JPS6116009A - Magneto-resistance effect type magnetic head device - Google Patents

Magneto-resistance effect type magnetic head device

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JPS6116009A
JPS6116009A JP13667884A JP13667884A JPS6116009A JP S6116009 A JPS6116009 A JP S6116009A JP 13667884 A JP13667884 A JP 13667884A JP 13667884 A JP13667884 A JP 13667884A JP S6116009 A JPS6116009 A JP S6116009A
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magnetic field
bias
magnetic head
tracks
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Shigemi Imakoshi
今越 茂美
Hideo Suyama
英夫 陶山
Yutaka Hayata
裕 早田
Munekatsu Fukuyama
宗克 福山
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    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures

Abstract

PURPOSE:To decrease the number of independent lines, i.e., terminals by connecting in series conductors for generating bias magnetic fields of plural channels and forming the conductor lines for generation of bias magnetic fields in the number corresponding to the number of tracks. CONSTITUTION:Four MR magnetic head parts h1L, h1R, h2L and h2R are provided in response to tracks L and R of channels ch1 and ch2 respectively of an analog stereo circuit. Then the MR magnetic-sensitive parts 5 and bias magnetic field generating conductors 3 are added. The bias conductors 3 are connected in series between tracks corresponding to each other, i.e., tracks L and tracks R respectively of both channels ch1 and ch2. Therefore the number of independent lines, i.e., terminals of the conductors 3 can be reduced down to just two tracks (terminals TbL and TbR) of a channel. Then terminals TM1L, TM1R, TM2L and TM2R are led out to the part 5 together with a common terminal Tc for each end part of the part 5 and the conductors 3.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気抵抗効果(以下MRと略称する)型磁気
ヘッド装置、特にそのMR型磁気ヘッド素子に、これよ
りの信号出力に応した負帰還磁界を与えるバイアス磁界
発生用導体を具備するMR型磁気ヘッドに係わる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention provides a magnetoresistive effect (hereinafter abbreviated as MR) type magnetic head device, particularly an MR type magnetic head element thereof, which provides negative feedback in response to a signal output from the magnetic head device. The present invention relates to an MR type magnetic head equipped with a conductor for generating a bias magnetic field that provides a magnetic field.

?¥′景技術とその問題点 先ず、第1図を参照して、通常のMR型磁気ヘッド装置
のヘッド部りの構造の一例を説明する。
? BACKGROUND TECHNOLOGY AND PROBLEMS First, an example of the structure of a head portion of a conventional MR type magnetic head device will be described with reference to FIG.

例えば旧−Zn系フェライト、Mn −Zn系フェライ
ト等より成る磁性基板(11上に(この基<H(11が
導電性を有する場合には、これの上に被着された5i0
2等の絶縁層(2)を介して)、後述するMR感磁部(
5)に対してバイアス磁界を与えるためのバイアス磁界
発生用の電流3ffi路となる帯状の導電膜より成るバ
イアス磁界発生用の導体(3)が被着され、このバイア
ス導体(3)上に、絶it 1(41を介して例えば、
旧−Fe系合金、或いはN1−Go系合金等のMR磁性
薄膜から成るMR感磁部(5)が配される。そして、こ
のMR感磁部(5)上に、薄い絶縁層(6)を介して、
各一端が跨りバイアス導体(3)及びMR感磁部(5)
を横切る方向に延在して夫々磁気回路の一部を構成する
磁気コアとしての、例えばMoパーマロイから成る対の
磁性層(7)及び(81が被着される。基板(1)上に
は、非磁性の絶縁性保護N(9)を介して、保護基板O
lが接合される。
For example, on a magnetic substrate (11) made of old-Zn ferrite, Mn-Zn ferrite, etc. (this group < H (if 11 has conductivity, 5i0
(via an insulating layer (2) such as
A bias magnetic field generating conductor (3) made of a strip-shaped conductive film that serves as a current 3ffi path for bias magnetic field generation to give a bias magnetic field to 5) is deposited, and on this bias conductor (3), For example, through it 1 (41)
An MR magnetically sensitive portion (5) made of an MR magnetic thin film such as old-Fe alloy or N1-Go alloy is arranged. Then, on this MR magnetic sensing part (5), a thin insulating layer (6) is placed between the
One end of each straddles the bias conductor (3) and the MR magnetic sensing part (5)
A pair of magnetic layers (7) and (81) made of, for example, Mo permalloy are deposited on the substrate (1) as magnetic cores extending transversely to each constitute a part of the magnetic circuit. , through the non-magnetic insulating protection N(9), the protection substrate O
l is joined.

一方の磁性層(7)と基板(1,1の前方端との間5に
は、例えば絶縁層(6)より成る所要の厚さを有する非
磁性ギャップスペーサ層(11)が介在されて、前方の
磁気ギャップgが形成される。そして、この磁気ギャッ
プgが臨むように、基板(11、ギャップスペーサ層(
11)、磁性層(7)、保iiI層(9)及び保護基板
Qlの前方面が研磨されて磁気記録媒体との対接面(1
2)が形成される。
A nonmagnetic gap spacer layer (11) made of, for example, an insulating layer (6) and having a required thickness is interposed between one magnetic layer (7) and the front end of the substrate (1, 1). A front magnetic gap g is formed. Then, a substrate (11, a gap spacer layer (11), a gap spacer layer (
11), the front surfaces of the magnetic layer (7), the protective layer (9), and the protective substrate Ql are polished to form a surface facing the magnetic recording medium (1).
2) is formed.

又、磁気ギャップgを構成する磁性層(7ンの後方端と
、他方の磁性J’! +81の前方端とは、夫々MR感
磁部(5)上に絶縁層(6)を介して跨るように形成さ
れるが、両端間には互いに離間する不連続部(13)が
形°成される。青磁性層(7)及び+8)の夫々後方端
及び前方端は、絶縁層(6)の介在によって電気的には
絶縁されるも、不連続部(13)において磁気的に ′
は結合するようになされる。このようにして、基板(1
)−磁気ギャップg−磁性7!(71−MR感磁部(5
)−磁性層(8)一基板illの閉磁路から成る磁気回
路が形成される。
In addition, the rear end of the magnetic layer (7) and the front end of the other magnetic layer J'! However, a discontinuous portion (13) is formed between both ends, which is spaced apart from each other.The rear end and front end of the celadon magnetic layers (7) and +8), respectively, are covered with an insulating layer (6). Although it is electrically insulated by the intervention of
are made to combine. In this way, the substrate (1
) - magnetic gap g - magnetism 7! (71-MR magnetic sensing part (5
) - Magnetic layer (8) A magnetic circuit consisting of a closed magnetic circuit of one substrate ill is formed.

このようなMR型磁気ヘッド部りにおいζは、その磁気
記録媒体と対接する前方ギャップgからの信号磁束が上
述の磁気回路を流れることによって、この磁気回路中の
MR感磁部(5)の抵抗値が、この信号磁束による外部
磁界に応じて変化する。
Such an MR type magnetic head odor ζ is caused by the signal magnetic flux from the front gap g that is in contact with the magnetic recording medium flowing through the above-mentioned magnetic circuit, and the MR magnetic sensing part (5) in this magnetic circuit. The resistance value changes depending on the external magnetic field caused by this signal magnetic flux.

そこで、MR感磁部(5)に検出電流を流し、この抵抗
値変化をこのMR感磁部(5)の両端の電圧変化として
検出すれば、磁気媒体上の記録信号の再生を行うことが
できる。
Therefore, if a detection current is passed through the MR magnetic sensing part (5) and this resistance change is detected as a voltage change across the MR magnetic sensing part (5), it is possible to reproduce the recorded signal on the magnetic medium. can.

この場合、MR感磁部(5)が磁気センサーとして線形
に動作し、且つ高感度とするためには、このMR感磁部
(5)を磁気的にバイアスする必要がある。
In this case, in order for the MR magnetic sensing section (5) to operate linearly as a magnetic sensor and to have high sensitivity, it is necessary to magnetically bias the MR magnetic sensing section (5).

このバイアス磁界は、バイアス導体(3)への通電によ
って発生する磁界と、MR感磁部(5)に通ずる検出電
流によってそれ自体が発生する磁界とによって与えられ
る直流磁界である。
This bias magnetic field is a DC magnetic field given by a magnetic field generated by energizing the bias conductor (3) and a magnetic field itself generated by the detection current flowing to the MR magnetic sensing section (5).

即ち、この種のMR型磁気ヘッド装置は、第2図にその
概略的構成を示すように、MR感磁部(5)に、バイア
ス導体(3)への直流電流iBの通電によって発生した
磁界と、MR感磁部(5)への検出電流I朋の通電によ
って発生した磁界とによってバイアス磁界Heが与えら
れた状態で、前述した磁気媒体からの信号磁界H5が与
えられる。そして、この信号磁界H9による抵抗変化に
基づ<MR感磁部(5)の両端電圧、すなわちA点の電
位の変化を、低域阻止用コンデンサ(16)を介して増
幅1(14)に供給して増幅して出力端子(15)より
出力するものである。
That is, this type of MR type magnetic head device, as shown in its schematic configuration in FIG. The signal magnetic field H5 from the magnetic medium described above is applied while the bias magnetic field He is applied by the magnetic field generated by the energization of the detection current I to the MR magnetic sensing part (5). Based on the resistance change caused by this signal magnetic field H9, the voltage across the MR magnetic sensing section (5), that is, the change in the potential at point A, is amplified by the amplification 1 (14) via the low-frequency blocking capacitor (16). The signal is supplied, amplified, and output from the output terminal (15).

第3図は、このMR感磁部(5)に与える磁界Hた、そ
の抵抗値Rとの関係を示す動作特性曲線図を示し、この
曲線は、磁界Hの絶対値が小さい範囲−HBR〜+HB
Rにおいて上に凸の2次曲線を示すが、磁界Hの絶対値
が大となって、この範囲から外れると、MR感磁部(5
)を構成するMR磁性薄膜の中央部分の磁化が磁気回路
方向に飽和しはじめ、2次曲線から離れてその抵抗Rは
最小値Rminに漸近する。因みに、この抵抗Rの最大
値Rmaxは、MR磁性薄膜の磁化がすべて電流方向に
向いた状態に於ける値である。そして、この動作特性曲
線における2次曲線の特性部分で、前述したバイアス磁
界HBが与えられた状態で、第3図において符号(17
)を付して示す磁気媒体からの信号磁界が与えられるよ
うにして、これに応じて同図中符号(18)で示す抵抗
値変化に基づく出力を得るようにしている。この場合は
、信号磁界の大きさが大となるほど2次高調波歪が大と
なることが分る。
FIG. 3 shows an operating characteristic curve diagram showing the relationship between the magnetic field H applied to the MR magnetic sensing part (5) and its resistance value R. This curve shows the range -HBR~ where the absolute value of the magnetic field H is small +HB
R shows an upwardly convex quadratic curve, but when the absolute value of the magnetic field H becomes large and deviates from this range, the MR magnetic sensing part (5
) begins to saturate in the direction of the magnetic circuit, and its resistance R asymptotically approaches the minimum value Rmin away from the quadratic curve. Incidentally, the maximum value Rmax of this resistance R is a value in a state where all the magnetization of the MR magnetic thin film is oriented in the current direction. Then, in the characteristic part of the quadratic curve in this operating characteristic curve, when the bias magnetic field HB mentioned above is applied, the reference numeral (17) in FIG.
) is applied from the magnetic medium, and in response to this, an output based on a change in resistance value, indicated by reference numeral (18) in the figure, is obtained. In this case, it can be seen that as the magnitude of the signal magnetic field increases, the second harmonic distortion increases.

又、上述のMR型磁気ヘッド装置における第2図のA点
の電位は、MR感磁部(5)の抵抗の固定分と変化分と
の合成によって決まる電位となるが、この場合、その固
定分は98%程度にも及ぶものであり、この抵抗の固定
分の温度依存性が大きいので、A点における電位の温度
ドリフトが大きいという欠点がある。このMR感磁部(
5)の抵抗値Rは、R=Ro  (1+αcos2θ)
・・・・(1)(但し、Roは抵抗の固定分、αは最大
抵抗変化率、θはMR感磁部(5ンにおける電流方向と
磁化方向とのなす角度である)で表され、例えばMR感
磁部(5)が81Ni −19Fe (パーマロイ)合
金によるHさ250人のMR磁性¥#膜から成る場合の
αの実測値はα= 0.017程度である。このαの値
は、MR感磁部(5)のMR磁性薄膜の膜厚や材料によ
って多少の相違はあるものの高々α−0,05程度であ
る。
In addition, the potential at point A in FIG. 2 in the above-mentioned MR magnetic head device is determined by the combination of the fixed resistance and the variable resistance of the MR magnetic sensing part (5). The resistance is as high as about 98%, and since the temperature dependence of the fixed resistance is large, there is a drawback that the temperature drift of the potential at point A is large. This MR magnetic sensing part (
5) The resistance value R is R=Ro (1+αcos2θ)
...(1) (However, Ro is the fixed resistance, α is the maximum resistance change rate, and θ is the MR magnetic sensing part (the angle between the current direction and the magnetization direction at 5th angle), For example, when the MR magnetic sensing part (5) is made of an MR magnetic film of 81Ni-19Fe (permalloy) alloy with a height of 250, the actual value of α is approximately 0.017.The value of α is Although there are some differences depending on the thickness and material of the MR magnetic thin film of the MR magnetic sensing part (5), it is at most about α-0.05.

一方、この抵抗の固定分Roは Ro =Ri  (1+aΔt)     −−−・(
2)(但し、Riは抵抗の初期値で、aは温度係数、Δ
tは温度変化分である)で与えられ、上述のMR感磁部
(5)の例における温度係数aの実測値は、a = 0
.0027/ deg程度である。このことは直流磁界
の検出において大きなノイズとなる。
On the other hand, the fixed portion Ro of this resistance is Ro = Ri (1+aΔt) ---・(
2) (However, Ri is the initial value of resistance, a is the temperature coefficient, Δ
t is the temperature change), and the actual measured value of the temperature coefficient a in the example of the above-mentioned MR magnetic sensing part (5) is a = 0
.. It is about 0027/deg. This results in large noise in detecting a DC magnetic field.

更に、この種のMR型磁気ヘッド部による場合、上述し
たようにその温度係数が大きいために、例えばMR感磁
部(5)への通電、或いはバイアス導体(3)へのバイ
アス電流等によって発生する熱が、ヘッド部の磁気記録
媒体との摺接によって不安定に放熱されてヘッドの温度
が変化する場合、大きなノイズ、所謂摺動ノイズを生ず
ることになる。
Furthermore, in the case of this type of MR type magnetic head unit, since its temperature coefficient is large as mentioned above, the temperature coefficient is generated by, for example, energization to the MR magnetic sensing part (5) or bias current to the bias conductor (3). If this heat is radiated unstably due to the head's sliding contact with the magnetic recording medium and the temperature of the head changes, large noise, so-called sliding noise, will be generated.

又、第2図の構成における増幅器(14)が低インピー
ダンス入力を呈する場合、MR感磁部(5)及びコンデ
ンサ(16)から成る高域通過フィルタのカットオフ周
波数を[0とすると、このコレデンサ(16)に必要な
容Mcは、RをMR感磁部(5)の抵抗とすると、 (ωo=2πfo)となる。今、MR感磁部(5)が前
述した厚さ 250人のパーマロイより成り、その長さ
が50μmとなると、その抵抗Rは、1000程度とな
るので、f o = 1 kl(zとすると、コンデン
サ(16)としてはC=1.3μFという大きな値のも
のが必要となり、特にマルチトラック型のデジタ/Iz
オーディオ信号用磁気ヘッド装置を構成する場合には問
題となるものである。
Furthermore, when the amplifier (14) in the configuration shown in FIG. The capacitance Mc required for (16) is (ωo=2πfo), where R is the resistance of the MR magnetic sensing part (5). Now, if the MR magnetic sensing part (5) is made of the above-mentioned permalloy with a thickness of 250 and its length is 50 μm, its resistance R will be about 1000, so f o = 1 kl (assuming z, A capacitor (16) with a large value of C=1.3μF is required, especially for multi-track digital/Iz
This poses a problem when constructing a magnetic head device for audio signals.

又、磁気回路にお4.する透磁率、特に比較的肉薄で断
面積が小さい磁性層(7)及び(8)における透磁率は
、これができるだけ大であることが望まれ、この透磁率
は外部磁界が零のとき最大となるので、上述したような
バイアス磁界を与えることは透磁率の低下を招来する。
Also, in the magnetic circuit 4. It is desired that the magnetic permeability of the magnetic layer, especially the magnetic permeability of the magnetic layers (7) and (8) which are relatively thin and have a small cross-sectional area, be as high as possible, and this magnetic permeability is maximum when the external magnetic field is zero. Therefore, applying a bias magnetic field as described above causes a decrease in magnetic permeability.

一ヒ述の直流バイアス式MR型磁気ヘッド装置は、有効
トラック幅が広く、挾トラック化が容易であるという利
点がある反面、直線性が悪く、直流再生が困t!箆で、
摺動ノイズが大きく、バルクハウゼンノイズが太き(、
出力のばらつきが大きいという欠点がある。
The DC bias type MR type magnetic head device mentioned above has the advantage of having a wide effective track width and being easily formed into a sandwich track, but on the other hand, it has poor linearity and has difficulty in DC reproduction! With a spatula,
The sliding noise is large and the Barkhausen noise is thick (,
The disadvantage is that the output varies widely.

その他のOMR型磁気ヘッド装置としては、差動式MR
型磁気ヘッド装置、バーハボール式MR型磁気ヘッド装
置等が提案されている。差動式MR型磁気ヘッド装置は
、そのMR型磁気ヘッド邪に於いて、MR感磁部を一対
設け、一対のMR感磁部に対しては共通のバイアス導体
により同じバイアス磁界を与え、MR感磁部からは同じ
信号磁界によって差動出力が得られるようになし、その
差動出力を差動増幅器に供給し、その差動増幅器より再
生信号をえるようにしたものである。
Other OMR type magnetic head devices include differential type MR
MR type magnetic head devices, Barra ball type MR type magnetic head devices, etc. have been proposed. A differential MR type magnetic head device has a pair of MR magnetic sensing parts in its MR type magnetic head, and a common bias conductor applies the same bias magnetic field to the pair of MR magnetic sensing parts. Differential outputs are obtained from the magnetosensitive sections using the same signal magnetic field, and the differential outputs are supplied to a differential amplifier, and a reproduced signal is obtained from the differential amplifier.

この差動式MR型磁気ヘッド装置は、直流再生が可能(
但し、オフセットのばらつきが大きい)、バルクハウゼ
ンノイズが少ない、出力のばらつきが少ない、回路とし
ては増幅器だけで良いという利点がある反面、摺動ノイ
ズの軽減効果が小さく、有効トラック幅が狭く、挾トラ
ック化が困難であるという欠点がある。
This differential MR type magnetic head device is capable of direct current reproduction (
However, although it has the advantages of low Barkhausen noise, low output fluctuation, and only an amplifier is required as a circuit, it has a small sliding noise reduction effect, a narrow effective track width, and The disadvantage is that it is difficult to make tracks.

又、バーバーポール式MR磁気ヘッド装置は、そのMR
型磁気ヘッド邪に於けるMR感磁部に、その長平方向に
斜めとなる如く、金等より成る多数の互いに平行な導体
バーを被着形成したものである。
In addition, the barber pole type MR magnetic head device has its MR
A large number of mutually parallel conductor bars made of gold or the like are formed on the MR magnetic sensing part of the magnetic head so as to be oblique to the longitudinal direction of the magnetic head.

このバーバーポール式MR型磁気ヘッド装置は、バルク
ハウゼンノイズが少なく、出力のばらつきが少なく、回
路としては増幅器だりで良いという利点がある反面、直
流再生が困難、IR動ノイズが大きい、狭トラック化が
困難、有効トラック幅があまり広くないという欠点があ
る。
This barber-pole type MR magnetic head device has the advantage of having low Barkhausen noise, little variation in output, and requires only an amplifier as a circuit. However, it is difficult to reproduce DC current, has large IR dynamic noise, and has narrow tracks. It has the disadvantage that the effective track width is not very wide.

そこで、上述した欠点を解消ないしは改善するために、
先に本出願人は新規な磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置を
特願昭59−38980号として出願した。第4図を参
照して、このMR型磁気ヘッド装置の一例を説明する。
Therefore, in order to eliminate or improve the above-mentioned drawbacks,
Previously, the present applicant filed an application for a new magnetoresistive magnetic head device in Japanese Patent Application No. 1983-38980. An example of this MR type magnetic head device will be explained with reference to FIG.

この例においては、そのMR型磁気ヘッド部りは第1図
及び第2図で説明したと同様の構成を採るもので、第4
図において第1図及び第2図と対応する部分に同一符号
を付して重複説明を省略する。この例においては、MR
型磁気ヘッド部りのバイアス導体(3)に、直流バイア
ス電流iBに重畳して高周波数rcのレヘルの小さい交
流バイアス電流iAを流して、直流磁界に重畳して高周
波磁界をMR感磁部(5)に与える。ここに交流バイア
ス電流iAの波形、したがって交流磁界の波形は正弦波
、矩形波等その波形の如何を問わないものである。
In this example, the MR type magnetic head section adopts the same configuration as that explained in FIGS. 1 and 2, and the fourth
In the figure, parts corresponding to those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. In this example, MR
A high-frequency rc low-level AC bias current iA is superimposed on the DC bias current iB through the bias conductor (3) of the type magnetic head section, and the high-frequency magnetic field is superimposed on the DC magnetic field and applied to the MR magnetic sensing section ( 5). Here, the waveform of the AC bias current iA, and thus the waveform of the AC magnetic field, may be a sine wave, a rectangular wave, or any other waveform.

このように、MR感磁部(5)に直流バイアス磁界に重
畳して交流バイアス磁界が与えられるので、このMR感
磁部(5)の両端間、即ち第4図におけるA点には周波
数fcの交流信号が取り出される。
In this way, since the AC bias magnetic field is applied to the MR magnetic sensing part (5) superimposed on the DC bias magnetic field, the frequency fc is applied between both ends of the MR magnetic sensing part (5), that is, at point A in FIG. An alternating current signal is extracted.

第5図Aは、直流バイアス磁界HBと、信号磁界Hsに
交流バイアス磁界HAが重畳された状態での磁界HとM
R感磁部(5)の抵抗Rとの関係を示している。ここで
交流バイアス磁界HAの変化分ΔHが小さい時には、成
る瞬間での交流バイアス磁界の変化に対する抵抗変化の
大きさΔRは、第5図Aの2次曲線の微分の絶対値とし
て得られ、第5図Bに示すように、直流バイアス磁界H
Bと信号磁界H3の大きさと出力たる抵抗変化分との関
係は、原理的には直線となる。従って、第4図における
A点に得られる交流信号の大きさは、直流バイアス磁界
HBと、磁気記録媒体からの信号磁界H5の和の変化に
応じて変化する出力となる。
Figure 5A shows the DC bias magnetic field HB and the magnetic fields H and M when the AC bias magnetic field HA is superimposed on the signal magnetic field Hs.
The relationship with the resistance R of the R magnetic sensing part (5) is shown. Here, when the amount of change ΔH in the AC bias magnetic field HA is small, the magnitude of the resistance change ΔR with respect to the change in the AC bias magnetic field at the instant of change is obtained as the absolute value of the differential of the quadratic curve in FIG. As shown in Figure 5B, the DC bias magnetic field H
In principle, the relationship between B, the magnitude of the signal magnetic field H3, and the resistance change that is the output is a straight line. Therefore, the magnitude of the AC signal obtained at point A in FIG. 4 is an output that changes depending on the change in the sum of the DC bias magnetic field HB and the signal magnetic field H5 from the magnetic recording medium.

そして、この出力は、第4図に示すように上述した周波
数fCの成分を通す高域通過フィルタ(前置増幅器)(
19)を介して整流器(20)に供給して整流し、その
整流出力を低域通過フィルタ(21)に供給するもので
ある。このようにすれば、磁気媒体からの信号磁界H5
に応じた信号出力がとり出せる。この場合、交流電流i
Aの周波数fcは、今例えば最終的に出力端子(15)
から得る出力の帯域が0〜100kHz必要である場合
、これより十分高い周波数、例えばf c = I M
)+2に選定すれば良い。この場合高域通過フィルタ(
19)は低域カットオフ周波数を100kHzより高く
、且つ周波数fc、例え’I=11 MHzより低い例
えば500kHzに選んでおくものとする。しかして、
高域通過フィルタの出力を前述したように整流器(20
)によって整流して後、カットオフ周波数が100kt
(zの低域道通フィルタ(21)を通すことにより、出
力端子(15)に0〜1oOkHzの帯域の信号が得ら
れる。
As shown in Fig. 4, this output is passed through a high-pass filter (preamplifier) (
19) to a rectifier (20) for rectification, and the rectified output is supplied to a low-pass filter (21). In this way, the signal magnetic field H5 from the magnetic medium
A signal output can be obtained according to the In this case, the alternating current i
The frequency fc of A is now, for example, finally at the output terminal (15)
If the band of output obtained from 0 to 100 kHz is required, a frequency sufficiently higher than this, for example f c = I M
)+2. In this case, a high-pass filter (
19), the low cutoff frequency is selected to be higher than 100 kHz and lower than the frequency fc, for example 'I=11 MHz, for example 500 kHz. However,
The output of the high-pass filter is converted into a rectifier (20
), the cutoff frequency is 100kt.
(By passing through the low pass filter (21) of z, a signal in the band of 0 to 100kHz is obtained at the output terminal (15).

このような構成による磁気ヘッド装置においては、第6
図Aに示す外部磁界(信号磁界子バイアス導体ンがMR
感磁部(5)に与えられノコ場合、第4図における点B
においては第6図Bに示すように、周波数fcのキャリ
アを信号で振幅変調した出力が得られ、第6図Cに示す
ように出力端子(15)においては、信号磁界に応じた
出力がとり出される。
In a magnetic head device having such a configuration, the sixth
The external magnetic field shown in Figure A (signal magnetic field bias conductor
In the case of a saw applied to the magnetic sensing part (5), point B in Fig. 4
As shown in Fig. 6B, an output is obtained by amplitude modulating the carrier of frequency fc with a signal, and as shown in Fig. 6C, an output corresponding to the signal magnetic field is obtained at the output terminal (15). Served.

かかる磁気ヘッド装置によれば、MR感研部(5)の磁
界対抵抗2次特性曲線による動作特性の微分に相当する
直線的動作特性による出力がとり出されるので、歪のな
い再生信号をとり出すことができるものである。
According to such a magnetic head device, an output with a linear operating characteristic corresponding to the differentiation of the operating characteristic by the magnetic field vs. resistance quadratic characteristic curve of the MR sensing section (5) is extracted, so that a reproduced signal without distortion can be obtained. It is something that can be released.

又、MR感磁部(5)の抵抗の固定分について温度依存
性が大であっても、MR感磁部(5)の動作特性曲線を
微分した特性によっているので、この抵抗の固定分の温
度ドリフトによる影響を格段に低減することができる。
Furthermore, even if the fixed portion of the resistance of the MR magnetic sensing section (5) has a large temperature dependence, the fixed portion of this resistance depends on the characteristics obtained by differentiating the operating characteristic curve of the MR magnetic sensing section (5) The influence of temperature drift can be significantly reduced.

更に、上述したようにMR感磁部(5)の抵抗固定骨の
温度依存性による影響を排除したことによって、MR型
磁気ヘッド部の前述した磁気媒体との摺動によるノイズ
の発生を少なくすることができる。
Furthermore, as mentioned above, by eliminating the influence of the temperature dependence of the resistance-fixing bone of the MR magnetic sensing part (5), the generation of noise caused by the sliding of the MR type magnetic head part with the magnetic medium mentioned above is reduced. be able to.

又、かかる磁気ヘッド装置におけるコンデンサ(16)
は、周波数fcの成分を通過させれば良いから、例えば
f c −500kHzとすると、このコンデンサ(1
6)の容@Cは、C= 2600pFで良いことになる
。そして、この周波数fcを更に上げれば、この容量C
は更に小さくできるものである。
Also, a capacitor (16) in such a magnetic head device
Since it is sufficient to pass the component of frequency fc, for example, if f c -500kHz, this capacitor (1
The capacitance @C of 6) should be C=2600pF. If this frequency fc is further increased, this capacitance C
can be made even smaller.

第7図は先に提案したMR型磁気ヘッド装置の他の例を
示し、第7図において第4図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
FIG. 7 shows another example of the previously proposed MR type magnetic head device. In FIG. 7, parts corresponding to those in FIG. 4 are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.

コノ場合は、バイアス導体(3)には、直流バイアス電
流は流されずに、交流バイアス電流i71のみを流すよ
うにする。この動作を模式的に示したのが第8図である
。この図において、実線の曲線が、実際のMR感磁部の
磁界対抵抗の動作特性曲線であるが、この特性の2次曲
線部分を外挿すると破線図水のようになり、これによる
最小抵抗値Rminに対応する磁界を+Ho及び−Ho
とする。この例では信号磁界Hsに重畳して交流バイア
ス磁界HAが与えられ、信号磁界の極性と大きさとに対
応し且つ交流バイアス磁界に応じたMR感磁部(5)の
抵抗変化が得られる。
In this case, only an alternating current bias current i71 is made to flow through the bias conductor (3) without a direct current bias current flowing through it. FIG. 8 schematically shows this operation. In this figure, the solid line curve is the operating characteristic curve of the magnetic field versus resistance of the actual MR magnetic sensing part, but if you extrapolate the quadratic curve part of this characteristic, the dashed line will look like water, and this will result in the minimum resistance. The magnetic field corresponding to the value Rmin is +Ho and -Ho
shall be. In this example, an alternating current bias magnetic field HA is applied superimposed on the signal magnetic field Hs, and a resistance change of the MR magnetic sensing part (5) corresponding to the polarity and magnitude of the signal magnetic field and in response to the alternating current bias magnetic field is obtained.

この場合の動作特性曲線は2次曲線で、このMR感研部
(5)の抵抗値Rは、次のように表される。
The operating characteristic curve in this case is a quadratic curve, and the resistance value R of this MR sensing section (5) is expressed as follows.

ここに、ΔRmaXはΔRmax =Rmax −Rm
inで与えられる。MR感磁部(5)に与えられる磁界
■1は、次式に示すようにバイアス磁界HA(tlと、
信号磁界Hs(tlとの和で表される。
Here, ΔRmax is ΔRmax = Rmax − Rm
It is given in. The magnetic field 1 given to the MR magnetic sensing part (5) is expressed by the bias magnetic field HA (tl and
It is expressed as the sum of the signal magnetic field Hs (tl).

H(t)=HA ft)+H5(t)        
 ・−・−+51ここに磁界HA(tlは、バイアス導
体(3)に流される電流によって得られ、 HA  (t)=  H八o  □   sin  (
ωc   t  )       ・・ ・・f5)の
如く表される。但し、角周波数ωCは次式のように表さ
れる。
H(t)=HA ft)+H5(t)
・−・−+51 Here, the magnetic field HA (tl is obtained by the current flowing through the bias conductor (3), and HA (t) = H8o □ sin (
ωct ) ... f5). However, the angular frequency ωC is expressed as in the following equation.

ωG=2 π fc           ・・・・(
7)MR感磁firIifi) ノ出力電圧V (t)
は、MR検出電流をIとすると、 V (t)工1−R・・・・(8) であり、上記(4)、(5)、(6)式から次のように
表される。
ωG=2 π fc...(
7) MR magnetic sensing firIifi) output voltage V (t)
When the MR detection current is I, V (t) 1 - R (8) is expressed as follows from the above equations (4), (5), and (6).

X5in ωc + (Hs (tll 2)・・・・
(9) 次に、この出力電圧V [11と、交流バイアス磁界H
Aと同相同周波数の信号、例えばsin (ωct)を
乗算器(22)によって乗算する。その出力Vz(tl
は、次式のように表される。
X5in ωc + (Hs (tll 2)...
(9) Next, this output voltage V [11 and AC bias magnetic field H
A signal having the same phase and frequency as A, for example, sin (ωct) is multiplied by a multiplier (22). Its output Vz(tl
is expressed as the following equation.

Vz(t>VTtl・sin (ωc t)+28Ao
−Hs(tl・sin (ωc t) + (Hs (
t)) 2) ・sin (ωc t)・・・・Q(I
t ぞして、これを低域通過フィルタ(21)に通ずると、
次Q[I+においてωC成分を有する頃1− Rmax
−sin (ωc t) =0        ” (
11)HA♂・5jn2(ω(Ht) ・・・・(12) 2  HAO−Hs  (tl  ・  sin’(ω
 t  )−HAo−Hs(tl  (1−cos(2
ωt)1− HAO・ H3(をン         
         ・・ ・・  (13)(Hsft
ll 2・5in(ωt) −〇    ”・・(14
)となる。従って、端子(15)でjηられる出力電圧
V o (tlは、 ・・・・ (15) となり、信号磁界Hs(t)に比例する電圧が得られる
。尚、この場合、乗算器(22)への入力に、信号磁界
成分Hs(tlが含まれていても、出力に混入する膚は
少ないので、高域通過フィルタ(19)を省略すること
もできる。
Vz(t>VTtl・sin (ωc t)+28Ao
−Hs(tl・sin (ωc t) + (Hs (
t)) 2) ・sin (ωc t)...Q(I
t and then passes it through a low-pass filter (21), resulting in
When the order Q[I+ has a ωC component 1- Rmax
−sin (ωct) = 0” (
11) HA♂・5jn2(ω(Ht) ...(12) 2 HAO-Hs (tl ・ sin'(ω
t )-HAo-Hs(tl (1-cos(2
ωt)1- HAO・H3(
... (13) (Hsft
ll 2・5in(ωt) −〇”...(14
). Therefore, the output voltage V o (tl) which is jη at the terminal (15) is as follows, and a voltage proportional to the signal magnetic field Hs(t) is obtained. In this case, the multiplier (22) Even if the signal magnetic field component Hs (tl) is included in the input to the signal, the high-pass filter (19) can be omitted because there is little amount of it mixed into the output.

かかるMR型磁気へノド装置によれば、外部磁界の極性
に応した出力をとり出せることになり、先の例と同様の
利点に加えて、ダイナミックレンジが大となるという利
点がある。また、この場合、磁気的バイアスを交流成分
のみとすることによって直流バイアスによる磁気回路の
透磁率低下を回避できる利益もある。
According to such an MR type magnetic helix device, an output corresponding to the polarity of the external magnetic field can be obtained, and in addition to the same advantages as the previous example, there is an advantage that the dynamic range is widened. Further, in this case, there is an advantage that by using only the AC component as the magnetic bias, it is possible to avoid a decrease in the magnetic permeability of the magnetic circuit due to the DC bias.

このような交流バイアスを与えるようにしたMR型磁気
ヘッド装置によれば、直線性にすぐれた歪の小さい出力
を得ることができ、直流再生が可能で、温度ドリフトが
小さく、摺動ノイズが改善され、有効トラック幅が大で
、狭トラツク化可能であり、更にコンデンサの容量を小
さくできるなどの利益を有すると共に、更に第7図で説
明した構成とするときは、ダイナミックレンジを大きく
とることができ、また成る場合は磁気回路の透磁率低下
を回避することもできる。
According to an MR type magnetic head device that applies such an AC bias, it is possible to obtain an output with excellent linearity and low distortion, enable DC reproduction, have small temperature drift, and improve sliding noise. It has the advantage that the effective track width is large, the track can be narrowed, and the capacitance of the capacitor can be made small. Furthermore, when using the configuration explained in FIG. 7, it is possible to obtain a large dynamic range. If it is possible to do so, it is also possible to avoid a decrease in the magnetic permeability of the magnetic circuit.

そして、更に本出願人は、このようなMR感磁部に交流
バイアス磁界を与えるようにしたMR型磁気ヘッド装置
に於いて、直線性が一層向上して歪が一層少なくなり、
バルクハウゼンノイズの発生が少なくなり、ダイナミッ
クレンジが一層広くなり、出力のばらつきを小さくする
ようにしたMR型磁気ヘッド装置を、昭和59年6月8
日付は特許出願[磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置」にお
いて提案した。このMR型磁気ヘッド装置は、信号磁界
の与えられるMR感磁部と、このMR感磁部に交流バイ
アス磁界を与える交流磁界発生手段と、MR感磁部の出
力から信号磁界に応じた信号出力を取出す信号取出し手
段と、この信号取出し手段からの信号出力に応じた負帰
還磁界をMR感磁部に与える負帰還磁界発生手段とを有
することを特徴とするものである。
Furthermore, the present applicant has proposed that in an MR type magnetic head device in which an alternating current bias magnetic field is applied to such an MR magnetic sensing part, linearity is further improved and distortion is further reduced.
On June 8, 1982, we introduced an MR type magnetic head device that reduces Barkhausen noise, has a wider dynamic range, and reduces output variation.
The date was proposed in the patent application [Magnetoresistive magnetic head device]. This MR type magnetic head device includes an MR magnetic sensing section to which a signal magnetic field is applied, an AC magnetic field generation means for applying an AC bias magnetic field to the MR magnetic sensing section, and a signal output from the output of the MR magnetic sensing section according to the signal magnetic field. The present invention is characterized in that it has a signal extraction means for extracting the signal, and a negative feedback magnetic field generation means for applying a negative feedback magnetic field to the MR magnetic sensing section according to the signal output from the signal extraction means.

これによれば、MR感磁部に交流バイアス磁界を与える
ようにしたMR型磁気ヘッド装置に於いて、直線性が一
層向上して歪が一層少なくなり、バルクハウゼンノイズ
の発生が少なくなり、ダイナミックレンジが一層広くな
り、出力のばらつきが少なくなるものを得ることができ
る。
According to this, in an MR type magnetic head device in which an alternating current bias magnetic field is applied to the MR magnetic sensing part, linearity is further improved, distortion is further reduced, Barkhausen noise is reduced, and dynamic It is possible to obtain a wider range and less variation in output.

更に、第9図を参照して、このMR型磁気ヘッドの具体
的構成例を説明する。この例は、第7図の磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに適用した場合で、第9図に於いて第7図
と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。即ち、低域通過フィルタ(21)よりの信号出力を
バッファ増幅器(23)に供給し、これよりの電流ir
Bをバイアス導体(3)に流して、このバイアス導体(
3)(別個のバイアス導体を設けて、これに電流ips
を流すこともできる)から負帰還磁界HFBを発生させ
て、MR感磁部(5)に与えるようにする。
Further, referring to FIG. 9, a specific example of the configuration of this MR type magnetic head will be explained. This example is applied to the magnetoresistive magnetic head shown in FIG. 7, and parts in FIG. 9 corresponding to those in FIG. 7 are given the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. That is, the signal output from the low-pass filter (21) is supplied to the buffer amplifier (23), and the current ir from this is supplied to the buffer amplifier (23).
B flows through the bias conductor (3), and this bias conductor (
3) (provide a separate bias conductor to which the current ips
A negative feedback magnetic field HFB is generated from the negative feedback magnetic field HFB and applied to the MR magnetic sensing part (5).

第10図は第9図のMR型磁気ヘッド装置の等価回路を
示し、走行している磁気テープの記録信号M (X)に
基づいて、信号磁界H8(t)として、Hs (t)=
Mfxl ・φrn  (j2π/λ)・・・・(16
)が発生すると共に、帰還磁界−Hps(tlが発生す
る。
FIG. 10 shows an equivalent circuit of the MR type magnetic head device of FIG. 9, where Hs (t)=
Mfxl ・φrn (j2π/λ)・・・(16
) is generated, and at the same time, a feedback magnetic field -Hps (tl) is generated.

かくして、MR感磁部(5)から出力電圧V (tlと
して、V (tl−φh ・(Hs (tl−Hps(
tl)   −(17)が得られる。又、信号取出し手
段(回路(16)。
In this way, the output voltage V (tl) from the MR magnetic sensing part (5) is V (tl-φh ・(Hs (tl-Hps(
tl) −(17) is obtained. Also, signal extraction means (circuit (16)).

(19) 、  (22) 、  (21)から成る)
から出力信号Vo(tlとして、 Vo(tl=A  (jω)  ・V(t)     
 ・・・・ (18)が得られる。又、帰還磁界−Hp
e (tlは、−HFB(tl= K −A (jω)
    ・・・・(19)で表される。
(consisting of (19), (22), (21))
As output signal Vo(tl), Vo(tl=A (jω) ・V(t)
...(18) is obtained. Also, the return magnetic field −Hp
e (tl is −HFB(tl= K −A (jω)
... is expressed as (19).

尚、φm  (32π/λ)はMR感磁部(5)に於け
る入力側の伝達関数(但し、λは波長)、φhはMR感
磁部(5)の出力側の伝達関数、A(jω)は信号取出
し手段の伝達関数、Kはバッファ増幅器(23)の伝達
関数、φ、はバイアス導体(3)の伝達関数である。
In addition, φm (32π/λ) is a transfer function on the input side of the MR magnetically sensitive section (5) (where λ is the wavelength), φh is a transfer function on the output side of the MR magnetically sensitive section (5), and A( jω) is the transfer function of the signal extraction means, K is the transfer function of the buffer amplifier (23), and φ is the transfer function of the bias conductor (3).

第11図Aに、MR感磁部(5)の磁界対抵抗の特性曲
線を示すが、MR感磁部(5)に、第11図Bに示す如
き大レベルの矩形波交流磁界He(tl及び信号磁界H
s(tlの重畳磁界を与えた場合、MR感磁部(5)か
らは第11図Cに示す如き出力電圧■(【)が得られる
。乗算器(22)に於いて、この出力電圧V (11と
、第11図りに示す矩形波交流電流を掛算することによ
り、低域通過フィルタ(21)の出力側には、第11図
Bの信号磁界Hs(tlに対応した信号出力V o (
tlが出力される。
FIG. 11A shows a characteristic curve of the magnetic field versus resistance of the MR magnetic sensing part (5). and signal magnetic field H
When a superimposed magnetic field of s(tl is applied, the MR magnetosensitive section (5) obtains an output voltage () as shown in FIG. 11C. In the multiplier (22), this output voltage V By multiplying 11 by the rectangular wave alternating current shown in Figure 11, the output side of the low-pass filter (21) has a signal output V o (corresponding to the signal magnetic field Hs (tl) in Figure 11B).
tl is output.

次に、磁気テープに315FIzの単一周波数の信号を
記録し、それを各種磁気ヘッド装置で再生した場合の、
記録レベルに対する信号出力の2次及び3次高調波歪の
特性を第12図に示す。この場合、磁気媒体としてはメ
タルテープを用いた。テープ速度は4.7cm / s
ecであった。記録用磁気ヘッドは通常のリング形磁気
ヘッドであった。MR型磁気ヘッド装置の場合、そのM
R感磁部(5)に流す検出電流iMRが5mA、バイア
ス導体(3)に流する矩形波交流電流1八が5 mA、
その周波数が250kHzであった。
Next, when a single frequency signal of 315 FIz is recorded on a magnetic tape and played back with various magnetic head devices,
FIG. 12 shows the characteristics of second and third harmonic distortion of the signal output with respect to the recording level. In this case, a metal tape was used as the magnetic medium. Tape speed is 4.7cm/s
It was ec. The recording magnetic head was a normal ring-shaped magnetic head. In the case of an MR type magnetic head device, its M
The detection current iMR flowing through the R magnetic sensing part (5) is 5 mA, the rectangular wave alternating current 18 flowing through the bias conductor (3) is 5 mA,
Its frequency was 250kHz.

曲線B2.B3は夫々第7図のMR型磁気ヘッド装置に
よる出力信号の2次及び3次高調波歪の特性曲線を示し
、曲線A2.A3にて示す通常のリング形磁気ヘッド装
置による出力信号の2次及び3次高調波歪の特性曲線に
比較して、いずれも歪がかなり大きいことが分る。
Curve B2. B3 shows the characteristic curves of second-order and third-order harmonic distortion of the output signal from the MR magnetic head device shown in FIG. 7, and curves A2. It can be seen that the distortions are considerably large compared to the characteristic curves of second and third harmonic distortion of the output signal from a normal ring-shaped magnetic head device shown in A3.

これに対し、曲線C2,C3は夫々第9図のMR型磁気
ヘッド装置による出力信号の2次及び3次高調波歪の特
性曲線を示し、曲線A2.A3にて示す通常のリング形
磁気ヘッド装置による出力信号の2次及び3次高調波歪
の特性曲線に比較して、同程度に歪が小さいことが分る
On the other hand, curves C2 and C3 show the characteristic curves of second- and third-order harmonic distortion of the output signal from the MR magnetic head device shown in FIG. 9, respectively, and curve A2. It can be seen that the distortion is similarly small compared to the characteristic curve of second- and third-order harmonic distortion of the output signal of an ordinary ring-shaped magnetic head device shown in A3.

次に、第13図を参照して、他の例を説明する。Next, another example will be explained with reference to FIG.

この例は、第4図の磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置に通
用した場合で、第13図に於いて第4図と対応する部分
には同一符号を付して重複説明を省略する。即ち、低域
通過フィルタ(21)よりの信号出力をハソファ増幅器
(23)に供給し、これよりの電流ireをバイアス導
体(3)に流して、このバイアス導体(3)(別個のバ
イアス導体を設けて、これに電流ipBを流すこともで
きる)から負帰還磁界HFBを発生させて、 MR感磁
部(5)に与えるようにする。尚、その他の説明は、第
9図の例の説明を援用する。
This example is applicable to the magnetoresistive magnetic head device shown in FIG. 4. In FIG. 13, parts corresponding to those in FIG. 4 are given the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted. That is, the signal output from the low-pass filter (21) is supplied to the hasher amplifier (23), the current ire from this is passed through the bias conductor (3), and the bias conductor (3) (separate bias conductor A negative feedback magnetic field HFB is generated from the negative feedback magnetic field HFB and applied to the MR magnetic sensing part (5). For other explanations, the explanation of the example shown in FIG. 9 will be referred to.

尚、再生信号はデジタルオーディオ信号に限らず、デジ
タルビデオ信号、アナログオーディオ/ビデオ信号等も
可能である。
Note that the reproduction signal is not limited to a digital audio signal, but may also be a digital video signal, an analog audio/video signal, etc.

上述したようなMR感硼部に交流バイアス磁界を与える
と共に出力に応じた負帰還磁界を与えるようにした、M
R型磁気ヘッド装置は、直線性が−M向上して歪が一層
少なくなり、バルクハウゼンノイズの発生が少な(なり
、ダイナミックレンジが一層広くなり、出力のばらつき
が少なくなるという利点を有する。
The MR sensor is configured to apply an alternating current bias magnetic field to the MR sensing section as described above, and also to apply a negative feedback magnetic field according to the output.
The R-type magnetic head device has the advantages of improved linearity by -M, less distortion, less Barkhausen noise, wider dynamic range, and less variation in output.

ところが、このようなMR型磁気ヘッドにおいて、夫々
MR感磁部を有する複数のMR磁気ヘソF部を必要とす
る多素子磁気ヘッド構成とする場合、各磁気ヘッド邪に
関して夫々独立に負帰還磁界を与えることができるよう
に、夫々独立にバイアス線路を設ける必要がある。今、
例えば夫々左右各信号トラックL及びRより成るアナロ
グステレオ回線が2チヤンネルchx及びch2あるト
ラック構成の再生磁気ヘッドについてみると、この場合
、第14図に示すように、各チャンネルchs及びch
2の各トラックL及びRに対応して4個のMR磁気ヘッ
ド部hル及びhIR,h2L及びh2Rが設けられる。
However, when such an MR type magnetic head has a multi-element magnetic head configuration that requires a plurality of MR magnetic heel F sections each having an MR magnetic sensing section, it is necessary to apply a negative feedback magnetic field independently to each magnetic head. Therefore, it is necessary to provide independent bias lines for each. now,
For example, if we consider a reproducing magnetic head having a track configuration in which there are two channels chx and ch2 of analog stereo lines consisting of left and right signal tracks L and R, respectively, in this case, as shown in FIG.
Four MR magnetic head sections hIR, h2L, and h2R are provided corresponding to the two tracks L and R, respectively.

この場合、各MR1d!1気ヘッド部hlL、  hI
R+h2L、  h2Rに関し、各MR感磁部(5)か
ら夫々端子Tb5t、 、 TbtR,Tb2L、 T
b2nを導出すると共に、夫々独立にバイアス導体(3
)を設り、これらから夫々端子T旧LIT旧R、7M2
L 、 Tll2Rを導出する必要がある。Tcは全M
R磁気ヘッド部の各MR感磁部(5)及びバイアス導体
(3)の各一端を共通に接続した共通端子、例えば接地
端子を示す。
In this case, each MR1d! 1ki head part hlL, hI
Regarding R+h2L, h2R, terminals Tb5t, , TbtR, Tb2L, T are connected from each MR magnetic sensing part (5), respectively.
While deriving b2n, each bias conductor (3
), and from these terminals T old LIT old R, 7M2
It is necessary to derive L, Tll2R. Tc is total M
A common terminal, for example, a ground terminal, is shown, to which one end of each MR magnetic sensing part (5) and bias conductor (3) of the R magnetic head section is commonly connected.

すなわち、上述の構成による場合、チャンネル数をN個
(第14図の例ではN−2)とし、各チャンネルのトラ
ック数をm個(第14図の例ではm −2)とすると端
子数は 2mN+1    ・・・・(20) とする。
That is, in the case of the above configuration, if the number of channels is N (N-2 in the example of FIG. 14) and the number of tracks of each channel is m (m-2 in the example of FIG. 14), the number of terminals is 2mN+1 (20)

発明の目的 本発明は上述したMR型磁気ヘッドにおいて、その独立
の線路数、すなわち端子数の減少化をはかるものである
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention aims to reduce the number of independent lines, that is, the number of terminals, in the above-mentioned MR type magnetic head.

発明の概要 本発明においては、同時に動作するm個のトラックに対
応する磁気抵抗効果型磁気ヘッド部がN個のチャンネル
数分設けられ、これらN個のチャンネルのうちの1個の
チャンネルが選択的に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置において、N個の各チャンネルの、夫々対応す
る各トラックに関する磁気ヘッド素子のバイアス磁界発
生用導体が相互に直列に結線され、m個の独立したバイ
アス磁界発生用の導体線路を形成する。
Summary of the Invention In the present invention, a magnetoresistive magnetic head section corresponding to m tracks operating simultaneously is provided for N channels, and one channel of these N channels is selectively operated. In a magnetoresistive magnetic head device used in a magnetoresistive magnetic head device, bias magnetic field generating conductors of magnetic head elements for respective tracks of N channels are connected in series, and m independent bias magnetic fields are generated. Form a conductor line for generation.

すなわち、本発明においては、例えば前述した各磁気ヘ
ッド部のMR感磁部に夫々その出力に応じた負帰還磁界
を印加するバイアス磁界発生用の導体を設ける構成によ
る場合においても、例えば第14図で説明したような、
例えば2チヤンネルステレオのトラック構成を採る磁気
ヘッド部においては、その2チヤンネルのうち、1つの
チャンネルの2つのトラックについてのみ、動作される
こと、云い換えれば、他のチャンネルのトラックのバイ
アス導体は利用されていないことから、互いに各チャン
ネルの対応するトラックに関するMR磁気ヘッド部のバ
イアス導体を直列に接続して、実質的に線路数の減少を
はかる。
That is, in the present invention, for example, even in the case where a conductor for generating a bias magnetic field is provided to apply a negative feedback magnetic field corresponding to the output to the MR magnetic sensing section of each magnetic head section described above, for example, as shown in FIG. As explained in
For example, in a magnetic head unit with a two-channel stereo track configuration, only two tracks of one of the two channels are operated; in other words, the bias conductors of the tracks of other channels are not used. Therefore, the bias conductors of the MR magnetic head sections for the corresponding tracks of each channel are connected in series to substantially reduce the number of lines.

実施例 第15図を参照して本発明の詳細な説明する。この例に
おいては、夫々左右各信号トラ・ツクI7及びRより成
るアナログステレオ回線が2チャンネルctH及びch
2あるトラ・ツク構成Gこ適用した場合である。この場
合、第14図で説明したと同様に、各チャンネルch1
及びch2の各トラ・ツクL及びR4こ対応して4個の
MR磁気へ・ノド部h1t、  h1t+、  h2L
h2.が設けられて成り、各MRfa気へ・ノド部hl
L。
EXAMPLE The present invention will be described in detail with reference to FIG. 15. In this example, an analog stereo line consisting of left and right signal tracks I7 and R, respectively, has two channels ctH and ch.
This is the case when two truck configurations G are applied. In this case, each channel ch1
And each track L and R4 of ch2 to 4 MR magnetic nodes h1t, h1t+, h2L
h2. is provided, and each MRfa qi/nod part hl
L.

hIR,h2L、  h2r+に関して夫々MR感磁部
(5)と、これに対するバイアス磁界2発生用導体(3
)とが設けられている。この構成において、各チャンネ
ルct+1及びch2の対応する各トラック、すなわち
トラックし同士、トラックR同士を直列に連結する。こ
のようにすれば、バイアス導体の独立した線路数、すな
わち端子数は、1チヤンネルにおけるトラ・ツク数m、
この例では2個の端子TbL及びTbRのみとなる。そ
して、各MR感磁部(5)に関しては、夫々端子T11
1L 、 Tnu+ 、 Tt+2L、 TM2Hの導
出)すなわち、チャンネル数N個の端子の導出を行う。
Regarding hIR, h2L, and h2r+, an MR magnetic sensing part (5) and a bias magnetic field 2 generating conductor (3
) is provided. In this configuration, corresponding tracks of channels ct+1 and ch2, that is, tracks R and R, are connected in series. In this way, the number of independent lines of the bias conductor, that is, the number of terminals, is the number of tracks in one channel, m,
In this example, there are only two terminals, TbL and TbR. Regarding each MR magnetic sensing part (5), each terminal T11
(Derivation of 1L, Tnu+, Tt+2L, TM2H) That is, the terminals of N channels are derived.

そして、各バイアス導体(3)の各線路の各他端と各感
磁部(5)の各他端より共通の端子TC1すなわち1個
の端子を導出する。
Then, a common terminal TC1, that is, one terminal, is led out from each other end of each line of each bias conductor (3) and each other end of each magnetically sensitive part (5).

したがって、この構成によれば、その端子数は、(m+
mN+1)    ・・++ (21)となり、上述の
m=2.N=2、すなわち2個のトラックを有する2チ
ヤンネル構成においては、その端−子は7個となる。し
たがって、第14図で説明した場合に比し、2個の端子
数の減少化がはかられる。
Therefore, according to this configuration, the number of terminals is (m+
mN+1)...++ (21), and the above m=2. When N=2, that is, in a two-channel configuration with two tracks, there are seven terminals. Therefore, compared to the case described with reference to FIG. 14, the number of terminals can be reduced to two.

つまり、本発明構成によれば、前記(20)式と(21
)式の差のm(N−1)個の端子数の減少をはかること
ができることになり、チャンネル数及び各チャンネルの
トラック数が多くなるほど端子数減少の効果は大となる
In other words, according to the configuration of the present invention, the above equation (20) and (21
) The number of terminals can be reduced by m(N-1), which is the difference between the equations (), and the greater the number of channels and the number of tracks for each channel, the greater the effect of reducing the number of terminals.

発明の効果 上述したように本発明によれば、バイアス線路の減少、
したがって端子数の減少をはかることができることによ
って磁気ヘッド装置の端子部の占有面積の縮減化をはか
ることができ、これに伴って例えば第1図で説明した基
板(11の面積を小さくでき磁気へソドチソプの小型化
、構成の簡易化など多くの利益をもたらすことができる
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the number of bias lines can be reduced;
Therefore, by reducing the number of terminals, it is possible to reduce the area occupied by the terminal section of the magnetic head device. It can bring many benefits such as making Sodotisop smaller and simplifying its structure.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の説明に供する磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の路線的拡大断面図、第2図は従来の磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の構成図、第3図は磁気抵抗効果型
感磁部の特性曲線図、第4図は先に提案した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド装置の一例の構成図、第5図A及びBは
その動作特性曲線図、第6図はその動作の説明に供する
波形図、第7図は先に提案した磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド装置の他の例の構成図、第8図はその説明に供する特
性曲線図、第9図は本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド装置の一実施例を示す構成図、第10図はその等価
回路を示す回路図、第11図は第9図の装置の動作説明
に供する波形図、第12図は第9図の装置の特性の説明
に供給する特性曲線図、第13図は本発明による磁気抵
抗効果型磁気ヘッド装置の他の実施例を示す構成図、第
14図は本発明の説明に供する端子導出配線パターン図
、第15図は本発明装置の一例の配線パターン図である
。 hは磁気ヘッド部、(11は基板、(3)はバイアス導
体、(5)は磁気抵抗効果感磁部、(7)及び(8)は
磁性層、(19)は高域通過フィルタ、(20)は整流
器、(21)は低域通過フィルタ、(22)は乗算器、
(23)はバッファ増幅器、TbL、 TbR,TMI
L 。 TMIR、T112L 、 7M2Rは端子である。 う−1・・− 第5図 R 第6図 第9図 VD(t) 第13図 言C1す1しぺJし Cd5ン → 114図 第15図
FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view of a magnetoresistive magnetic head device used to explain the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional magnetoresistive magnetic head device, and FIG. 3 is a diagram showing a magnetoresistive magnetic head device. FIG. 4 is a diagram of the characteristic curve of the magnetic part; FIG. 4 is a configuration diagram of an example of the magnetoresistive magnetic head device proposed earlier; FIGS. 5A and B are diagrams of its operating characteristic curve; 7 is a configuration diagram of another example of the magnetoresistive magnetic head device proposed earlier, FIG. 8 is a characteristic curve diagram for explaining the same, and FIG. 9 is a diagram of the magnetoresistive head device according to the present invention. 10 is a circuit diagram showing an equivalent circuit thereof, FIG. 11 is a waveform diagram for explaining the operation of the device in FIG. 9, and FIG. 12 is a diagram showing the device in FIG. 9. FIG. 13 is a configuration diagram showing another embodiment of the magnetoresistive magnetic head device according to the present invention, and FIG. 14 is a terminal lead-out wiring pattern diagram used to explain the present invention. , FIG. 15 is a wiring pattern diagram of an example of the device of the present invention. h is a magnetic head part, (11 is a substrate, (3) is a bias conductor, (5) is a magnetoresistive effect magnetic part, (7) and (8) are magnetic layers, (19) is a high-pass filter, ( 20) is a rectifier, (21) is a low-pass filter, (22) is a multiplier,
(23) are buffer amplifiers, TbL, TbR, TMI
L. TMIR, T112L, and 7M2R are terminals. U-1...- Fig. 5 R Fig. 6 Fig. 9 VD (t) Fig. 13 C1 S1 Page J Cd5 → Fig. 114 Fig. 15

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 同時に動作するm個のトラックに対応する磁気抵抗効果
型磁気ヘッド部がN個のチャンネル数分設けられ、該N
個のチャンネルのうちの1個のチャンネルが選択的に使
用される磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置において、上記
N個の各チャンネルの、夫々対応する各トラックに関す
る磁気ヘッド素子のバイアス磁界発生用導体が相互に直
列に結線され、m個の独立したバイアス磁界発生用の導
体線路を形成して成る磁気抵抗効果型磁気ヘッド装置。
Magnetoresistive magnetic heads corresponding to m tracks that operate simultaneously are provided for N channels.
In a magnetoresistive magnetic head device in which one channel out of N channels is selectively used, a conductor for generating a bias magnetic field of a magnetic head element for each corresponding track of each of the N channels is provided. A magnetoresistive magnetic head device comprising m independent bias magnetic field generating conductor lines interconnected in series.
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