transistor (l2) common process ζ
ivy resistance.

(コ0)はエミッタ結合論理回路のNOR論理出力、(
コl)は同じ(OR論理出力、(22)および(コ3)
はそれぞれ電源供給線である。
(0) is the NOR logic output of the emitter-coupled logic circuit, (
(22) and (3) are the same (OR logic output, (22) and (3)
are power supply lines, respectively.

通常動作時において、出力制御トランジスタ(lダ)、
(ts)の制御信号入力端子(17)には“Low”レ
ベルを与え、定電流源トランジスタ(/A)の駆動信号
端子(/j)には電源供給線、(コ3)に加える電源電
圧’Vmmと同一レベルの電圧を与えておき、トランジ
スタ(/ダ>Air)、(i4)をオフ状態としておく
。この場合、入力トランジスタ(l/)のペースの論理
入力端子に@H1ph“が与えられると、入力トランジ
スタ(l/)はオン、レファレンストランジスタ(12
)はオフとナリ、NOR論理出力(コO)は’Low”
レベル、OR論理出力(コl)は”Hlph”レベルと
なって通常の論理動作を行う。
During normal operation, the output control transistor (LDA),
A "Low" level is applied to the control signal input terminal (17) of the (ts), a power supply line is applied to the drive signal terminal (/j) of the constant current source transistor (/A), and a power supply voltage is applied to the drive signal terminal (/j) of the constant current source transistor (/A). 'A voltage at the same level as Vmm is applied, and the transistors (/da>Air) and (i4) are turned off. In this case, when @H1ph" is applied to the pace logic input terminal of the input transistor (l/), the input transistor (l/) turns on and the reference transistor (12
) is off and NOR logic output (ko) is 'Low'
level, the OR logic output (col) becomes "Hlph" level and performs normal logic operation.

インサーキットテスト時において、制御信号入力端子(
/?)には”H1I?h“レベルを、駆動信号端子(/
f)kは定電流源トランジスタ(7,7)IC与えるベ
ース電圧と同一の電圧を、それぞれ印加する。
During in-circuit testing, the control signal input terminal (
/? ), set the “H1I?h” level to the drive signal terminal (/
f) k applies the same voltage as the base voltage applied to the constant current source transistors (7, 7) IC, respectively.

この場合、入力トランジスタ(/l)のベースの論理入
力端子IIc“aiph”レベル信号が与えられていて
も、共通エミッタ抵抗cノ?)k生ずる電位差によって
、入力トランジスタ(it)のペース・エミッタ間の電
位差は、出力制御トランジスタ(lダ)、(ts)のペ
ース・エミッタ間の電位差よりも小さくなり、人力トラ
ンジスタ(l/)はオン状態とならない。
In this case, even if the logic input terminal IIc "aiph" level signal of the base of the input transistor (/l) is applied, the common emitter resistance c? )k The resulting potential difference makes the potential difference between the pace emitter of the input transistor (it) smaller than the potential difference between the pace emitter of the output control transistors (lda) and (ts), and the human power transistor (l/) It does not turn on.

同様に、レファレンストランジスタ(/2)モオン状態
とならず、オフ状態のままである。また、定電流源トラ
ンジスタ(/3)の回路においても、同様にテスト時用
の定電流源トランジスタ(/6)によるものに動作が切
換っている。したがって、この場合には、出力制御用ト
ランジスタ(tu)、(tr)およびテスト時用の定電
流源トランジスタ(/4)のみがオン状態となっている
。出力トランジスタ(?)#(/47)は当然に、この
場合、オフ状態であるため、このエミッタ結合論理回路
は実質的にオフ状態となって、NOR論理出力(λ0)
、OR#R理出力(コノ)は共に′″L o v @レ
ベルとなる。すなわち。
Similarly, the reference transistor (/2) does not enter the MOON state and remains in the OFF state. Further, in the circuit of the constant current source transistor (/3), the operation is similarly switched to that of the constant current source transistor (/6) for testing. Therefore, in this case, only the output control transistors (tu) and (tr) and the constant current source transistor (/4) for testing are in the on state. Since the output transistor (?) #(/47) is of course in the off state in this case, this emitter-coupled logic circuit is essentially in the off state and the NOR logic output (λ0)
, OR#R outputs (cono) are both at the ``''L ov @ level. That is.

インサーキットテスト時においては、特定のエミッタ結
合論理回路を構成するトランジスタ(//)。
During in-circuit testing, a transistor (//) that constitutes a specific emitter-coupled logic circuit.

(l2)、(/3)および(り1.(to)をすべてオ
フ状態と1.て、接続されている他のエミッタ結合論理
回路との関係を切離すようになっている。
(l2), (/3), and (ri1.(to)) are all turned off to disconnect them from other connected emitter-coupled logic circuits.

ナオ、gi図のエミッタ結合論理回路では、このエミッ
タ結合論理回路を構成するトランジスタをすべて、オフ
状態とするため、ラスト時用の定電流源トランジスタ(
16)を設けているが、論理動作に関係するトランジス
タをオフ状態にするだけでよいので、テスト時用の定電
流源トランジスfi(/A)を省略し、エミッタ結合論
理口□路における定電流源トランジスタ(iJ’)をテ
スト時に用いるようにしても良い。
In the emitter-coupled logic circuit shown in the diagrams Nao and Gi, in order to turn off all the transistors that make up the emitter-coupled logic circuit, the last constant current source transistor (
16), but since it is only necessary to turn off the transistors related to logic operation, the constant current source transistor fi (/A) for testing is omitted, and the constant current in the emitter-coupled logic gate □ path is omitted. The source transistor (iJ') may be used during testing.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上に説明したように、この発明によれば、エミッタ結
合論理回路を用いて構成する半導体集積回路装置におい
て、エミッタ結合論理回路の出力を制御する出力制御ト
ランジスタを設け、その出力制御トランジスタによって
論理回路の動作と関係なく、特定のエミッタ結合論理回
路の出力を、制御信号入力によって強制的に論理レベル
の@Low″として、インサーキットテスト時における
テスト対象論理回路の入力に接続される特定の論理回路
の論理出力を「O」とすることができる。しかも、この
特定の論理回路の論理出力を「0」とする手段は、半導
体集積回路に電圧、を流ストレスを与えるものではなく
、また、ゲート遅延を与えるものではないので、LSI
の性能を劣化させずに、インサーキットテストができる
半導体集積回路装置を提供することができる。
As explained above, according to the present invention, in a semiconductor integrated circuit device configured using an emitter-coupled logic circuit, an output control transistor for controlling the output of the emitter-coupled logic circuit is provided, and the output control transistor is used to control the logic circuit. Regardless of the operation of the specific logic circuit, the output of the specific emitter-coupled logic circuit is forced to the logic level @Low'' by the control signal input, and the specific logic circuit is connected to the input of the logic circuit under test during in-circuit testing. The logic output of can be set to "O". Moreover, the means for setting the logic output of this particular logic circuit to "0" does not apply voltage stress to the semiconductor integrated circuit, nor does it apply gate delay, so it is possible to
It is possible to provide a semiconductor integrated circuit device that can perform in-circuit testing without deteriorating its performance.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明の集積回路装置を構成するために用
いられるエミッタ結合論理回路の回路構成図、第1図は
従来のバックドライブ法による回路テスト方法の説明図
、!j図は同じ〈従来の抑止ゲートによる回路テスト方
法の説明図、第V図は従来のエミッタ結合論理回路の回
路構成図、第3図はエミッタ結合論理回路の出方特性図
である。 −において、 (?)、(zo)・嘩出カトランジスタ、(//)・・
人力トランジスタ、(is)・・レファレンストラ:/
 ジ、;< 夕、(/3)S 句定電流雑トランジスタ
、(l弘)、(ts)・・出力制御トランジスタ、(1
6)−〇テスト時用定電流源トランジスタ、(+7)・
9制@信号入力端子、(1g)自−駆動信号端子、(/
9)・・共通二ピック抵抗、(コ□)aIINOR陶理
出力、(At)・・OR論理出方、(コ2)、(コ3)
・・電源供給線、(コA)、(jz)・・テスト対象L
f9 I。 (コク)、(コ2)・・その他のLSl、(コz>、(
Js)。 (tI3)・・テスト端子、(JII戸e抑止ゲート、
(+5)・・抑止ゲート開園端子、(1)Φ“拳出カト
ランジスタ、(51)、(52)・・出方特性曲線。 9.10−一一一出力トランジスタ + 1−−−−−一λ力トラレジスタ 12−−−−〜−レファレンストランジスタ+3−−−
−−一定を流源トランジスタ14、15−.1!力ヴ迦
トランジスタ+6−−−−−−テスト時用定電流源トラ
ンジスタ+7−−−−−−制(社)イ言号入力瑞÷旧−
−−−−−馬■が言号端子 +9−−−一共通エミッタ柵九 2O−−−−−−NOR論理出力 2+−−−−−−OR論理出力 22.23−’!H源イ多キ】モ巨a 苓2図 第3図 b 第4図 第5図
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of an emitter-coupled logic circuit used to construct an integrated circuit device of the present invention, and FIG. 1 is an explanatory diagram of a circuit testing method using a conventional backdrive method. Figure J is an explanatory diagram of a conventional circuit testing method using an inhibition gate, Figure V is a circuit configuration diagram of a conventional emitter-coupled logic circuit, and Figure 3 is a diagram of output characteristics of the emitter-coupled logic circuit. -, (?), (zo), output transistor, (//)...
Human-powered transistor, (is)...Reference Stra:/
Di,;
6)-〇 Constant current source transistor for testing, (+7)・
9 system @ signal input terminal, (1g) self-drive signal terminal, (/
9)...Common two pick resistance, (C□) aIINOR ceramic output, (At)...OR logic output, (C2), (C3)
...Power supply line, (CoA), (jz)...Test object L
f9 I. (koku), (ko2)...Other LSL, (koz>, (
Js). (tI3)...Test terminal, (JII door e suppression gate,
(+5)... Inhibition gate opening terminal, (1) Φ" fist output transistor, (51), (52)... Output characteristic curve. 9.10-111 output transistor + 1------- One λ power resistor 12-----Reference transistor +3----
-- Constant current source transistors 14, 15-. 1! Power supply transistor + 6 - - - Constant current source transistor for testing + 7 - - - - - -
------- Horse ■ is the word terminal + 9 - - - 1 common emitter fence 9 2 O - - - - NOR logic output 2 + - - - OR logic output 22.23 -'! H Gen Itaki] Mogi a Rei 2 figure 3 figure b figure 4 figure 5

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)入力トランジスタ、レフアレンストラジスタ、お
よび定電流源トランジスタからなるエミツタ結合論理回
路を用いて構成した半導体集積回路装置において、前記
エミツタ結合論理回路の入力トランジスタ、レフアレン
ストランジスタの夫々のコレクタと、入力トランジスタ
およびレフアレンストランジスタの共通エミツタ抵抗と
の間に、それぞれコレクタおよびエミツタが接続された
2つの出力制御トランジスタを設け、前記出力制御トラ
ンジスタのベースに制御信号を与えることにより前記エ
ミツタ結合論理回路の相補出力を共に低レベルとし、前
記エミツタ結合論理回路を部分的に半導体集積回路装置
から実質的に切離せるようにしたことを特徴とする集積
回路装置。
(1) In a semiconductor integrated circuit device configured using an emitter-coupled logic circuit consisting of an input transistor, a reference transistor, and a constant current source transistor, the respective collectors of the input transistor and the reference transistor of the emitter-coupled logic circuit , two output control transistors each having a collector and an emitter connected are provided between the common emitter resistor of the input transistor and the reference transistor, and a control signal is applied to the base of the output control transistor to control the emitter-coupled logic circuit. An integrated circuit device characterized in that complementary outputs of both are set to a low level so that a portion of the emitter-coupled logic circuit can be substantially separated from the semiconductor integrated circuit device.
(2)半導体集積回路装置は複数個のエミツタ結合論理
回路から構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の集積回路装置。
(2) The integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit device is comprised of a plurality of emitter-coupled logic circuits.
(3)半導体集積回路装置を構成する複数個のエミツタ
結合論理回路は、特定のエミツタ結合論理回路のみに前
記出力制御トランジスタを設け、前記エミツタ結合論理
回路の相補出力を低レベルとして特定のエミツタ結合論
理回路のみを半導体集積回路装置から切離すことを特徴
とする特許請求の範囲第2項記載の集積回路装置。
(3) In a plurality of emitter-coupled logic circuits constituting a semiconductor integrated circuit device, the output control transistor is provided only in a specific emitter-coupled logic circuit, and the complementary outputs of the emitter-coupled logic circuits are set to a low level so that the specific emitter-coupled logic circuit 3. The integrated circuit device according to claim 2, wherein only the logic circuit is separated from the semiconductor integrated circuit device.
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