JPS61158146A - デバイスの製作方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 抜４分災 本発明はアルミニウムおよびインジウムを含むｍ−ｖ半
導体化合物をエツチングするための光電子化学プロセス
に係る。

木見肌卑里元 主として新しい材料の発見と、より良い材料を作成する
ための新しい方法の発見により、最近数年間に、半導体
技術は大きな進歩を示した。これらの進歩は、半導電性
材料の新しいデバイス用途を導き、そのような用途はし
ばしば異なる製作技術を必要とする。典型的な場合、こ
れらの技術は、より小さな寸法を得ること、デバイス中
の各種形状のより精密な配置、構造的な各種形状のより
正確な形状を作ること、半導体表面に金属物質を、より
強く固着すること等に向けられてきた。

適切な具体的な場合の一つは、アルミニウムまたはイン
ジウムを含む■−■化合物を含む半導体デバイスの発展
である。化合物の例はＧａＡ　Ｑ　Ａｓ、　ＩｎＧａＡ
ｓ、　Ａ　Ｑ　ＩｎＡｓ、　ＩｎＧａＡｓＰおよびＩｎ
ＧａＡ　Ｑ　Ａｓである。これらの■−■化合物はＧａ
ＡｓおよびＩｎＰのような各種基板に格子整合するか、
はとんど格子整合した層または薄膜の形として通常現わ
れる。＾Ｑまたはエロを含めることは、通常光波長−を
変えるためまたは基板に格子整合させるために行なわれ
る。

典型的なデバイスは光検出器、発光ダイオードおよび半
導体レーザである。一般にそのようなデバイスは、従来
の■−■デバイスより長い波長で動作する。そのような
デバイスの典型的な波長は、０．８μｍないし２．０μ
ｍの範囲で、最も典型的なのは約１．３μｍである・ そのようなデバイスの製作において、エッチ速度、エッ
チすべき領域およびエッチすべき形状を制御できるエツ
チングプロセスをもつことは、非常に有利である。その
ようなエツチングプロセスは、通常非等方性エツチング
プロセスとよばれる。そのようなプロセスは、チャネル
、貫通孔、鏡、レンズ、回折格子および半導体ウェハ上
の個々のチップの分離形成に有用であろう。

光化学エツチングは非等方性エツチングプロセスとして
、特に魅力的である。このプロセスについては、以下の
多くの文献中で議論されている。ディー・イー・ベーコ
ン（Ｄ、Ｅ。

Ｂａｃｏｎ）らに１９８４年１１月１３日に付与された
米国特許第４，４８２，４４３号、ピー・エイ・コール
（Ｐ、　Ａ、にｏｈｌ）らに１９８３年６月２１日に付
与された米国特許第４，３８９，２９１号、ピー・エイ
・コール（Ｐ　、　Ａ　、Ｋｏｈｌ）　らに１９８３年
９月１３日に付与された米国特許第４，４０４，０７２
号、ニス・アール・フオレスト（Ｓ　、　Ｒ、Ｆｏｒｒ
ｅｓｔ）らに１９８３年１１月８日に付与された米国特
許４，４１４，０６６号。

光化学エツチングプロセスにより、アルミニウムおよび
インジウムを含む■−■化合物をエツチングするための
高速で正確なプロセスを開発することは、非常に有利で
ある。

ｌ吸夙監見 本発明は非水性電解液を用いるアルミニウムまたはイン
ジウムを含むｎ形および真性■−■半導体化合物の光化
学的エツチングプロセスである。

多種類の非水性電解システムが１本発明の実施に有用で
ある。一般に、水の含有量は１０重量パーセント以下、
好ましくは５重量パーセント以下、最も好ましくは１重
量パーセント以下に保つべきである。溶媒は電気化学的
に安定で、所望のエツチングプロセスを起こすことがで
きるーないしそれ以上の有機極性液体から成るのが好ま
しい。典型的な溶媒は。

１０炭素原子までの（グリコールを含む）アルコールで
、メタノール、エタノールおよびプロピルアルコールが
好ましい。アセトニトリルも有用である。メタノールが
最も好ましい。電解液にはその導電率を増すため、−な
いし複数の物質が含まれる。導電率を増す任意の物質が
有用である。一般に、非水性溶媒に溶解し、非水性溶媒
中にイオン種を形成する物質が最も有用である。当然そ
のような物質は電解液の他の成分（たとえば溶媒等）と
反応したりまたは劣化させたりしてはならない。典型的
な物質は、ＨＣＱ、Ｈ，Ｓｏいリン酸、ＨＦなどの各稀
酸、テトラブチル・アンモニウム・ブロマイドのような
テトラアルキルアンモニウム塩、メタオキシナトリウム
傷 のよう−なナトリウム・アルコオキシ化合物などである
。リン酸とＨＦのような物質の組合せも有用である。特
に、　Ｈ，Ｓｏ、とＨＣＱ（一般に０．１ないし１モル
濃度が好ましい）で良い結果が得られる。これらの系は
平坦なエッチ面とともに、高エッチ速度を生ずる。

これらの濃度範囲はそれらが半導体デバイスの他の部分
を損なうことなく、適度なエッチ速度を保障するため好
ましい。

夫直五鬼量班 本発明は非水性電解システムを用いることが、アルミニ
ウムおよびインジウムを含むｎ形■−■化合物半導体の
光電気化学エツチングに、非常に有利であることを見出
したことに基づく、第１に、それは光電気化学エツチン
グプロセスを妨げる不活性化膜の形成を除くか最少にす
る。それはまた、光電気化学エツチングプロセスのより
大きな選択性を保障する。たとえば、ｎ形半導体化合物
は、ｐ形半導体材料に影響を与えることなく、高い速度
でエツチングされる。

電気化学光エツチングプロセスにおいて、半導体は酸化
−還元反応の一部になる。半導体は陽極とされ、対向電
極（通常は白金または白金化チタンのような不活性金属
）は陰極となる。電位が半導体に印加され、その値につ
いて以下で述べる。標準的な電極が、電極電位を測定し
モニターするために、しばしばプロセスで用いられる。

エツチングは半導体の表面で発生した正孔により導入さ
れた分解反応により起こると確信される。

このプロセスは広範囲の半導体化合物に適用できるが、
特にアルミニウムまたはインジウムを含む■−■化合物
半導体に対し有用である。プロセスは少量（０，５モル
パーセントもの少量）のアルミニウムまたはインジウム
に対−しても有用であるが、通常組成範囲は１０ないし
９０モルパーセントのアルミニウムまたはインジウム（
たとえばＡ　Ｑ　、、□Ｇａ０．。

Ａｓ、＾α。、、　Ｇａｏ、、　Ａｓ等）である。特に
重要なのは、アルミニウムの場合０．１ないし０．６お
よびインジウムの場合０．４ないし０．５のＸを有する
アルミニウム・ガリウムひ素（ＡＱｘＧａ　　　Ａｓ）
およびインジウムガリウムひ素−ｘ （ＩｎｘＧａ１−ＸＡｓ）である。また、ＩｎＡ　Ｑ　
ＡｓはＡＱＡｓおよびＩｎＡｓと同様、本発明に従い有
用にエッチされる。しばしばこれらの化合物は他の物質
（たとえばＧａＡｓ）から成る基板上に、薄膜または層
の形で堆積される。

本発明はまた、アルミニウムまたはインジウムを含む四
元ｍ−■化合物にも有用である。

典型的な例は、　　ＩｎＧａＡｓＰ、　ＩｎＧａＡ　Ｑ
　Ａｓ、　Ａ　Ｑ　ＧａＰＳを、　Ａ　Ｑ　ＧａＡｓＳ
を、　Ａ　Ｑ　ＩｎＰＡｓ、　Ａ　Ｑ　ＩｎＰＳｂおよ
びＡ　Ｑ　ＩｎＡｓＳｂである。

本発明は半絶縁性（真性）およびｎ形化合物半導体の両
方で実施できる。一般に、ドーピング濃度は約１０１４
ないし　１０１９原子／ａ１’　に変化し、低い方の濃
度は化合物半導体の純度の下限に近い、補償された半絶
縁性半導体も本発明に従い処理されるが、ｐ形材料はこ
のプロセスではエッチされない。事実、プロセスの具体
的な利点は、プロセス中電解液に接触するｐ形材料は、
本質的に影響を受けず、ｎ形材料はｐ形材料を除去する
ことなく、除去されることである。

化合物半導体をｎ形にするために用いられる具体的なド
ーパントは、厳密でなくてよい。

典型的なドーパントはＴｅ、　Ｓｉ、Ｓ、　Ｓｓ等であ
る。上で述べたように、ドーピングによっては故意に行
なったものではなく、通常半導体化合物をｎ形にしてい
る不純物を表す。

このプロセスにおいて、エッチすべき表面は半導体およ
び電解液間の界面で得られる半導体の価電子帯中に、正
孔を発生させるのに十分なエネルギーの光（または放射
）で照射される。一般に、このことは化合物半導体の禁
制帯に等しいか大きいエネルギーを有する放射を必要と
するが、各種の不純物準位がわずかに低いエネルギーの
放射でも、同じ結果が得られるようにする。広帯域また
は単色光（たとえばレーザ）を用いてよい。好ましくな
い放射を除くため、広帯域光源とともに、フィルタを用
いてもよい。水銀のような蛍光源も有用である。

すべての実用的な目的に対し、エツチングは放射の存在
下でのみ起こり、エツチング速度は放射強度に比例する
。従って、エツチングは（適当なエネルギーの）放射が
表面に入射する半導体表面の領域に限られる。また。

放射の性質（たとえば光線の方向および空間的な強度変
化）は、半導体表面上の各種形状を得るために使用でき
る。たとえば、マスクを通した平行光を用いると、孔お
よび溝のような直線状の壁形状を生じる。（米国特許第
４．３８９，２９１号を参照のこと）また、適切に計画
された入射放射の強度変化は、レンズ等で得られるよう
なパターン形状を生じる。

（たとえば１９８２年９月１０日出願の第４１６．４７
３号、現在米国特許第４，４１５，４１４号を参照のこ
と） 半導体に電位を供給し、酸化−還元反応を促進するため
に、電力源が用いられる。Ｗｇ！セル（通常やはり電解
液中に置かれた飽和カロメル電極に対して）により半導
体に印加された電位および電流を測定するため、メータ
が用いられる。電流はエッチ速度に比例し、従ってエツ
チングプロセスの便利なモニターである−０ 光エッチすべき半導体に印加される電位は、特に重要で
ある。なぜならば、電位が高すぎると、放射が無くても
エツチングが起こるようになり、電位が低すぎると、放
射が存在してもエツチングは起こらなくなる。一般的な
基準としては、電位は用いられる具体的な電気化学溶液
中の半導体の価電子帯の最大電位とこれらの同じ条件下
のフラットバンド電位の間にすべきである。フラットバ
ンド電位は、ｎ形半導体のほぼ伝導帯極小値と同じで、
真性または半絶縁性半導体の価電子帯および伝導帯間の
、はぼ半分である。

これら電位のあるものは知られているが。

それ以上に別に評価または測定しなければならないこと
がある。メタノールおよびＡ　Ｑ　０．。

Ｇａｏ、、Ａｓを基本とした電解液中の典型的な電位は
、飽和カロメル電極に対し、−〇、７　ないし０．５　
ボルトの範囲である。

具体的な一組の実験条件下で印加する最善の電圧を決め
るプロセスが存在する。このプロセスはエツチングプロ
セスを行なう具体的な条件下で、半導体のポルタモグラ
ムをとることを含む、ここで、エツチング速度は半導体
の表面上に放射が入射しているときおよび入射していな
いときの印加電圧の関数として、上で述べたように、電
流を観測することにより測定される。電位の一領域にお
いて、放射があれば（高電流でわかるような）高エツチ
ングが観測され、放射がなければ本質的にエツチングは
起こらない（はぼゼロ電流）ことが見出された。電気化
学光エツチングプロセスにおいて、興味がもたれるのは
、電位のこの領域である。

典型的なポルタモグラムが第１回に示されている。これ
らの測定はメタノール溶媒、リン酸（約３．５モル濃度
）およびテトラブチル・アンモニウム・ブロマイド（０
，２モル濃度）を含む電解質系中で行なわれた。

試料はｎ形ＧａＩ、、、　Ａ　Ｑ　、、３Ａｓである。

′Ａ”と印された曲線は、放射がないときの電流−電圧
特性を表し、Ｂ′″と印された曲線は、放射があるとき
の同じ特性を表す６　Ｃ”と印された曲線は１曲線ＩＩ
　Ｂ　Ｉ）と同じ放射があるときのｐ形材群（ｐ　　Ｇ
ａ、、、　Ａ　Ｑ　６．３　Ａｓ）　”（７）場合の、
同じ特性を示す。

第１図中のグラフかられかるように、放射があるときｎ
形Ｇａ（１４Ａ　Ｑ　ｏ、３Ａｓが（曲線＃（Ｂ　Ｉｔ
　）高いエッチ速度を有し、しかし放射がないとき（曲
線１１　Ａｌ１　）、本質的にゼロエッチ速度をもち１
曲線ＩＩ　Ｂ　ＩＰのように照射されたｐ形Ｇａ、、、
　Ａ　ｎ　ｌＩ、３Ａｓは本質的にゼロエッチ速度であ
る電位範囲（ここでは約−０，２ボルトないし＋０．１
ボルト）がある。同様のポルタモグラムは、他の電解系
を用いて、他の材料の場合にも測定できる。いくつかの
電解液系（たとえば、伝導率を増すため、酸化物質を有
する炭酸プロピレン）においては、他の電気化学プロセ
スがエツチング反応を支配する可能性があり、通常その
ような系は避けるべきである６　′ Ｇａｏ、ｖ　Ａ　Ｑ　ａ、ｓ＾Ｓおよび各種電解液に対
する典型的な電位範囲は、以下の通りである。メタノー
ル中のリン酸−０，４ないし＋０．５ボルト、メタノー
ル中のＨｚＳＯ＊　　０　、４　　ないし＋０．５ボル
ト、メタノール中のＨＦ−０，４ないし＋０．５ボルト
、テトラブチル・アンモニウムブロマイド−０，４ない
し＋０．５ボルト、メタノール中のＨＦおよびテトラブ
チル・アンモニウムフロライド−０，５ないし＋０．５
ボルト、メタノール中のＮａ０Ｃ）ｌ、　−０、７ない
し＋０８３ボルト。

多くの用途の場合、放射（従って、エツチング）を特定
の領域に閉じ込めるために、マスクが用いられる。マス
クはまた、表面のいくつかの部分上で、光透過を変える
ことにより、半導体表面のいくっがの部分で、エッチ速
度を変えるためにも用いられる。しばしば、そのような
マスクを作成するために、写真乳濁液が用いられる。印
加照射の光の方向は。

また重要である。たとえば、マスクを通った平行光線は
、直線的で、直角の壁を有する孔または溝のような直線
壁をもった形状をエッチするために用いることができる
。

電解液の性質は１本発明を実施する上で。

非常に重要である。電解液は酸化−還元反応を起こすた
め、十分導電性（例えば、ｏ、ｏｏｏｏｔＯ／１）にす
べきである、主な成分は非水性溶媒で、一般的には電気
化学的に安定で、適度な導電率（少なくとも　Ｏ，０Ｏ
ＩＵ／ａｗが望ましい）を得るため十分な物質を溶解し
。

光電気化学エッチ反応を妨げない極性有機溶媒である。

典型的な溶媒は炭素数１０までのアルコール（グリコー
ル、グリセリン、フェノールを含む）、アセトニトリル
等である。

一般に、非水性溶媒成分が溶液中の主成分で、一種以上
の物質から成ってもよい０重要なことは、電解質に含ま
れる水を最小にすることである。溶質中の水の含有量は
５重量パーセント以下が好ましい。加えて、溶媒は少な
くとも９５重量パーセントのアルコールで作られること
が望ましく、より好ましくは溶媒が含む水は１重量パー
セント以下であることである。好ましい溶媒は約０．５
重量パーセント以下の水を有するメタノールである。電
解プロセスに有害にならないならば、他の不活性材料が
電解質中に存在してもよい。

電解質系中の各種成分の最適濃度は、成分および溶媒系
に依存して、広い範囲で変えることができる。典型的な
値は、以下のとうりである。メタノール中のＨ，Ｓｏ４
の場合０．２５モル濃度、メタノール中のＨＣＱの場合
０．１５モル濃度、メタノール中のＰ−トルエン硫酸の
場合０．０８モル濃度、　メタノール中のリン酸の場合
３．５モル濃度、　メタノール中のＨＦの場合３モル濃
度である。最適濃度以上および以下の両方で、プロセス
は完全に進むが、最適濃度においては、エツチングを遅
らす薄膜の明らかな形成なく、最大エッチ速度となる。

このことは、エッチ速度に対する放射強度増加の非線形
効果（第２図）または電位を低下させたときより、電位
を上昇させたときにエツチング速度がより高い異常周期
的ポルタモグラムから明らかである。

第２図は二つの電解質系、一つは１モル濃度８３ＰＯ，
プラス０．１モル濃度テトラブチル・アンモニウムブロ
マイド（Ｈ，ＰＯ４と印されている）、他方は０．２３
モル濃度Ｈ，５Ｏ４（Ｈ。

Ｓ０４　と印されている）を有するメタノールの場合の
、ランプ強度の関数としてのエッチ速度のデータを示す
。エッチされる■−■半導体化合物は−Ｇａｘ　Ａ　Ｑ
＋　−ｘ　Ａ　ｓでＸは約０．７に等しく、光源は１０
００ワツトのキセノンランプであった。第２図中の曲線
にプロットされたデータは、エツチング速度は光強度の
広い範囲にわたり、光強度とともに直線的に増加するが
、恐らくエツチングされつつある表面上の不活性化膜の
形成のため、最終的には飽和することを示している。こ
の飽和効果は異なる電解質系では異なるエッチ速度で起
こり、特に、メタノール中のＨ，ＰＯ４の場合より、メ
タノール中のＨ，Ｓｏ、の場合には、より高いエッチ速
度で起こる。同様の結論は、他の電解質系の場合でも得
られる。

電解質の水含有量もまた１本発明を実施する上での重要
なパラメータである。第３図は２５０ワツトの石英タン
グステンランプを用いて、　メタノール中に０．２３モ
ル濃度までのＨ，Ｓ０４で作られた電解液中で、　Ｇａ
、、、、Ａ　Ｑ　ａ、ｓＡｓを光化学的にエツチングす
る場合について、水含有量の関数としてのエッチ速度を
示す。

第３図中に示されたデータは、水含有量の増加とともに
（電流密度で測定した）エッチ速度が減少することを示
しており、水含有量が最小であることが望ましいが、エ
ッチプロセスは水が存在しても起こることを示している
。

本発明の理解は、具体的な用途を記述することによって
容易になる。この用途には、多数（約１００）のＬＥＤ
　（発光ダイオード）デバイスを含むウェハから、ＬＥ
Ｄデバイスまたはチップを分離することが含まれる。こ
のプロセスの具体的な利点は、狭く直線壁のチャネルま
たは溝を生成することで、それらはウェハ上ではほとん
ど面積を使用せず、従って各ウェハ上に多数のデバイス
を並べることを可能にする。

上で述べたように、各ウェハは多数のチップまたはＬＥ
Ｄデバイスから成る。第４図はウェハ中の一つのＬＥＤ
の側面図である。このデバイスは約０．８７μｍで発光
する。それは通常約３０〜５０μｍ厚のｎ−Ｇａ６，７
　Ａ　Ｑ　Ｏ，３＾５（４１）の層でほとんどが作られ
１通常約２．８μｍ厚の　ｎ形金属電極（４２）を有す
るａｎ形電極は一般に金または金合金で、光電気化学エ
ツチングプロセス中、電気的接触として働く。主となる
ｎ　−Ｇａ６，７Ａ　Ｑ　ａ、ｓ　Ａｓ層（４１）のこ
れとは相対する表面に、二つのｐ形層。

第１はＰ　−Ｇａ０．、Ａ　Ｑ　、Ａ９（４３）および
次にＰ−Ｇａｏ、ｙ　Ａ　Ｑ　、、、Ａｓ（４４）が固
着している。第１図の層（４３）は通常約０．５〜１μ
ｍの厚さで、第２の層（４４）は一般に約１〜２μｍの
厚さである。半導体層（４４）の下に、二つの層、すな
わち一般に厚さ約０．２μ−のＳｉｎ。

から成る絶縁層（４５）および厚さ約０．２μｍの金合
金から成る金属層（４６）がある。

電流は絶縁層（４５）中の小さな開口（４７）を通して
注入され、それによりｎ−電極（４２）中の開孔（４８
）中で光が放射される。光電気化学エツチングは、ｎ−
電極中のもう一つの開孔（４９）を通して起こり、光マ
スク（図示されていない）がこの領域に放射を閉じ込め
るために用いられる１通常金メッキされた金で作られた
ヒートシンク（５０）も示されている。

エツチングはｎ−電極中の開孔（４９）を通して行なわ
れる。光電気化学エッチはｎ形材斜上でのみ用いられ、
Ｐ形半導体、絶縁体および金属層では薄い層の通常の等
方性エッチが起こる。

光電気化学エツチングは、オリエル社製の１０００ワツ
ト、モデル８０６６　Ｈｇ　／　Ｘ　ｅアークランプ、
モデル１７２デイジタルクーロメータを備えたＰＡＲモ
デル１７３静電位／ガルバノメータおよびＥＧおよびＧ
　ＰＡＲＣモデル１７５ユニバーサルプログラマを用い
て行なわれた。電気化学セルは典型的な場合。

ｐｔ　　対向電極および飽和カロメル基準電極（ＳＣＥ
）を含む３個の電極構成を有した。

０．２５モル濃度のＨ，ＳＯ，を含むメタノールが電解
液系として用いられた。ＧａＡＱＡｓ層を通してのエツ
チングは、通常約１５〜３０分行なわれた。光電気化学
エツチングは、電気化学的な電気回路中の電流の鋭い減
少で明らかなように、２層で停止する。ｎ層を貫くエツ
チングの後、２層、絶縁体および金属層用に、通常のエ
ツチングを用いる。典型的なエッチは以下のとおりであ
る。Ｐ履用；リン酸、メタノールおよび過酸化水素ＨＳ
ｉＯ□層用、ＨＦ水溶液、金属用、ＫＩ水溶液中のヨウ
素。

これらの層は十分薄く、アンダーカットまたは等方性エ
ツチングは問題にならない。

【図面の簡単な説明】

第１図はガリウム・アルミニウムひ素の場合のポルタモ
グラム（エッチ速度対電位のプロット）を示す図。 第２図は二つの電解液系、すなわち一つはメタノール中
のリン酸、一つはメタノール中の硫酸について、光強度
に対しエッチ速度をプロットした図。 第３図は電解液系の水含有量に対し、エッチ速度をプロ
ットした図、 第４図は約０．８７μ冒で動作するＬＥＤデバイスを含
むウェハの一部の側面を示す図である。 ［主要部分の符号の説明］ ｍ−ｖ族半導体化合物・・・・・・・・・・・・・・・
・・・４１陽　極・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・４２ＦＩＧ、　　Ｉ ＦＩＧ、　２ Ｆ１１対ランプ強度 ＦＩＧ、　　３ 水含有’ｉｔ（体積パーセント） ＦＩＧ、　４ ↑

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アルミニウムまたはインジウムを含 むｎ形または半絶縁性III−Ｖ半導体化合物を含むデバ
   イスの製作方法であって、 III−Ｖ半導体化合物、０．００００１■／ｃｍ以上の
   導電率を有する電解液および陽極に電流を流すことによ
   り、光電気化学的にIII−Ｖ半導体化合物をエッチング
   する工程を含み、該光電気化学エッチングプロセスは、
   更に、ａ、電解液中の半導体の価電子帯最大電位 と電解液中の半導体の伝導帯最小電位間の電位を、半導
   体に印加すること、 を、エッチすべき半導体の表面の一部に、 価電子帯中に正孔を生成するのに十分な放射を照射する
   ことを含み、 該製作方法は、 ｃ、該電解液は１０重量パーセントより少 ない水を含有する非水性溶媒を含むことを特徴とするデ
   バイスの製作方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載の方法に おいて、該非水性溶媒は５重量パーセントより少ない水
   を含むことを特徴とするデバイスの製作方法。 ３、特許請求の範囲第２項記載の方法に おいて、該非水性溶媒は１重量パーセントより少ない水
   を含むことを特徴とするデバイスの製作方法。 ４、特許請求の範囲第１項記載の方法に おいて、該非水性溶媒は極性有機液体を含むことを特徴
   とするデバイスの製作方法。 ５、特許請求の範囲第４項記載の方法に おいて、該非水性溶媒は１０炭素原子までのアルコール
   から成る群から選択された極性有機液体を含むことを特
   徴とするデバイスの製作方法。 ６、特許請求の範囲第５項記載の方法に おいて、該液体はメタノールから成ることを特徴とする
   デバイスの製作方法。 ７、特許請求の範囲第５項記載の方法に おいて、該液体はアセトニトリルであることを特徴とす
   るデバイスの製作方法。 ８、特許請求の範囲第１項記載の方法に おいて、該電解液の導電率を増すために、該電解液は少
   なくとも一つの物質を含むことを特徴とするデバイスの
   製作方法。 ９、特許請求の範囲第８項記載の方法に おいて、該物質はＨＣｌ、Ｈ＿２ＳＯ＿４、リン酸、Ｈ
   Ｆ、炭素原子２４までのテトラアルキルアンモニウム塩
   および炭素原子１０までのナトリウムアルコオキシドか
   ら成る群から選択されることを特徴とするデバイスの製
   作方法。 １０、特許請求の範囲第９項記載の方法に おいて、該テトラアルキルアンモニウム塩はテトラブチ
   ル・アンモニウム・ブロマイドであることを特徴とする
   デバイスの製作方法。 １１、特許請求の範囲第９項記載の方法に おいて、該ナトリウムアルコオキシドはメトオキシナト
   リウムであることを特徴とするデバイスの製作方法。 １２、特許請求の範囲第１項記載の方法に おいて、該III−Ｖ化合物半導体はＡｌＧａＡｓ、Ｉｎ
   ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡ
   ｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＰＳｂ、ＡｌＩｎ
   ＰＡｓ、ＡｎＩｎＰＳｂおよびＡｌＩｎＡｓＳｂから成
   る群の中から選択されることを特徴とするデバイスの製
   作方法。 １３、特許請求の範囲第１２項記載の方法 において、該III−Ｖ化合物半導体はＡｌＧａＡｓであ
   ることを特徴とするデバイスの製作方法。 １４、特許請求の範囲第１３項記載の方法 において、該ＡｌＧａＡｓの組成はＡｌ＿０＿．＿１Ｇ
   ａ＿０＿．＿５ＡｓからＡｌ＿０＿．＿５Ｇａ＿０＿．
   ＿５Ａｓまで変化することを特徴とするデバイスの製作
   方法。 １５、特許請求の範囲第１４項記載の方法 において、該組成は約Ａｌ＿０＿．＿３Ｇａ＿０＿．＿
   ７Ａｓで、該電位は飽和カロメル電極に対し、−０．７
   ないし＋０．５ボルトの間にあり、該電解液はメタノー
   ルを含むことを特徴とするデバイスの製作方法。 １６、特許請求の範囲第１項記載の方法に 従って作られたデバイス。 １７、特許請求の範囲第１６項記載のデバ イスにおいて、該デバイスは発光ダイオードであること
   を特徴とするデバイス。