JPS61158316A - 液晶表示装置 - Google Patents
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- JPS61158316A JPS61158316A JP59278509A JP27850984A JPS61158316A JP S61158316 A JPS61158316 A JP S61158316A JP 59278509 A JP59278509 A JP 59278509A JP 27850984 A JP27850984 A JP 27850984A JP S61158316 A JPS61158316 A JP S61158316A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/132—Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/52—Liquid crystal materials characterised by components which are not liquid crystals, e.g. additives with special physical aspect: solvents, solid particles
- C09K19/60—Pleochroic dyes
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133382—Heating or cooling of liquid crystal cells other than for activation, e.g. circuits or arrangements for temperature control, stabilisation or uniform distribution over the cell
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レーザー光を液晶セルに照射することによシ
該液晶セルに表示画像を書き込み、該画像を光学的投写
手段にニジスクリーン上に拡大投写する液晶表示装置に
関し、特に液晶セルへの書き込み時間の短縮を図ったも
のに関する。
該液晶セルに表示画像を書き込み、該画像を光学的投写
手段にニジスクリーン上に拡大投写する液晶表示装置に
関し、特に液晶セルへの書き込み時間の短縮を図ったも
のに関する。
従来よシ、たとえば、レーザー光を液晶セルに照射する
ことにより該液晶セルに文字等の表示画像を書き込み、
該画像を光源、レンズ、フィルタ等から成る光学的投写
手段によシスクリーン上に拡大投写する液晶表示装置が
一般に知られている。
ことにより該液晶セルに文字等の表示画像を書き込み、
該画像を光源、レンズ、フィルタ等から成る光学的投写
手段によシスクリーン上に拡大投写する液晶表示装置が
一般に知られている。
このような液晶表示装置において、液晶セルへの画像の
書き込みは、次に述べるような原理によってなされる。
書き込みは、次に述べるような原理によってなされる。
すなわち、レーザー光を液晶セルに照射し、該レーザー
光のエネルギーを熱エネルギーに変換してこの熱によっ
て液晶を加熱し、この加熱された部位に液晶の相転移を
起こさせる。この相転移はレーザー光の照射を停止させ
れば、元の相に戻ろうとするが、この場合には、上記相
転移された部位が急冷されることによシ相転移で生じた
液晶、の配列状態の乱れがほぼそのまま残され、該部位
には光学的散乱中心が残される。このようにして、画像
のメモリ、すなわち書き込みがなされるようになってい
る。
光のエネルギーを熱エネルギーに変換してこの熱によっ
て液晶を加熱し、この加熱された部位に液晶の相転移を
起こさせる。この相転移はレーザー光の照射を停止させ
れば、元の相に戻ろうとするが、この場合には、上記相
転移された部位が急冷されることによシ相転移で生じた
液晶、の配列状態の乱れがほぼそのまま残され、該部位
には光学的散乱中心が残される。このようにして、画像
のメモリ、すなわち書き込みがなされるようになってい
る。
具体的には、たとえば、レーザー光を走査しながらオン
・オフ制御して画像の最小単位である画素を順次書き込
んで行くことｒ／ｃニジ、画像の書き込みがなされる。
・オフ制御して画像の最小単位である画素を順次書き込
んで行くことｒ／ｃニジ、画像の書き込みがなされる。
上記レーザー光の走査方法としては、いわゆるラスター
スキャンおよびベクタースキャ／が知られている。前者
はレーザー光を液晶セルのたとえば左端から右端まで直
線的に走査させ、この走査を垂直方向（上方から下方）
に順次繰り返して行うものであり、後者はレーザー光を
液晶セルの略中央から外側に向って螺線状に走査させる
ものである。
スキャンおよびベクタースキャ／が知られている。前者
はレーザー光を液晶セルのたとえば左端から右端まで直
線的に走査させ、この走査を垂直方向（上方から下方）
に順次繰り返して行うものであり、後者はレーザー光を
液晶セルの略中央から外側に向って螺線状に走査させる
ものである。
ところで、たとえば、上述したラスタースキャンで液晶
セルに画像を書き込んで行く場合において、液晶セル上
の画素に対応する一領域への書き込み状態は、同一走査
線（ライン）上の該領域の前後の領域に書き込みが行わ
れるか否かによって大きく異なる。すなわち、上記前後
の領域の両方あるいはいずれか一方に書き込みが行われ
る場合には、行われない場合と比べ、上記書き込むべき
領域に与えるエネルギー量（レーザー出力と画素に対応
する一領域当りの書き込み時間の積）が等しくてもより
強く書き込みがなされる。これは、上記前後の領域の受
けた熱が該前後の領域で挾まれた書き込むべき領域に伝
導さｔ１書き込みを容易にするからである。なお、上記
−領域当９の書き込み時間を決定するレーザー光の走査
速度は通常一定に設定されている。換言すると、上記前
後の領域に共に書き込みが行われない場合に、行われる
場合と同等の書き込みを書き込むべき領域に対して行う
ためには、より大きなエネルギー量が必要になるという
ことである。
セルに画像を書き込んで行く場合において、液晶セル上
の画素に対応する一領域への書き込み状態は、同一走査
線（ライン）上の該領域の前後の領域に書き込みが行わ
れるか否かによって大きく異なる。すなわち、上記前後
の領域の両方あるいはいずれか一方に書き込みが行われ
る場合には、行われない場合と比べ、上記書き込むべき
領域に与えるエネルギー量（レーザー出力と画素に対応
する一領域当りの書き込み時間の積）が等しくてもより
強く書き込みがなされる。これは、上記前後の領域の受
けた熱が該前後の領域で挾まれた書き込むべき領域に伝
導さｔ１書き込みを容易にするからである。なお、上記
−領域当９の書き込み時間を決定するレーザー光の走査
速度は通常一定に設定されている。換言すると、上記前
後の領域に共に書き込みが行われない場合に、行われる
場合と同等の書き込みを書き込むべき領域に対して行う
ためには、より大きなエネルギー量が必要になるという
ことである。
よって、すべての領域に良好な書き込みを行うために、
書き込みが容易でない場合、すなわち、書き込みが行わ
れる領域の前後の領域に共に書き込みが行われない場合
に合わせて、従来よりレーザー光の走査速度は設定され
ている。しかし、このようにすると、液晶セル一枚当シ
の書き込み時間が長くなってしまう。また、書き込みが
容易な場合、すなわち、書き込みが行われる領域の前後
の領域の両方あるいはいずれか一方にも書き込みが行わ
れる場合に合わせてレーザー光の走査速度を設定すれば
、液晶セル一枚当りの書き込み時間は短くなるものの、
上記前後の領域に書き込みが行われない場合には、書き
込むべき領域に良好な書き込みがなされなくなり、表示
品位が低下してしまう。このような場合、レーザー出力
を増加させることができれば良好な書き込みを行うこと
は可能であるが、通常、書き込みに用い淋 られるレーザー装置は半導仲レーザーであシ、現在市販
されているものの最大出力である３９ｍＷ一定のレーザ
ー出力で用いられているため、該レーザー出力を増加さ
せることは不可能であった。
書き込みが容易でない場合、すなわち、書き込みが行わ
れる領域の前後の領域に共に書き込みが行われない場合
に合わせて、従来よりレーザー光の走査速度は設定され
ている。しかし、このようにすると、液晶セル一枚当シ
の書き込み時間が長くなってしまう。また、書き込みが
容易な場合、すなわち、書き込みが行われる領域の前後
の領域の両方あるいはいずれか一方にも書き込みが行わ
れる場合に合わせてレーザー光の走査速度を設定すれば
、液晶セル一枚当りの書き込み時間は短くなるものの、
上記前後の領域に書き込みが行われない場合には、書き
込むべき領域に良好な書き込みがなされなくなり、表示
品位が低下してしまう。このような場合、レーザー出力
を増加させることができれば良好な書き込みを行うこと
は可能であるが、通常、書き込みに用い淋 られるレーザー装置は半導仲レーザーであシ、現在市販
されているものの最大出力である３９ｍＷ一定のレーザ
ー出力で用いられているため、該レーザー出力を増加さ
せることは不可能であった。
そこで、本発明は上述した従来の問題点に鑑みて提案さ
れたものであり、表示品位を低下させることなく、液晶
セルへの画像の書き込みをより短時間で行える液晶表示
装置を提供することを目的とする。
れたものであり、表示品位を低下させることなく、液晶
セルへの画像の書き込みをより短時間で行える液晶表示
装置を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶表示装置は、上述した目的を達成する
ために、液晶セルにレーザー光による書き込みを行う液
晶表示装置において、上記液晶セル上の画素に対応する
一領域に書き込みが行われかつ該領域の前後の領域には
書き込みが行われないことを判別する判別手段と、この
判別手段からの出力に応じて上記書き込みが行われる領
域に与えるエネルギー量を増加させる手段とを設けたこ
とを特徴とするものである。
ために、液晶セルにレーザー光による書き込みを行う液
晶表示装置において、上記液晶セル上の画素に対応する
一領域に書き込みが行われかつ該領域の前後の領域には
書き込みが行われないことを判別する判別手段と、この
判別手段からの出力に応じて上記書き込みが行われる領
域に与えるエネルギー量を増加させる手段とを設けたこ
とを特徴とするものである。
本発明によれば、画素に対応する一領域に書き込みが行
われかつ該領域の前後の領域に書き込みが行われないこ
とが判別手段により判別された場合に、上記書き込みが
行われる領域た与えるエネルギー量が増加されることに
ニジ、レーザー光の走査速度を該前後の領域に書き込み
が行われる場合に合わせて設定しても、良好な書き込み
を行うことができる。
われかつ該領域の前後の領域に書き込みが行われないこ
とが判別手段により判別された場合に、上記書き込みが
行われる領域た与えるエネルギー量が増加されることに
ニジ、レーザー光の走査速度を該前後の領域に書き込み
が行われる場合に合わせて設定しても、良好な書き込み
を行うことができる。
以下、本発明に係る液晶表示装置の一実施例について図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第１図は本実施例の液晶表示装置を示す構成図である。
この第１図において、書き込むべき画像の画素に対応す
る各領域毎の画像データＤが供給されるシフトレジスタ
１は、Ｆｎ−１＋ Ｆｎ 、 Ｆｎ＋＋ ｒ Ｆｎ＋２
の４桁から成るシフトレジスタでアシ、クロック信号ψ
によって駆動される。このシフトレジスタ１の桁Ｆｎは
単安定マルチバイブレータ２に接続されていると共に、
ＡＮＤ回路３に接続されている。また、上記シフトレジ
スタ１の各桁Ｆｎ−１ｔ Ｆ’ｎ＋ｔ ｔ Ｆ’ｎ＝＋
ｔはそれぞれ各インバータ４，５．６を介してＡＮＤ回
路３に接続されており、該ＡＮＤ回路３の出力側は後述
する領域Ｓｎに与えるエネルギー量を増加させる手段と
しての単安定マルチバイブレーク７に接続されている。
る各領域毎の画像データＤが供給されるシフトレジスタ
１は、Ｆｎ−１＋ Ｆｎ 、 Ｆｎ＋＋ ｒ Ｆｎ＋２
の４桁から成るシフトレジスタでアシ、クロック信号ψ
によって駆動される。このシフトレジスタ１の桁Ｆｎは
単安定マルチバイブレータ２に接続されていると共に、
ＡＮＤ回路３に接続されている。また、上記シフトレジ
スタ１の各桁Ｆｎ−１ｔ Ｆ’ｎ＋ｔ ｔ Ｆ’ｎ＝＋
ｔはそれぞれ各インバータ４，５．６を介してＡＮＤ回
路３に接続されており、該ＡＮＤ回路３の出力側は後述
する領域Ｓｎに与えるエネルギー量を増加させる手段と
しての単安定マルチバイブレーク７に接続されている。
ここで、上記シフトレジスタ１、インバータ４，５，６
、およびＡＮＤ回路３で判別手段が構成される。上記単
安定マルチバイブレータ２は一画素分の領域に対応する
期間のパルス幅を有するパルスを書き込みパルスＰＡと
して出力するものであり、上記単安定マルチバイブレー
タ７は該書き込みパルスＰＡニジも、たとえば１．４倍
パルス幅の広いパルスを書き込みパルスＰＢとして出力
するものである。上記各単安定マルチバイブレータ２．
フの出力側はそれぞれＯＲ回路８を介してレーザー駆動
回路９に接続されておシ、このレーザー駆動回路９によ
り、書き込みを行うレーザーダイオード１０が駆動され
る。このレーザーダイオード１０は、たとえば出力３０
ｍＷのＧａＡ４Ａｓ半導体レーザーであシ、波長７８０
ｎｍの近赤外光を出力する。本実施例において、上記
レーザーダイオード１０は最大出力３０ｍＷ一定で用い
られる。
、およびＡＮＤ回路３で判別手段が構成される。上記単
安定マルチバイブレータ２は一画素分の領域に対応する
期間のパルス幅を有するパルスを書き込みパルスＰＡと
して出力するものであり、上記単安定マルチバイブレー
タ７は該書き込みパルスＰＡニジも、たとえば１．４倍
パルス幅の広いパルスを書き込みパルスＰＢとして出力
するものである。上記各単安定マルチバイブレータ２．
フの出力側はそれぞれＯＲ回路８を介してレーザー駆動
回路９に接続されておシ、このレーザー駆動回路９によ
り、書き込みを行うレーザーダイオード１０が駆動され
る。このレーザーダイオード１０は、たとえば出力３０
ｍＷのＧａＡ４Ａｓ半導体レーザーであシ、波長７８０
ｎｍの近赤外光を出力する。本実施例において、上記
レーザーダイオード１０は最大出力３０ｍＷ一定で用い
られる。
水平方向のアドレスデータＡｘが供給されるＤ／Ａ（デ
ジタル／アナログ）変換回路１１はスキャナ駆動回路１
２に接続されており、該スキャナ駆動回路１２は水平ス
キャナ１３に接続されている。一方、垂直方向のアドレ
スデータＡＹが供給されるＤ／Ａ変換回路１４はスキャ
ナ駆動回路１５に接続されておシ、該スキャナ駆動回路
１５は垂直スキャナ１６に接続されている。
ジタル／アナログ）変換回路１１はスキャナ駆動回路１
２に接続されており、該スキャナ駆動回路１２は水平ス
キャナ１３に接続されている。一方、垂直方向のアドレ
スデータＡＹが供給されるＤ／Ａ変換回路１４はスキャ
ナ駆動回路１５に接続されておシ、該スキャナ駆動回路
１５は垂直スキャナ１６に接続されている。
そして、上記レーザーダイオード１０から出力されたレ
ーザー光は、水平スキャナ１３お工び垂直スキャナ１６
によって駆動され該レーザー光を水平方向および垂直方
向に振って走査するガルバノミラ−１７に入射される。
ーザー光は、水平スキャナ１３お工び垂直スキャナ１６
によって駆動され該レーザー光を水平方向および垂直方
向に振って走査するガルバノミラ−１７に入射される。
上記ガルバノミラ−１７からのレーザー光はレンズ１８
を介してプリズム１９に至り、このプリズム１９で直角
に偏向されたとえば１６ｍａＸ１６ｍの面積を有する液
晶セル２０上に照射、されるようになっている。なお、
上記液晶セル２０には、水平方向および垂直方向に各２
０００画素、合計２０００Ｘ２０００画素を書き込むこ
とができる。
を介してプリズム１９に至り、このプリズム１９で直角
に偏向されたとえば１６ｍａＸ１６ｍの面積を有する液
晶セル２０上に照射、されるようになっている。なお、
上記液晶セル２０には、水平方向および垂直方向に各２
０００画素、合計２０００Ｘ２０００画素を書き込むこ
とができる。
第２図は上記液晶セル２０の構造を示す断面図である。
すなわち、上記液晶セルｚＯは、液晶層２１の両側に配
向層２２．２３を設け、これを透明導電膜（７’Ｃとえ
ばＩＴＯ膜）２４を蒸着したガラス板２５と、レーザー
光を反射するためのコールドフィルタ層２６を設けると
共に透明導電膜２７を蒸着したガラス板２８とで挾んで
成るものである。なお、レーザー光はガラス板２５側か
ら照射される。上記液晶層２１は、たとえば、本件出願
人が先に提案している特願昭５８−７３３２２号明細書
に記載されているように、スメクテイツク人相をもつ液
晶に、染料として１，３−ジ（ｌ、４−ジメチル−７−
イングロピルアズレニール）−シクロプテンジイリウム
を添加したものである。このような染料を添加したこと
により、レーザー光をニジ効率よく吸収でき、かつ効率
よく液晶に伝達できる。ここで、上記液晶としては、シ
アノビフェニール系の液晶、たとえば、オクチルシアノ
ビフェニールを４０モルチ、デシル７アノビフエニール
を６０モル−０割合で混合したものが用いられる。この
液晶は、温度によって、すなわちレーザー光を吸収する
ことによって、スメクテイツクＡ相→ネマティック相→
アイントロピツク相と相転移を生じ、結晶状態が変化す
るものである。
向層２２．２３を設け、これを透明導電膜（７’Ｃとえ
ばＩＴＯ膜）２４を蒸着したガラス板２５と、レーザー
光を反射するためのコールドフィルタ層２６を設けると
共に透明導電膜２７を蒸着したガラス板２８とで挾んで
成るものである。なお、レーザー光はガラス板２５側か
ら照射される。上記液晶層２１は、たとえば、本件出願
人が先に提案している特願昭５８−７３３２２号明細書
に記載されているように、スメクテイツク人相をもつ液
晶に、染料として１，３−ジ（ｌ、４−ジメチル−７−
イングロピルアズレニール）−シクロプテンジイリウム
を添加したものである。このような染料を添加したこと
により、レーザー光をニジ効率よく吸収でき、かつ効率
よく液晶に伝達できる。ここで、上記液晶としては、シ
アノビフェニール系の液晶、たとえば、オクチルシアノ
ビフェニールを４０モルチ、デシル７アノビフエニール
を６０モル−０割合で混合したものが用いられる。この
液晶は、温度によって、すなわちレーザー光を吸収する
ことによって、スメクテイツクＡ相→ネマティック相→
アイントロピツク相と相転移を生じ、結晶状態が変化す
るものである。
なお、たとえば、スメクテイツク人相からネマティック
相への第１の相転移温度は４４．８℃であり、ネマティ
ック相からアイソトロピック相への第２の相転移温度は
４５．２℃である。
相への第１の相転移温度は４４．８℃であり、ネマティ
ック相からアイソトロピック相への第２の相転移温度は
４５．２℃である。
再び、第１図を参照しながら説明を続ける。上記液晶セ
ル２０は温度制御回路３１により、上記液晶の第１の相
転移温度４４．８℃よりもたとえば１．５℃低いバイア
ス温度４３．３℃に保持されている。従って、常態、す
なわち表示画像の書き込みを行う準備状態においては、
上記液晶層２１の液晶はスメクテインク人相に保たれて
いる。消去回路３２は消去信号Ｅに応じて上記液晶セル
２Ｇの透明導電膜２４゜２７間に交流電界を印加するも
のであり、これによって書き込ま汎た画像が消去さハる
ようになっている。
ル２０は温度制御回路３１により、上記液晶の第１の相
転移温度４４．８℃よりもたとえば１．５℃低いバイア
ス温度４３．３℃に保持されている。従って、常態、す
なわち表示画像の書き込みを行う準備状態においては、
上記液晶層２１の液晶はスメクテインク人相に保たれて
いる。消去回路３２は消去信号Ｅに応じて上記液晶セル
２Ｇの透明導電膜２４゜２７間に交流電界を印加するも
のであり、これによって書き込ま汎た画像が消去さハる
ようになっている。
液晶セル２０に書き込まれた表示画像は次に述べるよう
な光学的投写手段により投写される。すなわち、たとえ
ば１５０Ｗ程度のハロゲンランプ４１から発せられた投
写光は、赤外線フィルタ４２、コンデンサレンズ４３、
紫外線フィルタ４４を介してミ、ｙ−４５に到達され、
このミラー４５で反射されレンズ４６を介して上記液晶
セル２０にガラス板２８側から照射される。そして、上
記液晶セルｚＯを通過した光がプリズム１９、投写レン
ズ４７を介してスクリーン４８上に到達される。これに
より、液晶セル２０に書き込まれた画像がスクリーン４
８上に拡大投写されるようになっている。
な光学的投写手段により投写される。すなわち、たとえ
ば１５０Ｗ程度のハロゲンランプ４１から発せられた投
写光は、赤外線フィルタ４２、コンデンサレンズ４３、
紫外線フィルタ４４を介してミ、ｙ−４５に到達され、
このミラー４５で反射されレンズ４６を介して上記液晶
セル２０にガラス板２８側から照射される。そして、上
記液晶セルｚＯを通過した光がプリズム１９、投写レン
ズ４７を介してスクリーン４８上に到達される。これに
より、液晶セル２０に書き込まれた画像がスクリーン４
８上に拡大投写されるようになっている。
このように構成された本実施例の液晶表示装置において
、たとえば、ラスタースキャンで画像の書き込みを行う
場合について第３図を参照しながら説明する。いま、液
晶セル２０上において、レーザー光の走査方向を矢印方
向とし、現在書き込みの対象となっている領域をＳｎと
する。上記領域Ｓｎに対応する画像データＤが「０」の
場合、すなわちシフトレジスタ１の桁Ｆｎの内容が「０
」である場合には、いずれの単安定マルチバイブレータ
２，７からもパルスは出力されず、該領域Ｓｎに画素の
書き込みはなされない。この場合には、シフトレジスタ
１の他の桁Ｆｎ−１ｔ Ｆ’ｎ＋ｔ ｊ Ｆ’ｎ＋’２
の内容は関係シナイ。
、たとえば、ラスタースキャンで画像の書き込みを行う
場合について第３図を参照しながら説明する。いま、液
晶セル２０上において、レーザー光の走査方向を矢印方
向とし、現在書き込みの対象となっている領域をＳｎと
する。上記領域Ｓｎに対応する画像データＤが「０」の
場合、すなわちシフトレジスタ１の桁Ｆｎの内容が「０
」である場合には、いずれの単安定マルチバイブレータ
２，７からもパルスは出力されず、該領域Ｓｎに画素の
書き込みはなされない。この場合には、シフトレジスタ
１の他の桁Ｆｎ−１ｔ Ｆ’ｎ＋ｔ ｊ Ｆ’ｎ＋’２
の内容は関係シナイ。
上記領域Ｓｎに対応する画像データＤが「１」の場合、
すなわちシフトレジスタ１の桁Ｆｎの内容が「１」であ
る場合には、単安定マルチバイブレータ２゜７の両方か
らあるいは単安定マルチバイブレータ２のみから書き込
みパルスが出力され、該領域Ｓｎに画素の書き込みがな
される。更に、詳しく説明すると、この場合には、シフ
トレジスタ１の他の桁Ｆｎ−ｓｖ Ｆ’ｎ＋ｔ ｔ Ｆ
ｎ＋２の内容が関りをもってくる。これら各桁の少くと
もいずれか１つの桁の内容が「１」である場合、すなわ
ち領域Ｓｎの他に各領域５ｎ−１＋Ｓｎ＋０．Ｓｎ＋２
の少くともいずれか１つの領域にも画素の書き込みがな
される場合には、単安定マルチバイプノータ２から一画
素分の領域に対応する期間のパルス幅を有する書き込み
パルスＰＡが出力され、ＯＲ回路８を介してレーザー駆
動回路９に送られる。
すなわちシフトレジスタ１の桁Ｆｎの内容が「１」であ
る場合には、単安定マルチバイブレータ２゜７の両方か
らあるいは単安定マルチバイブレータ２のみから書き込
みパルスが出力され、該領域Ｓｎに画素の書き込みがな
される。更に、詳しく説明すると、この場合には、シフ
トレジスタ１の他の桁Ｆｎ−ｓｖ Ｆ’ｎ＋ｔ ｔ Ｆ
ｎ＋２の内容が関りをもってくる。これら各桁の少くと
もいずれか１つの桁の内容が「１」である場合、すなわ
ち領域Ｓｎの他に各領域５ｎ−１＋Ｓｎ＋０．Ｓｎ＋２
の少くともいずれか１つの領域にも画素の書き込みがな
される場合には、単安定マルチバイプノータ２から一画
素分の領域に対応する期間のパルス幅を有する書き込み
パルスＰＡが出力され、ＯＲ回路８を介してレーザー駆
動回路９に送られる。
そして、該ノーザー駆動回路９によりレーザーダイオー
ド１０が上記書き込みパルスＰＡに応じた期間だけオン
状態とされ、液晶セル２０上の領域Ｓｎに画素が書き込
まれるようになっている。
ド１０が上記書き込みパルスＰＡに応じた期間だけオン
状態とされ、液晶セル２０上の領域Ｓｎに画素が書き込
まれるようになっている。
一方、シフトレジスタ１の各桁Ｆｎ−ｔ ？ Ｆ’ｎ＋
ｔ ｔＦｎ＋ｚの内容がすべて「０」である場合、すな
わち領域Ｓｎを除く他の各領域”’ｎ−１ｓ ｓｎ＋１
ｔ Ｓｎ＋２のいずれにも画素の書き込みがなされない
場合には、単安定マルチバイブレータ２から書き込みパ
ルスＰＡが出力されると共に、単安定マルチバイブレー
タ７から上記書き込みパルスＰＡよりも、たとえば１．
４倍パルス幅の広い書き込みパルスＰＢが出力され、Ｏ
Ｒ回路８を介してレーザー駆動回路９に送られる。
ｔ ｔＦｎ＋ｚの内容がすべて「０」である場合、すな
わち領域Ｓｎを除く他の各領域”’ｎ−１ｓ ｓｎ＋１
ｔ Ｓｎ＋２のいずれにも画素の書き込みがなされない
場合には、単安定マルチバイブレータ２から書き込みパ
ルスＰＡが出力されると共に、単安定マルチバイブレー
タ７から上記書き込みパルスＰＡよりも、たとえば１．
４倍パルス幅の広い書き込みパルスＰＢが出力され、Ｏ
Ｒ回路８を介してレーザー駆動回路９に送られる。
ここで、パルス幅の広い分だけパルスＰＢの方が有効な
パルスとなる。そして、該レーザー駆動回路９によりレ
ーザーダイオード１０が上記書き込みパルスＰＢに応じ
た期間だけオン状態とされ、液晶セル２０上の領域Ｓｎ
に画素が書き込まれるようになっている。すなわち、こ
の場合には、各領域ｓｎ＋１ｌＳｎ＋８．Ｓｎ＋２の少
くとも１つの領域にも書き込みがなされる場合ニジもレ
ーザー光を照射する時間を長くすることによシ、領域Ｓ
ｎに与えるエネルギー量を増加させ書き込みを行うよう
にしている。なお、領域８ｎ十！にも書き込みがなされ
ない場合という条件をもたせたのは、領域Ｓｎの画素が
隣接する領域８ｎ＋１に影響を与え該領域Ｓｎ＋、かつ
ぶれるのを防ぐためである。書き込みパルスＰＢのパル
ス幅が適当に設定されている場合には、領域Ｓｎｏｗ
を考慮する必要はなくなる。
パルスとなる。そして、該レーザー駆動回路９によりレ
ーザーダイオード１０が上記書き込みパルスＰＢに応じ
た期間だけオン状態とされ、液晶セル２０上の領域Ｓｎ
に画素が書き込まれるようになっている。すなわち、こ
の場合には、各領域ｓｎ＋１ｌＳｎ＋８．Ｓｎ＋２の少
くとも１つの領域にも書き込みがなされる場合ニジもレ
ーザー光を照射する時間を長くすることによシ、領域Ｓ
ｎに与えるエネルギー量を増加させ書き込みを行うよう
にしている。なお、領域８ｎ十！にも書き込みがなされ
ない場合という条件をもたせたのは、領域Ｓｎの画素が
隣接する領域８ｎ＋１に影響を与え該領域Ｓｎ＋、かつ
ぶれるのを防ぐためである。書き込みパルスＰＢのパル
ス幅が適当に設定されている場合には、領域Ｓｎｏｗ
を考慮する必要はなくなる。
従って、領域Ｓｎに容易に書き込みがなされる場合、す
なわち各領域５ｎ−１ｓ Ｓｎ＋ｔ ｙ Ｓｎ＋ｔの少
くともいずれか１つの領域にも書き込みがなされる場合
に合わせて、レーザー光の走査速度を設定するようにし
ても、書き込みの容易でない各領域ｓｎ−，ｌ ｓｎ＋
。
なわち各領域５ｎ−１ｓ Ｓｎ＋ｔ ｙ Ｓｎ＋ｔの少
くともいずれか１つの領域にも書き込みがなされる場合
に合わせて、レーザー光の走査速度を設定するようにし
ても、書き込みの容易でない各領域ｓｎ−，ｌ ｓｎ＋
。
ｌｓｎ＋２のすべての領域に書き込みがなされない場合
における領域Ｓｎへの書き込みも良好に行うことができ
る。よって、表示品位を低下させることなく、液晶セル
ｚＯへの画像の書き込み時間を短縮することができる。
における領域Ｓｎへの書き込みも良好に行うことができ
る。よって、表示品位を低下させることなく、液晶セル
ｚＯへの画像の書き込み時間を短縮することができる。
具体的には、−画素当りの書き込み時間は従来の装置で
４．３μｓｅｃ程度であったのに対し、本実施例の装置
では２．５μ３６Ｃ程度に短縮できる。
４．３μｓｅｃ程度であったのに対し、本実施例の装置
では２．５μ３６Ｃ程度に短縮できる。
従って、液晶セル−秋分、たとえば２０００Ｘ２０ＯＯ
画素を書き込むのに要する時間は、レーザー光の水平方
向走査のブランキング時間を１ｍ５ｅｃとして計算する
と、従来の装置でＬ ９＊２ ｓｅｃとなるのに対し、
本実施例の装置では１２＊Ｏｓｅｃとなり、７．２３６
Ｃも短縮することができる。
画素を書き込むのに要する時間は、レーザー光の水平方
向走査のブランキング時間を１ｍ５ｅｃとして計算する
と、従来の装置でＬ ９＊２ ｓｅｃとなるのに対し、
本実施例の装置では１２＊Ｏｓｅｃとなり、７．２３６
Ｃも短縮することができる。
なお（本実施例においては、レーザーダイオード１０を
最大出力３０ｍＷ一定で用いるようにしている虎め、レ
ーザー光を照射する時間を変化させ書き込むべき領域Ｓ
ｎに与えるエネルギー量を制御するようにしていたが、
レーザー出力に余裕のある場合には該レーザー出力を変
化させ上記エネルギー量を制御するようにしても良い。
最大出力３０ｍＷ一定で用いるようにしている虎め、レ
ーザー光を照射する時間を変化させ書き込むべき領域Ｓ
ｎに与えるエネルギー量を制御するようにしていたが、
レーザー出力に余裕のある場合には該レーザー出力を変
化させ上記エネルギー量を制御するようにしても良い。
また、本発明はベクタースキャンで画像の書き込みを行
う場合にも適用できる。
う場合にも適用できる。
上述した実施例の説明から明らかなように、本発明に係
る液晶表示装置では、液晶セル上の一領域に画素の書き
込みが行われ該領域の前後の領域には書き込みが行われ
ない場合に、上記書き込みが行われる領域に与えるエネ
ルギー量を増加させるようにしている。よって、上記前
後の領域の少くともいずハか１つの領域にも書き込みが
行われる場合に合わせて、レーザー光の走査速度を設定
するようにしても、該前後の領域のいずれにも書き込み
が行われない場合における書き込むべき領域への書き込
みも良好に行うことができる。従って、表示品位を低下
させることなく、液晶セルへの画像の書き込み時間を短
縮することができる。
る液晶表示装置では、液晶セル上の一領域に画素の書き
込みが行われ該領域の前後の領域には書き込みが行われ
ない場合に、上記書き込みが行われる領域に与えるエネ
ルギー量を増加させるようにしている。よって、上記前
後の領域の少くともいずハか１つの領域にも書き込みが
行われる場合に合わせて、レーザー光の走査速度を設定
するようにしても、該前後の領域のいずれにも書き込み
が行われない場合における書き込むべき領域への書き込
みも良好に行うことができる。従って、表示品位を低下
させることなく、液晶セルへの画像の書き込み時間を短
縮することができる。
第１図は本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示す構
成図、第２図は上記実施例における液晶セルの構造を示
す断面図、第３図は上記液晶セル上の画素の書き込まれ
る各領域を模式的に示す平面図である。 １・・・シフトレジスタ ３・・・ＡＮＤ回路４．５
．６・・・インバータ ７・・・単安定マルチバイブレータ １０・・・レーザーダイオード２０・・・液晶セル特
許 出 願 人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 −第
２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和６０年４ 月９０ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許唾第２７８５０９号 ２、発明の名称 事件との関係 特許用麗人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２
１８）ソニー株式会社 （Ｓ ′Ｆ） 代表者 大 賀 典 雄４、代理人 自 発 （７−１） 明細書の第１頁第１８行目にある記載「
図ったものに関する。」を「図り、表示品位の向上を図
るものである。」と補正する。 （７−２） 明細書の第３頁第５行目から同頁第６行
目に亘っである記載「液晶セルの略中央から外側に向っ
て螺線状に」を「ランダムに」と補正する。 以上
成図、第２図は上記実施例における液晶セルの構造を示
す断面図、第３図は上記液晶セル上の画素の書き込まれ
る各領域を模式的に示す平面図である。 １・・・シフトレジスタ ３・・・ＡＮＤ回路４．５
．６・・・インバータ ７・・・単安定マルチバイブレータ １０・・・レーザーダイオード２０・・・液晶セル特
許 出 願 人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 −第
２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和６０年４ 月９０ 特許庁長官 志 賀 学 殿 １、事件の表示 昭和５９年 特許唾第２７８５０９号 ２、発明の名称 事件との関係 特許用麗人 住 所 東京部品用区北品用６丁目７番３５号氏名（２
１８）ソニー株式会社 （Ｓ ′Ｆ） 代表者 大 賀 典 雄４、代理人 自 発 （７−１） 明細書の第１頁第１８行目にある記載「
図ったものに関する。」を「図り、表示品位の向上を図
るものである。」と補正する。 （７−２） 明細書の第３頁第５行目から同頁第６行
目に亘っである記載「液晶セルの略中央から外側に向っ
て螺線状に」を「ランダムに」と補正する。 以上
Claims (1)
- 液晶セルにレーザー光による書き込みを行う液晶表示装
置において、上記液晶セル上の画素に対応する一領域に
書き込みが行われかつ該領域の前後の領域には書き込み
が行われないことを判別する判別手段と、この判別手段
からの出力に応じて上記書き込みが行われる領域に与え
るエネルギー量を増加させる手段とを設けたことを特徴
とする液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278509A JPS61158316A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 液晶表示装置 |
| DE8585309498T DE3584284D1 (de) | 1984-12-29 | 1985-12-24 | Fluessigkristallanzeigevorrichtung. |
| EP85309498A EP0187533B1 (en) | 1984-12-29 | 1985-12-24 | Liquid crystal display apparatus |
| US06/814,611 US4696550A (en) | 1984-12-29 | 1985-12-30 | Intensity control of excitation means of thermally addressed display |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59278509A JPS61158316A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61158316A true JPS61158316A (ja) | 1986-07-18 |
Family
ID=17598292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59278509A Pending JPS61158316A (ja) | 1984-12-29 | 1984-12-29 | 液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4696550A (ja) |
| EP (1) | EP0187533B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61158316A (ja) |
| DE (1) | DE3584284D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531272B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2010-08-25 | 株式会社ワコム | 表示装置一体型位置検出装置 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938570A (en) * | 1985-04-18 | 1990-07-03 | Sony Corporation | Method and system for data display and input via display screen |
| US5268776A (en) * | 1988-03-18 | 1993-12-07 | Hitachi, Ltd. | System for partially erasing thermally written liquid crystal element |
| GB8807090D0 (en) * | 1988-03-24 | 1988-04-27 | Secr Defence | Liquid crystal colour display |
| US5138368A (en) * | 1988-10-25 | 1992-08-11 | Greyhawk Systems, Inc. | Fabrication of printed wiring boards by projection imaging |
| US5170270A (en) * | 1989-09-07 | 1992-12-08 | Sharp Corporation | Image writing device |
| EP0608556A1 (en) * | 1992-12-23 | 1994-08-03 | Hughes Aircraft Company | Method and system for improving electro-optic response rate of liquid crystal light valves |
| US6137636A (en) * | 1999-02-27 | 2000-10-24 | Smith; James Lynn | Efficient ocular with spatially modulating, reflective device at intermediate image plane |
| US20030193485A1 (en) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Da Cunha John M. | Active display system |
| US7775567B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-08-17 | Apple Inc. | Magnetic latching mechanism |
| EP3458306B1 (en) * | 2016-05-18 | 2020-12-16 | Shanghai Yanfeng Jinqiao Automotive Trim Systems Co., Ltd. | Console assembly for vehicle interior |
| US11572723B2 (en) | 2019-02-27 | 2023-02-07 | Shanghai Yanfeng Jinqiao Automotive Triim Systems Co. Ltd. | Vehicle interior component |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2275087A1 (fr) * | 1974-06-14 | 1976-01-09 | Thomson Csf | Dispositif de reproduction d'images en noir et blanc utilisant un materiau presentant une phase smectique et systeme de teletransmission et telereprographie mettant en oeuvre ce dispositif |
| US4150396A (en) * | 1974-09-06 | 1979-04-17 | Thomson-Csf | Erasable thermo-optic storage display of a transmitted color image |
| WO1983000936A1 (en) * | 1981-09-07 | 1983-03-17 | Urabe, Tetsuo | Liquid crystal display device |
| GB2132374A (en) * | 1982-11-26 | 1984-07-04 | Standard Telephones Cables Ltd | A two-dimensional acousto-optic deflection arrangement |
| JPS59197485A (ja) * | 1983-04-26 | 1984-11-09 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
-
1984
- 1984-12-29 JP JP59278509A patent/JPS61158316A/ja active Pending
-
1985
- 1985-12-24 EP EP85309498A patent/EP0187533B1/en not_active Expired
- 1985-12-24 DE DE8585309498T patent/DE3584284D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-30 US US06/814,611 patent/US4696550A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4531272B2 (ja) * | 2001-01-16 | 2010-08-25 | 株式会社ワコム | 表示装置一体型位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0187533A2 (en) | 1986-07-16 |
| EP0187533B1 (en) | 1991-10-02 |
| EP0187533A3 (en) | 1987-04-01 |
| DE3584284D1 (de) | 1991-11-07 |
| US4696550A (en) | 1987-09-29 |
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